＜컴퓨터 이야기 26＞ 주기억 장치 - ROM과 RAM

[봄돌아빠]

 

반도체 소자는 그 특성과 사용 목적에 따라 '메모리 반도체'와 '비메모리 반도체'로 나눕니다.

비메모리 반도체는 주로 마이크로프로세서가 주를 이루며, 메모리 반도체는 컴퓨터의 주기억장치로 사용하는 롬(ROM)과 램(RAM)을 비롯하여 플래시 메모리 등을 포함합니다.

롬(ROM)

ROM은 'Read Only Memory'의 약칭입니다. 우리말로 해석하면 '읽기전용기억장치'라고 하겠습니다.

한번 기록한 후에는 빠른 속도로 읽어 내는 것만을 허용하고 다시 기록하는 행위는 금하거나 극히 제한하는 기억장치입니다. 또한 전원이 끊겨도 기억된 내용이 지워지지 않는 특성이 있어서 '비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)'라고도 합니다.

반도체 기억소자외에 ROM이라는 용어를 쓰는 경우로 'CD-ROM'이 있습니다. 레이저로 CD 미디어에 정보를 기록하면 읽기만 가능하고 고치지 못한다는 특성으로 ROM이라는 용어를 붙여쓰고 있습니다.

여기서 우리가 알아 보고자 하는 것은 반도체 메모리로 쓰이는 ROM에 대한 것입니다.

롬(ROM)은 읽고 쓰기의 가능 여부와 방식에 따라서 마스크 롬(Mask ROM), PROM(Program mable ROM), EPROM(Erasable PROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 등으로 나눕니다.

Intel C4001 Mask ROM	D23128C PROM
EPROM	EEPROM

마스크 롬(Mask ROM)은 메모리 칩 제조공정에서 이미 정보를 미리 기억시켜 놓은 메모리로 다시 그 내용을 변경할 수 없습니다.

공장에서 롬을 제작할 때 미리 프로그램화된 회로인 마스크 패턴을 만들어 반도체 웨이퍼 위에 형성시키는 사진석판(Photo-lithography)기술을 통하여 주조되는 실리콘 칩을 마스크 롬이라고 합니다. 이것은 데이터가 마스크 안에 형성되기 때문에 붙여진 이름입니다. 이러한 방식의 제조 방법은 정확히 동일한 데이타의 롬을 수백-수천개이상 똑같이 만들 수 있어 매우 경제적입니다. 그러나 만약 사용자가 하나의 비트라도 바꾸려고 한다면 마스크를 다시 제작해야 합니다. 이것은 비용 상승을 야기하게 됩니다. 이렇게 마스크 롬은 비용 문제가 있고, 가변성이 없기 때문에 대량생산 이외에는 사용하지 않습니다.

마스크 롬을 사용하는 곳은 비디오 카드의 폰트 롬, 프린터의 폰트 롬, 컴퓨터 키보드 바이오스 등이며, 마스크 롬은 한번의 기록으로 더 이상 데이터를 변경할 수 없기 때문에 일반적인 컴퓨터의 주 메모리로 사용하는 것은 불가능합니다.

PROM은 1회에 한해서 새로운 내용을 기록할 수 있는 롬을 말합니다. 사용자가 ROM 라이터라는 기계를 이용하여 내용을 기록할 수 있지만 한 번 들어간 내용은 바꾸거나 지울 수 없습니다. 그 이유는 PROM의 생산제조시 모든 메모리 비트가 퓨즈로 연결되어 1로 읽히도록 만드는데 이것을 데이터를 기록하면 퓨즈가 끊어져서 0으로 읽히기 때문입니다. 다시 말해, 기록 과정 자체가 높은 전압(보통 12~21V)으로 롬 내부에 퓨즈를 끊는 물리적 과정이기 때문에 수정할 수 없는 것입니다.

장점으로는 신뢰성이 높고 자료를 영구적으로 보존할 수 있으며, 값이 싸고, 속도가 빠르다는 점(35-60ns) 등을 꼽을 수 있습니다. 주로 비디오 게임기나 전자사전 등에 이용됩니다.

EPROM은 필요할 때 수시로 기억된 내용을 지우고 다른 내용을 기록할 수 있는 롬입니다. 데이터를 지우는 방법에 따라 자외선을 이용하여 지울 수 있는 UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory)과 높은 전압으로 지울 수 있는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)으로 나뉩니다. 하지만 일반적으로 UVEPROM을 가리킬 때가 많습니다.

