삼성전자 HBM5 속도 50% 향상 승부수...구자흠 '2나노 공정 적용 67270812 문화일보

TSMC 추격 발판  마련 구상'향후 로보틱스 등 사업 확장'삼성전자가 인공지능(AI) 반도채 시장의 판도를 바꾼 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 확보를 위해차세대 HBM5에 최선단 2나노(nm : 1nm는 10억붕의 1m) 공정을 적용하겠다는 구상을 공개했다.최근 브로드컴.오픈AI 등 글로벌 빅테크에 AI 반도체 파운드리(위탁생산) 계약을 따낸 데 이어 선도적인기술 로드맵까지 공개하며 대만 TSMC 추격을 위한 발판을 공고히 하겠다는 의지로 풀이된다.구자흠 삼성전자 파운드리사업부가술개발실장(부사장)은 27일 자사 뉴스룸을 통해 'HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다'며 '업계의 요구에 대응하기 위해 HBM5의 베이스다이는 게이트올어라운드(GAA) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용, 더 높은 집적도의 실리콘 관통전극(TSV)을 구현할 예정이라고 밝혔다삼성전자는 6세대와 7세대 HBM인 HBM4.HBM4E 베이스다이에 양상성과 수율이 검증된 파운드리 4나노 4세대 공정을 적용하고 있다.베이스 다인ㄴ HBM이 프로세서나 가속기와 데이터를 빠르게 주고받도록 연결하는 역할을 담당한다.특히 HBM4부터는 베이스 다이에 최첨단 파운드리 공정이 적용되면서 HBM의 성능과 전력 효율을 끌어올리는 핵심 솔루션으로 자리 잡고 있다.이는 삼성전자가 메모리, 파운드리, 패키징 등 턴키 솔루션의 강점으로 이뤄낸 결과라고 섧명했다.구 실장은 '삼성전자는 설계 단계에서부터 메모리.파운드리 패키징 고작들이 협업해 속도, 전력, 발열 및 수율에 유리하게 설계를 최적화할 수 있다.' 며 '양산 제품을 완성하는 시간을 단축할 수 있고 , 비용 관점에서도 매유 유리하다'고 설명했다.이어 '현재 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정은 양산 3년 차에 진입했고 성능과 양산 수율이 충분히 검증된, 높은 경쟁력을 갖춘 공정'이라며'HBM4 베이스 다이는 공정 셋업부터 샘플 개발까지 약 3개월 만에 완료했으며첫 샘플부터 성능과 수율 목표를 달성했다'고 설명했다.그는 올해 하반기 2나노 2세대 모바일 제품 양산을 시작하는 한편, 테슬라 2나노 수주 이후인공지능(AI.고성능 컴퓨팅(HPC).클라우드 서비스 제공업체(CSP) 등 대형 고객 수주도 이어지고 있다고 전했다.구 실장은 '삼성 파운드리는 앞으로 선단 공정의 탄탄한 기술 경쟁력를을 바탕으로 시장 점유율을 지속 확대해 나갈 계획'이라며 '향후 HBM과 첨단 패키징을 연계한 원스톱 솔루션을 기반으로 AI.HPC와 전장, 로보틱스 등으로 사업 영역을 확장할 계획'이라고 강조했다.                                                                                        이용권 기자