<p><span style="font-size: 12pt;">MOSFET, BJT, GTO의 이점을 조합한 전력용 반도체 소자로서 대전력의 고속 스위칭이 가능한 소자는?</span></p><p><br></p><p><span style="font-size: 12pt;">1. 게이트 절연 양극성 트랜지스터</span></p><p><span style="font-size: 12pt;">2. MOS 제어 사이리스터</span></p><p><br></p><p><span style="font-size: 12pt;">1번이 맞는건 알겠는데 혹시 2번이 오답이라는 근거가 있나요?</span></p><p><br></p><p><span style="font-size: 12pt;">기출도 아닌거 같고 인터넷으로 다 찾아봤지만 문제에 해당하는 조건을 모두 갖추고 있다고 보는데.. </span></p><p><br></p><p><span style="font-size: 12pt;">잘 아시는 분 답변 부탁드립니다.</span></p><p><br></p><p><span style="font-size: 12pt;">전공자 지식이 필요한듯 하여 제목은 위와 같이 하였습니다.</span></p>
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첫댓글 대전력?
긴밤
문제에서 고속 스위칭에 대한 부분만 기준 한다면 2번 사이리스터는 합격점 이하가 아닐런지요 스위칭은 옳으나 고속 스위칭은 반전 서지 발생우려가 있는것으로 알고 있습니다