UVEPROM은 기록은 플로팅 게이트(floating-gate) 트랜지스터에 고전압(보통 12V 전후)으로 전자를 주입하여 기록하며 플로팅 게이트는 절연되어 있어서 전원을 꺼도 전자는 보존되어 롬으로 사용할 수 있습니다. 그러나 여기에 강한 자외선(234nm)을 쬐게 되면 전자는 게이트의 절연막을 통과해 기록이 지워지게 됩니다. 보통 UVEPROM에는 석영유리창이 있어 다른 롬들과는 확연히 구분됩니다. 기록횟수는 고전압이 실리콘에 영향을 주기 때문에 20회 전후이며 차광 씰을 잘 부착하여 최적으로 보관한다면 10년정도 데이터 보관이 가능하다고 합니다.

UVEPROM은 과거 메인보드, 그래픽카드의 바이오스 칩이나 게임기의 롬으로 많이 사용되었습니다.

그리고 칩 패키지에서 창을 없앤 UVEPROM을 OTP(one-time programmable) ROM이라고 하는데 소거창이 없기 때문에 한번 기록 후 지울 수 없으며 주로 마이크로컨트롤러에서 볼 수 있습니다.

EEPROM은 UVEPROM이 자외선을 쬐어 내용을 지우는 반면 EEPROM은 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써 내부 데이터가 지워지게 되어 있는 EPROM입니다. 데이터를 삭제하기 위한 전용 이레이저가 따로 필요하지 않으며 하나의 롬 라이터를 사용해서 쓰고 지울 수 있습니다. 그러나 EEPROM은 전기를 노출시킴으로써 한 번에 1 바이트씩만 지울 수 있기 때문에 플래시 메모리와 비교하면 매우 느리며 재기록 횟수에 제한이 있는데 약 10만 번 정도까지만 다시 기록할 수 있습니다.

EEPROM은 모뎀이나 비디오 카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 사용됩니다. 모뎀의 경우에는 내부에 사용자가 AT명령을 통해서 설정한 상태가 전원을 껐다 켠 후에도 그대로 유지되는데. 이것은 EEPROM에서 그 상태를 저장해 놓기 때문입니다. 대부분의 비디오카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 EEPROM을 사용해 점퍼없이 설정상태를 저장합니다.

전기적 신호로 데이터를 지우고 쓰는 EEPROM의 동작원리를 활용하여 만든 메모리 장치가 '플래시 메모리'입니다. 플래시 메모리는 EEPROM의 변형 중 하나인데, 바이트 레벨에서 지울 수도 있고 수정할 수도 있는 EEPROM과는 달리 블록 단위로 수정되기 때문에 속도가 빠릅니다. 플래시메모리는 종종 PC의 바이오스와 같은 제어코드를 저장하는데 사용됩니다. 바이오스를 수정해야할 필요가 있을 때, 플래시메모리는 바이트 단위가 아닌 블록 단위로 기록되므로 수정이 쉽습니다. 한편, 플래시메모리가 일반 램처럼 유용하지는 못한 이유는, 램은 블록이 아닌 바이트 단위의 주소지정이 가능해야하기 때문입니다.

플레시 메모리는 현재 거의 모든 분야에서 사용되며, USB 메모리, SD 메모리, CF 메모리, SSD 하드드라이브 등과 같이 메모리카드와 대용량의 펌웨어가 필요한 네비나, 노트북 등, ROM이 필요한 부분은 거의 플래시 메모리가 대체하고 있습니다. 형태도 매우 다양해서 DIP 타입이나, PLCC 타입, TSOP 타입이나 BGA 타입 등 거의 모든 형태로 존재하고 있습니다.

램(RAM) 

RAM은 'Rondom Access Memory'의 약칭입니다. 대표적인 반도체 메모리로서 PC의 주기억장치로 쓰이고 있으며 '메모리'라고 통칭하고 있습니다.

램은 그 작동 원리에 따라서 정적 램(SRAM)과 동적 램(DRAM)으로 구분합니다.

