가변용량 다이오드에 대해 알아봅시다.

가변용량 다이오드에 대해 알아봅시다. 가변용량 다이오드(Variable Capacitance Diode, Varactor, Varicap)는 다이오드의 P-N 접합에 형성되는 공핍영역이,인가되는 전압에 의해 공핍영역 범위가 변화하는 것을 이용하여 가변 캐패시터 기능을 갖도록 만든 다이오드랍니다. 이러한 가변용량 다이오드는 일반적이 다이오드와 동일한 구조를 가지고 있답니다. <img src="https://t1.daumcdn.net/cfile/cafe/250EF94457564E1835" class="txc-image" width="400" style="clear: none; float: none;" border="0" vspace="1" hspace="1" actualwidth="400" data-filename="varactor_simbol.jpg" exif="{}" id="A_250EF94457564E1835F0B2"/> 가변용량 다이오드 심볼 일반적으로, P형 반도체에 N형 반도체를 접합하게 되면, P-N 접합부에는 정공과 전자가 서로 확산 결합하여, 정공과 전자가 움직일 수 있는 없는 공간이 형성되는데, 이 공간을 공간전하 영역(Space Charge Region) 또는 공핍영역(Depletion Region), 공핍층(Depletion Layer)이라고 한답니다. <img src="https://t1.daumcdn.net/cfile/cafe/270F194157564E010D" class="txc-image" width="400" style="clear: none; float: none;" border="0" vspace="1" hspace="1" actualwidth="400" data-filename="공핍층.jpg" exif="{}" id="A_270F194157564E010D010A"/> P-N 접합부의 공핍영역 이러한 공핍영역은, P형 영역에는 억셉터 이온 이, N형 영역에는 도너 이온 영역이 생기게 되고, 전자나 정공, 즉, 캐리어가 존재하지 않아 전류가 흐르지 않는 절연체 역할을 하게 된답니다.P-N 접합 다이오드에 역전압을 인가시키게 되면, P영역의 정공과 N영역의 전자는 P-N 접합면에서 멀어 지게 되고, 공핍영역이 넓어지게 된답니다. 이렇듯 공핍영역은 외부에서 인가하는 전원으로 넓어지거나 좁아지게 할 수 있게 된답니다.이렇게 형성된 공핍층과 P형, N형 반도체 영역은, 일반적인 캐패시터를 구성하고 있는 절연체(유전체)로 분리된 2개의 도전체 판과 같은 유사한 구조를 가지게 된답니다. <img src="https://t1.daumcdn.net/cfile/cafe/2204804157564DAD16" class="txc-image" width="580" style="clear: none; float: none;" border="0" vspace="1" hspace="1" actualwidth="580" data-filename="PN_역방향_cap.jpg" exif="{}" id="A_2204804157564DAD16A04B"/> 역전압으로 형성된 P-N 접합 구조와  캐패시터의 구조 이러한 구조는 외부에서 인가되는 전압에 의해 공핍영역의 범위가 변하게 되므로, P형 반도체와 N형 반도체 사이에 범위가변하는 공핍층을 가진, 즉 유전율이 변하는 유전체를 가진 캐패시터라고 할 수 있게 된답니다.따라서, 가변용량 다이오드는 외부에서 인가되는 전압으로 공핍영역의 범위를 조절하여 캐패시턴스 용량을 가변 할 수 있는 다이오드가 되는 것이랍니다. 참고로, 가변용량 다이오드는 P-N 접합 뿐 만 아니라, 쇼트키바리어(Schottky Barrier),  점 접촉(Point Contact )도  동일한 구성을 한답니다.