Tech News Update (2024.01.08)
[삼성증권 반도체 소부장/류형근]
■ 삼성전자 1분기 DRAM 가동률 80% 이상으로
- 보도에 따르면, 삼성전자는 현재 60-70% 수준으로 추정되는 DRAM 가동률을 1Q24 80% 이상으로 올릴 전망.
- Line 16, 17과 P2, P3 라인에 DRAM 1z를 중심으로 웨이퍼 투입량을 확대.
- 연속 적자에 따른 경영진의 부담과 반도체 시장 수요 회복이 예상보다 빠르게 이뤄지고 있다는 판단이 복합적으로 작용한 결과라는 입장.
■ 메모리반도체 설비투자
- DRAM 선단공정과 HBM 관련 장비 발주가 본격화. 특히, 삼성전자가 HBM 장비 대규모 발주에 나선 모습.
- 삼성전자: 세메스에 수십 대 이상의 TC Bonder 발주를 진행. Lam Research의 TSV 식각 장비인 신디온과 Damascene SABRE 3D 장비도 발주했을 것으로 추정. 이외에도, 제우스의 세정 장비와 피에스케이홀딩스, 에스티아이 등의 리플로우 장비 등에 대한 공급 논의가 진행 중.
- SK하이닉스: DRAM 1b 생산능력을 현재 대비 2배 이상 늘리기 위해 설비투자를 계획 중.
■ Applied Materials, 오산에 R&D 센터 설립 계획
- Applied Materials가 경기도 오산에 R&D 센터를 준공할 계획. 부지 매입과 건설 허가를 취득.
- E-Beam, 식각, 증착 등 장비를 최소 20대 이상 가동하고, 국내에서 100명 이상의 연구 인력을 채용할 계획.
- 최신 장비와 신장비를 한국에서 테스트하고, 반도체 개발에 활용할 수 있어 차세대 공정 기술과 제품 개발에 도움을 줄 것으로 예상.
■ 이오테크닉스, TSMC에 신규 공정 장비인 디본더 공급
- 업계에 따르면, 최근 이오테크닉스는 TSMC에 개발을 완료한 디본더 장비를 입고하고, 셋업을 진행 중. TSMC의 정식 PO (구매주문)를 받아 디본더 장비 4대 가량을 설치 중이라는 설명.
- 2Q24-3Q24 경 TSMC의 양산라인에 설치가 완료될 전망이며, 대당 장비 단가는 15-20억원 수준.
■ 삼성전자 AI 반도체 로드맵
- HBM: 2024년 HBM3e 양산 준비와 최대 생산능력 확보에 집중할 전망. 2025년 HBM4 출시 계획.
- LLW DRAM: 2024년 하반기부터 On Device AI에 특화된 LLW DRAM 양산을 시작할 예정. LPDDR5 대비 전력효율이 최대 70% 개선.
감사합니다.
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