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조세특례제한법 시행령
【별표 7의 2】 (2023. 6. 7. 개정)
국가전략기술의 범위(제9조 제6항 관련)
분야 국가전략기술
1. 반도
체
가. 첨단 메모리 반도체 설계ㆍ제조 기술: 15nm이하급 D램 및 170단 이상 낸드플래시메모리 설계ㆍ제조 기술
나. 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, PRAM, ReRAM, PIM) 설계ㆍ제조기술: 기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플
래시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access
Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI 응
용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목적으로 메모리반도체에 전용 AI 프로세서를 추가한 메모리시스템인
PIM(Processing In Memory) 등 차세대 메모리반도체 설계ㆍ제조기술 (2023. 2. 28. 개정)
다. 고속 컴퓨팅을 위한 SoC 설계 및 제조(7nm이하) 기술: 인간형 인식, 판단, 논리를 수행할 수 있는 뉴럴넷(Neural
Network)을 구현하는 초고속, 저전력 슈퍼프로세서 기술로서 지능형 자율주행 이동체(드론 등), 지능형 로봇, 게임로봇, 고속
정보 저장ㆍ처리 및 통신기기, AP(Application Processor), 위성체 및 군사용 무기 체계, 보안카메라, DVR (Digital Video
Recoder)등의 화상처리용 지능형 보안시스템, 복합 교통관제 시스템 등의 제작을 위해 매니코어(Many Core)를 단일 반도체
에 통합한 SoC(System on Chip) 설계 및 제조(7nm 이하) 기술
라. 차세대 디지털기기 SoC 설계ㆍ제조기술: IoT, 착용형 스마트 단말기기, 가전, 의료기기 및 핸드폰 등 차세대 디지털 기기
SoC의 주파수 조정 기능 반도체(RF switch 등 RF반도체), 디지털·아날로그 신호의 데이터 변환 반도체(인버터/컨버터, Mixed
signal 반도체 등), 메모리반도체와의 원칩화를 통한 컨트롤 IC(eNVM) 및 IoT 지능형 서비스를 적용하기 위한 지능정보 및 데
이터의 처리가 가능한 IoTㆍ웨어러블 SoC(System on Chip)의 설계ㆍ제조 기술
마. 고성능 마이크로 센서의 설계ㆍ제조ㆍ패키징 기술: 물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 얻는 감지부와 논리ㆍ
판단ㆍ통신기능을 갖춘 지능화된 신호처리 집적회로가 결합된 소자로서 나노기술, MEMS[Micro Electro Mechanical
System, 기계부품ㆍ센서(sensor)ㆍ액츄에이터(actuator) 및 전자회로를 하나의 기판 위에 집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8㎛
이하 CMOS 이미지센서 기술 또는 SoC(System on Chip) 기술이 결합된 고성능 센서 설계ㆍ제조 및 패키징 기술
바. 차량용 반도체 설계·제조기술: 자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262, 자동차용 반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을
만족하는 MCU(Micro controller unit), ECU(Electronic control unit), 파워IC, SoC, 하이브리드/전기차 및 자율주행용 IC 반
도체의 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
사. 에너지효율향상 반도체 설계ㆍ제조 기술: 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(전기차, 하이브리드카, 태양광/
풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등) 에 탑재되는 실리콘 기반의 에너지효율향상 반도체(SJ(Super Junction)
MOSFET, IGBT, 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기반의 에너지효율향상 반도체( MOSFET, IGBT) 및 모듈의 설계ㆍ제조 기술
아. 에너지효율향상 전력반도체(BCDMOS, UHV, 고전압 아날로그IC) 설계ㆍ제조기술(0.35㎛이하): 실리콘 기반의 저저항ㆍ
고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(5G, 전기자동차, 하이브리드자동차, 차세대 디지털기기용 디스플레이, 태양광, 풍력발
