MOSFET, BJT, GTO의 이점을 조합한 전력용 반도체 소자로서 대전력의 고속 스위칭이 가능한 소자는?
1. 게이트 절연 양극성 트랜지스터
2. MOS 제어 사이리스터
1번이 맞는건 알겠는데 혹시 2번이 오답이라는 근거가 있나요?
기출도 아닌거 같고 인터넷으로 다 찾아봤지만 문제에 해당하는 조건을 모두 갖추고 있다고 보는데..
잘 아시는 분 답변 부탁드립니다.
전공자 지식이 필요한듯 하여 제목은 위와 같이 하였습니다.
첫댓글 대전력?
긴밤
문제에서 고속 스위칭에 대한 부분만 기준 한다면 2번 사이리스터는 합격점 이하가 아닐런지요 스위칭은 옳으나 고속 스위칭은 반전 서지 발생우려가 있는것으로 알고 있습니다
첫댓글 대전력?
긴밤
문제에서 고속 스위칭에 대한 부분만 기준 한다면 2번 사이리스터는 합격점 이하가 아닐런지요 스위칭은 옳으나 고속 스위칭은 반전 서지 발생우려가 있는것으로 알고 있습니다