“최고 속도·최저 전력” 삼성전자, 20년 공들인 차세대 ‘M램’ 공개

[이은미]

세계 최대 반도체학회서 M램 개발 성과 발표
14나노 공정 적용해 기존 M램보다 속도 2.6배 향상
”AI, 빅데이터 확산과 함께 M램 시장도 급성장”

삼성전자가 D램과 낸드플래시의 장점만 취한 차세대 메모리 ‘M램(MRAM)’을 한 단계 더 진화시킨 버전을 공개했다. 지난 2002년부터 차세대 메모리 개발에 본격적으로 투자해온 삼성전자가 이번에 내놓은 M램은 더욱 정교한 미세공정을 접목해 현재까지 세계에서 발표된 메모리 중 가장 데이터 읽기 속도가 빠르고 에너지 효율이 높은 것으로 알려졌다.

23일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 세계적인 반도체 학회인 ‘국제전자소자회의(IEDM)’에 차세대 M램과 관련한 연구개발 성과를 논문으로 게재했다. 이번에 삼성전자 연구진이 개발에 성공한 내장형(e) M램은 기존 28㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 자기터널접합(MTJ: magnetic tunnel junction)을 14㎚ 핀펫(FinFET) 공정으로 고도화해 성능을 대폭 향상한 것으로 알려졌다.

출처 : [단독] “최고 속도·최저 전력” 삼성전자, 20년 공들인 차세대 ‘M램’ 공개 - 조선비즈 (chosun.com)

[단독] “최고 속도·최저 전력” 삼성전자, 20년 공들인 차세대 ‘M램’ 공개