전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등)에 탑재되는 아날로그, 디지털 로직, 파워소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절전 전력반도체
(0.35㎛이하 BCDMOS, 800V 이상 UHV, 12V 이상 고전압 아날로그 IC) 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
자. 차세대 디지털기기ㆍ차량용 디스플레이 반도체 설계ㆍ제조기술: 화면에 문자나 영상 이미지 등이 표시되도록 차세대 디지
털기기 및 차량의 디스플레이(OLED, Flexible, 퀀텀닷, 롤러블, 폴더블, 마이크로LED, Mini LED, 4Kㆍ120Hz급 이상 고해상도
LCD 등)에 구동 신호 및 데이터를 전기신호로 제공하는 반도체(DDI), 디스플레이 패널의 영상 정보를 변환ㆍ조정하는 것을 주
기능으로 하는 반도체(T-Con), 디스플레이용 반도체와 패널에 필요한 전원 전압을 생성ㆍ제어하는 반도체(PMIC)를 설계 및
제조하는 기술 (2023. 2. 28. 개정)
차. SoC 반도체 개발ㆍ양산 위한 파운드리 분야 7nm 이하급 제조공정 및 공정 설계기술: SoC(System on Chip) 반도체 개발
ㆍ양산을 위한 핵심 기반기술로 파운드리(Foundry) 분야의 7nm 이하급 제조공정 및 공정
조세특례제한법 시행령
【별표 7의 2】 (2023. 6. 7. 개정)
국가전략기술의 범위(제9조 제6항 관련)
분야 국가전략기술
1. 반도
체
가. 첨단 메모리 반도체 설계ㆍ제조 기술: 15nm이하급 D램 및 170단 이상 낸드플래시메모리 설계ㆍ제조 기술
나. 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, PRAM, ReRAM, PIM) 설계ㆍ제조기술: 기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플
래시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access
Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI 응
용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목적으로 메모리반도체에 전용 AI 프로세서를 추가한 메모리시스템인
PIM(Processing In Memory) 등 차세대 메모리반도체 설계ㆍ제조기술 (2023. 2. 28. 개정)
다. 고속 컴퓨팅을 위한 SoC 설계 및 제조(7nm이하) 기술: 인간형 인식, 판단, 논리를 수행할 수 있는 뉴럴넷(Neural
Network)을 구현하는 초고속, 저전력 슈퍼프로세서 기술로서 지능형 자율주행 이동체(드론 등), 지능형 로봇, 게임로봇, 고속
정보 저장ㆍ처리 및 통신기기, AP(Application Processor), 위성체 및 군사용 무기 체계, 보안카메라, DVR (Digital Video
Recoder)등의 화상처리용 지능형 보안시스템, 복합 교통관제 시스템 등의 제작을 위해 매니코어(Many Core)를 단일 반도체
에 통합한 SoC(System on Chip) 설계 및 제조(7nm 이하) 기술
라. 차세대 디지털기기 SoC 설계ㆍ제조기술: IoT, 착용형 스마트 단말기기, 가전, 의료기기 및 핸드폰 등 차세대 디지털 기기
SoC의 주파수 조정 기능 반도체(RF switch 등 RF반도체), 디지털·아날로그 신호의 데이터 변환 반도체(인버터/컨버터, Mixed
signal 반도체 등), 메모리반도체와의 원칩화를 통한 컨트롤 IC(eNVM) 및 IoT 지능형 서비스를 적용하기 위한 지능정보 및 데
이터의 처리가 가능한 IoTㆍ웨어러블 SoC(System on Chip)의 설계ㆍ제조 기술
마. 고성능 마이크로 센서의 설계ㆍ제조ㆍ패키징 기술: 물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 얻는 감지부와 논리ㆍ
판단ㆍ통신기능을 갖춘 지능화된 신호처리 집적회로가 결합된 소자로서 나노기술, MEMS[Micro Electro Mechanical
System, 기계부품ㆍ센서(sensor)ㆍ액츄에이터(actuator) 및 전자회로를 하나의 기판 위에 집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8㎛
이하 CMOS 이미지센서 기술 또는 SoC(System on Chip) 기술이 결합된 고성능 센서 설계ㆍ제조 및 패키징 기술
바. 차량용 반도체 설계·제조기술: 자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262, 자동차용 반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을
만족하는 MCU(Micro controller unit), ECU(Electronic control unit), 파워IC, SoC, 하이브리드/전기차 및 자율주행용 IC 반
