Re:도움이 될런지여...

[♥DJ DOC♥(성근)]

도움이 될런지 몰라여..멀티공학 test부분 전공이론중 하나인데... 저는 경영학전공을 하고 있는데여, 이 이론들에 관심이 있어 지금 연구중이라 ㅋㅋㅋ 도움이 되었으면 합니다. 그리고 잘은 모르지만여...TEST SHEET, CHECK SHEET등은 신뢰성 향상을 위한 연구 / 검사 절차이기에 누군가가 알려주신다해도 한 기업의 중대 자료 유출로 알고 있습니다..법적으로도 비중을 크게 두고 다루는 부분이구여... 하기에 신중을 기하심이 옮다는 판단을 해여.. 마지막으로 도움이 되길 정말 바랍니다. 그럼 꼭 회사에서 열심히 생존하시길여... ------------------------------------------------------------------------------

test ample이구여...^^

이것은 sample 대비 이론입니닷^^ N+ N형 반도체에 있어서 특히 도우너 불순물의 농도가 높은 부분이 있다는 것을 나타낼 때 N+를 사용한다. N- N형 반도체 영역에 있어서 불순물 농도가 특히 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다. Nail Heading 다층기판의 내층회로에 있어서 홀드릴에 의하여 회로가 퍼진 상태. NAND 논리회로중 논리 부정 회로와 AND 논리적 회로를 하나로 만든 것. Nano 단위(10의 -9승). Nano Line 빛의 간섭효과를 이용하는 것으로 입사광의 파장변화에 따른 반사광의 Intensity를 측정해서 박막의 두께 및 반사도를 측정하는 장비. Wafer의 CD 값을 측정하는 기구로써, 사진이나 식각 공정에서 사용 Nano Spec Wafer위에 입혀진 물질의 두께를 측정하는 장비로서, 확산, 박막, 사진, 식각공정에서 사용. Narrow Width Effect MOSFET의 TR width가 작아지면서 Threshold voltage가 증가하는 현상을 말하며, 이는 Gate induced space charge의 일부가 fringing field에 의해 작아지므로 같은 양의 depletion charge를 얻기 위해서는 voltage가 증가해야 하는 것과 channel stop dopant 및 bird"s beak에 의해 activeedge쪽 gate 아래 substrate가 상대적으로 high density, thick gate oxide 양상을 보이는 것으로 설명될 수 있다. National Reference Standard 원기에 의하여 교정되는 표준기기로 2차급의 표준기기를 교정하는 데 사용되는 것. National Standard 계측 분야별 7개 기본 단위·유도단위 및 기타 특수단위에 대하여 최고 정도를 갖는 국가의 현시용 및 유지용 표준기기. Navigation TFT-LCD LCD의 일종으로 항법 장치에 사용되는 디스플레이로 경량, 박형이며 인명에 관계된 것이기 때문에 고신뢰성이 요구된다. N- Channel P형 기판에 확산 영역을 형성한 절연게이트형 FET에 있어서 소오스, 드레인간을 흐르는 전류의 통로인 채널이 전자에 의해서 형성되는 것을 N-Channel이라고 한다. NC(No Connecton) 아무것도 접속하지 않는다는 것을 나타냄. Neat Phase 일반적으로 물을 그다지 함유하지 않은 표면 활성제, 비누, 복합지질 등의 계가 두 개의 분자층사이에 균등하게 물을 함유한 Lamella 구조의 상태를 말함. Necking Interconnect line이 가늘어지는 현상. Negative LCD Normally black라고도 하며 검은바탕에 흰문자가 나타난다. Negative Resistance 전압을 증가시킨 경우 전류가 감소하는 특성이 있을 때 Negative Resistance라고 한다. 지금까지 알려진 부성저항은 어떤 한정된 전압 범위에서 발생하며 전압을 계속 증가시킨다고 해서 전류가 계속 감소하는 것은 아니다. NEMA(National Electrical Manufacturer Association) 미국 전기 제조자 협회. EIA(전자공업회)와 합동으로 JEDEC 설립. Mematic LC 분자의 장축을 대개 일정방향으로 배향하고 분자의 중심이 랜덤하게 분포되어 있는 역동성(易動性)을 가진 액정. NET(Normes Europeennes de Telecommunications) 유럽 전기통신규격. Net Die Wafer 內에서 실제로 만들어지는 Total Die 수. Netlist 회로 설계가 끝난후 Simulation 혹은 layout을 하기 위해 그려진 회로도에서 사용된 소자 종류, 크기, 소자와 소자의 연결상태, 그리고 Signal name이 추출되어 수록된 file. Nibble 4Bit로 이루어진 단어. Nibble Mode 컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 중 Past fage mode의 변형형태로서 스피드 개선을 목적으로 만들어짐. 시스템이 1개의 데이터 Access signal을 발생시 4개의 데이터가 연속적으로 출력되는 상태를 말함. N-Butyl Acetate Rinse 용액으로 현상(Develop) 후 녹은 감광액을 없애는데 사용. N-CH Field Implant Field Region의 VT를 증가시켜 Cell과 Cell간의 절연성을 높이기 위하여 Field Oxide가 성장할 부위와 같은 종류의 ION을 주입한다. NICS(Newly Industrializing Conntries) 신흥공업국 또는 중진국. 1970년대를 통해 개발도상국 가운데 금속한 공업화를 이룩하여 GNP에서 차지하는 공업점유율이 25∼45%로 거의 선진공업국에 가까운 비율에올라선 나라를 통칭하는 말이다. NF(Noise Figure) 잡음지수. Nitride 유전상수 및 밀도가 높은 Amorphous 상태의 절연막으로 실리콘의 PN 접합 표면을 안정화하는 방법의 하나. 반도체 용어로는 주로 질화 실리콘(Si3 N4)을 가리킨다. Nm3 0℃, 760mmHg 때의 가로 1m, 세로 1m, 높이 1m 크기의 기체의 부피. NMI(Non-Maskable Interrupt) NMI는 메모리에 문제가 발생할 경우 CPU에서 처리를 요구하는 신호이며 Interrupt Mask의 영향을 받지 않는 가장 높은 우선 순위있는 Interrupt이며 Parity Error 발생시 NMI가 발생된다. No Calibration Required 교정검사가 요구되지 않은 계측기기. Node 마디. Nodule 작은 돌출부·평탄해야 할 Si표면에서 Si이 석출되어 위로 올라온것. Noise(Useless Signal) 불필요한 신호(잡음). Noise Test 잡음, 어떤 System이나 회로 등에 정규의 신호(원하는 신호) 이외에 혼입하는 모든 신호(전압, 전류) 성분을 말함. Noise Immunity(잡음 여유도) 논리 진폭에 대한 잡음 여유의 크기를 %로 나타낸 것. Noise Margin(잡음 여유) 논리회로에서는 전압의 고저에 따라서 1과 0을 정하고 있는데 잡음이 발생하면 전압 Level이 변동하여 "1"과 "0"이 바뀌고 말기 때문에 이것을 방지하기 위하여 논리전압이 여유 (Margin)를 갖게할 필요가 있는데 이를 잡음여유라 한다. N-MOS MOS TR의 한 종류로서, 음전하인 전자에 의해 Channel 전류가 형성되는 반도체. Nonconformity 불일치. product나 service가 요구규격을 만족하지 못하므로서 목적한 수준이나 상태로부터 품질수준을 벗어남. Non-Pass. Test 보호막을 입히기 전에 행하여지는 EDS Test(Non passivation Test). Non-Volatile(불 휘발성) Memory를 기억 유지한다는 점에서 분류하면 불휘발성(Non-Volatile)과 휘발성(Volatile)으로 나눌 수 있다. Non-volatile이라 Memory의 power가 off되어도 기억내용이 소멸되지 않고 유지되는 성질을 말한다. Non-Volatile Memory 전원을 끊어도 지워지지 않는 Memory. 반도체의 Memory에 기억했던 data는 일반적으로 전원을 끊으면 지워져버린다. 그렇기 때문에, data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk 등의 다른 media로 옮기든가 반도체의 memory를 battery로 back up 해두어야 한다. 그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는 Memory가 가능하다. 그것을 불휘발성 Memory라고 한다. NMOS Transistor에서는 두가지 level의 threshold 전압 Vth을 갖고 있어서 전원을 끊더라도 VTH는 변화하지 않기 때문에, "1", "0"을 두 개의 VTH에 대응시켜 기억한다. 전자 Tunner에서의 최적 주파수기억 등에 사용되고 있다. Nonzero Fixed Oxide Charge MOS System의 MS 다음으로 가장 중요한 Nonideal Effect로 Oxide-Semiconductor의 Interface에서 주로 Positive Charge으로 존재한다. 이것은 Oxidation Process 자체에 의해 생성된 것으로 Oxidation후에 남아 있는 Silicon Dangling Bond의 영향이다. Dangling Si Bond는 Silicon Oxide Interface의 Oxide Side에 200Å정도의 두께로 분포하고 있다. NOR 논리부정회로와 논리화회로 OR를 합쳐 하나로 만든 것. NOS(Network Operation System) LAN의 운영체계. NOT 논리 부정 회로. Notch/Void 일반적으로 재료(기판표면)에 움푹 패인 곳이나 구멍이 뚤린 곳을 말하며 이곳에는 역학적으로 응력이 집중되는 곳이다. 반도체 분야에서는 금속막 및 보호막의 유기적인 관계에 의해 금속배선에서 일어나는 현상으로 금속배선 측벽에 쐐기형상으로 파이는 것을 Notch라 하며, 이것이 성장하여 Hole 모양을 형성한 것을 Void라 한다. Notching Photo공정에서 난반사에 의해 line에 톱니모양으로 파지는 현상. Note형 PC 외형 Size가 A4판 Size인 Personal Computer. Notebook TFT-LCD 중량 3.5kg 이하의 PC에 장착되는 디스플레이 판넬로 10인치 이하의 사이즈의 화소수는 Laptop과 같으나 pitch사이즈는 0. 21, 0. 33mm 정도이다. NPN TR N, P, N 영역을 각각 에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR이다. N-Type Silicon(Negative Type Silicon) Major Carrier가 Electron이 경우를 말한다. 5가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Electron이 존재하게 된다. NTN(Nippon Telegraph and Telephone Corporation) 일본 전신전화 주식회사. NTSC(National Television System Committee) 1940년 미국의 TV 관련 회사 및 단체에 의해 조직된 TV 방식을 위한 위원회(흑백 및 컬러 TV의 표준방식 권장). NVD(Non Visual Defect) Deprocess에 의해 불량 분석을 하는 경우 fail은 되었으나 defect를 찾을 수 없는 경우 Non Visulal Defect라 한다. NVM(Non Volatile Memory) 비 휘발성 기억소자. N.W.W.(Neutral Waste Water) 중성 폐수로서 주로 Wet ST"N의 Rinse 공정에서 배출되는 폐수를 말함. O O2 산소가스 OA(Outside Air) AHU에서 청정화되어 청정실에 공급되는 공기. OA 사무자동화(Office Automation) OAHU(Out Air Handling Unit) 외조기라고 칭하며 외기를 흡입처리하며 FAB환경에 맞게 송기한다. Oalemce Election 원자핵 둘레의 전자군중 맨 바깥쪽을 돌고 있는 전자, 최외각전자라고도 한다. 이것은 원자핵에 흡입되는 힘이 가장 약하고 원자로부터 떨어지기 쉬운 상태에 있다. Object(Run) Program 기계어로 바꿔진 Program. OC Curve(Operating Characteristic Curve) 어떤 제품의 불량률이나 고장율을 가로축에 잡아서 그 불량률의 로트를 시험했을 때의 합격확률을 나타내는 곡선을 OC 곡선이라고 한다. OCD(Optically Coupled Device) 광결합 장치. OCR(Optical Character Recoder) 광학 문자판독장치. 광학기를 이용하여 각 Wafer마다 새겨진 Lot Number 및 Wafer ID 문자를 읽는 장치. Octal Test Probe Test시 Touch에 8 Die를 Probeing하며 동시에 8 Die를 Test 하는 것을 말하며 그 밖에도 2 Die는 Dual, 4 Die는 Quad, 16 Die는 Hexal Test라 부른다. Odlix(Organized design for line & Crew System) 제조 System의 문제점을 찾아서 작업방법 및 Layout 개선 등의 Methods를 설계하여 Line에 정착 및 배치 인원의 적정화를 도모하는 활동. OEIC(Opto Electronic Integrated Circuit) 광소자와 전자소자를 wafer상에 집적시키는 구조의 IC로서, 집적에 의해 기생용량을 줄일 수 있으며 광소자를 더 고속으로 변조시킬 수 있다. OEM 주문생산(Original Equipment Manufacturing) Offline Mode operator로부터의 반송 지령에 따라서 stocker의 입·출고 및 공정내 반송을 행한다. OH(On Hand) 현재 보유하고 있는 재고. OISF(OSF) Oxide Induced Stacking Faults OJT(On the Job Training) 현장훈련. One Chip CPU 마이크로프로세서의 가장 간단한 것으로 문자 그대로 프로세서 기능이 1개 Chip 상에 LSI화 된것을 말한다. On-line 단말기가 데이터 통신 회선을 통하여 컴퓨터에 정속된 상태. ONO 구조 Capacitor 전극사이에 들어갈 dielectric material로서 oxide/nitride/oxide의 3층 구조를 형성하여 단층구조에서 발생할 수 있는 pinhole을 방지하고 breakdown 특성을 향상시키는 한편 nitride dielectric constant가 oxide에 비해 훨씬 크기 때문에 capacitance를 증가시킨다. OOP Object Oriented Programming은 1980년대 후반부터 S/W 개발하는 데 있어서 각광을 받고 있으며 특히 거대한 S/W 시스템을 개발할 때 생기는 복잡한 문제들을 해결해 주는 방법을 제공하며 유지보수 용이성, 확장성, 재연성을 제공해 준다. Open 소자의 내부에서 단선된 것을 Open이라 한다. Open Repair TFT arrey panel 공정에서 data line 또는 gate line에 서로 다른 두 line이 서로 short 되었을시 이를 끊어서 정상 작동하도록 하는 방법. Operation(공정) 제품을 만들기 위한 가장 기본이 되는 단위로서 하나의 공정에서는 하나의 작업을 진행한다. Operating Characteristic Curve(OC curve) 검사특성곡선. Acceptance control chart에 나타나는 모양으로서 공정이 채택될 확률을 나타낸 곡선. ⑴ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 Lot 품질의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다. (Type A) : Isolated or Unique Lot ⑵ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 공정평균의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다. (Type B) : 연속 진행 Lot ⑶ OC 곡선은 장기간에 걸쳐 Sampling 적용중에 제품품질의 함수로서 합격될 제품의 비율을 나타낸다. : 연속 Sampling법 ⑷ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 공정품질의 함수로서 조정없이 공정을 지속할 확률을 나타낸다. : Special Plan Note : Lot Sampling법에서의 확률값 및 위험율 등은 무한모집단을 근거로 한다. 공정 sampling법에서의 그러한 값들은 무한모집단과 공정이 통계적 관리하에 있다는 가정하에 산출할 수 있다. Optic Emission Method Plasma가 etch하고자 하는 박막과의 반응에 의해 발생되는 반응 부산물의 optic signal을 추적하는 방법. Optical Axis 복굴절 매질 중에서 常光線(No : ordinary)과 異常光線(Ne : extra ordinary)이 같은 속도로 전달되어 복굴절을 나타내지 않게하는 방향. OR 논리화 회로. OR(경영공학 Operations Research) 대체안을 계량적으로 분석하여 최적안을 도출함으로써 의사결정을 위한 합리적 기준 자료를 제공하기 위한 기법. Orientation 단결정의 성장방향(100) (110) (111) 등. Orientation-Film(배향막) 액정물질을 단순히 유리기판상에 주입시키는 것만으로는 일정한 분자배열을 얻기 힘들기 때문에 포리이미드란 고분자 물질을 이용하여 배향막을 만든다. Orthogonal Contrast 직교대비. 두개 조의 대비 계수들이 각 쌍의 곱의 합이 "0"이라는 조건을 만족하면 두 대비는 서로 직교한다. Orthogonal Design 직교배열법. 특별한 수준에서 모든쌍의 인자들이 같은 횟수만큼 나타나는 계획법을 말한다. Oscilator(발진기) 입력신호가 없어도 출력에 계속하여 일정한 주파수의 신호가 나오는 회로이다. O/S(Open Short) 개방 및 단락 불량. OSI Open Systems Interconnection이란 Computer marker나 기종에 관계없이 상호 연결할 수 있도록 하는 것이며 오늘날 대부분의 Computer maker들이 OSI로 나가고 있다. OT(Over Time) 정규 근무외 시간, 잔업. OTP(One Time Programmable) 주로 EPROM Device를 Plastic Package에 조립하여 Erase를 못하는 대신 package 비용을 줄이는 Device를 일컬음. O2 Trimming 연료 연소 배기 Gas의 O2%를 Check하여 적절한 연소용 공기량을 Control하는 장치로서 연료의 완전연소 및 Bolier의 효율을 높인다. Out Put 생산량. Output Buffer Sense AMP에서 증폭된 Data의 External Load를 Drive하기 위해 사용되는 Buffer. Output Level Device가 출력하는 전위로서 저장된 Data의 특정상태(High, Low)를 나타낸다. Outgassing Source Gas를 바꿀때 마다 잔류 Gas를 제거하기 위하여 고열로 태워 Ion Beam 생성부를 세정시켜 주는 형태. Oven Wafer를 말리는 (Dry/Baker) 장치. Over Coat 투명도전막(ITO)이 있는 경우 굴곡 상태가 틀려서 디스플레이에 얼룩이 생기는 경우 투명도전막을 패턴한 후 Alkali Barrir Coat를 하면 배향층의 생성이 용이하다. 그러나 이 경우 표시소자를 동작시킬때, Alkali Barrier Coat의 self impedence에 의해서 전압강하가 생기고 액정층에 작용하는 전압이 저하되는 단점이 있다. Over Coating(Polyimide Coating) 액정 분자를 일정방향으로 배향시키는 박막으로서 액정 분자의 배향을 안정시키는 동시에 투명전극의 반사를 작게하고, 내직류성을 향상시키는 것으로 폴리이미드가 주로 사용됨. Over Etching End Ppint Detection의 개념에 추가로 Etch되는 것을 말함. Oerlay Vernier Wafer의 감광막上에 전달된 감광원판형상의 중첩도를 측정하기 위하여 Wafer내에 삽입되어 있는 Pattern 중첩 측정용 척도. Overshoot Noise 정상적인 전압(예: 5V)이 아닌 불규칙적으로 발생하는 Noise 로서, 정상전압 5V 이상의 크기와 수 NS 이상의 Pulse 폭을 가지고 있는 것으로 시스템의 오동작 및 Positive Latch-up을 유발시킬 수 있다. (참조: Undershoot Nosise) Over-flow 수조의 상부로부터 흘러 넘치는 현상. Oxidation 산화(Si+O2=〉SiO2)를 말하며, 확산로를 이용하여 고온에서(650℃∼1200℃) Wafer 표면에 산화막을 형성하는 것. Oxide 산화막(SiO2) Oxide Breakdown Oxide 막의 절연강도 이상의 Voltage에서의 전기전도 현상. Oxide Film(산화막) 불순물 확산의 마스크로서도 사용되며 반도체 표면의 보호막으로도 사용될 수 있는 산화막으로서 SiO2가 가장 많이 사용되고 있다. Oxide Trappedd Charge(Qot) Oxide Bulb내에 Trap된 Hole 또는 Electron 으로 인한 Positive 또는 Negative Charge. P P 1) 비율의 의미로 사용- 시료로서 채취된 총단위(unit)에서 정상적인 것과 구별될만한 현상을 하나이상 가지고 있는 단위의 비율. 2) 백분율의 의미로 사용 - 시료로서 채취된 총단위(unit)에서 정상적인 것과 구별될만한 현상을 하나이상 가지고 있는 단위의 백분율. 