[반도체] 파운드리 메모리 패키징 원스톱 솔루션 제공…삼성, AI칩 역전극 전개

[お持て成し]

파운드리 메모리 패키징 원스톱 솔루션 제공…삼성, AI칩 역전극 전개 / 6/14(금) / 중앙일보 일본어판

삼성전자가 "인공지능(AI) 시대에 가장 어울리는 파운드리가 되겠다"는 포부를 밝혔다. 파운드리(반도체 위탁생산)와 메모리 반도체, 첨단 패키지 사업을 통합해 공급 기간을 20% 단축한 원스톱 솔루션을 내놓으면서다.

삼성전자는 12일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 삼성반도체(DS) 부문 미주 총괄 사옥에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'을 열고 파운드리 기술 전략을 공개했다. 최시영 파운드리사업부 사장은 이날 기조연설에서 "삼성전자는 세계에서 유일하게 파운드리, 메모리, 후공정을 한 번에 제공할 수 있는 반도체 기업"이라며 "AI 시대에 가장 어울리는 파운드리가 될 것"이라고 밝혔다.

이 행사는 삼성전자가 2016년부터 주관하고 있는 연례행사로 파운드리 사업 전략을 공유하는 자리다. 삼성전자는 그동안 이 행사에서 자사의 첨단 공정 로드맵을 밝혀왔다. 2022년 2nm(나노미터10억분의 1m)와 1.4nm 공정계획을 처음 공개했고 지난해에는 2nm 공정 세부계획도 경쟁하는 대만 TSMC보다 먼저 알렸다.

삼성전자는 올해 신규 최첨단 공정 계획을 발표하지 않았지만 기존 2nm 및 4nm보다 효율을 높인 신공정 SF2Z와 SF4U를 각각 추가했다고 밝혔다. 숫자 줄이기에 초점을 두지 않고 전력 효율화와 제품 완성도에 집중한다는 전략이다. 최 사장은 "AI 혁명 시대에 가장 중요한 것은 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화한 서비스를 제공하겠다"고 강조했다.

삼성전자는 '이면 전원공급(BSPDN)' 기술을 적용한 2nm 공정 SF2Z를 2027년까지 양산하겠다고 밝혔다. 

BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 뒷면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선해 전력 소비를 줄이는 기술.광학적 축소를 통해 소비전력과 성능·면적을 기존 4nm 공정보다 강화한 SF4U는 내년 양산할 예정이다.

TSMC가 지난 4월 북미 기술 심포지엄을 열고 2026년 하반기부터 1.6nm 공정을 양산하겠다고 발표했기 때문에 업계에서는 삼성전자도 이번 행사에서 1nm대 공정 양산 시기를 앞당길 것이라는 예상이 있었다. 그러나 삼성전자는 이날 1.4nm를 2027년에 양산한다는 기존 계획을 바꾸지 않았다. 대신 "1.4nm 공정에서 목표한 성능과 수율을 확보했다"고 강조했다.

나노 경쟁 대신 삼성전자는 종합반도체기업(IDM)이라는 장점을 활용해 파운드리, 메모리, 패키지를 한 팀에서 제공하는 원스톱 턴키(일괄) 솔루션으로 고객을 확보하겠다는 전략을 재차 강조했다. 최 사장은 "게이트 올어라운드(GAA) 공정 기술과 적은 전력으로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학소자 기술 등을 통해 고객이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라며 "2027년 턴키 솔루션에 다양한 기술을 함께 추가해 제공할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 턴키 방식을 통해 고객은 20% 이상 시간을 단축할 수 있다. 이 같은 전략은 글로벌 2위 도전을 선언한 인텔의 파운드리와는 상반된 방식이다. 인텔은 다른 회사에서 생산된 칩도 패키징한다는 전략으로 고객을 유치하고 있다.

