SK하이닉스(대표 이석희)는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 출하할 계획이다.<br /><br />이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산할 수 있게 해 원가 경쟁력을 확보했고, 2세대 10나노급(1y) 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐다.<br /><br />데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 소모량은 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 40% 적다.<br /><br />특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신소재를 적용, D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.<br /><br />이정훈 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라고 말했다.<br /><br />한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5, 3세대 고대역폭메모리(HBM3) 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.<br /><br />
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첫댓글 한계돌파냐 쥐어짜기냐 대단허네
문송이라 뭐 잘 몰라 생존 고민의 결과려니 ..생각함
팩트: 개발 성공≠ 양산