현상의 수는 같은 유형의 현상이 여러번 나타나더라도 단지 한 번만 세어져야 한다. P+ P형 반도체에 있어서 억셉터 불순물 농도가 비교적 높은 부분을 나타낼 때 쓰인다. P- P형 반도체에 있어서 불순물 농도가 비교적 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다. P- Channel N형 기판에 P형 확산 영역을 형성한 절연게이트형 FET에 있어서 소오스, 드레인 간에 흐르는 전류의 통로인 채널이 정공에 의해서 형성되는 것은 P- Channel이라고 한다. P I/O(Parallel Input Output) 장비와 장비사이에 병렬로 정보를 주고 받는 통신 Unit. P & R(Placement & Routing) Design Automation의 한 분야로, chip layout시 미리 준비된 Macro-Block 및 standard-cell들을 자동으로 배치 또는 배선하여 최적화하는 것을 말한다. P/A(Process Area.) 생산장비에서 웨이퍼의 가공공정이 행해지는 Area, 1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CLASS 1. P-Type Silicon(Positive Type Silicon) Major Carrie가 Hole인 Si를 말한다. 3가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Hole이 존재하게 된다. PA(Process Air) Air Comp.에서 생산된 압축공기를 Dryer 및 Filter를 통과하여 정체된 Ait로서 생산장비에 사용된다. PABX(Private Automatic Branch Exchange) 자동식 구내교환기. Pack Information 2 cassette 이상을 반송시 AGV에 반송 순서에 대한 정보를 준다. Package Test Board Package를 Test하는데 사용되는 Board로서 Test 장비의 Test Head에 장착된다. Package TR, Diode, IC 등의 용기를 말함. Packaging Density 단위 체적속에 실장되는 부품 또는 소자의 수를 말한다. Package Air Conditioner(package) 1개의 Cashing내에 냉동기와 공조기가 동시에 장착되어 사용목적에 적합한 온·습도를 유지시켜 주는 설비. PAD 블록을 찾아서 데이터로 채우는 과정. Page Fault 페이지 테이블상에 각 페이지마다 페이지 폴트라 불리우는 1비트의 제어비트가 있어서, 이 비트가 1이면 그 페이지가 주기억 장치에 없는 것을 나타내며, 0이면 주기억장치에 있는 것을 나타낸다. 명령을 실행할 때마다 연산 제어장치는 이 테이블을 참조하는 데 만일 비트가 1이면 페이지가 주기억 장치에 없다는 것을 뜻하는 인터럽트가 발생하며 수퍼바이저는 이 인터럽트를 해석하여 필요한 페이지를 2차 기억장치로부터 주기억장치로 가지고 와서 프로그램이 속행된다. 따라서, 페이징 방식에 의하면, 주기억장치에 최소한 필요한 것은 현재 사용중인 페이지뿐이다. 여기서 중요한 것은 이 페이지 폴트의 처리는 사용자가 인식할 수 없는 상태로 이루어진다는 점이다. PAL PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC. PAL PHASE ALTERNATION BY LINE의 약칭. Palladium Membrane 수소분자만이 통과할 수 있도록 되어있는 Cell. Silver Palladium으로 되어 있다. Palm Top PC 손 바닥위에 올려놓고 사용할 수 있는 PC. Panel Plating(판넬도금) 홀을 포함하는 기판의 전면을 도금하는 것. Parallel Port IBM-Compatible Parallel Printer를 연결할 수 있는 Connector이다. Parameter 모수, 모집단의 특성을 나타내는 상수나 계수로 표준편차, 평균, 회귀계수 등이 있다. Parasitic Effect(기생효과) 소형화된 IC에서 소자사이가 근접하기 때문에 생기는 문제. Parity 연기 Tape 등의 외부기기를 통하여 Data를 써넣거나, CPU내에서 Data를 전송했을 때에 Data의 실수를 검출하는 방법을 Parity Check (기우검사)라고 한다. 검사의 대상이 되는 N-BIT의 Data에 1Bit의 Parity bit를 부가하고, 전체 "1"의 개수가 우수가 되도록 Parity Bit를 "1" 또는 "0"으로 한다. Data를 read 하거나 수신했을 때 "1"의 개수를 조사하여 그것이 기수이면 실수가 있었던 것이 되고, 그것이 우수이면 정상적인 Data였던 것이 된다. "1"의 개수를 우수개로 할 경우를 우수 parity라고 하며, "1"의 개수를 기수개로 할 경우를 기수 parity라고 한다. Parity Bit 부호화된 데이터(word)의 에러 검출에 사용하는 Bit로, 시스템의 Data 쓰기/읽기 동작후에 "1" Bit의 총합이(패리티 비트 포함) 항상 홀수 혹은 짝수가 되어야 함. Parity Checking 메모리에 Write할 때마다 1로 지정된 Byte의 Bit를 세어 홀수 또는 패리태 검사방식에 근거하여 패리티 칩에 기록한다. 그리고 후에 다시 Write 할때 하드웨어가 지정된 Bit를 검사하여 Memory의 결함이 있을 경우 컴퓨터에 알리고 다시 부팅할 때가지 시스템을 멈추게 하는 것. Partition 건축물 내부 좁은 공간을 분리, 자유로이 이동하면 구획이 되어 Room과 Room을 분리 사용하는 제품으로 다음과 같이 종류가 있다. 가) 밤라이트-가장 많이 사용되며 가격이 저렴하고, 시공이 원활하며 스레이트 판 재질을 사용하여 만듬. 나) 집성보드(석고)-방음 효과를 가지며 석고판을 이용. 다) SGP-얇은 철판을 이용하여 만든 제품. Pascell Gury Language의 일종. Passivation 회로가 외부의 먼지, 온도, 습도 및 긁힘으로부터 Damage를 받는 것을 방지하기 위해서 보호층을 입혀주는 공정으로 주로 Plasma CVD Oxide Nitride를 사용하며, PN 접합표면을 습기나 불순물에 대해서 둔감하게, 즉 불활성으로 하는 방법. Wafer 표면에 외부로부터의 영향을 막기 위하여 산화막 및 질화막을 입혀주는 것. Password 암호. Pattern 부품이나 디바이스의 배선 및 그들의 형태나 배치의 조합에 의해서 소요의 회로 기능을 구체화시킨 평면도형을 말한다. Pattern Plating(회로도금) 회로를 선택적으로 도금. PBH(Planar Buried Heterostructure) 가장 통상적으로 사용되는 반도체 레이저(LD)의 구조로서 발광부를 식각, 성장 등의 공정을 거쳐 다른 epi층으로 완전히 싸버리는 구조이며 표면을 평탄화시킨 것이 특징이다. PC(Production Control) 생산관리. PC(Personal Computer). PC(Particle Cleaning) Chip위의 오염물을 제거하는 공정. P/C(Particle) PCB(인쇄회로기판 Printed Circuit Board) 인쇄 배선판. 위에 저항, 콘덴서, 코일, TR, IC, LSI, 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시킨 것. PCD(Plasma Coupled Device) CCD등과 마찬가지로 일종의 집적형 Device이다. PC-DOS IBM사의 PC-DOS는 MS-DOS의 OEM 버젼이다. PCI OS/2와 Windows 같은 Graphic Oriented Operation System을 PC에서 동작시킬 때 PC의 I/O의 Bottleneck을 없애기 위하여 Intel에서 개발한 PC Bus, 보통 SCSI, LAN, Graphic device에 적용함. PCM(Pulse Coded Modulation) 계수형 전송방식으로 연속적인 신호(Analog Signal)를 주기적으로 2진 기호로 변화하여 전송하는 방법. PCM Data RUN에서 추출되는 Data중 Test Pattern을 측정하여 공정의 불량여부를 분석할 수 있는 Data. PCM Design PCM Program의 Error를 수정하는 행위로 이상 Data 발생시 수동측정기로 측정하여 결과를 추출한 후 자동측정기로 측정한 결과와 비교하여 PCM Program의 측정조건을 조정하는 행위. PCM Program 개발제품의 양, 불량을 판별하기 위하여 Wafer상의 Test Pattern을 자동측정기로 측정할 수 있도록 제작된 Computer Program으로서 Test Program과 Test Data를 인쇄하는 Print Program으로 구성된다. PCM Test Process Control Monitor하는 시험소자, 공정상의 특성을 알아보기위해 실시하는 검사행위. PCMCIA(PC Memory Card International Association) 미국의 메모리 카드 관련 표준화 단체. PCN(Personal Communications Networks) PCT Patent Cooperation Treaty의 약어 특허 또는 실용신안의 국제출원절차를 동일하고 간소화하기 위해 1970년 워싱톤에서 체결되고 1978년 발효된 다국가간 계약이다. PCT(Pressure Cooker Test) "증기압 시험"으로서 15PSI, 습도=100%, 온도=121℃ ±2℃의 Pressure Cooker 내에서 진행하는 내습성 시험을 말함. PCW(Process Cooling Water) 공정용 냉각수로서 생산장비의 냉각을 위하여 사용된다. 저압 및 고압용이 있다. PCX 파일 Z SOFT사의 PC PAINTBERUSH에 의해 생성된 화상용 파일형태. PD(Power Dissipation) 전력손실. PD(Photo Detector) 수광소자로서 해당영역의 파장의 빛을 받아들여 전기적인 신호로 바꾸어 주는 소자이며 동작원리에 따라 PIN-PD, APD 등이 있다. PD PIN(Presence Detect PIN) 4Byte 이상의 DRAM SIMM에 부착된 4개의 PIN으로 Memory Size 및 Speed를 표시하는데 활용됨. PDA(Percent Defect Allowance) Burn In 이후 Post Test시 Burn In 중 Device Degradation으로 인한 Hard성 Fail의 발생 허용치로서 일정 비율을 넘으면 추가의 Burn In을 실시하게 된다. PDP(Plasma Display Panel) 대화면화에 용이한 자발광 소자로 개발 실용화 추진단계의 소자임. PDIP(Plastic Dual In-Line Package) Plastic으로 만든 Package Type의 한 종류이며 Package 양쪽에 Lead가 길게 나와 있어 Socket에 끼워 쉽게 사용할 수 있다는 장점이 있으나 많은 면적을 차지하고 습기 등에 약하다는 단점이 있다. PE(Product Engineer) 공정기사. 특정 제품에 대한 Yield 및 특성 Trace하는 Engineer. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 강한 전압으로 야기된 plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜서 기상으로 증착시키는 방법 또는 장치. TFT-LCD에서는 insulator층과 a-Si 증착에 사용한다. 반응 Chamber가 Plasma 상태하에서 GAS들의 화학적 반응에 의해 film을 증착하는 방법으로 Plasma에 의해 reactant들이 energy를 얻음으로 낮은 온도에서 증착이 가능하다. P/E Cycle(Programming/Erase Cycle EEPROM). Peel Strength 基材(Base Material)로 붙어 회로나 동박을 떼어내는데 필요한 단위폭 당의 힘. Pellet 불순물 주입등의 공정이 완성된 Wafer에 들어 있는 각각의 소자를 잘라낸 개개의 소자. Pelletize Compound를 사용하기 좋게 작은 덩어리로 만드는 작업. Pellicle Particle 또는 외부적인 defect로부터 감광원판(MASK)을 보호할 목적으로 감광원판의 가장자리 부분의 형상이 없는 곳에 부착하는 물질. PEM(Production Equipment Maintenance) 생산 장비 정비. Performance Board Test System 또는 소자로부터 나오는 전기적 신호에 대하여 Test System과 Probe 사이를 연결시켜 주기 위해 PCB에 Coaxial Cable로 Wiring한 Interface Board. Peripheral LSI Test System에 CPU를 지원하는 LSI군. microcomputer system을 설계하는 경우 필요로 하는 기능을 CPU 한 개에 집적시키면 처리속도가 저하되고 software 설계량이 증대되는 문제점이 발생하게되므로 각 CPU에 주변 LSI를 사용하여 시스템을 설계하는 것. Permenant Mask(영구마스크) 작업후에 제거되지 않는 잉크. PERT(Program Eval‎uation and Review Technique) 어떤 방법으로 어떤 공정을 진행시키면 인원이나 자재의 낭비없이 배치할 수 있고 공기를 단축할 수 있는가를 해명하는 공정관리수법. PF(Picofarad) 1012(F). PG(Pattern Generator) CAD System에 의해 Digitizing된 설계 정보를 Mask위에 Pattern 모양으로 형상화시키는 기계로 Reticle 제작에 사용. PG(Pattern Generation) 회로설계 Pattern이 Layout된 상태를 Reticle/Mask 제작장비가 사용할 수 있는 Data로 바꾸어 주는 작업. 설계된 Data를 생산현장에 투입하기 위한 MASK를 생성하는 작업. PG Tape 설계완료된 Layout Data를 Reticle/Mask 제작장비인 E-Beam Machine에 맞는 Format으로 변경한 Data를 PG Data라 하며 이 Data를 보관한 Tape를 말한다. PGA(Pin Gird Array) Lead가 Package의 아래쪽에 길게 나외있는 정사각형의 반도체 제품. PGA(Professional Graphics Adapter) IBM의 전문 그래픽 어댑터로 주로 CAD 응용 프로그램으로 사용되는 고급의 지능적인 그래픽 보드였으나 몇가지 요인들 때문에 PGA는 인기있는 표준이 되지 못했다. PH(Par H) 수소 Ion Mole 농도의 역수의 상용 Log 값을 취하여 수용액의 PH가 7인 수용액은 중성, PH가 7이하인 수용액은 산성, PH가 7이상인 수용액은 알카리성을 나타냄. Phase(위상) 미리 규정한 위치에서 본 반폭파형의 1 사이클을 기준으로 한 상대 위치. Photo (사진) Wafer에 Pattern을 형성하는 공정. Photo Conductive Effect(광전효과) 반도체에 빛을 조사함으로서 일어나는 전기 전도도의 변화나 기전력의 발생현상을 총칭하여 광전효과라고 한다. Photo Coupler 전기, 빛 변환소자(발공소자)와 빛, 전기 변환소자(수광소자)를 하나로 조합한 것이다. Photo Diode 반도체의 PN 접합에 역 바이어스를 가하고 접합면에 빛을 조사하면 PN 접합에 흐르고 있는 역방향 전류가 증가하는 현상을 이용한 것이다. Photo Etching(사진 식각법) 에칭재료에 대해서 내성이 있는 재료, 즉 Photo Resist를 마스크로 사용하여 반도체의 산화피막, 금속 등을 부분적으로 Etching 하는 방법이다. Photon 전자장을 양자화한 것을 Photon 이라고 한다. Photo-Resist 사진 식각 공정을 위하여 사용되는 점액성 액체를 말하며, 빛이 닿는 유무에 따라 상태가 변하는 감광물로서 Positive와 Negative 2 종류가 있음. Photo-Resist or Resist 감광물질로 Positive와 Negative의 두 종류가 있음. Photo Volatic Effect(광기전력 효과) 반도체의 PN접합에 빛을 조사했을 때 PN접합의 양단에 전압이 나타나는 현상을 광기전력이라고 한다. PI(Process Integration) 반도체 소자를 만들기 위해 Photo, Etch, Diffusion, Thin Film, Ion Implantation과 같은 단위공정이 필요한데, 각 공정을 소자의 특성에 맞게 Process Flow를 설계하고 제어하는 기능. Process Architecture라고도 함. Pick & Placement Screen Printing된 PCB위에 Component를 장착 하는 공정. Pick-Up Fork 25, 50 Slot짜리의 Boat를 Loading, Unloading하는 치공구. Piezo Electric Effect(압전효과) 어떤 종류의 결정에 어떤 방향에서 압력을 가하면 정해진 방향으로 유전분극이 나타나는 현상(즉, 한쪽 끝에 +의 전하가, 그리고 다른쪽 끝에 -의 전하가 나타나는 현상)을 말한다. Piggy Black Program ROM을 flexible하게 사용하기 위하여 Chip자체에 ROM 소켓을 가지고 있는 Package 방법. Pigment Types 백색광이 미세한 안료 입자를 분사하여 만들어진 착색된 층을 통과하도록 하여, 빛에 색상을 주는 방법 혹은 안로 입자를 사용하여 빛을 착색하는 방법. Pin Density(편밀도) 단위면적당의 기판상의 판수. Pin Hole 1) 사진 감광액 속에 입자가 존재하거나 Mask나 WF표면에 결함이 있을 때 사진 작업후 형성된 감광액 Pattern에 생기는 작은 구명. 2) 확산로에서 성장시킨 산화막에 생긴 작은 구명. PINCH-OFF Voltage 전계효과 Tr(MOSFET)에 있어서 Channel이 닫혀졌을때 즉 gm이 ZERO로 된 상태의 GATE 전압을 PINCH-OFF 전압 Vp라고 한다. Pit 동박을 완전히 관통하지는 않으나 표면에 생기는 작은 구멍. PIT Wafer 표면의 미세한 돌출 불량. PIX Assembly시 module compound의 stress에 기인된 깨짐(crack)을 방지하기 위해 buffer material로서 pix(polydimide)를 coating한다. Pixel(화소) 두 단어 "picture element"의 합성어로 화면을 구성하는 R, G, B 의 3 돗트를 1화소라 하며 정세도가 높다고 하면 화소수가 많음을 의미한다. Pixel Defect LCD 화소단위의 표시결함으로 능동 매트리스 방식에 전형적으로 나타나다. 대표적인 것으로는 흑표시의 경우 광이 투과된 백결함이나 백표시의 경우 광을 투과하지 않은 흑결함이 있다. 원인은 능동 소자의 동작 불량에 있다. PL/I 프로그래밍 언어. PLA(Programmable Logic Array) 일반적인 논리 회로의 조합으로, 기능별로 연결하거나 Program에 의하여 조작할 수 있는 논리조작 회로. Planner용법 기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB 공정기술 중의 하나로 Silicon 기판과 평행하게 콘덴서가 형성되는 기술임. Planar Transistor Silicon기판 위에 튀어나오는 것이 없이 평평한 형태로 만든 Transistor. Planarization FAB 공정에서 만든 반도체 Silicon Chip의 수직구조가 평평한 상태정도를 말함. Plant Working Standard 공장용 기준기, 정밀 계측기기급 이하의 교정 및 검증에 사용되는 기기. Plasma 거의같은 수의 양이온과 전자를 띤 가스. Plasma Display 가스 방전에 의해 문자 또는 숫자를 표시하는 것으로 절연물을 통해 글로우 방전을 일으키는 외부 전극형 표시 방전판이다. Plasma Etching 고주파가 인가되 반응실 내부로 Gas를 주입하면 높은 Energy 상태로 활성화 되어 이온, 전자, 원자, 래디칼(Radical)등이 생성되는데, 이것을 사용하여 식각을 하는 일반적인 건식 식각. 