웨이퍼 수율이 공급량을 좌우할 것이라는 전망이 전해지며 에이엘티(172670)가 강세

[카이로스s]

오픈AI가 삼성전자 및 SK하이닉스와 고성능메모리반도체 공급협약을 맺은 가운데, 고성능 D램에 필요한 웨이퍼가 현재 생산능력의 2배인 월90만장에 이른다는 소식이 전해지며, 웨이퍼 수율이 공급량을 좌우할 것이라는 전망이 전해지며 에이엘티(172670)가 강세다.

이날 업계에 따르면 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO)는 삼성전자 및 SK와 글로벌 AI 핵심 인프라 구축을 위해 상호 협력하는 LOI(Letter of Intent·의향서)를 체결했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 AI 메모리인 고대역폭메모리(HBM)를 적기에 스타게이트 프로젝트에 공급할 생산체제를 구축한다. 오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 HBM을 공급한다는 방침이다. 챗GPT 개발사 오픈AI는 스타게이트 프로젝트에 웨이퍼 기준 월 90만장에 달하는 고성능 D램이 필요할 것으로 보고 있다.

특히 오픈AI가 요청하는 HBM은 웨이퍼 기준으로 현재 전세계 HBM 생산 능력의 2배가 넘는 수준으로, 향후 막대한 AI 메모리 수요가 폭증할 전망이다. 삼성과 SK에는 이번 프로젝트 참여가 HBM 시장 자체의확대와 더불어 국내 기업의 수혜가 커질 것으로 기대되고 있다.

이에 국내에서 유일하게 초박막 반도체 웨이퍼의 테두리(림, Rim) 부분을 레이저 컷 방식으로 정밀하게 절단하는 ‘자동화 단일 공정’ 기술을 보유하고 있는 에이엘티가 수혜기업으로 주목받는 모습이다.

에이엘티가 보유한 ‘림컷(Rim-Cut)’ 기술은 레이저 컷(Laser Cut) 방식의 타이코 웨이퍼(Taiko Wafer) 절단 프로세스를 자동화된 단일 공정으로 통합해 칩(Chip) 수율을 향상하는 솔루션이다.

특히 기존 방식인 블레이드방식의 웨이퍼 수율이 60%인 반면, 에이엘티의 기술력은 약90%이상의 높은 수율을 내고 있다.

아울러 에이엘티는 지난 2023년에는 ‘SiC 웨이퍼 후공정 다이싱 장치 및 공법’에 대한 특허를 출원했다.

에이엘티가 개발한 Si 기반 전력반도체인 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)는 자동차와 같은 고효율 고속 전력체계에 많이 쓰는 반도체로서 IGBT에 적용되는 림컷 기술을 차세대 전력반도체 SiC에도 응용할 수 있게 특허를 출원한 바 있어 이번 삼성·SK·오픈AI 협력에 따른 수혜기대감이 전망된다.