한편 이번 행사에는 르네 하스 암(ARM) 고경영자(CEO), 조너선 로스 글로크 CEO 등 글로벌 테크 기업 관계자들도 참석했다. 

https://news.yahoo.co.jp/articles/76d78e043322887c70ed53c99afd8a88ebafb4ca

ファウンドリー・メモリー・パッケージングのワンストップソリューション提供…サムスン、

ファウンドリー・メモリー・パッケージングのワンストップソリューション提供…サムスン、ＡＩチップ逆転劇展開へ
6/14(金) 11:51配信


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中央日報日本語版
サムスン電子のロゴ

サムスン電子が「人工知能（ＡＩ）時代に最もふさわしいファウンドリーになる」という抱負を明らかにした。ファウンドリー（半導体委託生産）とメモリー半導体、先端パッケージ事業を統合して供給期間を２０％短縮したワンストップソリューションを公開しながらだ。

サムスン電子は１２日（現地時間）、米カリフォルニア州サンノゼにあるサムスン半導体（ＤＳ）部門米州総括社屋で「サムスンファウンドリーフォーラム２０２４」を開き、ファウンドリー技術戦略を公開した。崔時栄（チェ・シヨン）ファウンドリー事業部社長はこの日の基調演説で「サムスン電子は世界で唯一ファウンドリー、メモリー、後工程を一度に提供できる半導体企業」とし「ＡＩ時代に最もふさわしいファウンドリーになる」と明らかにした。

この行事はサムスン電子が２０１６年から主管している年次行事で、ファウンドリー事業の戦略を共有する場だ。サムスン電子はこれまで同行事で自社の先端工程ロードマップを明らかにしてきた。２０２２年に２ｎｍ（ナノメートル、１０億分の１メートル）と１．４ｎｍの工程計画を初めて公開し、昨年は２ｎｍ工程の細部計画も競合する台湾ＴＳＭＣよりも先に知らせた。

サムスン電子は今年、新規最先端工程計画を発表しなかったが、従来の２ｎｍおよび４ｎｍより効率を高めた新工程のＳＦ２ＺとＳＦ４Ｕをそれぞれ追加したと明らかにした。「数字減らし」に焦点を置かず、電力効率化と製品完成度に集中するという戦略だ。崔社長は「ＡＩ革命時代に最も重要なのは高性能・低電力半導体」とし「ＡＩ半導体に最適化したサービスを提供する」と強調した。

サムスン電子は「裏面電源供給（ＢＳＰＤＮ）」技術を適用した２ｎｍ工程ＳＦ２Ｚを２０２７年までに量産すると明らかにした。

ＢＳＰＤＮは電流配線層をウェハー裏面に配置し、電力と信号ラインのボトルネック現象を改善して電力消費を減らす技術。光学的縮小を通じて消費電力と性能・面積を従来の４ｎｍ工程より強化したＳＦ４Ｕは来年量産する予定だ。

ＴＳＭＣが４月に北米技術シンポジウムを開いて２０２６年下半期から１．６ｎｍ工程を量産すると発表したため、業界ではサムスン電子も今回の行事で１ｎｍ台工程の量産時期を操り上げるという予想があった。しかしサムスン電子はこの日、１．４ｎｍを２０２７年に量産するという従来の計画を変えなかった。その代わり「１．４ｎｍ工程で目標にした性能と収率を確保した」と強調した。

ナノ競争の代わりにサムスン電子は総合半導体企業（ＩＤＭ）という長所を活用し、ファウンドリー、メモリー、パッケージを一つのチームで提供するワンストップターンキー（一括）ソリューションで顧客を確保するという戦略を改めて強調した。崔社長は「ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）工程技術と少ない電力でも高速データ処理ができる光学素子技術などを通じて顧客が必要とするワンストップＡＩソリューションを提供する」とし「２０２７年にターンキーソリューションに多様な技術を共に追加して提供する」と明らかにした。サムスン電子によると、ターンキー方式を通じて顧客は２０％以上時間を短縮できる。こうした戦略はグローバル２位挑戦を宣言したインテルのファウンドリーとは相反する方式だ。インテルは他社で生産されたチップもパッケージングするという戦略で顧客を誘致している。

一方、今回の行事にはアーム（ＡＲＭ）のレネ・ハース高経営責任者（ＣＥＯ）、Ｇｒｏｑのジョナサン・ロスＣＥＯなどグローバルテック企業関係者らも出席した。