좁은 의미로는 화학적인 반응에 의한 건식 식각 방법. Plate 절단후 분린된 Chip을 선별하여(양품) 담는 공정. Platng 도금. PLC(Product Life Cycle) 제품수명주기. 신제품이나 개량제품이 시장에 소개된 이후 시간의 경과에 따른 판매액이나 이익의 변화 추이를 나타낸 개념. 도입기, 성장기, 성숙기, 쇠퇴기로 구분하여 각 시기마다 적합한 마케 믹스를 필요로 한다. PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) Package의 일종으로 lead가 4방향으로난 표면실장형 반도체 제품. PLD(Prodgramable LOGIC Device) 프로그램이 가능한 어드레스를 가진 ROM으로, 시스템 설계 수단으로서 개발된 것이다. PLD와 ROM과의 차이는 ROM은 입력의 모든 조합에 대해서 출력이 나오지만, PLD는 입력의 몇 개 조합은 무효이고, 또 조합의 몇 개 그룹은 구별할 수 없다는 점이다. Plenum 공기의 유통을 위한 공간. PLL(Phase Locked Loop) 전압에 의해 조정되는 발진 주파수가 기준 주파수와 일치할 때까지 주파수의 위상차에 비례하는 전압을 발생시켜 발진 주파수를 기준 주파수에 맞추는 회로 방식. Plot DISK내의 DataBase를 그림으로 뽑아 내는 것. 가) plot-도면, 차트, 도표 등을 작도하는 것. 나) plotter-도면 작성(drawing), 차트 작성, 도표 작성(diagram)및 유사한 그림을 그리기 위하여 사용되는 시각적 자료 생성 기기. 다) plotting[도형작성]- 어떤 종류의 정보를 그림으로 작성하는 과정. PM(Presentation Manager) IBM사 및 MICROSOFT사에 의해 OS/2용으로 개발된 그래픽 사용자 인터페이스 표준이다. PM(Preventive Maintenance) 장비성능유지 차원에서 설비 문제 및 손상감소를 위하여 Manufacturing Operation에서 Routine하게 점검(사전예방정비). PMA(Personal Management Analysis) 인사관리 분석제도. P-MOS 양전하 즉 정공에 의해 Channel 전류가 형성되는 MOS Transistor. PN2(Purified N2) GN2 Gas를 Purifier를 사용하여 정제된 N2 Gas. P-N Junction P-N Junction은 P형 영역과 N형 영역사이의 경계부분. 이러한 Junction 그 자체는 정류기(Rectifier) 혹은 Diode를 만들어 냄. PNPN Diode PNPN의 4층 구조로 된 Diode. PNP Type Transistor PNP접합의 구조를 가지고 있으며 P,N,P 영역을 각각 에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR를 말한다. P/O(Purchase Order) 구매 주문(발주). Polarizer 자연광을 직선 편광으로 변화시키는 필터로서, 요소 또는 2색성 색소로 염색한 PVA(폴리 비닐 알코올) 필름을 연신 가공하여 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 필름 사이에 넣은 판. Polisher 초순수 2차 설비중의 하나로서 초순수중의 SiO2를 제거하는 것을 목적으로 하며 기타 수중의 이온성 물질을 제거한다. Poly-Crystal(다결정) 물질이 결정질의 것인 경우 하나의 덩어리속에 결정축의 흐트러짐이 있거나 결정축 방향이 다른 것이 포함되어 있는 것과 미세한 단결정의 모임으로 되어있는 경우를 다결정이라고 한다. Poly-Crystal Silicon(다결정 실리콘) 결정 전체에 결쳐서 원자 또는 원자 집단의 주기성이 유지되고 있을 때 이것을 단결정(Single Crystal)이라 하며 전체가 임의의 방향을 향하고 있을 때 이것을 비정질 또는 무정형이라 한다. 다결정은 이 중간의 상태이며 작은 단결정이 불규칙하게 모인 것이다. Poly-Si 장범위에서는 결정성이 없지만, 단범위에서는 결정성을 가지고 있는 실리콘 물질. 결정 경계로 구분되어 있고 결정 경계 내부는 단결정이며 이러한 결정이 다수 존재한다. 다결정 실리콘 트랜지스터는 좋은 신뢰성과 안정성으로 인해 프로젝션용 혹은 소형 view finder에 이용되고 있다. Polycide MOS 구조에서 word line 및 bit line으로 poly silicon이 사용될 경우 저항이 높아 time delay가 높다. 개선하기 위하여 polysilicon위에 silicide 2층 구조를 형성하여 speed의 개선을 목적으로 하는 구조를 polycide라 한다. Polyimide 이 막은 러빙(rubbing) 공정을 통해 배향함으로써 액정이 일정한 방향으로 배열하게 한다. Polymer 종합체. 수천개 이상의 단량체(Monomer)들이 서로 결합되어 (Polymerization) 이루어진 고분자 혼합물. POP 광고(Point of Purchase Advertisement) 구매시점 광고. Population 모집단. 관심의 대상이 되는 물질의 총 item이나 units. POS(Point of Sales) 수퍼마켓의 Registor와 같은 판매시점 정보를 입력하는 시스템. POS System(Point of Sales) 판매시점 정보관리 시스템. Positive LCD LCD에서 normally white라고도 하며 흰바탕에 검은문자가 나타난다. POST(Power On Self Test) PC 전원을 켜자마자 시작되는 것으로 CPU가 제대로 동작하는지 System Boaard Memory와 시스템 버스부분도 함께 검사하는 기본 시스템 Test이다. Post Burn-in Burn-In 후에 검사하는 것. Post Laser Repair Test Laser Repair 수행후 wafer chip의 pass/fail 및 laser repair 성공여부를 판별하는 전기적 성능 검사법. Pot 성형 금형 내에 합성 수지를 투입시키는 입구. Power Managemant CPU나 Coprocesor, 기타 주변장치의 소모 전력을 줄이는 방법으로 System Clock의 동작을 Stop시켜 소모전력을 줄임으로써 Battery 수명을 연장시킬 수 있다. 일정시간동안 외부 Input이 없으며 Display Power 등 각종 Power 소모원의 전력을 줄일 수 있어 Lap Top, Notebook PC에 적용하고 있다. PP Carrier Poly Propylene 재질로 되어 있으며 청색, 주황색 등이 있다. 화공약품에 강하나 열에 약하다. PPB(Parts Per Billion) PPM의 1천분의 1, 즉 10억분의 1을 나타내는 단위. PPM(Parts Per Milion) 불량 측정 단위, 백만분의 1단위. PR(Purchasing Requisition) 구매 신청서. PR(Photo Resist) 감광성 고분자로서 노광공정시 빛을 받은 부분이 광반응을 하여 현상공정 후 pattern을 형성한다. 광 감응제가 섞여 있는 유기 화합물로 빛에 의해 자체내에서 화학 반응이 일어나 화학적 구조가 변하여 현상액에 의해 일정 pattern이 형성되도록 하는 물질. IC 제작 공정중 photo 공정에서 사용하는 화학물질로 Etch 공정을 하기 전에 Etch 할 지역을 표시하기 위해 Wafer 표면에 균일하게 도포하는 물질이다. 이 물질은 Positive Type의 경우 빛을 받으면 그 부분은 빛과 반응하여 감광되어 Devlop시 없어지고 빛을 받지 않은 부분은 그 대로 남아서 Etch를 진행하면 PR이 없는 부분이 식각된다. Pre Burn-in Burn-In에 들어가기 전에 검사하는 것. Precipitate 일정해야할 지역에(불순물농도 등), FAB 제조 공정중 어떠한 이유로 핵을 중심으로 모이는 현상. Precision 측정에서의 재현성이 얼마나 좋은가를 나타내며 동일한 측정을 여러번 했을 때 얼마만큼 그 측정값들이 서로 일치하는 가를 가리키는 척도가 됨. Precision measurement Instrument 산업체 및 시험검사 기관에서 정밀 측정 및 시험검사에 사용하는 기기. Preform 예비 성형. Preformer 예비 성형기. Preform Feeder 릴 상태로 감겨 있는 납 Preform을 일정한 길이로 잘라서 Lead Frame 위에 접착시키는 장치로서, 반시계 방향으로 환원. Preheater 고주파를 사용하여 Peller 형태의 수지를 말랑말랑한 상태로 만들어 주므로써 경화 시간을 단축시키고 경화 특성을 향상시키며 이송식성형을 용이하게 하는 장치. Prelaser Repair Test 공장이 진행되어진 wafer의 laser repair 수행 전 wafer chip의 pass/fail/repairable을 구분하는 전기적 성능 검사. Pretilt Angle 유리기판표면에 대한 액정분자 장축의 경사각도. 배향막의 러빙처리에 의해 생기며 Reverse tilt domain 생성방지를 위해 행한다. Prepreg 다층기판에서 각 층을 접착시키는 접착제(B-STAGE). Price Learning Curve 기존의 학습곡선의 개념을 반도체 메모리의 가격변화에 적용한 것. 이 경우 가격은 시장경쟁, 기술대체, 일반 경제상황, 수요 및 공급의 역동성 등의 시장조건에 크게 영향을 받는다. 가격은 Bit당 Millicent로 표시. Priming pump를 시동하기전 흡입관내에 물을 충만시키는 것. PRN(Process Revision Notice) 실험결과에 의거하여 기존의 공정의 조건, 순서, 자재, 장비 등을 변경 보완할 때 사용하는 양식. Probe Card Wafer내의 Chip의 전기적 동작상태를 검사하기 위해 Probe Tip을 일정한 규격의 회로 기판에 부착한 카드. Probe Tip Chip을 Test하기 위해 텅스텐 재질로 만든 Pin으로 Chip내의 Pad를 통한 Chip회로와 검사장비와의 연결부분. Prober Test 장비와 전기적 신호를 주고받을 수 있도록 연결되어 있으며 Wafer를 X, Y, Z축으로 움직여 각 칩을 ROOM/HOT Temperature 상태에서 Wafer내의 지정된 point아 탐침을 접촉시켜 Test하는 데 사용되는 장비임. Probing 측정을 위하여 만들어 놓은 PAD에 Probe Tip을 정확하게 Contact시키는 것. Process 반도체 제조기술에 있어서 재료에서 제품까지의 중간단계의 기술을 총칭하여 Process라고 한다. Process Capability 공정능력. 정상적인 환경요인에 의해서만 지배되는 최소한의 변동요인 아래 공정작업 범위의 한계. Process Minispec. 공정개발실에서 base line 공정이 확정되어 FAB 운영실로 이관될 때에 작성되는 스펙으로서 각 공정 진행시의 작업순서, 작업조건, 작업결과의 확인기준을 명시한 해당 공정의 기술 표준. Profile 지정된 공정에서의 필요 온도를 장비내에 오차없이 입력시키는 일련의 작업으로써 확산공정에 쓰임. Program Test Program을 지칭하는 말로써 각 Tester에 알맞는 Computer Language로 작성한 Software임. 이 Program의 조건은 Test Spec.에서 정한 Limit를 사용함. PROM(Programmable Read Only Memory) ROM의 일종으로 제조된 후 사용자가 임의로 Program을 하여 원하는 정보를 넣을 수 있는 기억장치. Propagation Time(전파시간) 논리회로에 있어서 논리의 지연을 전파시간이라고 한다. Protected Mode Protected Mode에서는 CPU는 24bit Physical Address를 Generate하며 물리적 Memory 공간을 Addressing할 수 있다. 80286 CPU는 Protected Mode와 Real Mode에서 동작된다. Extended Memory는 Protected Mode에서 지원된다. Proto Type 길이, 질량, 시간, 전류, 온도, 광물, 물 등 7개 기본단위의 현시용 국가 표준(National primary Standard)을 말함. Proximity Effect Pattern이 조밀한 지역과 밀도가 아주 낮은 지역과의 경계면에서 Etch 속도의 차이가 나는 것을 말한다. PRS(Pattern Recognition System) Chip의 Al과 Si의 2부분을 혹(Si), 백(Al)으로 찾아서 위치를 일정하게 잡아 주는 방식. PRT(Production Realiablility Test) 공정신뢰성 시험으로서 양산중인 제품에 대한 품질 확인검사(Quality Conformance Test)를 말함. P/S(Prober Station) Wafer를 검사하기 위해 테스터와 연결된 설비이다. PSG(Phospho-Silicate-Glass) 인규산 유리. 산화막에 Phosphorous가 첨가된 것으로 절연특성이 양호하며 낮은 온도에서 Reflow 되는 특성을 갖는 물질로서, 반도체 표면의 안정화 등에 사용. PSRAM(pseudo SRAM) DRAM의 장점인 동일면적에 있어서 기억용량의 극대화와 SRAM의 장점인 Refresh 불필요성을 결합시킨 것으로 DRAM의 장점과 SRAM의 장점을 결합시킨 기억소자. P-type N-type에 대응되는 것으로 반도체 재료에서 전류의 흐름을 형성하는 정공의 밀도가 전자의 밀도보다 훨씬 크도록 3가의 불순물 원소를 주입한 반도체의 특성. P type semiconductor 반도체에서 전기 전도에 기여하는 캐리어가 정공이 주체가 되는 반도체를 P형 반도체라고 함. Pulse Heating 콘스탄드 히팅에 반대되는 개념으로 지속 시간이 짧은 전류를 본딩 팁에 흘려 순간적으로 열을 발생시키고 전류를 차단하면 동시에 열도 차단되는 것. Pull strategy 제조기업이 소비자에 대하여 제품이나 상표에 대한 광고를 충분히 하여 소비자의 수요가 환기되도록 촉구함으로써 소비자로 하여금 제품을 판매하고 있는 상점에 가서 자사상표품을 지명구매하도록 하려는 전략. Pulse 직류도 정현파도 아닌, 지속기간이 짧은 단속된 전류 충격파라고도 한다. Punch Die 성형 작업이 완료된 자재의 리드와 리드사이에 연결된 댐버 부분을 일정한 힘을 가해 자르는 정밀 가공된 부품. Puntch-Through MOS의 Source와 Drain간의 강한 electric field에 의하여 Drift성의 전류가 야기되는 현상. Punch-Through Breakdown Source/Drain Junction depletion region이 만나면서 생기는 breakdown현상으로 substrate 농도가 낮거나, 또는 short channel일 경우 두 junction의 depletion이 만나면서 source-drain 사이에 갑자기 많은 전류가 흐르는 현상을 말한다. 통상, scaling down의 가장 큰 걸림돌이 되고 있으며, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 이용하여 Breakdown특성을 보완하고 있다. Push Stategy 제조기업이 소비자광고등에는 주력하지 않고 판매원의 인적 판매활동을 중심으로 판매경로상의 거래점을 통해 제품을 판매하려는 전략. Purge(정화, 추방) N2 GAS를 불어 넣어 줌으로써 GAS 찌꺼기나 용액 찌꺼기를 빼내는 것을 말함. PV(Process Vacuum) 공정용 진공으로 진공 Pump에서 생산되어 라인으로 공급된다. 생산장비에서 웨이퍼의 고정과 이송용을 사용됨. PVD(Physical Vapour Deposition) CVD에 대비하여 쓰이는 말로써 스퍼터링, 증착 등의 물리적인 박막 증착기술을 총칭하는 것임. PW(Polished Wafer) 연마 가공된 웨이퍼. PWB(인쇄배선판) (Printed Wiring Board) 회로 부품을 접속하는 전기 배선을 회로 설계에 입각하여 배선도형으로 표현하고 이것을 애칭 등의 기술에 의해 동박 적층판(Copper Clad Laminate)위에 동박의 배선동형으로서 완성시킨 판으로 배선과 부품 장착의 두 기능을 겸비하고 있는 것. PWL(Pulsed Word Line) ICC를 줄이기 위해 reading시 word line의 signal을 pulse 형태로 control하게 설계한 circuit 개념이다. Q QA(Quality Assurance) 품질 보증을 위하여 최종 제품 전체 혹은 일부에 각종 시험 또는 검사를 하여 고객이 원하는 품질수준을 보증하는 것. OA Test 출하 검사. QDR(Quick Drain Rinse) DI Rinse시 일정한 cycle로써 반복되게 shower와 drain을 시키면서 cleaning하는 방법. QFP(Quad Flat Package) Lead 간격이 좁고 Package 사방에 Lead가 있고 구부린 모양이 "乙"字인 반도체 제품. QC(Quality Control) 제품 제조의 각 단계별로 제품의 질을 검사하는 품질관리. Quartz Boat wafer를 운반, 또는 공정을 진행하기 위한 도구. Quartzware(석영 제품) Furnace 등 N/C chamber를 구성하는 석영으로 된 부품이며 Quartz Boat, Quartz Tube 등의 제품으로 고온에서의 내열 특성이 우수하다. QCN(Quality Control Notice) 품질이상 통보서. 각 공정의 품질부서 검사기준(한계치)을 벗어나 품질이상이라고 판정되는 제품에 대하여 발생하는 통보서로써, 기술부서 검토후 각 해당 생산부서의 재선별 작업중지, 장비 보수 등이 요구되어짐. QE(Quality Engineer) 품질 Engineer. Q&R(Quality and Reliability) 품질 및 신뢰성. Q-Tip 면봉. 가느다란 봉에 솜을 부착시킨 것으로 알콜을 사용하여 Cleaning할 때 쓰임. QTL(Q8K Test Language) Q8K Test System에서 사용하는 PGM language. Qual(Qualification) 반도체 제조의 최종 관문으로 신뢰성을 Test하여 만족한 상태를 달성하는 것. Quality 품질. 주어진 요구를 만족시키기 위한 기능을 가진 제품 또는 service의 특성이나 성질의 총합. Quality Assurance 품질보증. Product나 Service가 주어진 요구를 만족시킬 것이라는 신뢰를 주기위해 필요한 모든 계획 또는 활동. Quantum Electronics 공간이나 고체내를 자유로이 움직이는 자유전자가 아닌 원자나 분자에 속박되어 있는 전자의 운동을 이용하는 공학을 양자 Electronics라고 한다. Quartz 석영. QV(Quality Validation) 정상적인 고온 Test후에 QA부서에서, 고온, 저온, 상온 Test를 번갈아 하면서 특성상의 이상 유·무를 확인하는 것. QWL(Quality of Working Life) 노동생활의 질. R R/A(Return Air) 실내에 공급되었다 회수되어 재사용되는 공기. RACE(Research and Development in Advanced Communications Technologies for Europe) Rack 도금걸이로서 도금 물체를 받치거나 전류를 통하게 함. RAM(Random Access Memory) 원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로, Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해 정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있음. Ram Disk Memory를 1MB로 증설한 System에서 DOS가 지원하는 640KB외의 384KB의 메모리는 그냥 소비하게 된다. 따라서, 384KB를 마치 하나의 드라이브처럼 사용하여 하드디스크나 플로피 디스크보다 월등한 속도의 디스크로 이용할 수 있다. Ram Height 램덤 또는 플란저 하강시 이송변속점에서 상부 금형의 하단까지의 거리. RAMDAC Pixel Address 입력에 해당하는 RAM의 내용을 DAC를 통하여 R.G.B Analog 출력으로 제공하는 Chip. PC Graphic Board에 사용되는 Chip으로 화면에 Display할 color를 RAM에 저장하고 있다가 DAC를 통하여 해당 Analog 값으로 변환하여 출력해 주는 Device. Randomization Treatment 효과의 추정치를 실험오차의 영향에 독립적으로 제공하기 위하여 Treatment를 실험단위에 할당하는데 사용하는 절차를 말한다. Randomized Block Design 난괴법. 