고전력 스위칭용 반도체 (IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor)

[인터락]

고전력 스위칭용 반도체 (IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor)

전력용 반도체의 일종으로 전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하게 되는데, 기존의 스위칭 반도체인 트랜지스터는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느린 단점이 있고, MOSFET 는 저전력이고 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있어 이 두제품의 장점만을 결합한 제품이 전력용 반도체 IGBT 임.

[엑스칼리버]

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