여시뉴스데스크 中, D램·낸드 이어 HBM까지 따라온다… 중대 기로에 선 삼성전자·SK하이닉스

[죠캎쎄오]

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中, D램·낸드 이어 HBM까지 따라온다… 중대 기로에 선 삼성전자·SK하이닉스

중국 메모리 반도체 산업을 이끄는 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램에 이어 기술 난도가 높은 고대역폭메모리(HBM) 시장에 진입할 것으로 예상되면서 삼성전자, SK하이닉스가 긴장하고 있다.

미국의 대중 제재에도 불구하고 빠르게 기술력을 확보한 CXMT가 레거시(구공정) 제품뿐 아니라 첨단 제품인 HBM 양산에 속도를 낼 경우 향후 수년 내 한국 메모리 반도체 산업에 타격을 줄 수 있다는 비관적 전망이 나오고 있다.

CXMT는 2세대 HBM 제품인 HBM2 생산을 위해 설비투자를 진행 중인 것으로 알려졌다. HBM2는 삼성전자, SK하이닉스가 이미 지난 2016년 양산을 시작한 제품이다. 한국보다 10년 가까이 뒤처진 셈이지만 전문가들은 이미 HBM2 제품 규격이 표준화돼 있어 최선단 HBM과 비교해 개발 속도가 빨라질 수 있다고 보고 있다.

“제품 개발 속도만 보면 중국이 한국 기업들을 위협하는 수준으로 빠르게 따라오고 있는 것이 사실”이라며 “D램, 낸드플래시와 마찬가지로 구형 HBM도 설계가 이미 표준화돼 있기 때문에 개발은 빠르게 가능하다. 양산 기술 확보가 1~2년 내 가능할지는 미지수”라고 했다.

문제는 CXMT의 개발 속도가 2020년대 들어 급격히 빨라졌다는 것이다. 중국 컨설팅업체 첸잔에 따르면 지난 2020년까지만 해도 세계 시장 점유율이 0%였던 중국산 D램은 지난해 5%까지 점유율이 상승했다. 과거에는 국내 반도체 업계에서 중국산 D램의 양산이 불가능하거나 10년 이상 걸릴 것이라는 시각이 지배적이었다.


최근에는 CXMT가 DDR5 개발에서도 진전을 보이며 대규모 양산 우려가 제기되고 있다. 시장조사업체 테크인사이트에 따르면 중국 DDR5 D램의 선폭이 삼성전자, SK하이닉스와 비교해 크게 뒤지지 않는 것으로 파악돼 기술 격차가 급속히 줄어들고 있는 상황이다.

중국의 급부상에 삼성전자, SK하이닉스는 중대한 기로에 서게 됐다. 이미 DDR4 D램 시장에서 중국산 물량 공세에 타격을 입기 시작하고 있는 두 기업은 당장 5년 뒤 어떤 일이 벌어질지 모른다는 불안감에 휩싸이기 시작했다.

유회준 카이스트 전기전자공학부 석좌교수는 “이미 삼성전자, SK하이닉스가 시중에 내놓은 제품은 중국 기업들도 1년쯤 지나면 시제품을 개발할 수 있을 정도로 기술력이 올라왔다”며 “다만 대량 양산을 위한 공정에서는 다소 어려움을 겪을 수 있다”

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힘내 삼전......

[갈짖을갈]

기술자들 돈으로 다 빼갔자너.. 예견된 일