열팽창 해석? MEMS 해석?

[R.P.M.rider]

실리콘(Si) 평판 위에 표면은 산화실리콘(SiO2)으로 덮여있습니다. 이곳에 피라미드 모양의 홈을 파고 1000도씨의 온도로 5시간동안 가열하면서 산소를 공급하면 파인곳의 표면에 산화실리콘이 생성되면서 산화되어 팽창이 됩니다. 이 과정에서 열에의한 스트레스가 발생하여 팽창되는 정도에 영향을 미칩니다. 다시 상온으로 돌아왔을때 남아있는 잔류 열응력에 대해 해석하려고 합니다. 평판의 가로세로는 1000마이크로미터 이고 홈을 파는 부분은 가로세로 400마이크로미터입니다. 질문 1. BC를 적용후 표면에 산화실리콘이 생성되는 것을 어떤방식으로 해석을 해야하나요? 질문 2. 적합한 Element 타입은? 질문 3. 물성치표에 보면 Thermal expansion이 있습니다. 단위는 10e-6/도씨. 실리콘의 값은 2.616입니다. 근데 ANSYS에서 물성치 넣는 부분에 Thermal expansion이 세가지가 있더군요. "secant coefficient", "instantaneous coefficient", "thermal strain" 각각 무엇을 말하는지 일반적으로 사용하는 열팽창계수값은 어느것이지요? 열해석은 경험이 없어서 가지고 있는 예제파일도 별로 없고.. ㅜ.ㅜ 막막하네여 고수님들의 답변부탁드립니다.