답..(다른 카페에 올린 글을 통째로 펌...)

일단 램에 대한 이야기입니다.. 이걸 이해하시려면 우선 PRAM부터 알아야 합니다만 간단히 종류와 대략적인 성능만 언급해드리겠습니다. PRAM: 페이지모드 메모리라고 하는것으로 가장 기본적인 형태입니다.. 아주 고전적인 형태에서 조금 발전된 메모리죠.. 이 메모리이전의 램들은 셀을 한번 읽을 때마다 신호를 보내야한다는 불편함이 있었죠.. 그러나 이 메모리에서는 신호가 한번만 떨어지면 셀을 계속 읽을 수 있도록 설계된 것입니다.. FPRAM: 빠른 페이지모드라고 하는것입니다.. 방금 말씀드린 페이지모드 메모리에 예비신호를 미리 붙여버리는 방식이죠.. 신호대기가 없다는게 장점입니다.. EDORAM: 이건 아실 겁니다..꽤나 오래 쓰였던 거라서.. 이게 FP램과 다른 것이라면 예비신호중에 출력버퍼가 꺼지는걸 없애버렸다는 거죠.. 그러나 이렇게 된걸로 인해서 데이터를 보내기전에 필요로 하던 열 예비충전시간이 없어져버린거죠.. *지금까지 나온 메모리 가운데 가장 안정적인 메모리죠.. FP와도 호환이 되고 (72핀SIMM입니다..) 속도도 빨라서 (60나노모델이 대부분이었습니다..) SDRAM이 본격적으로 나오기 전에 많이 쓰였던 메모리죠.. 여기까지는 72핀 SIMM모둘이었죠.. 그러나 이것들은 CPU와 상관이 없이 독자적인 클럭을 가집니다 따라서 CPU가 데이터요청을 하나 하려면 램이 준비가 다 되기까지 무작정 기다려야 한다는 게 문제였죠.. 그래서 이것들을 통틀어서 비동기 메모리라고 합니다 그러면 SDRAM과 RDRAM에 대해서도 언급하겠습니다.. 앞에 말씀드린 비동기메모리들은 성능은 좋은데 단 한가지의 문제점이 있었죠.. CPU가 데이터를 하나 요청하려면 램에서 작업이 다 끝날때까지 무작정 기다려야 한다는 문제점이죠.. 그래서 나온것이 동기식 메모리(SDRAM)입니다 이 메모리는 이전의 방식과 좀 다릅니다.. 168핀 DIMM을 쓰고 CPU의 버스에 따라 속도도 다른 걸 써야 합니다.. 동기식 메모리라는 단어가 그냥 나온게 아니라는 말이죠.. 이 메모리에 대한 특징적인 사항을 말씀드리라면 우선 CPU의 FSB와 같은 속도로 움직인다는거죠 그러나 이 메모리가 처음 나왔을 당시에는 EDO는 EDO인데 거기에 버스트모드를 붙인 이름하여 버스트 EDO라는 메모리가 많이 나왔던 시점입니다.. SDRAM이라는 메리트도 거의 없었고 초기의 SDRAM들은 만드는 회사마다 독자적인 기준 및 성능을 가지고 있었기 때문에 BEDO보다 훨씬 느려터졌죠.. 간단히 말하면 그 당시 메모리의 표준화가 EDO로 되어있었단 말이죠.. 그래서 이런 SDRAM들은 묶어서 PC66이라고 부릅니다.. 그 뒤 이런 상황을 없애기 위해서 몇가지 기준이 발표되었는데 SPD(Serial Presence Detect)란 칩을 메모리모듈에 집어넣어 그 메모리의 열대기시간이나 다른 정보들을 집어넣게 했는데 이 이후에 나온 메모리들이 우리가 잘 알고 있는 PC100입니다.. 그 다음부터는 PC133이라느니...DDR이라느니..하는 것들이 나왔죠.. 이것들은 168핀짜리 DIMM이죠.. DDR에 대해서도 언급하겠습니다.. 사실 이런 메모리들이 아무리 데이터를 빠르게 보낸다고 해도 한 클럭에 보낼 수가 있는 데이터는 하나밖에 안됩니다.. 그래서 개발된 것이 DDR입니다.. Duble Data Rate의 약자죠.. 