NAND 메모리

[꾸리꾸리]

플래쉬 메모리는 전원이 없는 상태에서도 메모리에 데이타가 계속 남아 있을 수 있는 메모리를 의미함

플래쉬 메모리의 일종으로 일반적인 플래쉬 메모리 특성과 NAND 만의 특성을 가지고 있다.

플래쉬의 일반적인 특성인 Write 전에 Erase(블럭단위)해야 한다는 점.

NAND 고유의 특성으로는 Serial 전송을 한다는 점, Page 단위로 Read/Write 한다는 점, Bad Block을 가지고 있다는 점임

1 Block = 32 Pages = 16K + 512 Bytes

1 Page = 528 Bytes = 512 byte + 16 bye(Spare 영역, 메타 데이타 기록용(Bad Block 또는 ECC))

*ECC : Error Correction Code

Page는 Read/Write 단위

Block는 Erase를 위해 묶이는 단위

SB(Small Block) = 32 Page, LB = 64 Page

Original NAND를 부르는 이름 = rawNAND(Pure NAND)

NAND를 사용하는 두가지 방법 = 1)전체를 메모리로 사용 2)부분적으로 firmwar를 너어 사용

2)의 방식으로 NAND 부팅이 가능하도록 쓰는 것이 일반적임

FTL : FLASH Translation Layer

NOR = Not OR -> 병렬성, 빠른 속도를 필요로하는 메모리의 논리회로 방식

NAND = Not AND -> 직렬성, 제작이 편하여 고용량 저렴한 메모리의 논리회로 방식

http://pastime0.tistory.com/entry/NAND 참조