도체의 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
사. 에너지효율향상 반도체 설계ㆍ제조 기술: 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(전기차, 하이브리드카, 태양광/
풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등) 에 탑재되는 실리콘 기반의 에너지효율향상 반도체(SJ(Super Junction)
MOSFET, IGBT, 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기반의 에너지효율향상 반도체( MOSFET, IGBT) 및 모듈의 설계ㆍ제조 기술
아. 에너지효율향상 전력반도체(BCDMOS, UHV, 고전압 아날로그IC) 설계ㆍ제조기술(0.35㎛이하): 실리콘 기반의 저저항ㆍ
고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(5G, 전기자동차, 하이브리드자동차, 차세대 디지털기기용 디스플레이, 태양광, 풍력발
전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등)에 탑재되는 아날로그, 디지털 로직, 파워소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절전 전력반도체
(0.35㎛이하 BCDMOS, 800V 이상 UHV, 12V 이상 고전압 아날로그 IC) 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
자. 차세대 디지털기기ㆍ차량용 디스플레이 반도체 설계ㆍ제조기술: 화면에 문자나 영상 이미지 등이 표시되도록 차세대 디지
털기기 및 차량의 디스플레이(OLED, Flexible, 퀀텀닷, 롤러블, 폴더블, 마이크로LED, Mini LED, 4Kㆍ120Hz급 이상 고해상도
LCD 등)에 구동 신호 및 데이터를 전기신호로 제공하는 반도체(DDI), 디스플레이 패널의 영상 정보를 변환ㆍ조정하는 것을 주
기능으로 하는 반도체(T-Con), 디스플레이용 반도체와 패널에 필요한 전원 전압을 생성ㆍ제어하는 반도체(PMIC)를 설계 및
제조하는 기술 (2023. 2. 28. 개정)
차. SoC 반도체 개발ㆍ양산 위한 파운드리 분야 7nm 이하급 제조공정 및 공정 설계기술: SoC(System on Chip) 반도체 개발
ㆍ양산을 위한 핵심 기반기술로 파운드리(Foundry) 분야의 7nm 이하급 제조공정 및 공정
조세특례제한법 시행령
【별표 7의 2】 (2023. 6. 7. 개정)
국가전략기술의 범위(제9조 제6항 관련)
분야 국가전략기술
1. 반도
체
가. 첨단 메모리 반도체 설계ㆍ제조 기술: 15nm이하급 D램 및 170단 이상 낸드플래시메모리 설계ㆍ제조 기술
나. 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, PRAM, ReRAM, PIM) 설계ㆍ제조기술: 기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플
래시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access
Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI 응
용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목적으로 메모리반도체에 전용 AI 프로세서를 추가한 메모리시스템인
PIM(Processing In Memory) 등 차세대 메모리반도체 설계ㆍ제조기술 (2023. 2. 28. 개정)
다. 고속 컴퓨팅을 위한 SoC 설계 및 제조(7nm이하) 기술: 인간형 인식, 판단, 논리를 수행할 수 있는 뉴럴넷(Neural
Network)을 구현하는 초고속, 저전력 슈퍼프로세서 기술로서 지능형 자율주행 이동체(드론 등), 지능형 로봇, 게임로봇, 고속
정보 저장ㆍ처리 및 통신기기, AP(Application Processor), 위성체 및 군사용 무기 체계, 보안카메라, DVR (Digital Video
Recoder)등의 화상처리용 지능형 보안시스템, 복합 교통관제 시스템 등의 제작을 위해 매니코어(Many Core)를 단일 반도체
에 통합한 SoC(System on Chip) 설계 및 제조(7nm 이하) 기술
라. 차세대 디지털기기 SoC 설계ㆍ제조기술: IoT, 착용형 스마트 단말기기, 가전, 의료기기 및 핸드폰 등 차세대 디지털 기기
SoC의 주파수 조정 기능 반도체(RF switch 등 RF반도체), 디지털·아날로그 신호의 데이터 변환 반도체(인버터/컨버터, Mixed
signal 반도체 등), 메모리반도체와의 원칩화를 통한 컨트롤 IC(eNVM) 및 IoT 지능형 서비스를 적용하기 위한 지능정보 및 데
