첫댓글 문제1]은 저도 답이제대로 체크안되었더라고요 3,4둘중에 하나인듯요....저는 1번으로했네요...ㅎㅎ 문제2]전위차(전위장벽)는 ge이 작아서 역방향 누설전류가 더 흐르기 싶다고 한것 같아요 그래서 답은 4번인듯요.
역방향누설전류는 소수캐리어에의 한전류흐름인데~~~~그럼 전위차가 작아서 더흐르기쉽다는얘기이네요 공핍층근처에 전자와정공이 모여있어서 P형접합면에는 전자가 N형 접합면에는 정공이 있어서... 근데 공핍층은 확산으로 생기기때문에전위차가 좁기때문에 확산이 잘된다는뜻인지용? 확산으로인해 전자와 정공의 결합으로 공핍층이 생긴다고 그러는데...역방향누설전류는 순수소수캐리어에의해서만 생기지만....
전위차가 작으면 그만큼 역방향 전류가 더 흐르기 싶다는 뜻 맞아요...
네.. 2번은 에너지 밴드갭이 작으면, 열에 의해서 생성되는 캐리어가 많아진다는 의미이고요.. 이... 열적으로 생성된 캐리어가 소수캐리어의 농도입니다. 그래서 Eg가 낮으면, 소수캐리어가 많아지고,, 높으면, 적어집니다.. 함더 생각해 주세요..
글고 1번은...강 무시하세요..ㅎㅎ 일반 다이오드는 높은 온도나,, 높은 전계에 의해서,, 항복이 일어나는데. 제너는 낮은 온도에서도,, 낮은 역전압에서도 항복이 일어날 수 있다는 것을 말하는 문제 같은데.. 보기들이 영 맘에 안들더라구요..ㅎㅎ 강 패스..
첫댓글 문제1]은 저도 답이제대로 체크안되었더라고요 3,4둘중에 하나인듯요....저는 1번으로했네요...ㅎㅎ 문제2]전위차(전위장벽)는 ge이 작아서 역방향 누설전류가 더 흐르기 싶다고 한것 같아요 그래서 답은 4번인듯요.
역방향누설전류는 소수캐리어에의 한전류흐름인데~~~~그럼 전위차가 작아서 더흐르기쉽다는얘기이네요 공핍층근처에 전자와정공이 모여있어서 P형접합면에는 전자가 N형 접합면에는 정공이 있어서... 근데 공핍층은 확산으로 생기기때문에전위차가 좁기때문에 확산이 잘된다는뜻인지용? 확산으로인해 전자와 정공의 결합으로 공핍층이 생긴다고 그러는데...역방향누설전류는 순수소수캐리어에의해서만 생기지만....
전위차가 작으면 그만큼 역방향 전류가 더 흐르기 싶다는 뜻 맞아요...
네.. 2번은 에너지 밴드갭이 작으면, 열에 의해서 생성되는 캐리어가 많아진다는 의미이고요.. 이... 열적으로 생성된 캐리어가 소수캐리어의 농도입니다. 그래서 Eg가 낮으면, 소수캐리어가 많아지고,, 높으면, 적어집니다.. 함더 생각해 주세요..
글고 1번은...강 무시하세요..ㅎㅎ 일반 다이오드는 높은 온도나,, 높은 전계에 의해서,, 항복이 일어나는데. 제너는 낮은 온도에서도,, 낮은 역전압에서도 항복이 일어날 수 있다는 것을 말하는 문제 같은데.. 보기들이 영 맘에 안들더라구요..ㅎㅎ 강 패스..