Au
Ni
Cu
SiO2
wafer
위와 같은 구조에서 고온 Reflow를 흘렸는데 (340C)
SiO2 와 Wafer 사이경계에서 박리가 일어났습니다.
이문제를 해결하고자 도금액에 변화를 주었더니 박리가 일어나지 않았습니다.
(그 변화준 내용은 모릅니다.)
어떤 변화를 주어야 박리가 일어나지 않는 조건에 가까워 질 수 있나요??
궁금합니다.
알려주세요
첫댓글 박리(부풀음)이 발생한 이유는 가장 대표적인 예가 전처리 불량입니다. 위 내용도 전처리 불량이 원인인 듯 합니다. 전처리를 조금더 철저히 하시고 전처리 액고 재검토해 보시기 바랍니다. 또한 340도에서 변화를 주면 웬만한 도금층은 박리가 발생될 수 있습니다. 어떤 조건인지는 몰라도 온도가 너무 고온에서 테스트가 이루어지는 것 같습니다.
첫댓글 박리(부풀음)이 발생한 이유는 가장 대표적인 예가 전처리 불량입니다. 위 내용도 전처리 불량이 원인인 듯 합니다. 전처리를 조금더 철저히 하시고 전처리 액고 재검토해 보시기 바랍니다. 또한 340도에서 변화를 주면 웬만한 도금층은 박리가 발생될 수 있습니다. 어떤 조건인지는 몰라도 온도가 너무 고온에서 테스트가 이루어지는 것 같습니다.