이터의 처리가 가능한 IoTㆍ웨어러블 SoC(System on Chip)의 설계ㆍ제조 기술
마. 고성능 마이크로 센서의 설계ㆍ제조ㆍ패키징 기술: 물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 얻는 감지부와 논리ㆍ
판단ㆍ통신기능을 갖춘 지능화된 신호처리 집적회로가 결합된 소자로서 나노기술, MEMS[Micro Electro Mechanical
System, 기계부품ㆍ센서(sensor)ㆍ액츄에이터(actuator) 및 전자회로를 하나의 기판 위에 집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8㎛
이하 CMOS 이미지센서 기술 또는 SoC(System on Chip) 기술이 결합된 고성능 센서 설계ㆍ제조 및 패키징 기술
바. 차량용 반도체 설계·제조기술: 자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262, 자동차용 반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을
만족하는 MCU(Micro controller unit), ECU(Electronic control unit), 파워IC, SoC, 하이브리드/전기차 및 자율주행용 IC 반
도체의 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
사. 에너지효율향상 반도체 설계ㆍ제조 기술: 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(전기차, 하이브리드카, 태양광/
풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등) 에 탑재되는 실리콘 기반의 에너지효율향상 반도체(SJ(Super Junction)
MOSFET, IGBT, 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기반의 에너지효율향상 반도체( MOSFET, IGBT) 및 모듈의 설계ㆍ제조 기술
아. 에너지효율향상 전력반도체(BCDMOS, UHV, 고전압 아날로그IC) 설계ㆍ제조기술(0.35㎛이하): 실리콘 기반의 저저항ㆍ
고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(5G, 전기자동차, 하이브리드자동차, 차세대 디지털기기용 디스플레이, 태양광, 풍력발
전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등)에 탑재되는 아날로그, 디지털 로직, 파워소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절전 전력반도체
(0.35㎛이하 BCDMOS, 800V 이상 UHV, 12V 이상 고전압 아날로그 IC) 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
자. 차세대 디지털기기ㆍ차량용 디스플레이 반도체 설계ㆍ제조기술: 화면에 문자나 영상 이미지 등이 표시되도록 차세대 디지
털기기 및 차량의 디스플레이(OLED, Flexible, 퀀텀닷, 롤러블, 폴더블, 마이크로LED, Mini LED, 4Kㆍ120Hz급 이상 고해상도
LCD 등)에 구동 신호 및 데이터를 전기신호로 제공하는 반도체(DDI), 디스플레이 패널의 영상 정보를 변환ㆍ조정하는 것을 주
기능으로 하는 반도체(T-Con), 디스플레이용 반도체와 패널에 필요한 전원 전압을 생성ㆍ제어하는 반도체(PMIC)를 설계 및
제조하는 기술 (2023. 2. 28. 개정)
차. SoC 반도체 개발ㆍ양산 위한 파운드리 분야 7nm 이하급 제조공정 및 공정 설계기술: SoC(System on Chip) 반도체 개발
ㆍ양산을 위한 핵심 기반기술로 파운드리(Foundry) 분야의 7nm 이하급 제조공정 및 공정
조세특례제한법 시행령
【별표 7의 2】 (2023. 6. 7. 개정)
국가전략기술의 범위(제9조 제6항 관련)
분야 국가전략기술
1. 반도
체
가. 첨단 메모리 반도체 설계ㆍ제조 기술: 15nm이하급 D램 및 170단 이상 낸드플래시메모리 설계ㆍ제조 기술
나. 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, PRAM, ReRAM, PIM) 설계ㆍ제조기술: 기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플
래시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access
Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI 응
용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목적으로 메모리반도체에 전용 AI 프로세서를 추가한 메모리시스템인
PIM(Processing In Memory) 등 차세대 메모리반도체 설계ㆍ제조기술 (2023. 2. 28. 개정)
