GA
날씨가 많이 풀렸습니다.
본 기사는 2011년 1월 28일 올라클에 올린 글 입니다.
GM
벌써 자정이 훌쩍넘어 금요일 새벽입니다.
이제 다음주면 설날이고 번쩍하니 벌써 한달이 지나가고...
오엠님들 즐겁고 건강하게 장수하시기 바랍니다.
이번에도 역시 강오엠님의 기사를 우리언어로 올립니다만 항상 이런 글을 올릴때 마다
생각나는 글은 수려한 문장과 어휘가 돗보인 HL1AV 이명선오엠님의 글 입니다.
그럼 본론으로;
Quote
2.2 반도체 회로들
Depletion(공핍형)모드의 N-채널 FET (MOS-FET 혹은 J-FET)는 본질적으로 진공관과 같은
동작을 합니다. 많은 FET들은 높지않은 Drain전압으로 동작하는 증폭용으로 적용이 가능합니다.
고전압 Bipolar NPN트랜지스타들과의 조합(협력)에 의해 Drain전압은 더욱 확대될 수 있습니다.
또한 생각해 볼 다른 중요한 스펙들로는 이득과 Idss 가 있습니다.
그들은 당연히 기존의 진공관회로들과 매칭되어야 합니다. 느슨한 IDss스펙으로 인해
진공관회로와 동일하게 동작시키기 위해서는 약간의 바이어스 방식의 수정이 필요합니다.
5극관은 3극관과 Buffer의 조합으로 생각해 볼 수 있습니다. 아래 나타낸 회로들로부터
시작합니다. 입력회로들 중 하나와 출력회로들 중 하나의 조합이 진공관회로의 기능을
대신합니다.
이 프로젝트를 위해 선택한 트랜지스타들은 다음과 같습니다.
1. 2N5484, N-채널 depletion모드 J-FET(Mouser의 부품번호: 512-2N5484)
2. LND150N3, 고압 N-채널 Depletion모드 MOS-FET(Mouse부품번호: 689-LND150N3)
3. 2N5551, 고압 NPN 트랜지스타(Mouser: 610-2N5551)
4. FQPF1N50, 고압 N-채널 enhancement모드 Power MOS-FET(Mouser:512-FQPF1N50)
이 부품들은 제가 Mouser전자에서 찾은 것들이고 여러분들은 더욱 다양한 부품들을 선택할 수 있습니다.
교류적으로 그라운드 된 외부 DC전원에 연결된 핀(다리)가 있을 경우 Base전압은 출력회로(B)에서
보는것 처럼 제너다이오드를 이용해 안정화 시킬수 있으며 트랜지스타의 에미터를 통해서 동작중인
FET에 안정적인 드레인전압을 공급할 수 있습니다.
역자주: 출력회로(B)는 맨 마지막 그림 PTO (6AU6/7543)을 참조하시기 바랍니다.
3.0 construction(제작)
3.1 진공관 Base - Ⅰ(첫번째 그림)
가장 확실한 base의 원천은 진공관 그 자체입니다. 우선 저는 좋은 진공관을 일부러 깨트려야
할 때 매우 망설였습니다. 밑바닥 부분을 얻으려 내가 어떻게 진공관을 부셨는지 윗그림을 보면
알 수 있습니다. 진공관 유리의 밑부근을 그림과 같이 조그만 절삭도구로 진공관 외부유리에 상처를
냅니다.(1번) 이렇게 함으로서 유리전체가 깨지는 불상사를 어느 정도 방지할 수 있습니다.
다음은 진공관을 음식을 싸는 비닐 랩(vinyl film)으로 감싸고 조그만 금속도구나 금속막대등을
이용해 진공관의 윗부분을 부드럽게 쳐서 원하는대로 깨끗이 자릅니다.
첫번째 그림 맨 위에 보이는 것 같은 금속도구를 이용할 때는 화살표 쪽을 잡고 사용합니다.(2번)
이럴 경우 쉽지는 않지만 내부연결용 단자들이 상하지 않도록 주의하며 그래야 외부연결용
핀들이 만들어 질 수 있습니다.
3.2 진공관 Base - Ⅱ(2번째 그림)
Base를 만드는 또 다른 방법으로는 진공관소켓을 이용하는 것입니다.
소켓에서 모든 금속물질을 제거합니다. 잘 맞는 핀(다리)들을 위쪽으로 부터 끼워 넣습니다.
사용되는 핀(다리)들은 그림에서 보듯이 D-형 콘넥터로 부터 추출한 것들입니다.(1번)
여기서는 사용되는 핀들의 길이 때문에 오직 1/4인치 두께의 소켓만 사용합니다.(4번) 베이스에
회로가 만들어졌을 때 회로가 제대로 동작하는지 그리고 핀(다리)들은 무전기본체의 소켓과 잘 맞는지
여부를 확인해야 합니다. 그런 후 핀들을 에폭시 접착제로 잘 고정시킵니다.
3.3 100Khz X-tal Marker Oscillator, 6DC6 (3번째 그림)
LND150N3와 2N5551의 조합이 6DC6 대용으로 사용됩니다. FET입력측의 바이어스는
조정할 필요가 없었습니다.
출력신호는 진공관의 것과 같이 강하지는 않았지만 개인적으로 마커(amrker)에 강한 신호가
필요하다고는 보지 않습니다. 원 설계자가 아마 1pF보다 적은 용량의 캐패시터를 찾지 못한
경우 같습니다.
Unquote
오늘은 여기까지...
73 & Good night,