삼성전자, 신개념 CTF 낸드기술 개발 성공

[조대03최승규]

삼성전자, 신개념 CTF 낸드기술 개발 성공

CTF 기술로 40나노 32기가 낸드플래시도 세계 첫 개발

64GB 메모리카드때 일간지 400년치 분량

최대용량 신물질 메모리 512메가 P램 등도 개발

삼성전자가 신개념의 ’CTF(Charge Trap Flash)’ 낸드 기술을 개발해 세계 최초로 40나노 32기가 낸드플래시 메모리를 상용화하는 데 성공했다.

삼성전자는 또 세계 최대 용량의 신물질 메모리인 512메가 P램(Phase Change RAM)과 세계 최초의 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip)도 개발했다.

삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 11일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 열어 CTF 기술 개발과 40나노 32기가 낸드플래시 상용화에 성공했다고 밝혔다.

CTF 기술은 1971년 비휘발성 메모리가 처음 개발된 이래 35년간 상용화에 적용돼온 ’플로팅 게이트(Floating Gate)’ 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술로, 삼성전자가 2001년 개발에 착수했다.

황창규 사장은 “CTF 기술에 대한 5년간의 연구 활동을 통해 155개의 원천특허와 개량특허를 확보하면서 업계 최초로 상용화에 성공함으로써 삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다”고 말했다.

삼성전자는 이 기술을 통해 ▲반도체 공정수 20% 이상 축소를 통한 제조원가의 획기적 절감 ▲20나노 256기가 확대 적용 가능 ▲반도체 산업을 현재의 기가 시대를 넘어 2010년 이후 테라(기가의 1천배) 시대 진입의 토대 마련 ▲낸드플래시 시장 향후 10년간 250조원 창출 효과 등이 기대된다고 밝혔다.

▲ 삼성전자 반도체총괄 황창규 사장이 11일 오전 서울 신라호텔에서 열린 세계최초 CTF(Charge Trap Flash) 낸드기술 개발과 상용화 성공을 발표하는 기자간감회에서 40나노 32기가 낸드플래시 등 최첨단 반도체 신제품을 선 보이고 있다. /연합

삼성전자는 또 작년에 50나노 16기가 낸드플래시 개발에 이어 올해 CTF 기술로 40나노 32기가 낸드플래시를 개발함으로써 “1.5년만에 용량(집적도)이 2배로 늘어난다”는 ’무어의 법칙’을 깨고 황 사장이 발표한 ’메모리 신성장론’을 7년 연속 입증하는가 하면 6년 연속으로 최첨단 나노기술을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다.

40나노 반도체 기술은 머리카락 두께 3천분의1의 초미세 기술로, 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본 소자가 한 개의 오동작없이 엄지 손톱만한 크기에 집적돼 있는 것이다.

이 낸드플래시 16개를 붙여 64기가바이트 메모리카드로 제작하면 고해상도 사진 3만6천장이나 영화 40편, 세계 5대양 6대주의 지리정보, 일간지 400년치 분량의 정보를 저장할 수 있다.

또 이 카드 열장이면 우리나라 국회도서관에 있는 220만권 장서 분량의 정보를 저장할 수도 있어 ’손안의 도서관’ 시대가 열리게 된다.

삼성전자는 40나노 기술이 본격 도입되는 2008년 이후 5년간 약 500억달러 이상의 낸드플래시 시장이 형성될 것으로 내다봤다.

특히 삼성전자는 올해 처음으로 낸드플래시를 PC까지 적용해 하드디스크 없는 ’디지털 PC’를 출시한 데 이어 이번 40나노 32기가 낸드플래시를 향후 모바일 PC는 물론 하드디스크가 적용되는 모든 디지털 제품으로 더욱 확대할 예정이다.

황 사장은 “작년이 ’플래시 러시(Flash Rush)”의 해였다면 올해는 새로운 디지털 세상을 여는 ’플래시토피아(Flashtopia)’ 로의 진입을 준비하는 첫 해로 기록될 것“이라고 말했다.

삼성전자는 이를 위해 ▲기가(Giga)시대를 넘어 2010년 이후 테라(Tera) 및 페타(Peta) 시대를 겨냥한 ’초 고용량 반도체’ ▲하나의 칩에 메모리, 로직, 센서, CPU, 소프트웨어 기능 등을 집적한 ’퓨전 반도체’ ▲원자 20배 정도 크기인 10나노 공정기술을 적용한 반도체 등 신개념의 반도체를 개발중이다.

삼성전자는 또 이날 코드 및 데이터 저장용으로 사용되는 플래시 계열 메모리의 장점을 두루 갖춘 차세대 메모리 제품인 세계 최대용량의 신물질 메모리 512메가 P램도 발표했다.

P램은 데이터 저장시 기존 데이터를 지우는 동작없이 직접 쓸 수 있어 프로그램 속도가 기존 플래시 대비 30배 정도 빠르고 내구성도 최대 10배 이상 뛰어나 모바일 기기의 성능 및 편의성이 획기적으로 향상되고 노어플래시 대비 공정스텝 수가 30% 줄어드는 등 원가 효율 측면에서도 경쟁력이 탁월하다.

삼성전자는 2008년부터 이 제품을 사업화해 고용량 노어 플래시 대체 제품으로 육성할 계획이다.

삼성전자는 이 밖에 고속 하이브리드 드라이브의 핵심 기능을 하나의 SoC에 내장한 세계 최초의 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC를 개발, 오는 11월부터 본격 양산키로 했다.

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