지난 12일 삼성전자는 세계 최초로 50나노 기술을 이용한 16기가바이트(GB)급 ‘낸드(NAND) 플래시 메모리’를 개발했다고 밝혔다. 플래시 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 없어지지 않는 메모리 반도체로 읽기와 쓰기가 자유로워 하드디스크, CD롬 등을 대체할 차세대 저장 장치로 주목받고 있다.
반도체는 기능상 ‘메모리 반도체’와 ‘비메모리 반도체’로 나뉜다. 메모리 반도체는 정보의 기록과 저장을 주기능으로 S램(RAM), D램(RAM), 플래시 메모리 등이 있다. 비메모리 반도체는 논리ㆍ연산 등 정보 처리 기능에 사용되며, 중앙처리장치(CPU), 주문형 반도체 등이 이에 속한다.
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▲ 삼성전자에서 개발한 16기가바이트 낸드 플래시 메모리. |
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메모리 반도체는 다시 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉜다. S램, D램처럼 전원이 끊기면 저장된 내용이 모두 지워지는 것을 휘발성 메모리라고 하며, 전원이 끊겨도 저장한 내용을 그대로 보존할 수 있는 플래시 메모리 등을 비휘발성 메모리라고 한다.
플래시 메모리에는 ‘코드 저장형(NOR)’과 최근 눈길을 끄는 ‘데이터 저장형(NAND)’이 있다. 코드저장형은 저장된 정보를 읽는 속도가 빠른 것이 특징이며 인텔이 주요 생산 업체다. 데이터 저장형은 많은 용량의 정보를 저장할 수 있는 것이 특징이며 삼성전자가 세계적인 주요 생산 업체다.
읽기 속도는 코드 저장형에 비해 느리지만 쓰기 속도가 빠르고 대용량이라는 장점이 있다. 디지털 카메라와 디지털 캠코더의 메모리 카드, MP3, 휴대전화의 저장 장치로 쓰인다. 앞으로는 무거운 하드디스크 대신 아주 가벼운 플래시 메모리를 저장 장치로 사용하는 노트북이 개발돼 사람들이 더욱 쉽게 지닌 수 있을 될 것으로 기대된다.