이 기술을 제대로 이해하려면 이걸 먼저 알아야 합니다.. 메모리의 데이터곡선은 사인곡선이란거죠.. 간단히 말해서 올라갔다 내려갔다 하는 곡선입니다.. 일반적인 메모리들은 이 곡선의 최고점에서만 데이터를 보냅니다 그러니까 최저점에는 놀죠.. 그래서 SDR(single data rate)이라고 하죠.. 그러나 DDR은 하강시에도 데이터를 보낼수 있게 설계되어 있습니다.. 놀 틈을 안준다는게 특징인 것이죠.. 그래서 한 클럭당 두배의 일을 할수있게 만든 거죠.. 168핀이긴한데..핀구조가 좀 다릅니다.. 왜 DDR을 언급했느냐 하면 RDRAM도 이 기능을 쓰기 때문입니다.. RDRAM은 프로토콜메모리라고 부르는 것입니다.. 뭐 별게 아니니 간단히 요약하죠.. 앞에서 언급한 메모리들은 하나같이 여러개의 칩이 병렬로 메모리모듈에 연결되어 있어서 한번의 동작에 각 칩들이 다 하나가 된 것처럼 움직입니다.. 즉 칩 하나만 가지고 할 수 있는 일은 없다는 거죠.. 그리고 이 방법은 데이터도 각 칩에서 따로 나오기 때문에 속도를 일정 한계이상으로 못올립니다.. 그걸 대응해서 나온 방법이 있는데 모든 메모리칩들을 하나의 긴 버스에 연결해서 직렬로 동작할수 있게 만들어진 것이죠.. 그리고 버스에 연결된 각 칩들은 버스와 데이터를 주고받기 위해 버스가 알아들을 수 있는 프로토콜을 이용해야 한다는 것이죠.. 이렇게 나온 메모리가 프로토콜메모리인데 RDRAM이 대표입니다.. 램버스사에서 제작했기 때문에 램버스디램이라고 하죠.. 이 메모리의 특징은 일단 SDRAM이 8비트의 폭을 가진 칩을 8개 합쳐서 64비트로 시스템에 연결되는데 반해 16비트의 폭을 가진 하나의 칩이 램버스채널이라고 하는 메모리버스에 꽂혀서 작동합니다.. 그러니까 메모리당 비트수는 램버스디램이 훨씬 적은데 램버스채널의 속도가 최대400MHz고 여기에 DDR(DDR에모리와 같은방법입니다..)을 가해줘서 이론상으로 낼 수 있는 속도는 최대 800MHz가 되죠.. RDRAM은 184핀의 RIMM을 씁니다.. 그런데 이 메모리에는 약점이 몇가지 있습니다.. 속도가 너무 빠르기 때문에 일차적으로 제품을 만들기 힘들다는 것이고 값도 무지하게 비싼데다가 (요즘은 좀 싸졌나 싶네요..) 주파수간섭에도 약하죠.. (이것도 속도가 너무 빨라서 생길수 있는 일입니다..) 쉽게 쓴다고 했는데.. 제대로 한 건지 모르겠네요.. 롬에 대해서도 올리죠.. 앞에서 말씀드린것은 RAM라고 해서 랜덤 엑세스 메모리의 약자입니다.. 이것들은 전기가 공급되지 않으면 데이터를 완전히 까먹어버리죠.. 이걸 막기 위해서 만들어진 것이 롬입니다.. ROM:Read Only Memory 그러니까 읽기만 가능한 메모리라는 말이죠.. 이건 주로 시스템의 바이오스보관용으로 많이 쓰였습니다만.. 바이오스는 업데이트를 해야하는데.. 읽기밖에 못한다는 약점때문에 문제가 되었던거죠.. 이건 롬의 특성때문에 그렇습니다.. 예전에 나왔던 롬은 머스크 롬이라 해서 쓰기 부분의 트랜지스터를 태워서 쓰기불능으로 만들었거든요.. 그래서 다른 방식으로 롬을 만들기 시작했는데 썼다가 지웠다가를 몇번이고 할 수 있게 한 P롬과 롬 라이터라는 장치만 있으면 다시 쓸 수 있게 해주는 EEP롬이 나왔죠.. 그리고 그걸 더 발전시켜서 플래시메모리란 장치도 나온거죠..