2013 Global R&D 채용(장학생)
1. 채용유형
- 신입
2. 직무설명
- 설계
※ System/Application 구조(Architecture)
※ Digital/Analog 회로 설계(Circuit Design)
※ 배치설계(Layout)
※ 회로 검증(Verification)
- 소자
※ Cell 특성에 기반한 구조 Design
※ Cell access switch 개발
※ Transistor 개발
※ Design rule 제정 및 오류 수정
- 공정(R&D)
※ New Memory(STT-MRAM, PCRAM, ReRAM)
※ DRAM(단위공정 개발, 요소기술 개발, 수율 확보 및 개선, 공정 최적화 등)
※ NAND Flash(제품 및 소자 신뢰성 제고, 핵심기술 및 단위 공정 기술 Roadmap 구축)
- 제품
※ DRAM(Server/MobilePC/범용PC 등 제품 기술 개발, 양산 인프라 구축, 불량 분석 등)
※ Consumer/Graphics(Consumer memory, VGA, Game console용 High-speed Performance Graphics
Memory 개발)
※ NAND Flash(Test Baseline 개발, 완제품 평가 기준 정립, 3D Cell 및 New application 등 Test Solution 개발
※ Mobile(Mobile DRAM 제품 개발, 고객 기술제휴 업무 등)
※ 응용기술(Computing system용 Memory Mobile의 PCB 설계, Signal & Power Integrity 검증 및 개선,
Memory Module의 기계적 신뢰성 제고를 위한 제조공정 개발, Memory Module 완제품 실장 평가)
- Software
※ Flash Controller(NAND Solution 개발, NAND Boosting Algorithm 개발, ECC 개발, eMMC/SATA/UFS JDEC
표준화 및 Firmware 개발, 고속(~12Gbps) 인터페이스 설계 및 통합, Linux/Android 환경 내 Device Driver 개발)
3. 접수기간 및 접수방법
1) 접수기간
- 2013년 08월 28일 (수) ~ 2013년 10월 13일 (일) 까지
2) 접수방법
- 당사 홈페이지 접수 이용
4. 기타사항
- 1차 접수 : ~ 9.15(일)
- 2차 접수 : ~ 10.13(일)
※ 접수에 따른 검토 결과는 개별적으로 연락드립니다.
5. 문의처
- 하이닉스 : jee.kim@sk.com