HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로, 우리말로는 **‘고대역폭 메모리’**라고 부릅니다. 쉽게 말해 **"데이터를 아주 넓은 통로로 빠르게 주고받을 수 있도록 만든 고성능 D램"**입니다
zHBM(지 에이치비엠)은 삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 콘퍼런스인 FMS 2026에서 최초로 공개한 차세대 3차원(3D) 적층형 메모리 아키텍처입니다.
핵심 특징과 의미는 다음과 같습니다.
구조적 변화 (X·Y축에서 Z축으로): 기존에는 GPU 등 AI 가속기 옆에 HBM을 나란히 배치하는 2.5D 방식(2차원 구조)을 사용했으나, zHBM은 AI 가속기 바로 위(상단)에 HBM을 직접 적층하여 수직으로 결합합니다. 높이 방향인 Z축을 활용한다는 의미에서 'z'가 붙었습니다.
성능 및 효율 극대화: 연산 장치와 메모리 간의 물리적 거리가 획기적으로 줄어들면서, AI 시대의 최대 난제인 데이터 병목 현상을 크게 해소합니다. 차세대 제품인 HBM5와 비교해도 그래픽처리장치(GPU)당 성능이 최대 8배 향상되며, 전력 대비 성능은 3배 이상 개선됩니다.
우수한 발열 제어: 칩을 수직으로 밀착하면서도 열 저항 수치를 대폭 낮추어, 고성능 가동 시 발생하는 발열 문제를 효과적으로 억제하도록 설계되었습니다.
AI의 규모가 커지고 에이전틱 AI 등으로 추론 연산이 급증하는 환경에서, 기존 HBM의 물리적 한계를 극복하기 위해 메모리·로직·파운드리·패키징 기술을 집약한 삼성전자의 차세대 AI 메모리 승부수입니다.
RAM stands for Random Access Memory. It is the electronic short-term memory inside a computer, smartphone, or tablet that temporarily stores data currently in use by the processor (CPU).
번역
RAM은 임의 접근 메모리(Random Access Memory)의 약자입니다. 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 내부의 전자식 단기 기억 장치로, 현재 중앙처리장치(CPU)가 사용 중인 데이터를 임시로 저장합니다.