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반도체 나노전자 및 전광소자 분야의 중요성
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지수함수적인 정보통신 서비스의 발달 및 관련한 국내 반도체 및 정보통신 산업의 국제 경쟁력 제고의
측면에서, 가장 수요가 큰 미래의 휴대용 멀티미디어 정보단말 기술에 필수적인 실리콘 기반의
50 GIPS/ 1 GB/ 0.1 W/ 1 cm2의 고집적/저전력성, 200 GHz의 고속성 및 광배선의 성능 구현을 위한
핵심 원천 실리콘 나노소자 기술의 창출이 필수적이다. 이를 위하여 고집적/저전력 성능을 위한 전자소자
기술로서 bulk-Si 대신 SOI를 기반으로 하는 나노 SOI-MOSFET 기술과 광배선을 목표로 하는 Si 기반의
고효율의 발광 소자 기술이 핵심 기술로서 이의 원천 기술 확보가 시급하다.
또한 장기적인 안목에서 CMOS 대체소자의 구도로서 소자의 미세화에서 나타나는 양자효과를 능동적으로
적극 활용하여 소자의 근본 동작원리로 이용하고자 하는 양자 전자소자 기술의 확보가 필수적이다.
미래의 정보화 사회가 요구하는 단위소자의 고집적, 초고속, 저전력 소모, 그리고 신기능성은 기존 소자의
단순 축소화에 의하여 어느 정도 충족되나, 최소 선폭 수십 nm 이하의 크기에서 나타나는 양자 효과로 인해,
고전적 소자 동작의 한계를 초래하는 부정적인 측면을 갖고 있다. 그러나, 한편으로는 전자의 파동성에 의한
양자 효과를 적극적으로 이용하는 신기능 양자소자의 필연적인 출현을 예고하는 긍정적인 측면도 갖는다.
이러한 양자역학적 효과는 초고집적, 초고속, 저전력 그리고 신기능의 미래형 전자소자의 특성을 구현하는데는
극한적이고 근원적이며 근본적인 자연 특성이다(아래 그림 참고). 따라서, 반도체 초미세 구조에서 전자의
양자 효과를 이용하고자 하는 양자전자소자 기술은 현재의 성능을 뛰어넘는 테라급 정보저장의 반도체
메모리소자, 100 GHz 대의 응답 속도를 갖는 초고속 반도체소자, 양자 신기능 특성을 갖는 반도체 프로세서와
논리소자, 그리고 저전력 소모의 반도체소자 등에 요구되는 모든 미래 전자 소자의 핵심 기술이며, 고전적
반도체 전자소자 기술을 대체하게 된다.
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비 휘발성 반도체 나노 플로팅 게이트 메모리 소자 분야의 중요성
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현재의 정보화 사회는 과거 수 십년간 지속적이고도 빠른 속도로 성장한 IT 기술에 기인하고 있으며,
이러한 정보화 시대에서 대용량의 정보를 효율적으로 저장, 관리, 처리하는 것은 매우 중요하다. 향후
우리사회의 발전방향 및 control system 형태는 장소와 시간에 구애받지 않고 언제, 어디서나 원하는
시스템에 접속하여 정보를 주고받고, 그 system을 control 할 수 있는 무선 통신 근간의 ubiquitous
communication 사회로 갈 것이며, 이 경우 무선 단말기에서 필연적으로 저전압에서 동작하며, 고집적도,
저소비 전력의 특성을 갖는 비휘발성 메모리 기술과 SoC 통합 chip 기술은 매우 중요하다. 미래 정보화
시대에 가장 적합한 차세대 메모리 기술과 IT기반의 멀티미디어 서비스 구현에 따라 SoC기반의 내장형
비휘발성 메모리 기술이 미래 고품질의 정보화 사회를 지속적으로 가능하게 할 것이다.