실험공간이 독립된 Block 내에서의 실험 단위들의 Block으로 세분화되는 실험법을 말한다. 각 Block에 있어서 처리는 실험단위들에 인위적으로 할당되는 각 Block에 대한 부분적 Random화를 통해 몇 개의 Block들을 반복 처리한다. R-Range 범위. data중 최대치에서 최소치를 뺀값을 범위라 한다. R=X max- X min범위하는것은 그 자체가 변동을 내포하고 있지만 sample size를 고려한 factor(1/d2)를 곱하여 모집단의 표준편차를 추정하는데 이용하기도 한다. Range(Rp) Ion이 기판에 충돌하여 일정 깊이 만큼 주입된 거리의 범위 (Projected Range) Raster CRT 화면상에 미리 정해진 수평선의 집합형태. R&D(Research and Development) 연구개발. RDB Relational Data Base 수학적 용어인 relation(관계)에서 따온 것으로써, table 형식으로 DB가 보이는 것이 특징이다. R&D Ratio(Research and Development Ratio) 1주당 연구개발비를 주가로 나눈 비율을 말한다. 이 비율이 크면 그 기업은 연구개발비에 힘을 쏟고 있는 성장성이 높은 기업으로 간주된다. Read-Modify-Write Cycle 컴퓨터 시스템이 메모리 제품에 대하여 데이터를 읽은후, 곧 쓰기 상태로 전환하는 상태를 말함. Real Mode Real Address Mode에서 CPU는 20Bit Phy Address를 Generate 하여 1MB까지 Addressing이 가능하다. 8086 Mode라고도 하며 80286 CPU는 Real Mode를 포함하고 있다. Recipe 장비가 어떤 material을 process하는데 필요한 rule이나 control data를 말한다. Rectifier 주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전 기적 장치. Recombination 반도체에 전압을 가하거나 빛을 조사하거나 또는 소수 캐리어를 주입함으로써 열팽형 상태의 전도전자의 수보다 여분의 전자, 즉 과잉전자가 생긴다. 과잉전자가 충만대 속의 공(空) 레벨로 되돌아가서 소멸하는 현상을 말한다. Rectifying Action(정류작용) 통전 방향에 따라서 전류가 흐르기 쉬운 정도가 다른 성질, 즉 저항이 다른 성질을 정류작용 또는 정류성이라고 한다. Redundancy 어떠한 Cell이 어디가 고장나도 그에 대신하는 것이 있어서 Chip 전체로서는 고장없이 동작을 계속할 수 있는 것을 말한다. Redundancy 회로 Chip의 수율을 높이기 위해 여분의 cell을 집어넣어 defect 된 cell을 여분의 cell로 대치하여 사용하는 것. Reference Check 표준 Device를 이용하여 System의 안정상태를 Check하는 것. Reference Price EC에서 반도체제품의 수입에 있어서 덤핑여부를 판정하는데 기준이 되는 가격. 산정방식은 수출제조원가 + 판매관리비 + 수출부대비 + 적정이윤 + 현지법인비용이며 미·일 반도체 협정을 모델로하여 EC와 일본업체간에 체결되어 90년부터 시행되고 있다. Reflectance(반사도) Film의 표면 반사도로써 표면의 거칠음 정도를 표현한다. Reflective Display Backlight없이 자연광의 반사에 의해 표시하는 display 방식. 이 display는 positive image에 적합하며, 후면에 반사판이 필요하고 아주 밝은 곳에서 유리하다. Refractive Index 진공(실용적으로는 공기) 중의 빛의 위상속도와 매질중의 위상속도와의 비 Refresh DRAM에서 MOS FET의 게이트 용량에 축전된 전하에 의해서 WRITE-IN된 기억을 유지하는데 이 전하는 수밀리초내에 방전하여 없어지므로 항상 기억을 재생하여야 하며 이 재생하는 것을 REFRESH라 한다. Register(기록) Data 정보, Address 정보를 일시적으로 기억. Regression Analysis 회귀분석. 목적함수의 값을 최적화하기 위한 모형의 변수들을 추정하고, 적당한 가상모형에 대한 통계적 유의성에 대한 예측결과를 검사하기위한 절차를 말한다. Reject 생산용으로 더 이상 사용할 수 없는 Wafer나 Mask를 폐기 처분한다는 뜻. Reliability 반도체 제조를 위한 어떤 장치 얼마만큼 고장없이 주어진 기능을 수행할 수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것. Reliability Index TR 등의 신뢰도를 나타내는 값. Repair Data Pre laser repair test에 의해 생성된 repair 기능 칩과 Fail address data. Repair 장비 Laser repair program을 이용하여 Repair data에 따라 Redundancy circuit의 fuse를 절단하는 장비임. Repairable Memory chip내의 fail bit수가 여분으로 만들어 둔 redundancy수 보다 작아 fail 된 모든 cell에 대해 spare cell로의 대치가 가능한 경우 이를 repairable 이라고 함 Repairible Wafer 상태에서 각 소자를 Test한 후 임의의 Row 또는 Column 또는 Cell에서 불량이 발생 됐을 경우 여분의 Row 또는 Column으로 대체하여 양품으로 만들 수 있는 소자를 일컫음. Repair 회로 Algorithm 설계실에서 Redundancy 회로에 따라 작성된 것. Repeating Defect(반복결함) Wafer에 어떤 결함 이 반복적으로 나타남을 말함. Replication 반복. 실험에서 비교될 일련의 모든 실험시행 조합의 반복을 말하며, 각각의 반복을 "Replicate"라 한다. Refresh DRAM의 기억소자는 Capacitor로 되어 있어 저장된 정보가 일정시간이 지나면 손실되기 때문에 Data 유지를 위해 일정시간마다 재충전시켜 주지 않으면 안되는데 이를 Refresh라 한다. Resin Recession 기판이 가열될 때 수지성분이 수축되어 도통홀의 각층과 벽을 현미경으로 볼 때 나타나는 현상. Resistance(부성저항) 부성저항이라고 한다. Resistivity(비정항) 물질의 칫수를 1㎝의 입방체로 해서 측정한 저항을 비저항 또는 고유저항이라고 한다. Resistor Reticle 가장 기본이 되는 모판 Mask로서, 보통 실제 반도체 Chip의 10배 크기인 기본 Mask로 Master Mask를 제작하는데 사용. Resistration 기판의 다른층의 회로와 일치되는 위치의 정도. Resolution(해상도) 사진 공정에서 Mask의 Pattern을 WF위의 감광액에 Pattern의 변형등이 없이 선명하게 전사할 수 있는 능력. 통상 현상후 Mask Pattern과 동일한 형태로 선명하게 형성되는 감광액 Pattern의 크기로 Resolution 능력을 표시함. Response Surface 반응표면. 실험 관측자로부터 유도된 가상모형에 근거한 예측결과의 형태를 말한다. Response Time 단계별 응답에 있어서 출력신호가 최종치에서 특정 범위로 들어가기까지의 시간. ON시 목표로 하는 수준까지 도달하는 시간. 보통 10%에서 90%까지 걸린 시간을 말하며 ON시 투과도가 90% 도달할 때까지의 시간을 rise time이라고 OFF시 투과도가 10%될 때까지의 시간을 decay time이라고 한다. Retardation 굴절율 효과에 의한 정상광과 이상광의 위상차를 결정하는 변수로, 물질의 복굴절 n과 cell두께 d의 곱으로, 즉(n*d)로 표기. Retest System 불안이나 Align 실수로 잘못 test된 Wafer를 다시 test하는 것. Reticle Mask와 동일한 의미로 쓰임. (Stepper에 사용되는 mask) wafer에 반도체 회로설계 pattern을 정착(가공)시키기 위해 사용되는 노광용 원판(유리판)으로 한 장의 wafer에 여러번 나누어 노광한다. Reverse(역방향) PN접합의 P쪽에 -, N쪽에 +의 전압을 가하는 방향을 역방향이라고 한다. Reverse Tilt 액정층에 전압을 인가해서 액정을 전장방향으로 배향시킬 때 그 배향 방향이 본래 목적하는 방향과는 역방향의 배향 방향을 말한다. Reverse Twist 트위스트 구조의 비틀림 방향이 우회전, 좌회전으로 규정된 것의 역으로 되어 있는 것. Rework 재 작업. RF(Radio Frequency) 고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화시키는 데 이 고주파 전압을 사용하며, 고주파를 발생하는 장치를 RF Generator라고 함. RH(Relative Humidity) 공기중의 상대 습도를 말한다. RGA(Residual Gas Analysis) 잔류 Gas 분석. RI(Refractive Index) 굴절율. Ri(Input Impedance) 입력 저항. Rl(Load Resistance) 부하 저항. RIE(Reactive Ion Etching) 건식 식각의 한 종류. Plasma Etching과 원리는 같으나 활성화된 Ion을 이용해서 화학적 및 물리적 반응에 의해 식각하는 방법. Ring Oscillator Library의 지연시간을 외부조건(input/output cell의 지연시간, package pin의 R.L.C 등)에 관계없이 정확히 측정하기 위해 구성한 회로. 주로 기본 Library인 Inverter, NAND, NOR에 대해 회로를 구성한다. Rinse 순수한 물(DI Water)을 이용하여 Wafer 표면의 화공약품이나 먼지 등을 없어지게 하기 위하여 헹구어 주는 것. RISC(Reduced Instruction Set Computer) 컴퓨터의 기계적 명령 가운데 불필요한 것을 없애고 최대한 단순화시켜 놓은 컴퓨터 설계 기술. Rise Time(상승시간) TR의 스위치 특성을 나타낼 때 베이스에 입력 펄스를 가하여 Collector에 흐르는 출력 펄스 전류가 최대진폭(최종값)의 10%로 되었을 때부터 90%로 되기까지의 시간을 말한다. Risk Consumer"s(β) 소비자 위험. 주어진 sampling 검사에 있어서, 합격으로 인정하고 싶지 않은 품질수준을 나타내는 수치로 표현된 Lot 품질의 합격확률을 말한다. 일반적으로 그 값은 한계품질수준(LQL) 값과 같다. Risk Producer"s(α) 생산자 위험. 주어진 sampling 검사에 있어서, 합격되기를 바라는 품질 수준을 나타내는 수치로 표현된 Lot 품질의 불합격확률을 말한다. 일반적으로 그 값은 합격품질수준(AQL) 값과 같다. RMA(Return Material Authorization) 일종의 Claim으로 Customer로부터 일부 Sample을 입수하여 불량임을 확인후 발행되는 Clami인정 Sheet. RMI(Raw Material Inspection) 원자재 수입 검사. R/O(Reverse Osimosis) 역삼투압장치로서 초순수장치의 핵심이다. Ro(Output Impedance) 출력저항. ROM(Read Only Memory) 반도체 기억장치의 일종으로, 정보를 한 번 저장하면 바꿀 수 없고 항상 꺼내어 쓸수만 있는 기억장치. Room Temperature Test 상온 상태에서 검사하는 것. ROR(Ras Only Refresh) RAS가 Low로 되면 Refresh가 이루어지는 형태. Rough Surface 표면 거침. Round Cut Wafer 절단 방식의 하나로, Wafer를 따라가며 둥글게 절단하는 것. Routing ① PCB 회로를 연결하는 것. ② PCB의 외형가공하는 방법의 일종으로 Drill로 PCB의 원하는 치수를 가공하는 방법. Row성 Fail Device Test 결과 일정한 X Address, 변화하는 Y Address를 갖는 Cell들이 연속적으로 Fail된 경우. Rp(Penetration Range) Implanter에 의해 불순물이 주입될 때 불순물이 뚫고 들어가는 길이. Rs(Sheet Resistance) 표면 저항을 의미한다. R.S(Resistivity) 초순수의 수질 중 전기전도성을 나타내는 용어로서 초순수중의 불순물 함유량을 나타냄. RS-232 커넥터(9핀) IBM사는 AT용으로 조합형 직렬/병렬 어댑터를 만들기로 결정하였을 때 이 두 개의 인터페이스 어뎁터가 표준 ISA 인터페이스 카드 위쪽에 들어갈 수 있도록 작은 형태의 커넥터가 필요하였다. 병력 커넥터는 축소될 수 없기 때문에 직렬 커넥터가 축소되었다. 결과적으로는 RS-232C용으로 9핀이 사실상의 산업표준이 되었으며, 9핀은 다음과 같이 할당된다. 1. 캐리어 감지 2. 데이타 수신 3. 데이타 전송 4. 데이타 터미널 준비 5. 그라운드 6. 데이타 세트준비 7. 송신요구 8. 송신클리어 9. Ring Inicator RTC/C MOS RAM Time과 Data를 저장시켜 내부에 포함된 CMOS RAM에서는 System의 구성내용, 예를 들면 Diskette Drive Type, Fixed Disk Type, Expansion Memory Size, Extened Memory Size 등 정보를 저장하고 있어 Booting 때마다 Set-Up시켜주는 불편을 없애준다. RTF(Return to Forecast) Customer의 Forecast에 대한 Commit를 의미. RTH(J-a)Thermal Resistance(Junction to Ambient) 접합과 분위기간 열저항. RTH(J-c)(Thermal Resistance(Junction To Case)) 접합과 Case간 열저항. RTI(Read time Inspection) FQA Sampling 검사에서 걸리는 실제 시간. RTL(Resistor-Transistor Logic) 저항과 Transistor를 연결해 만든 NOR 회로. RTP(Rapid Thermal Processing) 주로 텅스텐 할로겐 램프를 이용하여 짧은 시간에 비정질 실리콘을 가열하여 아닐링함으로 poly-Si으로 재결정화 하는 공정. RTV(Room Temperature Vulanizing) 상온 고무화. 도포액의 경화 방법의 하나로서 25℃ 상대습도 60% 이상 고온에 방치하므로써 고화시키는 방법. Rubbing 액정 분자를 일정 방향으로 배열시키기 위해 나일론이나 면(cottom) 등으로 포리이미드면을 문지르는 방법. Run Wafer를 Process하기 위하여 일련의 묶음(보통 25장)을 1Lot로 구성하여 제조공정에 투입되어 마칠때까지 여러 공정을 차례로 마치, 물이 흘러가듯이 흐른다는 의미에서 쓰여지는 말. RUN Sheet 한 Run의 이력을 기록하는 일종의 문서로서 해당 RUN의 각 단위 공정에 대한 진행사항을 기록한 양식이며, Fab-In 시점부터 Fab-Out 될 때까지 해당 RUN에 대한 공정진행 순서 및 장비, Monitoring Data를 Manual로 기록하여 놓은 품질 문서. RUN Split RUN 진행시 제품의 특성개선 문제, 문제공정의 제어 등의 목적으로 기존 공정과는 다른 공정조건 및 장비 또는 다른 작업순서를 해당 RUN의 일부 wafer에 분리하여 적용한 다음, 이를 다시 합쳐서 추후 공정을 진행하는 공정 진행방식. RZ(Return to Zero) 신호의 전주기 내에 Pattern을 Data "1"과 "0"에 따라 신호의 전주기동안 Palse가 생성되는 파형. S S/A(Service Area) 반도체 제조장비를 Mainternance할 수 있는 Area로 주로 장비의 구동분위기가 설치 1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CALSS 100. S/A Supply Air. Salt Spray "염수 분무 시험"으로서 온도=35℃, 5% 염수를 분무시켜서 Device의 Lead Frame의 상태를 Check하는 시험. SAM(Structure Addressed Memory) 정보를 메모리에 어드레스하여 입출력하는 것. SAMOS(Stacked gate Avalanche injection MOS TR) Drain의 P- -N접합에 의해서 Avalanche 현상을 일으켜, hole, electron을 SiO2속에 주입하고 floating gate에 축적함으로써 기억시키는 TR. Sample 시료. Lot 또는 Process의 합·부판정을 위한 기준으로 사용할 정보를 제공하기 위해서 검사의 목적으로 특정 Lot 또는 Process로 부터 얻어낸 제품의 하나 혹은 그 이상의 단위체들을 말한다. Sample Size(n) 시료의 크기. 시료의 단위갯수를 말한다. Sampling Interval 시료채취 간격. 계통 sampling에서 시료들 사이에 시각적·공간적으로 할당되어지는 간격을 말한다. SATAN(Semi-Automatic Tape Assembly Norn) TI에 의해 개발된 하이브리드 IC 본딩방식의 하나. Sawing Wafer를 진공으로 흡착시킨 뒤 1/1000인치 두께의 다이아몬드 휠 (Diamond Wheel)로 고속회전시켜 Wafer를 X, Y방향으로 절단하는 공정. Sawing M/C 절단기, Wafer를 절단하는 설비. SBU(Strategic Business Unit) 전략사업단위. 서로 관련되는 사업부를 하나의 군으로 파악하고 전략적 계획은 이 군의 책임자와 최고 경영층 사이에서 수립함으로써 사업부간의 통합성을 유지함과 동시에 업무 활동에 관한 권한은 사업부의 책임자에게 위임하여 업무수행상의 신축성을 높이려는 조직편성방법. S/C(Solder Coating) I. C의 laed 부식방지를 위해 표면을 납으로 도금하는 공정으로 lead를 보호하고 완제품이 되어 조립시 효율을 증대시키기 위하여 실시한다. Scanner Beam Line을 통과한 Ion Beam에 삼각자를 가해서 Beam진로를 변경조정하는 방식. Scanning Electron Microscopy(SEM) 주사형 전자 현미경. Scanning Trigger Circuit 입력파형의 진폭이 일정한 값을 넘는 시점에서 상태의 변화가 생기도록 두 증폭기의 접지측 단자를 공동으로 접속하여 Feedback시킨 멀티바이브레이터. Schematic 회로의 연결상태를 회로 기호로 나타낸 도면. 그 도면에서 회로의 연결상태를 simulator 등이 인식할 수 있는 text 형태의 회로연결 상태인 netlist을 추출할 수 있다. Schottky Barrier 금속과 반도체의 접촉에 의해 반도체 표면에 형성되는 에너지 장벽을 말한다. Schottky diode 금속과 반도체가 접촉하고 있을 때 그 접촉부의 전위장벽을 이용해서 침투성을 지니게 한 것으로, P-N 접합이 아닌 Diode Schottky Gate Fet FET의 Gate부분에 금속·반도체 접촉의 Schottky 장벽을 사용한 구조의 FET. SCP Gate 전극을 가진 PNPN 구조의 정류소자. Scramble Device의 실제 Pin과 테스터 입출력 핀과의 신호를 일치시키기 위해 필요한 핀 사이의 정의. Scratch 긁힘. 흠집 Screen Printing PCB 표면의 Foor Print에 Solder Paste를 도포하는 공정. Screening =DEBUG, BURN-IN Screening 불량품이 들어있는 LOT에서 불량품을 걸러 내는 각종 방법을 총칭하는 것이다. Scribe 반도체 Wafer에서 Chip을 떼어낼때 금을 그어서 작은 조각들을 잘라내는 방법을 말한다. Scribe Line Die Sawing을 할 때 주변의 소자에 영향을 주지않고 나눌 수 있게 적당한 폭의 공간이 필요한데 이를 지칭하는 말로 이곳에 반도체 공정을 적절히 진행하기 위한 각종의 고려가 되어 있다. Scribing 왕복 절단이라고도 하며, Wafer 절단방식의 하나로 양방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로, 오른쪽에서 왼쪽으로 절단). Scrubber Wafer 위의 이물질이나 거친 면을 깨끗이 하거나 고르게 하여 주는 장비(고압의 D·I Water 또는 DI Water+Brush를 사용함) SCS(Stocker Controler Server) STC와 통신을 하여 Stocker를 제어하는 Host Computer System. SCUM 노광 및 현상공정을 거친후 wafer상에 남아 있는 감광막의 찌꺼기를 말함. SDA. (Statistical Defect Analysis) Process가 완료된 Wafer에서 각각의 소자에 대한 Fail 형태(Row, Column, Bit Fail)를 통계적으로 분석하여 공정에 Feedback 함으로 불량 분석을 하는 데 기초자료로 하는 Data. S3DG(Self-aligned Silicidation of Source Drain and Data) 소자 축소화에 따라 Source/Drain xj Depth도 Shallow하게 Control해야 하기 때문에 이에 따라 확산층의 저항이 높아짐. 