<p>김 용 환<br>한국시니어과학기술인협회 재료·소재분과 연구위원<br>전 배재대학교 겸임교수, 현 ReSEAT 프로그램 전문연구위원</p><p><br>초록</p><div class="table-wrap"><table data-ke-type="table" data-ke-align="alignLeft" style="width: 74.86%;" border="1"><tbody><tr><td style="width: 100%;"> 최근 반도체 공정에서 고집적도를 위한 선폭 미세화 진행에 따라 고출력의 플라스마가<br>필요하게 되었으며, 또한 건식 에칭공정에서도 내플라스마 특성이 우수한 재료가 요구되고<br>있다. 기존 반도체 공정에서 많이 사용되었던 실리콘, 석영 및 알루미나를 대체하는 소재가<br>필요한 상황이고, 대체 소재로 SiC(Silicon carbide) 재료부품 비중이 급격히 증가하는 추세에<br>있다. 여기서는 CVD SiC의 기본원리, 제조를 위한 반응장치와 주요 제조기술에 대해<br>기술하였다. 또한 CVD SiC 제조에는 원료 가스 등과 반응장치 내에서 발생하는 다양한 인자가<br>제조에 영향을 미친다. 이에 대한 주요 내용을 소개하고 제조에서 전산 유체역학을 이용하는<br>기술과 반도체 공정 이외에 사용되는 응용 분야도 소개하였다.</td></tr></tbody></table></div><p>키워드: 화학기상증착 탄화규소(CVD SiC), 탄화규소(SiC), 화학기상증착(CVD), 탄화규소 증착(SiC<br>Deposition), 탄화규소 코팅(SiC Coating), 반도체용 탄화규소</p><p> </p><div class="figure-file" data-ke-type="file" data-file-src="https://t1.daumcdn.net/cafeattach/1Y6g3/a9cddb45c3ca53f096918d7fa46086f2f15e0892?download" data-file-name="434_CVD SiC 소재의 제조와 응용기술(김용환) 최종.pdf" data-file-size="323184" data-mimetype="application/pdf" data-ke-align="alignLeft"><a href='javascript:fileFilterViewer("https://t1.daumcdn.net/cafeattach/1Y6g3/a9cddb45c3ca53f096918d7fa46086f2f15e0892?download", "/cafeattach/1Y6g3/a9cddb45c3ca53f096918d7fa46086f2f15e0892", "434_CVD SiC 소재의 제조와 응용기술(김용환) 최종.pdf", "grpid%3D1Y6g3%26fldid%3Ds4Ru%26dataid%3D19%26fileid%3D1%26regdt%3D20201210205425&url=https%3A%2F%2Ft1.daumcdn.net%2Fcafeattach%2F1Y6g3%2Fa9cddb45c3ca53f096918d7fa46086f2f15e0892")'><div class="image"></div><div class="desc"><div class="filename"><span class="name">434_CVD SiC 소재의 제조와 응용기술(김용환) 최종</span><span class="type">.pdf</span></div><div class="size">315.61KB</div></div></a></div>
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