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<p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">공핍층의 넓이는 도핑농도가 올라갈수록 감소하고</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">공핍층의 넓이 W는 전위장벽의 1/2승에 비례한다고 하였는데</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">그럼 도핑농도 증가 = 공핍층 넓이 감소 = 전위장벽 감소 아닌가요?</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;"><br></p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">문제에서 불순물농도가 증가하면 전위장벽이 높아진다는게 이해가 잘 안됩니다.</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;"><br></p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">물론 교수님께서 말씀하신대로 불순물농도 증가하면 N형은 전도대쪽으로 더 가고 P형은 가전자대쪽으로 가서</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">열평형 시 전위장벽이 증가한다는 것도 이해가 가는데요</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;"><br></p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">두개의 논리가 모순되지 않습니까??</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;"><br></p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">그냥 두 개의 개념을 독립적으로 봐야하나요?</p><p style="overflow-wrap: normal; word-break: normal; font-family: 굴림, gulim, tahoma, sans-serif;">아님 제가 잘못 이해한 것이 있나요?</p>
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카페 게시글
전자공학/회로
PN접합 시 불순물농도에 따른 전위장벽 질문입니다.
정현우
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19.10.04 18:13
댓글 2
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첫댓글 공핍층의 넓이가 전위장벽의 평방근에 비례하는 경우는 역방향 바이어스를 인가했을 때 그럴겁니다.
공핍층의 넓이 = 콘덴서 간의 거리, C=입실론*면적/거리(넓이) 를 의미하며 V=Q/C에 의거 전위장벽은 높아지겠죠.
Q. 불순물 농도가 증가하면 전위장벽이 높아진다?
A. 전위장벽은 P형과 N형간의 페르미 준위 차이라고 보셔도 무방합니다. 불순물 농도가 높을수록 P형은 가전자대로 페르미 준위가 이동하고 N형은 전도대 쪽으로 페르미 준위가 이동합니다.
아 역방향에서 그렇군요. 감사합니다