이 기술은 S/D xj를 증가시키지 않고 직렬저항을 감소시키기 위해서 Source Drain, Gate위에 Self-aligning 방식으로 형성시키는 것. SDRAM(Synchronous DRAM) 고속의 System Clock과 동기하여 Data를 입/출력할 수 있도록 10ns 내외에 Access Time을 실현한 고속의 DRAM이다. 대부분 2 Bank 이상의 Bank 구조로 메모리 영역을 구성하여 Chip내에서Interleare 방식으로 각 Bank를 활용할 수 있도록 되어 있다. Seal 외부적으로 공기와 수분의 접촉을 피하며 회로 및 bonding wire를 보호하고 외부와 완전히 차단하기 위해 밀봉하는 것을 말한다. Seal Print LCD에서 seal 에폭시를 유리 기판에 인쇄하는 공정으로 앞유리와 뒷유리를 접착시켜 액정과 외부 공기의 차단을 함과 동시에 두 장의 유리의 간격을 유지시키는 역할을 한다. Sealing(밀봉) 앞 유리와 뒷 유리를 온도 및 압력을 주어 완전 밀착을 목적으로 하며 셀 Gap을 일정하게 유지하는 역할을 함. Search Level Die 혹은 Lead에 일정 속도로 캐펄러리가 내려오기 시작하는 높이. Seco-etch 결정결함 관측을 위한 식각방식으로써 K2 Cr2 O2 : HF : D.I가 1:20:40 비율로 이루어짐. Wafer 표면 불량을 가려냄. Second Bond 금선을 캐펄러리의 훼이스에 의해서 Lead Frame 위에 늘려진 Bond. SECS(Semiconductor Equipment Communications Standard) 반도체 장비들간의 통신 Prtocol. SECS Ⅰ SECS Ⅰ은 host computer와 교신하기 위한 protocol로써 EIA RS-232를 Communication media로 사용한다. 반도체 공정장비나 측정장비에 응용되고 있다. SECS Ⅱ SECS Ⅱ은 Message transaction and conversation protocol이며 장비와 host compurter 간의 세부적인 언어를 정의하고 있다. SECSDEV Loopback Test를 위하여 Simulator에서 장비의 역할을 한다. SECSIM(SECS Simulator) SECS Test를 PC상에서 가능케 하는 Simulator. SECSTEST Loopback Test를 위하여 Simulator에서 HOST 역할을 한다. SECSSPEC SECS Protocol을 정리한 Specification으로서 각 Vendor가 자체적으로 제작한다. Segment NIXIE TUBE나 데지트론과 같이 숫자, 문자를 표시하는 소자로서 숫자, 문자를 몇 개의 부분으로 나누고 그 조합에 의해서 희망하는 숫자, 문자를 표시하는 방식이 있다. 그 나누어진 숫자 문자의 각 부분을 Segment라고 한다. Segment ON/OFF 숫자의 "8"자를 나타내는 하나하나의 문자부분을 각각 세그먼트라고 한다. 점등할 경우, 전 세그먼트를 점등한 것을 점등이라고 하는 것에 대조해서 하나하나의 세그먼트를 선별적으로 점등하는 것을 가리킨다. Segregation Coefficient(편석계수) : 고상(固相)속에서 어떠한 불순물이 편석되는 농도비. SEG(Selective Epitaxial Growing) 선택적인 Epi 성장기술로서, Silicon 단결정이 Oxide위에서 성장하지 않는 특성을 활용한 에피층 성장 기법. Selective Diffusion(선택확산) 실리콘에 불순물을 확산할 때 어떤 종류의 불순물을 실리콘 표면에 산화피막이 있으면 확산이 어렵다는 성질을 이용하여 실리콘 표면의 일부분에만 선택적으로 불순물을 확산하는 것을 말한다. Selective Oxidation Process(선택산화법) 질화 실리콘(Si3N4)의 막이 산소를 통과시키지 않는다는 성질을 이용하여 실리콘 표면의 필요한 부분에만 선택적으로 산화시키는 방법이다. Selective Tungsten High Aspect Ratio를 갖는 Contact에서 Step-Coverage를 개선하기 위한 Contact Filling 기법에 사용하는 재료. Selectivity 선택도. 식각 작업시 어떤 두 물질이 식각되는 식각율의 비. Self Align 패턴닝을 함에 있어서 별도의 마스크를 사용하지 않고 이미 증착된 물질을 이용하여 식각을 하는 방식으로 비용 감소에 큰 역할을 한다. Self Bias(자기바이어스) 바이어스 저항을 하나만 넣어도 되는 간단한 바이어스 회로. Self Refresh DRAM의 refresh 방법중의 하나로 다른 refresh mode는 DRAM 외부의 회로에 동작되어지나, self refresh는 DRAM 내부의 refresh timer에 의해 정해진 시간내에 자동적으로 refresh가 이루어지는 형태임. Self-Alignment MOD 구조의 Gate用 AL은 Melting Poing가 낮으므로 AL DEP. 후에 높은 온도의 Themal Caycle은 어렵다. 그러므로 AL DEP前 Source 및 Drain의 Drive-In이 완결되어야 한다. S/D의 Drive-In 후의 Gate Define은 Alignment Tolerrance 등을 고려할 때 Overlap Region이 넓을 수 밖에 없으므로 S/D의 Parasitic Overlap Capacitance 및 Minimun Size에 악영향을 미칠 수 밖에 없다. Polysilicon의 경우에는 Melting Point가 Si Substrate의 온도와 비슷하여 S/D Formation前에 Deposition이 가능하고 S/D Formation 및 Drive-In은 Gate를 Define한 후 Implantation에 의해 이루어지므로 Perfect한 Align이 가능하다. 이러한 Self-Alignment 방법은 제작 공정을 단순화시키고, Packing Density를 늘려주며, Source/Drain간의 Parasitic Capacitance를 감소시킬 수 있는 장점을 가지고 있기도 하다. SEM(Scanning Electron Microscope) 주사형 전자 현미경. 시료에 전자 beam을 주사하면 secondary Electron이 방출되는데 이를 Detect하여 상을 형성한 후 Topology를 관찰할 수 있는 고배율의 현미경. SEMI Semiconductor Equipment and Material Institute. 반도체 공정에서 사용되는 장비, 자재 등을 연구하고 표준화하는 협회를 말한다. Semi-Auto 장비가 HOST의 통제를 받으면서 실제 CST의 LOAD/UNLOAD는 operator에 의하여 행해진다. Semi-Custom 제품 Maker에 의해 표준화되고 준비되어 있는 cell 혹은 mask를 user가 선택하여 희망하는 IC/LSI로 제작된 IC. 설계 시간 단축을 위해서 이미 설계된 cell libaray를 사용한다. Semiconductor 반도체는 도체(전기가 금속과 같이 잘 통하는 물질)와 부도체 (전기가 통하지 않는 물질)의 중간물질을 말함. Sensor 온도를 검출하는 측온 저항체나 열전도대와 같이 직접 피측정 대상에 접촉시키거나 그 가까이에 접근시켜서 사용하는 것으로 대상에서 직접 필요한 신호를 꺼내는 것을 Sensor라 한다. Sense AMP Cell에서 선택된 data가 data line을 거쳐 출력단으로 전달될 때 voltage swing을 크게하여 data line의 signal을 증폭하는 amplifier. SEPOX(Selective polysilicon Oxidation Technology) SEPOX는 Buffer Oxide위에 Poly Si을 Deposition하고 그 위에 Silicon Nitride Film을 형성시켜 Mask역할을 하여 Si3N4 Film을 Reactive Ion Etching하고 Oxidation 시킴. Sequential Circuit(순서회로) 기본 gate인 NAND, NOR 등을 조합한 회로로서 디지탈 장치의 기본회로 중 의 하나, Flip-Flop, Shift Register, Counter, Memory 등이 있다. SER(Soft Error Rate) Memory 소자에서 방사선 동위원소에 의해 발생한 particle 등에 의해 저장된 정보를 잃어 버리는 정도를 표시하는 척도로 FIT로 표기함. Device Package에 사용되는 Plastic 소재로 부터 발생되는 미소량의 알파 입자가 Silicon 기판까지 침투하며 전자 정공쌍을 생성시킴으로서 기억소자에 저장된 정보를 유실시키게 하는 정도를 가름하는 척도. Serial Port Serial Port는 Computer와 Serial Printer, Modem, Mouse와 통신할 수 있는 Connector와 그에 필요한 회로부문으로 구성되어 있다. SET(Summary of Electrical Test) 전기적 Test를 하기 위한 간단한 Information Sheet. Set-Up 작업(검사)할 수 있도록 최적의 조건을 만들어 주는 일련의 행위. Set-Up Mode 이온 주입하기전에 모든 조건을 만족시키기 위하여 준비하는 단계로 Arc Energy에 의해 Ion Beam등을 가동시킨 상태. Set-Up Time 기준 신호에 대하여 Data로 인식되기 위해 필요한 최소의 시간으로 기준신호에 따라 tASC(Column Address Set-up Time), tASR(Row Add-ress Set-up Time), tDS(Data Set-up Time) 등이 있다. SF(Stacking Fault) 적층 결함. SF(Spiral Flow) 나선형 유동성. SFBI(Share Frame Buffer Interconnecter) 일반적으로 각각의 Graphic Card와 Video Card를 사용하는 Multmedia용 컴퓨터의 성능개선을 위하여 개발된 기술로, 미국의 INTEl/ATI사에 의해 발표된 이 Multi-media Card는 SFBI 기술을 사용하여, 2개의 Card를 1개의 Card로 통합/축소시킴. 이것은 각각의 Card가 Buffer Memory를 별도로 채용하고 있는데 비하여, 이 기술을 이용한 Card는 새로운 Chipset을 이용하여 Bus 및 Buffer Memory를 공유함으로서 보드 크기의 축소, 가격절감 및 스피드 개선을 이룩한 기술임. Sheath(덮개) 금속제품과 석영제품의 마찰로 인해 석영가루가 떨어지는 것을 방지하기 위해 금속제품에 씌우는 석영 덮개. Shelf(선반) Stocker내의 cassett를 보관하는 선반을 말한다. Shift Register Register를 종속 접속해 두고 클럭펄스에 의해서 레지스터에 기억되어 있는 정보를 비트마다 차례로 다음판으로 옮겨가는(Shift)동작을 하는 회로이다. Ship & Debit(Ship to Stock & Debit) DISITI에 대한 가격 보호정책(가격 변동에 대한). 호황기에는 회사에 유리한 정책이나 불황기에는 손해. Shoe Box Carrier를 2개 담을 수 있는 상자로, Carrier를 운반시킬 때 사용. Shoom Device가 갖는 특성을 Graphic으로 표현하는 방법이며, 2개 이상의 축들을 설정하고, 각 축들에 대응하는 특정 조건하에서의 Device의 Pass/Fail 결과를 Dotting하여 Device의 특성을 나타내는데 사용. Short Channel Effect 트랜지스터에서 채널길이가 짧아지면 짧아질수록 문턱 전압이 감소하는 것. N+ 영역에 인대신에 비소를 집어 넣으면 접합이 얇아 짧은 채널효과를 줄일 수 있다. 따라서 비소의 사용, 다결정 실리콘 식각조절, 기판의 도핑정도를 높여주면 이 효과를 줄일 수 있다. 포화상태에서 DRAM에서의 결핍 영역의 확장으로 유효 CHANNEL 길이가 감소하는 현상. Short Circuiting 개방되어야 할 장소가 어떤 이유로 단락되어 셀에 이상전류가 흘러 점등불량이 일어나는 상태. Short Range Order(단거리 질서) 무질서한 상태에서도 흔들림의 결과로써 어떤 질서를 갖는 영역이 발생할 수 있다. 그러나 그 영역 넓이는 극도로 작은데 이와 같은 질서를 단거리 질서라한다. Short Repair 끊어져 있을 때 이를 다시 증착시켜 이어주는 작업. Shrink 설계된 Chip을 공정조건에 따라 일정 비율로 축소시키는 작업. SIA(미국 반도체 산업협회 Semiconductor Industry Association) 1977년 3월 미 캘리포니아주 실리콘 밸리의 인텔 등 반도체 메이커 5개사가 중심이 되어 결성되었다. SiC(Silicon Carbide) 탄화규소 재질로 된 고강도 재질을 말하며, Wafer의 Tube내 이송장치 또는 기타, 석영 치공구를 대신한 치공구 제작에 쓰임. Side Ball Bonding 수소법으로 Wire를 잘랐을때 생기는 구슬을 제자리에 맞춘다음 끝이 평탄한 압착자로 누르는 접착방법이다. Side Etch 식각 반응시 측면(수평)으로 식각이 진행되는 형태. Silicate Glass 반도체 표면의 안정화 등에 사용 PSG(Phospho Silicate Glass) BSG(Boro-Silicate Glass) 및 ASG(Alumino-Silicate Glass)가 있다. Silicon 원소기호 4가인 비철 금속으로서 반도체 재료로 제일 많이 사용되는 물질. Silicon Nitride 반도체 표면의 보호막 또는 FAB 공정중 산화, 이온주입 Mask로 사용되는 Si3N4로 구성된 막. Silicon Gate Gate에 금속 대신 다결정규소 피막을 사용한 것이며, 고속 및 고밀도 집적회로를 제조하기 위한 MOS 기법으로 이용됨. SILO(Sealed-Interface Local Oxidation Technology) SILO process에서 Nitrogen-Ion Implantation이나 Plasma Enhanced Thermal Nitride를 사용함으로써 Buffer Oxide를 Zero로 만드는 방식. SIMM(Single In line Memory Module) Edge connector 방식에 사용. Simulation Vector 회로 Simulation시 각 input pin별로 사용되는 input으로서 netilist에 인가해주는 cycle 단위의 신호조합. Single Crystal 모든 부분이 한가지로 규칙적인 결정조직. Single end 본체에서 Lead가 모두 한 방향으로 나와 있는 것을 말한다. Single in line Lead가 한 줄로 배열되어 있는 것. SIO(Serial Input Output) PC 혹은 [System의 peripheral] Interface 방법중의 하나로 하나의 Data line에 Start bit 및 End bit 등을 가지고 그 사이에서 data를 직렬로 주고 받는 방법. SIP(Single Inline Pkg) Memory Module이 처음 개발될 때의 Memory Moduel 총칭이였으나, 현재는 Pin Type의 Memory Module을 의미함. Inserting 방식에 이용. Sirtl etch Wafer 표면의 결정결행 관측을 위한 식각방법으로서, CKO3 : HF : DI가 1 : 1.5 : 2의 비율로 이루어짐. SIS Strategic Information System(전략적 정보 System) 정보기술을 이용하여 경쟁의 우위성을 확보, 유지하는 것을 의도하여 구축한 System. Site Wafer위에 지정된 위치. Skew Pin으로 부터 나오는 신호간에 Timing 변화량. Skewness 분포의 치우침 정도. γ1값이 양이면 오른쪽으로 치우친 분포이고 음이면 왼쪽으로 분포가 치우침을 나타낸다. 정규분포에서는 γ1=0가 된다. Slice Wafer와 같은 말. 반도체 재료인 Silicon을 얇고 둥굴게 자른 판으로 그 위에 집적회로를 가공하기 위한 것. Slicer 파형을 정형하는 회로중에서 진폭측상의 일정한 Level보다 위를 잘라내는 회로를 클리퍼, 아래로 잘라내는 회로를 Limitter라고 하는데 두 Level 사이의 좁은 부분만을 잘라내는 조작을 Slicer라 한다. Slot(홈) Carrier나 boat에 wafer를 끼워 세울 수 있도록 되어 있는 홈을 말함. Sludge 수중의 고형물이 액체에서 분리되어 침전한 응집물질. Slurry 어브레시브와 물의 혼합물. 물은 통상 시수(City Water)를 사용. 수중의 적은 고체입자가 현탁질 상태로 부유하거나 묽은 죽모양인 상태. Smart Power IC 부하를 구동하기 위한 고전력 트랜지스터와 부하구동을 정밀하게 제어할 수 있는 Control 회로 및 보호회로가 동일 칩으로 구현된 IC를 말한다. SMN(Special Marking Notice) 고객이 요구에 따라 고객의 인쇄방법(OEM Mark) 또는 새로운 인쇄방법을 요청하는 문서로서, 품질부서에 등록이 완료된 후 해당공정에 적용되어짐. Smock(방지복) 청정한 line내에서 입는 작업복을 말하며 먼지를 일으키지 않으며 작업복 내의 먼지가 밖으로 나오지 못하도록 제작되어 있다. Smog 매연과 안개가 혼합되어 Gas 형상으로 존재하는 것. SN(Spit Notice) RUN spit 진행시 split되는 공정의 내용이 명시되어 있으며 해당공정의 유관부서의 승인란이 표시되어 있는 양식. SO(Small Outline) I.C의 원가절감을 위한 새로운 제품으로서 그 크기를 기존 제품보다 훨씬 축소시킨 제품. SOA(Safe Operating Areas) 안전 동작 영역. Socket Board Jig과 같은 개념(Test할 PKG를 꼽을 수 있는 판) Soft Error Write된 정보와 Read된 정보사이의 불일치, 즉 Memory Cell의 정보의 유실에 의해 일어나는 현상이며, 다른 Process Defect에 의해 일어나는 Error와는 달리 재 Write할 때는 정상적인 동작을 하는 일시적인 Failure를 말한다. Soft Error의 원인은 Uranium 및 Thorium 등의 방사성 원소에서 방사되는 알파 Particle이 chip을 투과하여 지나쳐가면서 생긴 e-h pair의 전자가 Storage Area에 도달하여 Stored Charge를 유실시켜 일어나는 현상이다. Soft Fail 시험 공정에서 규정된 여러 가지 특성중에 일부는 만족하고 일부는 만족 못하는 불량일 경우, 이는 대개 전기적인 특성에 기인하고 Defect에 의한 경우는 거의 없다. 이와 같은 불량현상을 soft fail이라 한다. Software Hardware에 대응되는 말로서, 공정된 물리적 형태를 갖추지 않았기때문에 직접 그 기능을 발휘하지는 못하나, 기계나 반도체 장치가 지시된 기능을 발휘할 수 있도록 하는 기술, 예를 들면, Computer 작동을 가능케 하는 제반 Program이 이에 속함. SOG(Sea of Gate) ASIC 제품이 있어서 Unit Gate의 Array 방식이 Channel의 존재없이 분포하고 있는 형태. 즉 Metal 배선을 위한 배선 영역없이 전 Die내에 Unit Gate가 바다(SEA)처럼 분포하고 있다하여 명명됨. 전면이 일체형 gate array로서 Channeless gate array라고 부르며, 특수한 배선영역이 정하여지면 이것에 gate로 작성하고 필요한 반응을 할 수 있도록 배선된다. SOG(Spin On Glass) VLSI 제조공정에서 집적도를 높이기 위해서는 금속배선이 다층화 되고 있는데 이때, 다층배선구조에서 배선간, 중간 절연막이 교대로 반복되어 있는 구조로써 이때 배선간 중간단락이나 단선이 탄화불량에서 발생될 수가 있어 제품의 전기적인 특성이나 신뢰도에 영향을 미치게 됨. 이때 사용되고 있는 공정중의 하나가 SOG 공정으로 평탄화가 잘되는 SOG 방식으로 SiO2막을 금속 배선위에 씌운후에 이것을 400℃∼450℃에서 고체화 시켜서 층간절연막으로 이용하는 방식. SOIC(Small Outine Integrated Circuit) 외형이 축소된 IC. 