DRAM 주도의 메모리 시장이 mobile product 및 IT 기술의 발달로 다양한 메모리 제품으로 구성되기
시작했으며, 그 중에서 플래쉬 메모리 시장이 크게 증가할 것이다. 또한, 차후 연장선상에서 나노 플로팅
게이트 메모리가 비휘발성 메모리 시장의 대부분을 차지할 것이다. 향후 플래쉬 메모리 시장 규모는
2007년에는 22,437 백만 달러, 2013년에 100,000 백만 달러에 이를 것이며, 이 시장을 대체 할 것으로
예상하는 차세대 나노 플로팅 게이트 메모리 기술에 핵심적으로 응용하는 CVD 기법의 nc-Si 형성 기술은
차세대 비휘발성 메모리 기술 시장에서 경제적 산업적으로 매우 중요한 역할을 할 것이다.(일본의 닛케이
마켓 액세스의 전망에 의하면 2003년 올해 세계의 플래쉬 메모리 시장은 지난해 보다 2.6배 증가한 110억 달러
규모에 이를 것으로, 특히, 이동전화에 주로 사용되는 NOR형(DINOR형 포함) 플래쉬 메모리의 비중은 84%에
달할 것으로 예상함)
데이터궤스트에 따르면 2002년에서 2007년까지 NAND형과 NOR형 플래쉬 메모리의 출하량 기준 연평균성장률
(CAGR)이 각각 88.4%와 62.1%에 달할 것이라고 전망하고 있으며, 또한 올해 DRAM을 포함한 세계 반도체시장
성장률이 11% 수준이었던 것에 비하면, 플래쉬 메모리 시장은 60% 이상의 성장률을 보이고 있어 플래쉬 메모리에
이은 차세대 비휘발성 메모리 기술개발에 치중하여 성공한다면 국가의 발전을 이룩할 수 있는 충분한 성장동력이
될 것이다.
Microprocessor, 메모리를 비롯하여, 유무선 통신용 SoC 및 휴대용 정보통신기기 등에 관련한 반도체
전자소자의 시장 규모는 2001년 2,090억불이었으며, 점차 정보통신 및 디지털 가전 기술 발전이 가속화됨에
따라 2010년 4,800억불로 증가가 예상된다. 국내 반도체 산업은 ‘92년 64MD램 개발 이후 선진국을 추월하여
DRAM 부분 세계 1위의 기술을 보유하여 세계 시장의 38%를 점유하고 있으며, 2005년에 한국 반도체산업은
메모리의 경우 50 ~ 60조원으로 예상되며, 차세대 비휘발성 메모리가 상당 부분 시장을 점유할 것이다.
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디스플레이 나노 기술 분야의 중요성
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정보화의 심화 및 보편, 대중화에 따라 인류의 정보에 대한 욕구가 점차 커지게 되었으며, 최근에는 폭발적인
이동 통신의 발달에 따라서 정보전달의 매체 (Man-Machine Interface) 인 표시소자 분야에서는 장소, 시간에
구애됨이 없이 초경량, 저전력의 휴대가 간편하면서도 화질이 우수한 초박막의 표시소자개발을 절실히
요구하고 있다. 그리고 차세대 정보표시소자 기술의 시장은 평면화, 고실감화, 대형화의 추세를 보이는데
이러한 경향에 부응하기 위하여 필연적으로 경량 박형의 저소비전력, 고화질에 대한 기술적인 성취가
선결되어야 한다.
특히, 인터넷, IMT-2000, PDA 등 정보이용 환경의 고도화 및 휴대화에 따라 차세대 표시소자는 응답속도,
시야각, 휘도, 소비전력, 생산성 및 가격 면에서 우수한 신기술개발이 절실히 필요하다.