다. 고속 컴퓨팅을 위한 SoC 설계 및 제조(7nm이하) 기술: 인간형 인식, 판단, 논리를 수행할 수 있는 뉴럴넷(Neural
Network)을 구현하는 초고속, 저전력 슈퍼프로세서 기술로서 지능형 자율주행 이동체(드론 등), 지능형 로봇, 게임로봇, 고속
정보 저장ㆍ처리 및 통신기기, AP(Application Processor), 위성체 및 군사용 무기 체계, 보안카메라, DVR (Digital Video
Recoder)등의 화상처리용 지능형 보안시스템, 복합 교통관제 시스템 등의 제작을 위해 매니코어(Many Core)를 단일 반도체
에 통합한 SoC(System on Chip) 설계 및 제조(7nm 이하) 기술
라. 차세대 디지털기기 SoC 설계ㆍ제조기술: IoT, 착용형 스마트 단말기기, 가전, 의료기기 및 핸드폰 등 차세대 디지털 기기
SoC의 주파수 조정 기능 반도체(RF switch 등 RF반도체), 디지털·아날로그 신호의 데이터 변환 반도체(인버터/컨버터, Mixed
signal 반도체 등), 메모리반도체와의 원칩화를 통한 컨트롤 IC(eNVM) 및 IoT 지능형 서비스를 적용하기 위한 지능정보 및 데
이터의 처리가 가능한 IoTㆍ웨어러블 SoC(System on Chip)의 설계ㆍ제조 기술
마. 고성능 마이크로 센서의 설계ㆍ제조ㆍ패키징 기술: 물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 얻는 감지부와 논리ㆍ
판단ㆍ통신기능을 갖춘 지능화된 신호처리 집적회로가 결합된 소자로서 나노기술, MEMS[Micro Electro Mechanical
System, 기계부품ㆍ센서(sensor)ㆍ액츄에이터(actuator) 및 전자회로를 하나의 기판 위에 집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8㎛
이하 CMOS 이미지센서 기술 또는 SoC(System on Chip) 기술이 결합된 고성능 센서 설계ㆍ제조 및 패키징 기술
바. 차량용 반도체 설계·제조기술: 자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262, 자동차용 반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을
만족하는 MCU(Micro controller unit), ECU(Electronic control unit), 파워IC, SoC, 하이브리드/전기차 및 자율주행용 IC 반
도체의 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
사. 에너지효율향상 반도체 설계ㆍ제조 기술: 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(전기차, 하이브리드카, 태양광/
풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등) 에 탑재되는 실리콘 기반의 에너지효율향상 반도체(SJ(Super Junction)
MOSFET, IGBT, 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기반의 에너지효율향상 반도체( MOSFET, IGBT) 및 모듈의 설계ㆍ제조 기술
아. 에너지효율향상 전력반도체(BCDMOS, UHV, 고전압 아날로그IC) 설계ㆍ제조기술(0.35㎛이하): 실리콘 기반의 저저항ㆍ
고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(5G, 전기자동차, 하이브리드자동차, 차세대 디지털기기용 디스플레이, 태양광, 풍력발
전 등 신재생에너지, 스마트그리드 등)에 탑재되는 아날로그, 디지털 로직, 파워소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절전 전력반도체
(0.35㎛이하 BCDMOS, 800V 이상 UHV, 12V 이상 고전압 아날로그 IC) 설계ㆍ제조 기술 (2023. 2. 28. 개정)
자. 차세대 디지털기기ㆍ차량용 디스플레이 반도체 설계ㆍ제조기술: 화면에 문자나 영상 이미지 등이 표시되도록 차세대 디지
털기기 및 차량의 디스플레이(OLED, Flexible, 퀀텀닷, 롤러블, 폴더블, 마이크로LED, Mini LED, 4Kㆍ120Hz급 이상 고해상도
LCD 등)에 구동 신호 및 데이터를 전기신호로 제공하는 반도체(DDI), 디스플레이 패널의 영상 정보를 변환ㆍ조정하는 것을 주
기능으로 하는 반도체(T-Con), 디스플레이용 반도체와 패널에 필요한 전원 전압을 생성ㆍ제어하는 반도체(PMIC)를 설계 및
제조하는 기술 (2023. 2. 28. 개정)
차. SoC 반도체 개발ㆍ양산 위한 파운드리 분야 7nm 이하급 제조공정 및 공정 설계기술: SoC(System on Chip) 반도체 개발
ㆍ양산을 위한 핵심 기반기술로 파운드리(Foundry) 분야의 7nm 이하급 제조공정 및 공정