제품의 lead가 양쪽으로 "乙"자 형태로 구부러진 표면실장형 제품. SOJ(Small Outline J-form Package) Device의 옆면에서 시작하여 밑면으로 향한 "J"자 모양으로 구부러진 Lead 형태의 PKG로 PCB의 표면에 부착하여 사용한다. Solar Cell 태양전지. Solder 납. Solder Ball(솔더볼) 회로표면이나 잉크표면에 묻은 작은 솔더의 형태. Solder Coating 리드를 보호하고 전도성, 납땜성 및 내구성을 증대시키기 위하여 리드 Farame 위에 납을 Coating하는 것이다. Soldering(납땜) PCB에 I.C를 전기적, 물리적 기능을 할 수 있도록 납땜하는 것. Soldering Oil(솔더링 오일) 웨이브 솔더링 머신 사용시 섞어서 솔더표면에 녹이 발생하는 것을 방지하고 솔더표면의 텐션을 감소시켜 주는 역할을 한다. Soldering Plating Sn / Pb : 60 / 40 비율로 260℃정도 통내에 Frame을 Dip시켜 도금. Soler Preform Die와 Lead Frame을 접착시키기 위한 합금의 일종으로, Pb : Sn : Ag의 비율이 93.5 : 5 : 1.5, 융점은 30±2℃. Solder Resist PCB표면 회로를 외부환경과 격리시키고, Solder가 묻어서는 않되는 곳을 보호하는 절연물질. Soler Side(솔더면) 한쪽만 회로가 실장되는 기판에 있어서 컴포너트 반대면. Sorting Wafer를 제조공정에 투입전에 저항별로 분류시켜 주는 작업. SOS(Silicon On Sapphire) 사파이어(Sapphire)위에 성장된 Epitaxial Layer에서 필요한 부분만 반도체 단결정을 남겨서 빠른 속도의 MOS를 만들기 위한 기술로, 각각의 소자는 공기나 산화막으로 격리되어 있음. SOT(Small Outline Transistor) 외형이 축소된 Transistor. Sound Attenuator(消音機) 공조방식 Axial Fan 방식에서 사용되는 Axial Fan에서 발생하는 소음을 줄임. Source 불순물의 재료(N형 : "P", "AS", P형 : "B") Space Charge 전위 장벽은 이온화된 도우너 및 억셉터만이 존재하고 캐리어는 존재하지 않는 부분. Spacer LCD의 액정이 있는 유리기판 사이에 일정한 셀 갭을 유지하기 위한 것으로 기판, 플라스틱 재질 등이 있는데 요즈음은 대부분 기판손상 방지를 위해서 탄성이 존재하는 플라스틱 재료를 사용하고 있다. Spacer Scattering(스페이서 산포) 액정 셀의 갭을 일정하게 유지시키기 위해 유기 고분자의 중합체인 마이크로펄을 유리에 적정한 양으로 균일하게 산포하는 방식. SPARC(Scalable Processor Architecture) SUN-MICRO사가 개발한 32Bit RISC Processor. Spare Parts 예비(부)품. SPC Statistical Process Control. SPEC(Specification) 작업명세서(작업표준서) 시방서. Speed-Up Capacitor TR의 Inverter 회로에서 베이스 저항과 병렬로 접속되어 있는 콘덴서를 Speed-Up 콘덴서라고 부른다. SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) 미국 캘리포니아 대학교에서 개발된 회로해석용의 simulator로서 세계적으로 광범위하게 사용되고 있다. 기능으로는 직류해석, 교류해석, 과도해석, 노이즈해석이 가능하다. 종래는 대향컴퓨터의 이용에 한정되고 있었지만 최근에는 개인용 컴퓨터에도 이용되고 있다. Spider bonding Wireless 본딩의 일종으로 금속의 와이어 대신에 거미줄과 같은 Pattern이 붙은 알루미늄을 써서 Wafer상의 전극부분과 외부 리이드를 접속하는 것이다. Spike Silicon과 금속의 접촉저항을 감소시키기 위해 열처리 할때 Contact 부위에 생기는 뾰족하게 들어가는 불량. Spindle Motor Blade를 장착하여 Wafer 절단에 사용되는 것으로서, 긴축으로 이루어진 전동기. 이 전동기의 특징은 Air Bearing을 사용하여 30,000 RPM 속도로 고속 회전함. Spin Dryer Wafer를 빠른 속도로 회전시켜 주면서 Hot N2를 불어넣어 건조시키는 장비. SPINX(Semiconductor Productivity Information Control System) 현장의 제조활동을 통하여 발생되어지는 제반자료를 효과적으로 수집 및 가공, 분석하여 현장에 신속히 제공함은 물론, 의사결정 자료로 활용함으로써 고도의 생산성의 도구로써 활용하는데 사용되는 시스템. SPLC(Stocker PLC) Stocker내의 부속기기 및 stacker의 동작을 기억된 program에 따라서 순차적으로 실행한다. Split Normal RUN을 분리하여 공정을 진행. Split Word Line SRAM cell layout design시 대칭적인 구조를 유지하며 Asymmetry 효과를 최소화 하기 위한 방법으로 아래 위에 각각 하나씩의 Word Line을 사용한다. Sputtering 고전압에 의해 이온화된 Argon Gas를 사용하여 Target으로 부터 금속 입자를 떼어내어 금속 박막을 Wafer에 입히는 방법. Square Out Wafer 절단 방식의 하나로, Wafer를 따라서 사각으로 전달하는 것. S-RAM(Static RAM) Dynamic RAM에 비해 소비전력이 적고 주기적으로 재 충전을 해주지 않아도 기억이 유지됨. 전원이 끊어지면 기억했던 내용이 없어짐 <휘발성>. SSE(Supply-Side Economics) 경제활동 중 수요측면보다 공급측면을 중시하는 이론. SSI(Small Scale Integration) 10개 이하 정도의 논리 Gate로 구성된 집적회로. Stack 용법 기억소자에셔 콘덴서를 만드는 FAB 공정기술중의 하나로 Silicon 기판을 기준으로 위로 콘덴서가 형성되는 기술임. Stacker Stocker내의 4축 로보트로서 cassette를 운반한다. Stack Group(Standard Computer Komonenten) 유럽지역의 전자부품 구매 협의체. STAN(Semi-Automatic Tape Assembly Norm) TI에 의해 개발된 하이브리디 IC의 본딩방식의 하나. Standard Device 측정의 기준으로 삼는 표준 시료. Standby 극히 단시간 내에 안정된 동작을 재개할 수 있는 장치의 상태. Standby Current Drain 출력의 부하나 기준 전압의 부하가 없는 경우에 제어소자에 흘러들어가는 전원 전류. State of Statical Control 통계적 관리상태. 관측될 sample 변동의 결과가 우연원인에 의한 산포만의 결과로 나타나는 공정상태. Static Column Mode 컴퓨터 시스템이 데이터를 Access중 fast fage mode의 변형 형태로 스피드 개선을 목적으로 만들어짐. 시스템이 데이터의 access시 단순히 column address의 toggling 제공만으로 연속적인 데이터를 얻는 상태 Static Hold 기억소자의 비동작시 전원 전압을 2V까지 낮추어 전력 소모가 적은 상태에서 저장된 Data를 분실하지 않고 유지하는 기능을 말하며 Data Retention이라고도 한다. Static Memory MOS FET의 게이트 용량에 총집합 전압으로 기억을 유지하는 방식을 Static Memory라고 한다. Static protection 정전기 방지 회로. Statistical Tolerance Limits 통계적 허용한계. 일정 범위의 한계로서 한 집단의 최소한도의 정해진 부분을 포함하는 신뢰수준의 한계. STC(Stocker Controller) Bay 내에서의 cassette의 반송, 다른 bay에로의 cassette의 반송 및 다른 bay로부터의 cassette의 반입을 제어하며 각 bay마다 설치한다. STD(Semiconductor Thermoplastic (on) Dielectric) 멀티집 다층 배선기술의 일종. STD(Standard) 표준. Stem 수지 몰드가 아닌 보통의 TR은 금속과 유리로 만들어진 케이스에 들어있는데 이 금속 케이스의 토대가 되는 부분, 즉 리이드가 나와 있는 부분을 스템 또는 Header라고 한다. Step Coverage 각종 박막이 입혀질때 평평한 부분에 대해 경사진 단차(Step) 부분의 입혀진 정도의 비. Stepper 정렬 노광기의 일종으로 WF 1매에 몇 개의 Chip 단위로 전후 좌우로 이동하면서 각 단위 Chip마다 정렬 및 노광을 실시하는 장비. 따라서 WF 1매를 한 번에 정렬 노광하는 장비 보다 정교한 현상화가 가능하다. STN(Super-Twisted Nematic 액정) WP와 PC의 표시장치로 널리 사용되고있다. Stocker Cassette를 정해진 청정도로 유지하면서 보관하는 일종의 창고이다. 내부에는 shelf, stacker 및 부속 장치로 되어 있다. Storage Temperature Range 액정표시소자의 보존가능한 온도 범위. Storage Time(축적 시간) 스위치용 TR의 스위치 속도를 나타내는 것으로 ON 상태로 되었을 때의 시간의 지연을 말한다. Stratified Sampling 층별 Sampling법. 시료를 얻으려하는 공정중의 다양한 상태나 주기로부터 또는 Lot 혹은 Batch 내의 다양한 층으로부터 시료를 취하는 절차를 말한다. Stress Wafer의 표면 특정부위에 가해지는 압력이나 힘을 말함. Stringer 식각 공정에서 Film 측벽에 Etch가 안되고 남아 있는 Residue성 물질. Strip Wafer에 입혀진 P.R이나 질화막 등을 벗겨내는 것을 말하며 통상, 식각 완료후 감광액을 제거하는 작업을 뜻함. Stripper 감광액을 벗겨내는 약품. Strobe Device의 출력에서 원하는 전압이 나오는가를 비교하기 위해 Device 출력을 Latch하는 Timing. Sub-Mask 부원판 Mask로서, Maser Mask를 보존하기 위하여 또는, 다량의 작업용 Mask(Working Mask)를 복사하기 위하여 일단 여러장 복사하여 제조된 Mask. Sub-Micron Technique 마이크로 이하의 기술이라는 뜻. Subgroup 구분군(群) 1) object sence(사물의 의미) 어떤 큰 단위 집단이나 재료를 나눔으로서 얻어지는 작은 집단. 2) Measurement sence(측정의 의미) 관측하고 싶은 큰 집단의 나눔으로서 실제로 관측할 수 있는 작은 집단을 얻는 것. Substrate 반도체 재료 박판(기판)을 말하며, 일반적으로 최초 공정이전의 Wafer를 말함. Substrate-Concentration Wafer내의 고유 불순물 농도, 보통 Bulk 농도라 함. Subthreshold Current MOS transister에서 gate voltage가 threshold voltage 이하이고 반도체 표면이 weak inuersion 상태일 때 대응하는 drain current를 subthreshold current라 한다. Subtractor 감산기(減算器). Subtrative Process 도체, 유전체, 저항체 등의 막들을 요구되는 순서에 따라 모두 전면적으로 형성시키고 최상부 위층부터 etching에 의해 불필요한 부분을 제거하면서 회로를 구성하는 기법. Summary 검사한 결과의 내용을 총칭. Super Hot RUN Hot RUN 중에서도 최소의 공정 시간을 잡아서 진행할 수 있게 선정한 RUN. Supported Hole(지지홀) 기판에 있어서 내부가 도금되어 있는 홀. SUPREM 반도체 제조공정의 Diffusion, Thin Film, Photo, Etch의 공정진행 조건을 Computer Program에 입력하여 가상적인 결과를 1차원적인 방법으로 도출하는 Tool. Surface Agent 표면 장력을 감소시켜 잘 적셔지도록 하며 유화 분산 등의 목적으로 사용되는 물질. Surface Concentration 표면 농도. Wafer 표면상에서의 주어진 불순물의 농도를 나타냄. Surface Mounting(표면실장) 부품홀을 이용하지 않고 부품을 전기적으로 접속시키는 것. Surface Passivation(표면 안정화) 일반적으로 PN 접합 표면은 습기나 불순물에 대해서 매우 민감하며 극히, 미량의 수분이 묻어 있어도 문제가 되므로 외기와 완전히 차단될 필요가 있다. 이와같이 민감한 성질을 활성(ACTIVE)이라고 하는데 이 활성인 PN 접합 표면을 습기나 불순물에 대해 둔감하게 즉 불활성(PASSIVE)으로 만들어 주는 방법이 고안되었는데 이것을 표면 안정화 또는 표면 불활성화라고 한다. Surface Potential 표면 전위. Wafer 표면에 걸리는 전압의 크기를 말함. Surface State Si-SiO2 계면 영역에 있으며 Si 기판과 전하의 주고 받음을 할 수 있는 에너지 준위를 갖는 준위. Surge Current 되풀이 되는 것이 아니고 한번만 순간적으로 크게 흐르는 전류. SVC(Super Visory Controller) STC 및 C와 ethernet로 통신하며 STC와 BC와의 통신이 불가능할 경우에 HOST와 STC간의 통신을 행한다. Symbolic(Source) Program 편집(Editing)된 Program. Synchronization(동기화) 하나의 회선을 사용하여 비트를 직렬로 전송하는 일반적인 전송이라든가 몇 개의 회선을 사용하여 비트를 병렬로 전송하는 컴퓨터 통신에서 송신측과 수신측의 Timing을 맞추는 것. System Clock CPU의 내부동작과 Memory Controller, DMA Timer에 사용되는 기본 Clock으로 16MHz CPU의 경우 System Clock의 주파수는 32MHz를 2분주하여 사용한다. SWMI(Side Wall Masked Isolation) LOCOS Isolation을 시키는데 수반되는 Oxide Encroachment. 즉, Bird"s Beak를 줄이기 위한 신기술. T T-Card(Traveler Card) 제품의 이력 사항을 기록하는 양식지로서 처음 공정부터 마지막 공정까지 제품과 함께 이동 기록되는 카드로서 제품명, 작업자, 수량, 날짜, 근무조 등으로 기록된다. TAB(Tape Automated Bonding) Tape에 Die를 자동을 붙인 것. TAB TR이나 IC의 케이스에서 가로로 1㎜ 정도의 돌기가 나와 있는 것이 있는데 이 돌기부분을 TAB이라고 한다. Taping Wafer를 Tape에 접착하는 행위(완전 절단 하기 위해 하는 것임). Taping M/C Wafer를 Tape에 접착시키는 설비. Target Sputtering 방법으로 Wf 표면에 금속 박막을 입힐 때 사용되는 금속 원재료. TCA(Trichlord Alchol) (CH3CCL3) 불필요한 중금속 이온(NA+, K+)의 Gettering 효과(CL-기와 결합하여 염을 형성시켜 중화)로 산화막의 품질향상 및 산화막 성장속도를 증가시키기 위해 사용되는 화공약품. TCA Oxidation 산화공정시 TCA를 첨가하여 산화막의 품질을 향상시키는 방법. TC Bonder(Thermo Compression Bonder) 열압착 본딩을 하는데 쓰이는 장치. T/C(Temperature Cycle) "온도순환"시험으로서, -65℃, 25℃, 150℃온도 사이를 계속해서 순환시키는 시험(신뢰성 항목중의 하나). Td(Delay Time) 지연시간. TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) 산화막 막질을 평가하는 방법중의 하나로, 산화막에 전계를 인가하고 나서 절연파괴되기까지의 시간으로 산화막을 평가하는 우수한 방법이다. TDS(Total Dissovel Solid) 총 용존 고형물. 물속에 녹아있는 고형물의 농도를 표시할때 쓰임. TDMA(Time Division Multiple Access) 시분할 다원접속. Teflon Carrier Teflon 재질로 되어 있으며 백색, 빨강색, 청색 등이 있다. 화공약품과 열에 모두 강하나 가격이 비싸고 무겁다. TEG(Test Element Group) 집적회로의 Bread Board의 검토용으로 만든 TR, Diode, 저항따위를 말함. TEM(Transmission Election Microscopy) SEM과는 달리 Electron Beam을 매질에 투과시켜, 매질의 상태를 확대하여 촬영할 수 있는 계측기. Tenting 도통홀의 위를 막거나 회로주변을 Resist로 덮는 기판제조 공법. TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 산화막 증착시 Si Source로 사용하는 물질. Terminal Ion 주입 설비의 고전압이 걸리는 부분으로 Source쪽의 안전보호 Cover로 된 지역. Test Coupon(테스트 시편) 특별한 품질 허용 Test나 그와 유사한 테스트를 하기 위한 작은 시편. Test Head Tester와 handler 또는 Prober Station이 연결되는 중간장치. Test Limit 양, 불량의 기준이 되는 것. Test Mode 고집적 메모리 Device를 Test할 때 Test 시간을 줄이기 위해 동시에 여러개의 메모리 번지를 Access 할 수 있도록 고안된 회로를 Device 내부에 장착하고, Test시 이 회로를 사용하여 Test Time을 줄일 수 있도록 한 Test 방법으로 Multi-Bit Test와 동일한 의미임. Test Pattern 개발제품의 양/불량을 판별하기 위하여 제작된 여러 종류의 도면이나 Wafer상의 pattern. 반도체 공정 진행후 소자의 전기적 특성 및 공정 진행 상태를 파악하기 위해 scribe line이나 test die에 제작한 능동, 수동 소자를 총칭하는 말. Tester 제품의 양품과 불량을 판별하기 위해 사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사 장비. Tests of Significance 유의수준 검정. 유의수준 검정은 1) 모집단으로부터 얻은 sample의 통계량을 이용하여 모수와 정해진 특정값과의 차이가 있는지. 2) 두 개의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여 두개의 모집단 사이에 차이가 있는지. 3) 두 개이상의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여 두개의 모집단들 사이에 차이가 있는지 여부를 일정한 유의수준 (오차가 발생한 위험)을 가지고 판단하는 방법이다. 4) 유의수준 검정은 가설검정이라고도 하며 가설을 채택할 것인가 말것인가 를 판단하기 위하여 귀무가설의 분명한 언급과 사전에 유의수준을 설정하는것이 필요하다. Test Option Computer의 기본구조에 검사 기능을 추가시키는 장치. Test Plam 제품의 검사방법, 조건, 검사, Limit등의 기록된 내용서로 제품 설계측에서 제시. Test Program 자동 측정기를 사용하여 wafer의 전기적 특성을 측정하는 program으로 제품 설계 SPEC.에 맞게 program 되어 있는 software. Test Schematic(Test Circuit) Jig의 회로를 그린것. Test Spec 검사 규격. Test System 반도체 소자에 전기적 신호를 인가하여 반도체 소자로부터 전기적 신호를 받아서 소자의 전기적 정상 동작 및 오류 동작을 판단하는 장비. Test Vector 제품 Test를 위해 simulation 결과를 Test 장비에서 사용할 수 있도록 변환된 Signal set이다. Test Vehicle 소자 및 공정 변수 추출 그리고 단위회로의 설계 검증을 위해 설계된 Mask. Test 장비 Test Program을 이용하여 각 제품의 pass/fail 구분 및 전기적 특성 검사를 수행하는 장비. Testability Chip Level 회로 설계후 전체 회로도에서 어떤 특정 block 혹은 sub block의 회로를 부분적으로 직접 Test하게끔 회로 설계를 하는 방식. Tf(Fall Time) 하강시간. TF-EL Display(Thin-Film Electroluminescent Displays) 양 전극사이에 박막 형태의 전계 발광물질을 넣어 전계가 가하여질 때, 발광하는 현상을 이용하여 표시하는 소자. TFIC(Thin Film Integrated Circuit) 박막으로 만들어 집적화한 회로를 말하며 5미크론 이하까지가 해당된다. 그 이상의 것은 후막이라고 한다. TFT(Thin Film Transistor) 절연성 기체에 증착 등으로 반도체 박막을 형성하여 능동소자를 만든 것으로 일반적으로 FET이다. TFT Array Matrix 형태로 배선되어진 TFT을 가지는 화소집단. array size는(수직배선수, 주사선수) 총화소 數로 표현된다. Tg(Glass Transition Temperature) 유리 전이 온도. Thermal Addressing 열 광학효과를 이용한 액정표시 방식을 말한다. 스메틱 콜레스테릭 네마틱 액정을 이용한 열적구동이 고려되어지고 있다. 