 

SRAM의 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개의 트랜지스터로 구성되어 있습니다. 이렇게 트랜지스터로 기억소자를 구성하고 있기 때문에 전원이 차단되지 않으면 기록된 데이터가 지워지지 않고 속도가 매우 빠릅니다. 하지만 회로가 복잡하여 집적도가 낮고, 값이 매우 비싼 단점이 있습니다. 따라서 SRAM은 빠른 속도의 CPU와 연동되는 캐시 메모리로 주로 사용됩니다. 때로 모바일 장치나 중대형 이상의 컴퓨터들(예를 들면 슈퍼 컴퓨터)같이 고속의 메모리를 요구하는 컴퓨터의 주기억 장치로 사용되기도 합니다.  예전에는 메인보드에 꼽는 형식의 SRAM이 사용되었지만, 요즘에는 칩의 형태로 CPU 안에 위치하는 경우가 많습니다. CPU스펙에 표시되는 L1, L2, L3 등의 캐시 메모리를 말합니다.

DRAM은 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하는 메모리입니다. 축전기는 시간이 경과되면 전자를 누전하게되므로 기억된 정보를 잃게 됩니다. 이를 방지하기 위해 기억된 내용을 주기적으로 충전(refresh)을 하여 주어야 되는데 이것을 일컬어 ‘동적(Dynamic)’이란 명칭이 주어졌습니다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속합니다.

DRAM은 속도는 다소 느리지만 저비용으로 대용량의 메모리를 만들 수 있습니다. 일반적으로 메인보드에 끼우는 RAM은 모두 DRAM을 일컫습니다.

램을 메인보드에 장착하는 방식에 따라서 DIP, SIPP, SIMM, DIMM 등의 방식이 있습니다. 현재의 램 모듈은 모두 DIMM 방식으로 만들어져 있습니다.

초기의 컴퓨터는 느린 DRAM의 속도만으로 충분히 외부 메모리의 역할을 할 수 있었지만, CPU의 속도가 점차 빨라지면서 DRAM의 속도가 향상될 필요가 있게 되면서 고속화 DRAM들이 개발되게 되었습니다.

초기의 비동기식 DRAM은 단일 포트를 가지고 한번 처리에 단 하나의 작업만을 할 수가 있는 RAM이었습니다. 그러므로 CPU에서 그래픽 카드로 데이터를 보내는 동안에는 모니터에 아무런 데이터를 보내주지 못하고 또한 모니터에 데이터를 보낼 때에는 CPU로부터 데이터를 받을 수 없다는 치명적인 문제를 가지고 있었습니다.

메모리의 저장 구조는 행과 열로 이루어져있습니다. 그러므로 행과 열을 지정하면 당연히 메모리의 저장 주소를 알 수가 있게 됩니다. DRAM에는 이 어드레스를 지정하는 기능이 있으며 행과 열을 입력하여 데이터를 출력하는 방식을 취하게 됩니다. 바로 이 때에 각 데이터가 출력되는 시간을 엑서스 시간(access time)이라고합니다.  DRAM에서는 특정한 주소에 접근하기 위해서는 바로 이 행과 열이 필요하게 되는데 이를 RAS(Row Address Strobe) 와 CAS(Column Address Strobe)라고 합니다. RAS가 보내지면 그 다음에 CAS 어드레스가 보내지게 됩니다. 이렇게 데이터가 읽히고 나면 CAS가 사라지는데 그와 동시에 데이터도 함께 유실되게 됩니다. 즉, 데이터의 접근은 CAS가 있는 동안만 가능하게 되는 것입니다.

FPM(Fast Page Mode) DRAM : DRAM은 우선 행과 열을 통하여 접근을 하여 주소를 읽고 그 주소의 데이터를 버퍼에 읽습니다. 그러므로 버퍼에는 주소가 기억되어 있어 그것만으로 데이터에 접근을 하는 것이 가능해집니다. 바로 이 데이터를 접근하는 것을 Fast Page 모드라고 하는데, 바로 이를 이용하는 램을 FPM RAM이라고 합니다. DRAM에 FP모드를 가지고 있는 것이라고 볼 수가 있습니다.  데이터를 모두 접근 하는 것이 아니라 주소를 기억함으로서 데이터를 처리하기 때문에 더 빠른 처리를 기대할 수가 있습니다. 3 사이클을 작동주기로 하며, 데이터 입출력을 동시에 할 수는 없습니다. 보통 효율적으로 대처할 수 있는 CPU의 최고 클럭 속도는 33MHz 정도이며, 작동속도는 70-80ns 정도입니다. 또한 클럭이 35ns에서 28.5Mhz가 한계이므로  66Mhz의 기본 버스 클럭을 따라가지 못함에 따라 그 데이터 처리 능력에 문제가 생길 수밖에 없었습니다. 486 이전의 CPU에서 30핀 SIMM, 72핀 SIMM 형태로 메인보드에 설치되었습니다.