디스플레이의 세계적인 시장전망은 2006년에 1000억불 규모이며 이중에서 유기 EL의 시장은 35억불로
예상되며(SRI, 2000년), 유기나노박막표시소자 분야의 기술수준의 발달에 따라 PCS, IMT-2000단말기, PDA,
CNS, wearable PC, 10" 급 이상의 모니터, TV, 노트북 등이 나노급 디스플레이 기술을 필요로 할 것이며,
이와 함께 유기나노박막표시소자 기술은 20" 급 TV 모니터, 전자종이, 벽지용 디스플레이, roll-up display,
초대형 광고판 등의 유연성 있는 대형 디스플레이까지 응용 가능한 기술이다. 또한, 유기나노박막표시소자
기술의 연평균 성장률은 170 %로 PDP, LCD와 같은 다른 평판디스플레이 보다도 높은 성장률을 보이므로
(IDC 2000년) 범 국가적인 차원에서 집중적이고 시급성이 요구된다. 따라서 차세대 나노 구조표시소자기술은
박막화, 실감화, 고화질화를 나타내는 신개념의 플라스틱을 기판을 사용한 정보표시소자 구현기술로서,
구부림이 가능한 paper-like 디스플레이로 발전할 것으로 예상되므로 선도적인 핵심원천 및 기반 기술확보가
시급하다.
또한 디스플레이에 기본 광원 소자로 현재 쓰이고 있는 화합물 반도체를 재료로 한 LED/LD 소자 시장을
실리콘 소자로 부분 대체할 수 있다면 그 파급 효과는 막대할 것으로 예측된다. 실리콘은 화합물 반도체에
비해 가격이 현저히 싸기 때문에 훨씬 더 경쟁력이 있다. 또한 전 세계적으로도 실리콘 전광 소자 기술은
기술 개발의 초기 단계이므로, 국가적인 차원에서 연구개발사업에 착수하여 원천 기술을 확보하여 실리콘
반도체 산업의 중요한 핵심 부분을 선점하는 것이 그 어느 때보다도 중요하다.
한편, 최근 실리콘의 나노구조화를 통한 양자효과를 이용하면 상온에서도 실리콘 발광이 가능하다는 것이
알려지면서, 실리콘 전광 소자 연구가 급격히 증가하고 있다. 실리콘 LED(Light Emitting Diode) 기술을
발전시켜 디스플레이나, 실리콘 레이저를 구현하여 실리콘 광전 소자 기술을 확립하게 되면, 실리콘 집적
회로에 지금까지는 불가능하다고 생각되던 정보통신, 송/수신 기능을 부여할 수 있을 것이다. 즉, 실리콘
광전자 기술은 화합물 반도체 레이저, 광섬유, 실리콘 집적회로 소자 등의 여러 MCM (Multi-Chip Module)이
조립되어 있는 광전자 소자들을 단 하나의 칩에 집적 가능하게 할 수 있는 원천기술이며 그 상업적 가치는
매우 높다.
이러한 기술적 가치 외에도 실리콘 전광소자 기술은 현재까지 전자소자의 집적도 증가에만 치우쳐 왔던
실리콘 기술 개발의 새로운 발달 모델 및 패러다임의 전환이라는 의의를 가지고 있다. 즉, 실리콘 전광소자
기술은 이러한 획일적인 발전 모델에서 탈피하여 좀더 다양하고 새로운 방법을 통하여 실리콘 소자의 전체적인
기능성과 부가가치를 증가시키는 것을 가능하게 하는 새로운 접근 방법이다. 특히, 실리콘 전광소자 기술은
이미 확보되어 있는 실리콘 공정 기술의 천문학적인 infra-structure와 know-how 기술 등을 그대로 활용할
수 있다는 장점이 가장 매력적이다. 또한 실리콘 광전 소자 기술은 기존의 실리콘 기술의 패러다임을 바꿀
수 있을 정도로 획기적인 기술이 될 것이며, 따라서 실리콘 LED를 비롯한 실리콘 레이저가 구현될 경우,
디스플레이와 시스템을 하나의 칩에 구현하고 각종의 통신 부품이 저비용의 실리콘 칩에 제작 가능할 뿐
아니라, 광배선의 IC를 가능하게 하는 등, 반도체를 포함하는 정보통신 산업 전체에 엄청난 파급 효과를
수반할 것으로 예측된다.
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