서냉, 전장을 인가한 상태에서의 냉각에 의한 투명한 등방성 조직 상태의 액정 cell에 지정된 화소를 가열후 냉각을 하면 상변화가 발생한다. 가열은 각 화소전극을 히터전극으로 하는 joule 가열이나 레이저 광선에 의한 가열 등이 사용, 이 방식은 크로스토크 효과가 생기지 않으며 메모리성을 같는 것이지만 응답속도가 낮고 주울가열의 경우는 소비전력이 크게 든다. Thermal Instability(열적 불안정성) 유체층의 하부를 가열하면 밀도가 낮아져 부력때문에 상부로 이동하여 하지만 점성에 의해 억제되는데, 밀도가 임계치를 넘으면 대류가 발생한다. 유체에 대해 안정성 분석중 열적인 안정성의 부적합에 대한 다른 말이다. Thermo-Optic Effect(열광적 효과) 액정에 온도변화를 주는 것에 따라 그 광학적 성질이 다르게 변화되는 효과를 말한다. 온도 변화는 액정내의 분자의 배열에 영향을 주게됨으로써 광학적인 성질을 변화시킨다. Thermotropic LC 어떤 온도 범위에서 액정상이 변하는 액정으로 표시소자에 관계있는 것으로 일반적인 액정을 의미함. The Null Hypothesis (H0)귀무가설. 유의수준 검정에서 검정의 대상으로 삼는 귀무가설은 sample의 모집단과 주어진 특정의 값과의 차이가 없다는 것을 검정하는 것이다. 또는 각각의 모집단으로 붙어 얻는 sample의 통계량을 이용하여 모집단들 사이의 차이가 없다는 것을 검정하는 것이다. 만일 귀무가설을 받아들일 때 우리는 귀무가설이 옳다라는 것이 아니라 옳다라는 것을 의심할 만한 충분한 이유가 없다라고 해석해야 한다(차이가 없다라기 보다는 현재의 시료에서 차이의 존재를 밝혀 낼만한 충분한 근거가 없기 때문이다). Thermal Oxidation 확산로 내에서 Silicon wafer를 600∼1200℃ 사이의 고온에 열적 산화시키는 공정. Thermal Relief(열방출) 솔더링하는 동안에 발생하는 블리스터나 휨을 방지하기 위하여 그물모양으로 회로가 형성된 것. Thermal Resistance 원자나 분자내에 Mobile Carrier가 열이 올라감에 따라 열 Energy를 많이 얻어 Brown 운동으로 Carrier의 움직임에 저항성분을 나타내는데 이를 Thermal Resistance라 한다. Thermal Shock Test(열충격 시험) 급격한 온도 변화에 대해 TR, Diode, IC 등이 충분히 견딜 수 있는가를확인하는 시험이다. Thermistor(더어미스터) 망간, 코발트, 니켈등의 산화물을 합성하여 만든 저항체이다. 온도의 상승과 더불어 저항이 내려가므로 큰 -의 온도계수를 가지고 있다. Thermo-Couple 열전대쌍(높은 온도를 측정하는데 사용). Thermo Electric Effect(열전효과) 열현상과 전기현상의 상호관계를 갖는 효과로서 제어백 효과, 펠티어 효과, 톰슨 효과의 세가지가 있다. Thick Film IC(후막 집적회로) 절연물의 기판위에 얇은 막모양의 회로소자를 만들고 그들을 서로 배선하여 하나의 회로기능을 갖게 한 것을 막 집적회로라고 하며 이중 막의 두께가 5미크론 정도보다 두꺼운 것을 후막 집적회로라고 한다. 1) Ceramic 또는 기타 기판위에 Silk-Screen 인쇄방법으로 두께 0.5∼1㎜ 정도의 도체, 부도체 또는 저항성분을 가진 물질(니크롬, 알미늄 등)을 입혀 저항, 콘덴서 또는 도선을 형성하는 방법. 이 기술을 이용하여 저항, 콘덴서 또는 혼성 집정회로를 만듬. 2) 일반적으로 FAB 공정에서 다루는 막중 1000Å이상의 막을 말함. Thin Film Thick Film과는 달리 진공증착 등의 방법으로 기판위에 얇은 두께의 박판(두께 약 5micron이하)을 형성하는 것으로, 저항콘덴서 등의 소자나 혼성 집적회로를 형성하기 위한 것. Threshold Level Input에 인가되는 전위의 한계로서 Device로 하여금 적절한 상태를 가하게끔 한다. Threshold Voltage 문턱전압, PN Diode나 Mos TR에서 어떤 일정 전압이 되었을 때 전류가 흐르게 되는 이 전압을 Threshold Voltage(Vth)라 한다. Throughput Time 한 공정 혹은 전체공정의 시작에서 종료까지 완료되는 시간을 말함. Thyristor(다이리스터) PN 접합을 3개 이상 내장하고 주 전류전압 특성의 적어도 하나의 상한에 있어서 ON/OFF의 2개 상태를 가지며 OFF 상태에서 ON 상태로의 전환 또는 그 반대의 전환을 할 수 있는 반도체소자를 말한다. Tie Bar PKG Lead 끝부분을 연결하는 가로축 Bar. Tilt 러빙등으로 배향처리 한 경우, 액정 분자의 장축 방향은 전극면과 같게 평행하게 되지만 엄밀하게는 약간 경사지게 배향되어 있다. 모니터에서는 평탄하여야 할 하면이 기울어져 있는 것을 말한다. Tilt Angle 액정의 표면이나 용기벽에서 계면 법선 방향과 액정 방향 벡터가 이루는 각. Timing Device를 동작시키는데 필요한 Control Clock, Address, Data 등의 외부 파형들의 조합으로서 타이밍의 종류에 따라 특정한 모드의 동작이 이루어 진다. TiN (Titanium Nitride) Titanium가 Nitrogen이 화합물로서 Barrier Metal 및 ARC Layer 물질로 사용함. Tin Plating Sn을 전기를 이용해서 Frame에 도금을 함. Tip 직접 Chip에 닿는 부분으로 주사 바늘끝에 끼워진 데프론 호스. TiSiX(Titanium Silicide) Titanium과 Silicon이 결합하여 생성되는 물질로써 contact 저항을 낮추기 위해 사용된다. TiW(Titanium Tungsten) Titanium과 Tungsten의 화합물로써 Barrier Metal로 사용함. Tj(Junction Temperature) 접합 온도. TLM(Tripple Level Metal) 3층의 금속을 사용하는 소자의 집적도를 향상시킨 금속 배선 기술이다. TN LCD(Twisted Nematic Liquid Crystal Display) 90도 비틀어진 네마틱 액정을 사용하는 LCD. 이 방식은 콘트라스트 비가 3:1 이하, 가시각은 20도 이하이다. TN Mode 상하의 유리내에 액정 cell의 한쪽면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정 분자의 다이렉터와 이르는 각. TN-FE LCD(Twisted Nematic Field Effect LCD) 액정 분자의 장축을 상하 기판사이에서 90도 연속적으로 Twist 배열시켜 전기장을 가햐였을 경우 빛의 편광 상태에 따른 투과도가 다름을 이용한 LCD. TNI. Clearing Point 액정 재료가 액체와 고체의 중간적인 상태에서 액체로 변화하고 투명하게 되는 온도. TOC(Total Organic Carbon) 총 유기 탄소. 물속의 Carbon 농도를 표시할 때 쓰임. Tolerance 허용치(Specification Sense). 특성치의 허용할 수 있는 최대이탈, 또는 일정수준 내에서 허용할 수 있는 최대산포. Tolerance Limits 허용한계(Specification Limits) products나 service의 개별단위에 대한 적합기준의 경계를 정의한 한계. Toggling 디지탈의 신호가 "1" 혹은 "0" 상태를 반복적으로 되풀이 하는 상태. Tooling Hole 기판의 제작이나 결합에 이용되는 홀. Tooling Spec 셍신 제품의 전반적인 Information을 기록한 용지. Topology(위상) Wafer 표면의 높고 낮은 층의 상태를 말함. Torr l㎜Hg. 기압의 단위. (대기압=1기압=760Torr). TPH(Thermal Print Head) 팩시밀의 감열 기록소자. 이는 Computer Printer, 전철, 자동판매기, 일반 Printer 등에 다양하게 이용됨. TPM(Total Productive Maintenance) 설비의 최고효율화를 목표로하여 설비의 계획부문, 사용부문, 보존부문등의 모든 부문에 걸쳐서 전원이 참가하는 소집단 활동에 의해 PM을 추진하는 것. TQFP(Thin Quad Flat Package) Package 두께가 1.0㎜ 또는 1.4㎜이하인 QFP 반도체 제품. TR(Transformer) 전기를 고압에서 저압으로 낮추는 변압기. TR(Transistor) 트랜지스터. Tr(Rise Time) 상승 시간. Trace ablity of Standard 국가 표준 원기에 대한 하위급 계측기기 교정의 연결성. Traic 3극 교류 제어용 소자. Transfer LCD에서 앞유리와 뒷유리를 전기적으로 도통시켜 주는 물질을 의미하고, 반도체 공정중에 carrier 혹은 boat에 담긴 wafer를 다른 carrier나 boat로 옮겨 담을 때 사용하는 기구를 부르는 말로 사용한다. Transfer 공정 특정 Bay내에서 공정을 완료하고, 다른 Bay내의 공정을 목적으로 이동되는 반송 공정. Transfer Collect Tape에 부착된 Die를 흡착시켜서 포켓마저 이송시키는 기구 테프론. Transfer Pressure 수지를 금형 내에 넣는데 필요한 압력. Transfer Print Ni-beads를 유리 기판에 인쇄하는 공정으로 외부에서 전류를 인가시켰을 때 앞유리와 뒷유리를 연결시켜주는 역할을 하며 마이크로 펄에 니켈을 코팅한 것이 주로 사용된다. Transfer System 반송장치. 런(RUN)이 담긴 슈-박스(SHOE BOX)를 이동시키는 장비로써, 공정이 끝난 Wafer를 다음 공정으로 이동시킬 때 사용. Transfer Time 수지를 금형내에 넣기 시작할 때부터 완전히 들어갔을 때 까지의 시간. Transition Time Device에 사용되는 파형들이 특정 Level에서 반대 Level로 전환시 걸리는 시간으로 A.C 특성 등을 측정후 측정치를 보정하는데 사용. Transmissive Display 반사판에 반사된 자연광을 이용하는 방식이 아니고, 후면에 부착된 backlight의 빛을 이용한 LCD. 이 방식은 negative image에 적합하고 빛이 적은 곳에서 사용이 유리하다. Translating(Compiling) 번역. 일반적으로 어떤 언어로 쓰여진 Program(원시 Program)을 그 Program의 동작을 바꾸지 않고 다른 언어의 Program(목적 Progrm, 기계어)으로 변한하는 것. Transistor Emiter와 Collector사이 Base에 불순물의 농도에 차이를 두어 Base속에서 Carrier를 가속시키는 전계를 두어 고주파 특성이 좋아지게 만든 반도체 소자. 기본적인 반도체 소자로서 Unipolar Transistor와 Bipolar Transistor로 나누어지며, 증폭, 발진, 검파 또는 스위치 작용을 함. Transition 입자가 어떤 에너지 상태에서 다른 에너지 상태를 양자 역학적으로 이동해 가는 것. Trap 캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대속의 에너지 준위. Traveller Sheet FAB-OUT된 wafer의 이력관리를 위해 해당 wafer에 시행된 Test 결과를 기록하며 wafer의 이동 및 현재 보관상태를 기록할 수 있는 양식. Trench 용법 기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 좁은 면적에 용량을 극대화하기 위하여, 도량처럼 Silicon 기판을 아래로 파서 표면적을 확대하여 콘덴서를 만드는 용법. TRI-State 일반적으로 High, Low, Off(Hi-Z) 3가지의 출력 상태를 말한다. Triac 3극 교류제어용 소자. Triangular Voltage Sweep Method Gate에 삼각 형 모양의 전압을 인가하여 온도 상승 상태에서 mobile ion이 oxide내에서 계면으로 이동되는 것에 의한 current에 의해 gate bias에 따른 전류 곡선 모양이 변화하는 것으로써 oxide 오염 상태를 check 하는 방법. Triger 어떤 동작을 하는 능력이 있는 회로가 어떤 안정상태에 있을 때 이 회로를 동작시키기 위해 가해주는 자극 펄스. Trim 절단. Trim/Form Package의 각각의 lead를 분리하고 90°로 굽혀 I. C 원형을 만드는 공정. Trim Lines(절단선) 기판의 외각을 한정하는 선. Trimming Lead Lead frame에 molding을 한다음 resin수지가 채워진 부분인 deflash와 dambar를 자르는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 "트림다이"라고 한다. Tristate output 출력단의 전압신호 Level의 High나 Low상태가 아닌 High Impedance 상태. True Position(原位置) 이론적으로 原來의 位置. Truth Table(진리값 표) 입력이 "1"과 "0"의 여러 가지 조합을 취했을 때의 출력의 상태를 표로 나타낸 것. TSOP(Thin Small Outline Package) Package 두께가 1.0㎜이하인 SOP(SOIC) 반도체 제품으로 P-DIP에 비하여 Package가 얇고 크기도 작아져 소형의 System에 널리 사용되고 있다. T/S(Thermal Shock) "열 충격 시험"으로서, -60℃와 150℃에서 오가며 급격한 온도변화를 가하는 시험. TS(Tensile Strength) 장력으로 끊어지는 정도를 표시. TTL(Transistor Transistor Logic) 논리 회로의 한 종류로, Transistor와 Transistor를 직접 연결하여 구성하는 논리 회로 방식. TTV(Total Thickness Variation) 최대 두께 편차(Wafer). Tunnel Effect 에너지 Gap을 직접 빠져나가 전자가 충만대에서 전도대로 이동하는 현상을 터널 효과라한다. Tunnel Oxide Tunneling을 이용하여 program하거나, erase를 하는 소자에 쓰여지는 용어로서 electric field가 강하게 작용하는 drain 근방의 gate electrode 아래에 gate oxide 보다 얇은 oxide(통상 100Å 이하)를 성장시켜 이 부분을 이용하여 program하거나 erase를 한다. Tunneling 역 Bisas된 PN집합 면이나, 얇은 Oxide 절연체위에 강한 전계에 의해서 Energy Band Gap을 electron이나 hole이 통과되는 현상을 말함. Tungstern Silicide(WSi2) MOS Transistor의 Gate나 전기신호 전달의 배선도체의 사용되는막질로서 Tungsten과 Silicon으로 이루워진 금속막. Turn-Off Time TR이 ON에서 OFF로 바뀔때의 시간. Turn-On Time TR이 OFF에서 ON으로 바뀔때의 시간. Turn-On Voltagae 액정 셀에 인가한 전압을 올려 눈으로 감지해서 표시를 알수 있는 전압으로서 일반적으로 휘도를 포화 콘트라스트의 70%의 전압을 말한다. Turnkey Design 두 회사에서 한쪽회사(A)는 장비 및 시설을 제공하고 다른회사(B)는 Design을 제공하여 A사는 그것을 생산하여 B에게 되파는 형식의 Design. TV RUN Test Vehicle을 사용하여 공정이 진행된 일련의 Wafer. Tweezer Wafer를 잡는 집게(통상 Vacumn Tweezer를 많이 사용함). Wafer나 시료를 취급할 경우 clean 상태를 유지하기 위해 금속이나 테프론으로 만든 일종의 집게. Twin-tub CMOS C-MOS 공정중 Wafer 기판에 P+-Well과 N--Well이 동시에 형성된 상태. Twist Angle 배향처리된 액정 cell의 한쪽면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정분자의 다이렉터와 이루는 각. Type Ⅰ error 제 1종 오차. 실제로는 받아들일 수 있는 공정을 받아들일 수 없는 공정이라고 잘못 판단할 확율. Type Ⅱ error 제 2종 오차. 실제로는 받아들일 수 없는 공정을 받아들일 수 있는 공정이라고 잘못 판단할 확율. U UART(Universal Asynchrnous Receiver & Transmiter) 범용비동기송수신용 LSI에 비동기전송의 Interface로 사용. U-Bond(Ultrasonic Bond) 초음파 본드. UCL(Upper Control Limit) 상관 관리 한계선. UDL/I(Unifield Design Language for ICs). UJT(Unijuction TR) Junction이 1개이고 Base가 2개 있는 TR이다. UL(Underwriters Laboratories) 화재, 도난, 기타 사고로부터 인명, 재산을 보호하기 위한 연구, 시험, 검사 등의 업무를 함(안전성 보증). ULPA Filter(Ultra Low Penetration Air Filter) HEPA Filter보다 한단계 높은 여과성능 가진 Filter로서 0.1㎛ Particle을 기준으로 포집율 99.999%. Ultra Filter 초순수 2차 설비중의 하나로서 초순수중의 Particle을 제거하는 고성능 Filter. Ultrasonic Cleaner 높은 주파수로서 강한 진동을 가진 음의 진도(초음파)을 이용하여 세정하는 장비로서, 고정밀 부품세정에 이용됨. Ultra-High Vacuum(UHV) 진공상태가 10-12 Torr이상이 되는 상태. Under Coating(SiO2 Coating) 1. LCD에서 기판 유리에 포함되어 있는 불순물(Na+, K+, Ca+) 등이 액정과 반응하지 못하도록 유리 표면에 SiO2막을 형성시키는 방법.소다 유리 기판을 사용할 경우 전기적으로 유해한 소다의 기판 확산을 억제하기 위해 기판 내면에 SiO2막 등의 무기물 피막을 피착하는 공정을 말한다. 2. 반도체의 식각 공정시 Mask Layer 밑에서 발생하는 식각 현상 Undercut Side Etch와 같은 뜻. Undershoot Noise 정상적인 전압 0V이 아닌 불규칙적으로 발생하는 noise로서, 0V 이하의 크기와 수 NS 이상의 pulse 폭을 가지고 있는 것으로 시스템의 오동작 및 negative latch-up을 유발시킬 수 있다.(참조 : overshoot noise). Uni-Bipolar IC(유니-바이폴라 집적회로) 바이폴라 집적회로의 일종으로 구성요소로서 유니-바이폴라 TR을 가지고 있는 것을 말한다. Unipolar 주반송자(Majority Carrier) 한가지에 의해서만 전류흐름이 형성되는 Transistor를 말하며 FET가 있음. Unit 단위. Unix 컴퓨터 운용체제. Unloader 작업종료된 Frame을 빈 Magazine에 한 Frame씩 넣어 이동보관이 용이하게 하는 기강부. Unloading Loading이 되어 있는 Wafer를 Tweezer나 Transfer Arm을 사용하여 Carrier나 Boat에 한 장씩 담는 것을 말함. UPH(Unit Per Hour) 시간당 표준 생산량. Upper Tolerance products나 service의 개별단위에 대한 적합기준의 윗쪽의 경계를 정의한 허용한계. UPS(Uninteruptable Power Supply) 무정전 전력공급 시스템. USART(Universal Synchronous Receiver Transmitter) 직렬 데이터 통신을 위해 사용되고 있는 LSI. 직렬-병렬 변환 및 병렬-직력 변환을 행한다. 전체 6개의 부분 즉, I/O buffer, 내부 bus, read/write control, transmitter, receiver, modem control로 구성되어 있다. USRT(United States RT) 미국식 냉동톤의 표시법으로서 BTU 단위로 환산한 열량(3.024KCal/HR) (대부분의 냉동능력은 USRT로 표시함). Utility 공기, 질소, 진공, 순수, 전원 등 제반공정에 필요한 요소들을 통틀어 일컫는 말. UV(Ultra Violet, 자외선) 적외선에 비해 파장이 짧고 energy가 크며 화학적 특성을 갖는다. V VA(Value Analysis) 가치 분석. Vacuum Tube Transistor라는 반도체 장치가 발명되기 이전에 쓰이던 전구모양의 전자부품으로, 증폭, 검파, 정류, 스위치 등의 기본 전자기능을 하는것으로, 외형이 크고 전력소모가 많아 현재는 Transistor나 IC로 거의 전부 대치되어 사용되지 않고 있음. Vacuum Tweezer Chip을 Carrier에 옮길 때 사용하는 진공집게. Valence Band(가전자대) 공유결합을 이루고 있는 전자가 수용되어 있는 전자가 꽉 들어차 있는 에너지대인 충만대를 가전대라고 한다. Valence Electron(가전자) 원자핵과의 결합이 약하여 약간의 에너지만으로도 떼어 놓을 수 있는 최외각 궤도에 있는 전자. Valency(원자가) 여러 종류의 원자끼리 결합하여 화합물을 형성할 때 그 결합물 비가 몇대 몇으로 되는가를 나타내는 것. Van(Value-Added Network) 전형적인 순수한 통신업자들로부터 통신설비를 빌려서 새로운 형태의 통신 서비스와 요금을 제공하기위해 컴퓨터와 결합시켜 구축된 네트워크. Vane Damper 공조기의 Fan에 내장되어 있으며 공조기의 풍량을 조절한다. VAR(Variance) 손실차이. Varistor 인가전압의 변화에 따라서 저항값이 비 직선적으로 바뀌는 소자로서 Variable Resistor의 약어이며 바리스터 다이오드라고도 한다. VBe(Base-Emitter Voltage) 베이스-에미터 전압. VCC(Supply Voltage) 제품공급 전압. 