EDO(Exchange Data Output) DRAM : DRAM에서 데이터에 접근을 하기 위해서는 CPU는 RAS와 CAS 신호를 보내게 됩니다. 데이터를 읽기 위해서는 CAS신호가 인가가 되어야만 하며 이 신호가 없어지면 데이터의 접근이 불가능하게 됩니다.

그러므로 다시 데이터에 접근하기 위해서는 CAS를 주어야 하고 그 동안의 클럭이 소모될 수밖에 없습니다. EDO는 그 클럭의 소모를 방지하기 위해서 출력을 CAS가 인가된 상태를 유지하도록 해줍니다. 그렇게 하기 위해서 출력단에 Latch를 달아서 데이터를 유지하게 합니다. 그럴 경우 그 만큼의 클럭의 소모를 줄일 수 있게 되기 때문에 그만큼의 데이터 처리속도의 향상을 얻을 수가 있습니다. 즉, 최악의 경우 2배의 클럭이 소모될 수가 있는 일을 줄일 수 있다는 장점이 생기는 것입니다. 결론적으로 EDO RAM은 FPM RAM의 클럭 사이클 타임을 개선한 것이라고 볼 수가 있습니다. 하드웨어적으로는 FPM RAM과 다를 바가 없는데 단지 FPM RAM의 데이터버퍼에 데이터 유지 회로를 첨가함으로서 변형이 가능했기 때문에 호환성이 높았고 빠르게 보급이 가능했었습니다. 기본 구조는 FPM DRAM가 비슷하며, 작동주기가 2 사이클입니다. 2 사이클의 작동 주기를 지원하는 인텔 82430FX PCI 칩셋 이상을 사용한 메인보드에서 EDO DRAM을 사용할 수 있습니다.

펜티엄 시절 대표적인 램으로 자리를 잡았던 EDO D램은 32비트로 데이터를 읽거나 내보냅니다. EDO D램을 꽂는 SIMM(single in-line memory module)은 핀이 72개로 32비트인 486은 상관없지만 64비트인 펜티엄에서 쓰려면 반드시 두 개를 꽂아야 했습니다(32+32=64). 보통 효율적으로 대처할 수 있는 CPU의 최고 클럭 속도는 66MHz 정도이며, 50-70ns 작동 속도를 보입니다. EDO RAM의 한계는 20ns로 알려져 있으며 25ns램이 상용화가 되어 부두2 등에 이용되면서 일반에 널리 알려졌습니다.

SDRAM(Synchronous DRAM) : SD램은 'Synchronous DRAM(동기식 DRAM)'을 말합니다. 여기서 '동기식'이라는 이름을 붙인 이유는 동작하는 클럭이 시스템 버스(FSB)와 같이 움직이기 때문입니다.

한 예로 'PC 100 SD램'이라고 하면 시스템 버스 100MHz에 맞추어 100MHz로 작동한다는 소리고, 'PC 133 SD램'이라면 마찬가지로 시스템 버스의 클럭 133MHz에 맞추어 RAM도 133MHz의 속도로 장단을 맞춘다는 것입니다. 따라서 시스템이 133MHz 라면 메모리도 PC 133 SD램을 꽂아야 제 속도를 낼 수 있습니다. 처음으로 출시된 SDRAM은 속도가 10∼12나노초였습니다. 이것은 시스템 버스 66MHz에 알맞은 속도로서 펜티엄 III가 쓰는 시스템 버스 100MHz와 133MHz에 맞추기에는 부족한 속도였습니다. 때문에 속도를 최대한 빠르게 하고 SPD(serial presence detect) 칩을 모듈에 달아서 제원, 속도, 용량 등을 곧바로 알려주도록 하여 PC가 램을 알아차리는 시간을 줄여서 시스템 버스 100MHz와 133MHz에도 제대로 작동하게 만들었습니다.

