[펌] 중국 CXMT, 올해 마이크론 수준의 DRAM 생산 능력 달성 전망 ! 신시대 중국특색 사회주의는 승리한다 ㅎㅈ?

[선배녀]

https://www.techpowerup.com/350726/chinese-cxmt-to-match-microns-dram-manufacturing-capacity-this-year

 중국의 메모리 제조업체 CXMT가 생산 능력을 급속도로 확장하여 이제 세계 최대 메모리 제조업체 중 하나인 마이크론과 경쟁할 수 있는 수준에 도달했습니다. 시트리니 리서치의 자체 데이터에 따르면, 현재 진행 중인 모든 프로젝트가 예정대로 완료될 경우 CXMT는 2026년 말까지 월 약 35만 개의 DRAM 웨이퍼를 생산할 것으로 예상됩니다. 이는 특히 '빅 3' DRAM 제조업체 중 하나인 마이크론이 생산 능력 확장이 완료될 경우 2026년 말까지 월 약 37만 5천 개의 DRAM 웨이퍼를 생산할 것으로 예상되는 것과 비교해 볼 때 매우 인상적인 수치입니다. 마이크론은 수십 년간 메모리 공급업체로 활동해 온 반면, CXMT는 중국의 내수 수요를 충족하기 위해 등장한 비교적 신생 업체입니다.

특히 놀라운 점은 CXMT가 실제 실리콘 생산이 이루어지는 클린룸을 단 12개월 만에 건설하고 있다는 것입니다. 이는 다른 DRAM 제조업체들이 일반적으로 21~24개월, 거의 1년 가까이 걸리는 기간과 비교하면 매우 이례적인 일입니다. CXMT와 같은 중국 메모리 제조업체들이 직면한 가장 큰 어려움은 전 세계에서 첨단 리소그래피 솔루션을 확보하는 것입니다. 미국 정부가 CXMT에 제재를 가하고 블랙리스트에 올려놓아 최신 EUV 스캐너 접근이 차단되었기 때문입니다. 이에 CXMT는 구형 DUV 리소그래피 장비와 멀티패터닝 기술을 활용하여 EUV 기술 부족을 극복하고 있습니다. 그럼에도 불구하고 CXMT는 올해 마이크론과 거의 동일한 수준의 DRAM 웨이퍼 생산량을 기록하며, 신규 시장 진입 기업으로서는 매우 인상적인 성과를 보여주고 있습니다.

올해 초, CXMT가 8,000 MT/s 속도의 16Gb DDR5 칩 출하를 시작했다고 확인되었습니다. 이 칩은 67mm² 크기에 0.239Gb/mm²의 밀도를 가지고 있습니다. G4 DRAM 셀은 CXMT의 이전 세대인 G3보다 20% 더 작습니다. 이러한 발전은 23nm(G1) 및 18nm(G2) 공정에서 발전해 온 CXMT의 기술 혁신의 일환입니다. 한편, 24Gb 모듈도 현재 양산 중인 것으로 보이며 , 속도는 약 6,000 MT/s로 다소 낮습니다. CXMT는 또한 12Gb 및 16Gb 용량의 LPDDR5X-10667 DRAM 모듈도 양산하고 있습니다. 이러한 생산 증가는 주로 AI 분야의 수요에 힘입은 것입니다.

마지막으로, 보고서는 중국 정부가 CXMT가 JHICC, Swaysure, YTMC 자회사인 XMC와 같은 다른 중국 DRAM 제조업체에 DRAM 기술 IP를 이전하도록 장려하고 있다고 언급합니다. 이러한 조치는 CAMT가 설계한 DRAM이 유럽 연합(EU) 및 미국 과 같은 다른 시장에 진출하기 전에 국내 메모리 부족 현상을 완화하기 위한 것입니다 .

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