반도체 Device가 동작하는데 필요한 전압과 전류를 Device내에 공급하여 주기 위하여 Device에 인가해 주는 전압. VCE(Collector-Emitter Voltage) 콜렉터-에미터 전압. VCD(SAT)(Collector Saturation Voltage) 콜렉터 포화 전압. VD(Volume Damper) 덕트내에 흐르는 공기량을 조절하는 기구. VE(Value Engineering) 가치공학. Vector 회로 Simulation시 각 Input pin별로 사용되는 input으로서 netilist에 인가해주는 cycle 단위의 신호조합. Vector Address Pattern Memory안에 어떤 지정된 Pattern의 Address. Vehicle LIM위를 Cassette를 싣고 주행하는 부분. Version 어떤 시스템을 디버그하거나 또는 어떤 목적을 갖고 변경함으로써 완성한 시스템. Vertical TR(수직형 트랜지스터) 래터럴(가로방향) 트랜지스터에 대비되는 말로서 보통의 바이폴라 트랜지스터를 가리킨다. 수직방향의 베이스 부분이 주로 트랜지스터의 능동영역으로 된 것이다. Vertical Transistor 터미날 TR에 대비되는 말로서 보통의 바이폴라 TR을 가리킨다. VF(Forward Voltage) 순방향 전압. VFD(Vacuum Fluorescent Display) 여러개의 음극 필라멘트와 매트리스 형태의 형광물질을 입힌 양극의 진공구조로 CRT와 같이 형광체를 이용한 발광소자이며, 대형화가 관건인 소자임. VGA(Video Graphics Array) VGA는 PS/2계열 기종들을 위한 IBM사의 주요한 표준, 컬러모니터 혹은 흑백 그레이 스케일 모니터와 함께 동작한다. 최대 해상도는 640*480 픽셀이며 이 해상도에서 동시에 최대 16컬러, 320*200 픽셀의 해상도에서는 동시에 256컬러까지 디스플레이 할 수 있다. VHDL(Vhsic Hardware Description Language). VHSIC(Very High Scale IC). VHSIC(Very High Speed Silicon Integrated Circuit) 미국방성에서 개발하고 있는 초고속 공정기술에 의하여 제작될 새로운 직접 회로 형태. VIA 두 Metal을 연결시키는 Insulating Field내의 contact 영역. Via Contact(Metal) Circuit 구성을 위한 배선 Process로서 서로 다른 두개 이상의 Metal Layer간의 연결 Process로서 특히, Metal간 접촉부위의 Contact 저항에 민감한 critical Process라 할 수 있다. VIA NOT OPEN 배선을 목적으로 서로 다른 두 개 이상의 metal layer간의 연결 process시 via contact 공정상 under etch 또는 두 metal layer간의 이물질 (polymer … ) 등에 의해 두 metal layer간의 연결이 되지 않거나 contact 저항이 spec 보다 높은 상태를 말한다. Via Hole PCB에서 외부 회로와 내부 또는 앞면과 뒷면의 회로를 연결시키는 통로. Video RAM 전통적인 DRAM에 Serial Register형태의 SRAM을 동일 Chip내에서 결합시킨 Memory로 DRAM 영역과 SRAM 영역간에 Parallel Data 전송이 가능하고 SRAM 영역의 Data를 고속으로 입·출력할 수 있어 화상정보처리 시스템에 적합하도록 고안된 메모리. Viewing Angle 디스플레이의 가시 가능한 각으로 디스플레이 표면의 수직한 면에 대한 각도로 표시한다. 이 각이 클수록 우수한 LCD이다. Virtual Clearing Point(가상 등명점) 어떤 화합물이 단독을 안정한 액정상이나 준안정한 액정상을 관찰할 수 없을 때에는 화학 구조가 비슷한 물질과 혼합계서 성분비에 따르는 상전이 온도를 외삽법에 의해 등명점을 추정한 값을 가상 등명점이라 한다. Virtual Memory(가상 메모리) 이름 그대로 실체의 Memory가 아니라 가상의 Memory이다. 자기(磁器) 코어, 반도체 IC 등으로 구성되는 메이 메모리의 용량부족은 저속이기는 하지만 비트당의 코스트가 낮고 대용량인 자기 드럼과 같은 보조 메모리로 보관하고 또한 겉보기에 외부 대용량 메모리(보조메모리)와 같은 양의 메인 메모리가 있는 것처럼 보이게 하는 기술이다. Viscosity 점선의 정도를 표시하는 물리정수로서 물질의 점도, 감광액의 점도는 감광액 도포시 도포되는 두께를 결정해 주는 중요 요소이다. 동일 조건하에서는 점도가 높을수록 두께가 두꺼움. Visual Inspection 선별된 Chip 또는 제품출하전 Device의 외관을 육안으로 검사하는 공정. 불량항목으로는 1) 긁힘 2) Metal 변색 : Metal이 산화되어 색을 띄는 현상 3) Side Chip : Wafer의 가장자리에 있어 Chip 모서리가 선명하지 않은 상태 4) Untest : Test 안됨 5) Chip Out : 절단 또는 외부영향으로 Chip의 가장자리가 깨짐 6) Crack(깨짐) : 보호막 또는 Chip내부에 금이 간 상태 VLSI(Very Large Scale Integration) 1000개 혹은 그 이상의 논리 Gate로 형성된 집적회로. Void 1) RTV 경화제 내부에 소량의 공기가 함유되어 나타나는 현상(기포) 2) FAB 공정에서 층간 절연막이 침적될 때 좁은 Space 지역에는 막이 칩적되지 못하고 비어있는 공간을 말함. Volatility(비휘발성) 메모리 소자에서 전원을 끊으면 메모리 내용이 없어져 버리는 성질을 말한다. Volume Damper(V.D) Duct에 부착되어 Duct내의 풍량을 조절한다. Volume Resistivity 체적 저항율. VPAS(Volume Performance Against Schedule) Schedule 물량에 대한 Shipping 물량의 비. VRAM(Video RAM) 화상 정보를 기억시켜 두는 전용 메모리로서 Video RAM에서 읽혀진 화상정보는 영산신호로 변환되어 CRT에 Display 된다. VSS 반도체 Device를 구동하기 위해 Device에 인가해주는 VCC나 Clock 등의 외부 전압 혹은 Device 내부에서 발생되는 모든 Signal에 전압의 기준이 되는 기준 전위. VTA(Value-Added Tax) 부가가치세. 상품이나 용역이 생산 유통되는 모든 단계에서 기업이 새로 만들어 내는 가치인 마진에 대해 과하는 세금. VTD Depletion TR의 VTH. VTE Enhancement TR의 VTH. VTH(Threshold Voltage) 문턱전압. 1) VTP : P- Channel Threshold Voltage 2) VTN : N- Channel Threshold Voltage VTR(Video Tape Recorder) 텔레비젼의 영상 신호와 음성 신호를 자기 테이프에 기록, 재생하는 장치. VTN Natural TR의 VTH VTPC(Vertical Probe Card) Wafer Test시 Device 의 PAD에 접촉되는 Needle을 Probe Card에 수직 방향으로 심은 Probe Card로 Needle을 고밀도로 심을 수 있다. WXYZ W/A Working Aisle. 작업자의 작업공간, 이동로 혹은 웨이퍼의 운반로가 됨. 1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CLASS 10. Wafer 규소박판으로 규소(Si)를 고순도로 정제하여 결정시킨후 얇게 잘라낸 것으로 반도체 소자를 만드는데 사용함. Wafer Carrier Wafer를 보관, 운반 또는 공정을 진행하기 위한 도구. Wafer ID RUN 및 Wafer 식별을 위해 각 Wafer에 대한 표시. Wafer Sort wafer level에서의 GO/NO-GO test라고 말할 수 있으며, 이 test 시 wafer prober와 prober card가 있어야 test가 가능하다. 이것의 목적은 Die assembly前에 각 Die의 GOOD/NO-GOOD을 판정하여 good을 assembly하는데 목적이 있다. Wafer Storage Box(Wafer 보관 상자) Wafer를 carrier에 담아 보관하거나 옮길 때 사용하는 BOX. Wafer Thickness Wafer 두께. Wait(대기상태) 중앙처리장치가 대기 또는 정지상태에 있다는 것을 알리는 신호. 속도가 빠른 CPU 주변 I/O 장치나, Access Time이 늦은 Memory에서 Data를 Read할 때 필요하며, Ready 신호나 IOCHRDY 신호를 이용하여 Wait를 주어 Cycle를 길게 할 수 있다. Wall 2개의 축퇴한 질서상이 공존하고 있을 때 그 경계면을 강자성체의 용어를 이용하여 자벽 magnetic domain wall 또는 Bloch wall이라 부르며, 줄여서 wall이라 부른다. WAN(Wide Area Network) 원거리 통신. Watchdog Timer(WDT) Watchdog timer는 Micom이 정상적으로 동작하는지의 여부를 check하고 이상동작을 검출한 경우에는 이상의 발생을 CPU에 알려주고 직접 CPU를 reset상태로 가게하는 회로. 시스템이 프로그램의 착오로 무제한의 루우프에 들어가든지 또는 기계고장으로 휴지상태를 방지하기 위해 프로그램에 의해 설정된 타이머로서 주어진 일정시간이 경과하면 경보음을 발생한다. Warning Limits 경고한계. 관리한계 이탈의 가능성을 주의해야 함을 나타내는 한계이며 조치가 반드시 필요한 것은 아니다. 경고한계는 보통 action limit으로 사용되는 Control limit의 안쪽에 위치한다. Wave Form 정확하게 Wafer 내에 Ion Beam이 선택되어 있는가를 확인하기 위하여 Monitor상의 좌표축이 나타내나는 방법. Wave Soldering 부품삽입 이후 솔더링하는 일반적인 방법. WB(Wire Bond) 금선 연결 공정. WECC(West Europe Calibration Cooperation) 서유럽 측정기준 조직. Wedge Bonding 열압착에 의한 본딩 방식의 하나. WELAC(West Europe Laboratory Accrediation and Certification) 서유럽 시험소 인정조직. Well CMOS Technology에서, N-Channel Transistor와 P-Channel Transistor를 형성하기 위하여, Si-Substrate에 불순물을 주입하여 만든 N 및 P-Channel Transistor의 substrate. Wet Etch 습식식각. 용액성 화학 물질을 사용하는 식각 방법. Wet oxidation H2+O2 반응으로 산화막을 형성하는 산화방법. Wet Process 사진 식각기술에 있어서 에칭액에 의한 반도체 표면의 에칭을 Wet Process라 한다. Wet Sink Wafer를 세정하거나 습식 식각할 때 쓰이는 장비. Wetting(웨팅) 휴징이나 핫솔더 공정에서 솔더가 녹는 과정이 미처리된 부분. White Knight A社를 매수하려고 있는 B社에 대하여 A社가 적당한 방어 수단이 없을 때 우호적인 제 3자인 C社를 매수진에 가세시켜 병합 Bid의 상황을 전개하고 최종적으로 C社에 매수되도록 하는 경우, C社를 백마의 기사로 함. WHOPL(Wet High Temperature Operating life Test) "고온 고습 동작 수명시험" 으로서, 85℃/85%(습도)의 OVEN 속에서 진행하는 수명시험. WHTS(Wet High Tempertue Storage) "고온 고습 보관시험"으로서, 85℃ 및 습도 85%의 oven속에서 Device를 저장하는 환경시험. WI(Wire Inspection) Bond 검사 공정. Wide Bit 8 Bit 이상의 I/O로 구성되어 Byte 혹은 Word 단위로 Data를 입·출력할 수 있도록 한 Device의 입·출력 구조. William"s Approximation 합금의 질서, 무질서 전이를 통계 역학적으로 해석하기 위해 이용된 근사법. WIP(Work In Process) 공정부분품(재공제조). WIPO(World Intellectural Property Organization) 세계 지적소유권기구. 저작권을 다루는 베른조약과 공업소유권을 다루는 파리조약의 관리와 사무기구상의 문제를 통일적으로 처리하기 위하여 세계 지적소유권기구 설립조약에 근거하여 설립된 기구이다. Wire Bonder TR이나 IC를 제조할 때 외부로 끌어내는 리이드와 칩 사이에는 통상 열압착이나 초음파에 의한 Wire Bonding으로 접속하는데 이 와이어 본딩을 하는 장치를 Wire Bonder라고 한다. Wireless Bonding 와이어를 없애거나 다른 구조를 바꾸려고 하는 것. Wire Spool 금선이 담겨있는 통. Word Computer에서 사용되는 기본 정보의 단위로서, 1Byte(대개 8bit) 혹은 몇 개의 Byte가 모여(1Byte∼2Byte) Word를 구성하고 있음. Work Function(일함수) 어떤 물질에서 전자가 튀어나가기 위해서 그 표면을 뛰어넘지 않으면 안되는 전위장벽의 높이를 나타낸 것. Work Holder Lead Frame을 Lodader Magazine으로부터 열전판으로 이송시켜 Die 접착한 다음 Unloading Megazine으로 이송 삽입하는 장치. Work Sheet 작업의 진행상황, 내용 시간 등 기록하는 양식으로 RUN Sheet 또는 RUN Card라고도 함. Work Station WF를 작업하는 작업대. Work Table(작업탁자) 모든 Wafer Handling은 작업구역내 Work Table에서 한다. Worm(1회 기록 다중판독 디스크 : Write once Read many) 사용자가 정보를 한 번만 기록할 수 있고 그 정보를 지우거나 변경할 수 없고 다시 읽을 수 있다. Wrist Strap 접지환. 정전기로부터 제품을 보호하기 위해서 인체에 있는 정전기를 Ground로 흘러 보내기 위해 손목에 착용하는 Wire(손목대). Write EPROM 혹은 EEPROM에서, floating gate에 주입된 전자의 존재 유무 상태에 따라 해당 bit의 저장 상태를 구분하는 상태. EPROM에서는 floating gate로 전자가 주입된 상태를 말하며 EEPROM에서는 floating gate로부터 전자가 discharge된 상태를 말한다. WS(Work Stream) 제품의 흐름이나 제품의 진행사항 등의 사항들을 관리해주기 위한 종합적인 S/W로 공장자동화에 사용된다. WSI(Wafer Scale Integration) Wafer상의 Chip을 자르거나 개별로 사용하지 않고 Wafer 전체로서 사용하여 고집적도를 이루려는 방법. WSix(Tungsten Silicide) Tungsten과 Silicon과의 화합물로써 통상적으로 polysilicon과 적층구조로 사용한다. (일명 : Polycide) WSTS(World Semiconductor Trade Statistics) 세계 반도체 무역 통계. 세계 반도체 제조업체들이 모여 시장 전망 규모 등을 예측한다. WW(Work Week) 작업. X X이론/Y이론 미국의 경영학자 맥그리거 (D.Mcgregor)가 1960년대에 주장한 관리나 조직에 있어서의 인간관 내지 인간에 관한 가설(假說)의 유형. X이론은 전통이론에 따른 인간관으로 인간은 본래 노동을 싫어하고 경제적인 동기에 의해서만 노동을 하며 명령 지시받은 일밖에 실행하지 않는다는 것. 이 가설에 입각하면 엄격한 감독, 상세한 명령, 지시, 상부로부터의 하부에 대한 지배 중시, 금전이 출현한다. 이에 대해 Y이론은 인간에게 노동은 놀이와 마찬가지로 본래 바람직한 것이며 인간은 자기의 능력을 발휘, 노동을 통해 자기실현을 바라고 있다고 본다. 인간은 또한 타인에의해 강제되는 것이 아니라 스스로 설정한 목표를 위해 노력한다는 것이 Y이론이다. 이 가설에 입각하면 의사결정에 조직구성원을 광범위하게 참여시키는 참여적 관리, 목표관리가 행해지며, 엄격한 관리 대신 부하가 문제해결의 주체가 되고 상사는 그 문제 해결을 도와주는 식의 관리가 행해지게 된다. X-Terminal 호스트 컴퓨터로 사용되어 오던 메인프레임과 엔지니어링 워크스테이션의 급성정과 LAN 활용의 보편화 및 사업표준을 채택된 X 윈도우로 인해 출현한 Terminal. X-Window 사용자 System이 네트워크로 묶여 다른 시스템과의 접속이 빈번하여 윈도우를 서로 공유하며 사용할 수 있는 능력이 요구되며 이를 위한 표준화를 위하여 개발된 일종의 통신 Protocol. Xylene or Way Coat 현상시키는 용액으로서 감광액(Resist)을 녹이는 성질이 있음. Y Yield 1) 최대의 가능한 생산품종에 대한 양품비율 2) 생산/투입× 100 = 수율(%) Z Z이론(Theory Z) 미국의 윌리엄 오우치교수가 제창한 경영이론. 그에 의하면 일본의 조직(J타입)은 조직고용, 느린 인사고과(考課)와 승진, 비전문적인 승진코스, 비명시적 관리기구, 집단에 의한 의사결정, 집단책임, 전면적인 인간관계를 특색으로 하고 있으며 이에 대해 전통적인 미국의 조직(A타입)은 단기고용, 빠른 인사고과와 승진, 전문화된 승진코스, 명시적 관리기구, 개인에 의한 의사결정, 개인 책임, 부분적인 인간관계를 특색으로 하고 있다고 한다. 미국에서 성공하고 있는 기업에는 이 2가지 타입의 우월한 특징을 조화시킨 타입(Z타입)이 많다고 하는데 이 특색을 Z이론이라고 한다. Z이론은 상호신뢰와 협력을 주축으로 한 집단적 겨영(Collective enterprise)이다. ZD운동(무결점 운동)(Zero Defects) ZD는 1960년대에 미국기업이 미사일의 납기단축을 위해 "처음부터 완전한 제품"을 만들자는 운동을 벌인 것이 계기가 되어 급속히 보급되었다. ZD의 최대의 특색은 이름 그대로 결점을 제로로 하자는 것. ZiP 파일 PK WARE사의 PKZIP 유틸리티용 파일형태로서 SEA사의 ARD와 유사한 압축, 보관 프로그램이다. Zener Breakdown PN접합 Diode의 역방향 전류는 어떤 일정한 값이상의 역전압을 가하면 제너효과에 의해 갑자기 증가하며 동작저항이 거의 0으로 된다. 이 현상을 제너 항복이라 하며 항복이 일어나는 전압을 제너 전압이라고 한다. Zener 현상 PN접합에서 Diode의 역방향 전압을 크게 하면 전압은 극히 조금 증가하며, 어떤 전압이상 커지면 갑자기 역방향 전류가 증가하는 현상을 말한다. 반도체에 강한 전계가 가해지면 결정원자에 속박되어 있는 가전자가 전계의 작용으로 속박을 벗어나서 튀어나간다. 즉, 가전자 내에서 금지대를 뛰어 넘어서 전도대로 끌어 올려진다. 이렇게 하여 전도전자가 증가하고 전류가 증가한다. ZERO OHM RESISTOR SIMM의 PD PIN 연결시 사용되는 CHIP CONNECTOR로 일반적으로 저항 성분이 없기 때문에 ZERO OHM RESISTOR라 한다. ZIP(Zigzag In-line Package) Package Type의 한종류로서 Package 한쪽측면에만 Lead가 Zigzag형태로 있어 Device를 옆면으로 세워 사용할 수 있으므로 공간 절약의 잇점이 있다. Zone AHU(Zone Air Handling Unit) 지역공조기라 칭하며 FAB에서 Return된 공기를 외기와 혼합시켜 처리하여 FAB의 환경 Air를 순환시킨다.

[☆올뉴짱☆]

으윽..술두 안깼는데 눈아프네여..ㅎㅎㅎ

[딸기맛농약[이동수]]

⊙_⊙;

[sky-777]

디오씨님 다시 봤었어요.....^^ 대단해요~~~

[필링~~(차승준)]

혹시 책보믄서 워드 작성한건 아니겠쥐... 여보세요들 눈에 힘을 풀고 멍~~ 하니 봐보세요.. 모니터 화면이 올라와요...^^