SDRAM은 자료의 송신과 수신이 동시에 발생합니다. 즉 1 사이클이 작동주기입니다. SDRAM은 원천적으로 64bit로 동작하기 때문에 상당한 성능을 보장해주게 됩니다. 데이터의 처리에 있어서 주소의 접근, 데이터 접근, 출력까지의 처리를 3개의 파이프 라인으로 분담하여 처리함으로서 각각의 클럭에 동기하여 처리가 가능합니다. 그러므로 초기 출력은 약간 느릴 수가 있지만 그 이후부터는 월등히 빠른 속도로 처리가 가능하게 됩니다.  그리고 SDRAM은 속도 향상과 메모리에 로드된 데이터의 보호를 위해서 전원을 공급해 주는 딜레이를 없애버렸습니다.

SD램부터는 SIMM 소켓이 사라지고 핀이 168개인 DIMM 소켓이 나왔습니다. EDO D램과 달리 SD램은 하나만 꽂아도 PC가 알아챕니다. 8비트 버스(bus. 데이터 통로)를 지닌 칩 8개를 병렬로 연결해서 한 번에 64비트를 처리하기 때문입니다. 속도는 15ns, 10ns, 7.5ns로 EDO D램보다 훨씬 빨랐습니다.

RDRAM(Rambus DRAM) : 펜티엄4에 쓰였던 RD램(rambus DRAM)은 미국 램버스사에서 발표한 고속 DRAM입니다. 기존 DRAM과는 전혀 다른 구조를 가진 메모리로, 램버스 채널이라는 전용 자료 입출력 통로가 있습니다.

 대역폭이 SD RAM에 비교할 수 없이 빠르다는 장점을 가지고 있으나 램버스사의 독자적인 개발과 그에 따른 호환성을 확보하지 못해 어려움을 겪었지만 인텔에 의해 시스템 메모리의 규격으로 인정을 받아 PC에 채용되었습니다. 외형적인 특징으로는 발열량이 많기 때문에 이를 식히기 위해서 메모리 바깥부분이 방열판으로 둘러싸여 있어 쉽게 구별이 가능합니다.

이 램의 특성은 내부에 2개의 뱅크를 가지고 캐쉬를 이용한다는 점인데 이 캐쉬 기능을 이용해서 고속의 액서스를 가능하도록 하고 있습니다. SDRAM은 8개의 메모리칩을 병렬로 묶어 전송하기 때문에 한 클럭에 64비트(8바이트)를 처리합니다. 반면에 RDRAM은 16비트짜리 메모리칩을 직렬로 연결해서 데이터를 주고받습니다. 따라서 한 클럭에 처리할 수 있는 데이터는 SD램보다 적지만 메모리 클럭이 400MHz이고 DDR(Double Data Rate) 기술을 쓰면 800MHz로 올라가므로 결과적으로는 SD램과 비교할 수 없을 만큼 빠릅니다. 이것이 인텔의 펜티엄4 CPU와 짝을 맺게 된 이유이기도 합니다. 펜티엄 4는 시스템 버스가 400MHz라서 CPU와 메인보드 칩셋이 주고받는 데이터 폭은 1초에 3.2GB입니다. RD램을 쓰면 메인보드 칩셋과 나누는 데이터 폭을 3.2GB로 맞출 수 있기 때문입니다.

    

RDRAM은 기본적으로 듀얼채널을 지원하였으므로 16bit RDRAM은 2개의 메모리를 한 조로 이루어 장착하여야 했습니다. 그러다가 32bit를 지원하는 RDRAM(RIMM3200/4200)이 나오면서 이러한 제한이 풀렸습니다. RDRAM은 직렬 전송방식의 특성때문에 메모리 슬롯을 모두 연결해주어야합니다. 그래서 빈 슬롯을 CRIMM(Continuity RIMM), 또는 CTRIMM(Continuity Termination RIMM)이라는, 메모리 없이 반환을 시켜주는 터미네이션을 꽂아 채워주어야 했습니다. 이것을 '공갈 RAM'이라고도 불렀지요.

RDRAM의 메모리 클록은 600MHz(PC600), 800MHz(PC800 / RIMM3200), 1066MHz(PC1066 / RIMM4200) 등이 있습니다.

RDRAM을 지원하는 독자적인 메모리 슬롯 방식인 RIMM(Rambus In-line Memory Module) 슬롯은 16bit 모듈을 지원하는 168핀과 32bit 모듈의 232핀의 두 종류가 있으므로 메인보드의 메모리 슬롯의 규격을 잘 보아야합니다. 이 두 종류의 슬롯은 핀수가 달라서 서로 호환이 되지 않습니다. 즉, 16bit RDRAM을 32bit RDRAM으로 바꾸려고하면 메인보드까지 같이 교체해야한다는 것입니다. 안그래도 비싼 RDRAM 가격인데 메인보드 가격도 추가되어 업그레이드에 많은 비용이 들게됩니다.

