교수님 질문 드려요(Tr FET관련 기본질문)

[임주현2]

1.두 전압이 다 양수라고 할때 해당 회로는 활성상태인가요? 포화상태인가요? 아니면 오른쪽 전압 크기에 따라 달라지는건가요?

2. Tr설명에서 BE순방향 BC역방향일때 활성영역이라고 하셨는데 보통의 회로도에서 BC가아니라 C와E를 연결하게되는 이유가 뭔가요? 이경우 순방향 역방향은 어떤 기준으로 파악해야하는 건가요? Npn tr일때 기준으로 위에서 아래로 내려오게 하면 순방향인가요

3.해당 방향이 역방향이라고 정의내리면 또 FET 부분에서 DS를 연결할때 순방향이라고 말씀하신것에 모순이 생겨서 여쭈어봅니다(혹시 이 부분도 제가 잘못 들은 걸까요…그냥 D-S로 흐른다는 의미로 말씀하신 걸 착각한거면 죄송합니다.)

11월부터 시작했는데 강의 열심히듣고 배우고 있습니다^^항상 좋은 강의 감사합니다!

[최우영]

1.두 전압이 다 양수라고 할때 해당 회로는 활성상태인가요? 포화상태인가요? 아니면 오른쪽 전압 크기에 따라 달라지는건가요?
==> 기본적으로 Vce > Vbe이면 보통 활성이고,, 반대면 포화가 됩니다.

2. Tr설명에서 BE순방향 BC역방향일때 활성영역이라고 하셨는데 보통의 회로도에서 BC가아니라 C와E를 연결하게되는 이유가 뭔가요? 이경우 순방향 역방향은 어떤 기준으로 파악해야하는 건가요? Npn tr일때 기준으로 위에서 아래로 내려오게 하면 순방향인가요
==> 위에서 이야기 한 것과 같은 결론입니다.

VBE >0 이면, BE가 순방향 바이어스 된 것이고,, 이때 Vce>Vbe이면, BC사이가 역방향 바어어스 되는 것입니다. Vce<Vbe이면,
BC사이가 순방향 바어어스 되는 것이고요..

실제 값을 넣어보세요..

VBE = 0.7이므로, VCE = 2[V]이면, B와 C 사이의 전압은 C가 1.3[V] 높습니다. 컬렉터가 N형 반도체이므로, 역바이어스가 되는 것입니다.

[최우영]

3.해당 방향이 역방향이라고 정의내리면 또 FET 부분에서 DS를 연결할때 순방향이라고 말씀하신것에 모순이 생겨서 여쭈어봅니다(혹시 이 부분도 제가 잘못 들은 걸까요…그냥 D-S로 흐른다는 의미로 말씀하신 걸 착각한거면 죄송합니다.)
==> FET에서는 DS에는 순방향 역방향이 없습니다. 제가 그렇게 이야기 한 것이면, 아마 D에서 S로 흐른다는 의미로 말을 했을 것입니다. ^^

끝까지 열심히해서 좋은 결과 만들어봅시다. ^^

[임주현2]

감사합니다 교수님^^ 이해에 많은 도움 되었습니다!