몇몇 고성능을 지향하는 사용자 사이에서는 꾸준히 사용되어지고 있으나 가격이 비싸고 두 개의 메모리를 장착하여야 한다는 점, 업그레이드의 고비용 등의 이유로 펜티엄4 시장에서는 DDR SDRAM에 자리를 빼앗기게 됩니다.

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) : 1 개의 자료 전송 통로를 가지고 있는 기존 SDRAM을 개선한 메모리로, 2 개의 자료 전송 통로를 가지고 있습니다. 이론상 기존 SDRAM에 비해 2배의 전송 속도를 가지고 있습니다. 

RDRAM(램버스 DRAM)에서 사용하였던 DDR(Double Data Rate) 기술을 사용하여 클럭 주파수를 높이지 않고도 SDRAM에 비해 대역폭이 거의 두 배나 늘어났습니다. 구체적으로는 클럭의 상승 에지와 하강 에지 모두에서 데이터를 전송할 수 있습니다. 그에 반해 SDRAM은 상승 에지에서만 데이터를 전송합니다. 이 둘을 구분하기 위해서 일반 SDRAM을 SDR-SDRAM이라고도 부릅니다. DDR은 Double Data Rate의 약자이고 SDR은 Single Data Rate의 약자입니다.
JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council, 국제 반도체공학 표준 협의기구)는 DDR SDRAM의 속도에 대한 표준을 두 가지로 지정하였습니다. 첫번째 규격은 메모리 칩에 대한 것이고, 두 번째 규격은 메모리 모듈에 대한 것입니다. DDR-SDRAM이 더 나중에 나온 DDR2 SDRAM에 압도당하면서 더 오래된 버전은 DDR1-SDRAM으로 일컫게 되었습니다. DDR SDRAM 이후의 메모리 규격은 데이터 속도와 전송 대역폭을 혼용하고 있습니다. RDRAM이 사용하였던 PC600, PC800 등의 동작 클럭 표기법으로 DDR SDRAM을 표기하면 DDR-200, DDR-266, DDR-333, DDR-400 등으로 표기하게 되겠지만, 사용자들이 이러한 표기법을 보고 RDRAM보다  DDR RAM의 속도가 현저하게 느리다고 오해하는 경향때문에 전송 대역폭(band width)으로 표기하여 PC-1600, PC-2100, PC-2700, PC-3200 등의 표기법을 사용하게 되었습니다.

DDR2 SDRAM은 외부 데이터 버스를 DDR SDRAM의 두 배 만큼 빠르게 동작시킵니다. 이러한 동작은 개선된 버스 시그널링을 통해 수행됩니다. DDR2 메모리는 DDR 메모리와 같은 클럭을 가졌으므로 같은 대역을 제공하지만 레이턴시가 꽤 높기 때문에 성능이 떨어질 수 있습니다. DDR3는 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있습니다.

DDR SDRAM 모듈의 핀수는 184핀입니다. DDR2 SDRAM과 DDR3 SDRAM은 240핀을 사용합니다. DDR2 램과 DDR3 램의 핀 개수는 같지만 그림과 같이 중간의 홈(노치) 위치가 달라 서로 혼용이 불가능합니다(노트북에 사용되는 소형 DIMM 규격인 SO-DIMM에서는 DDR, DDR2는 200 핀, DDR3는 204핀을 사용합니다).

2011년 1월 삼성전자에서 개발에 성공했다고 발표하고 2013년 9월 양산 계획인 DDR4 SDRAM은 284 핀을 사용하며 DDR4 SO-DIMM은 256핀을 지니게됩니다.

(관련기사 :  http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2013090202010932803002)

 DDR, DDR2, DDR3의 모듈 규격을 아래의 표로 정리하였습니다.

위 표를 보면 메모리 모듈 규격의 숫자와 메모리 칩 규격의 숫자 사이에는 일정한 규칙이 있음을 알 수 있습니다. 메모리 칩의 버스 클럭 수치에 8배를 한 결과가 메모리 모듈 규격 수치인 것입니다. 예를 들면, DDR2-800 규격의 메모리는 800 x 8 = 6,400이므로 PC2-6400으로 규정됩니다. 이때의 800은 버스 클럭, 즉 800MHz(400MHz x2)를 나타내는 수치입니다.