[2012 Outlook Report] 반도체 (2) - 종목

[구스닥]

2012 Outlook  반도체 (2) - 종목

삼성전자 (005930) - 글로벌 No.1의 이유 있는 독주!

● 스마트폰시장에서 글로벌 No.1의 입지 확고하게 유지해나갈 전망(4분기 예상 출하 3,400만대)

● 2012년 비메모리부문에 대한 적극적인 투자로 글로벌 M/S 50% 이상 유지 예상

● 2012년 연간 매출액 183조원(+13.6% YoY), 영업이익 21조원(+31.3% YoY) 전망

삼성전자의 이유 있는 독주가 지속되고 있다.

3분기에 애플을 따돌리며 글로벌 스마트폰 No.1 업체로 등극하였고, 4분기에도 스마트폰 출하량은 3,400만대에 이를 전망이다.

애플과의 차이점은 무엇인가?

삼성전자는 분기 스마트폰을 포함한 휴대폰을 9천만대 파는 회사다.

강력한 마케팅의 인프라를 바탕으로 스마트폰으로의 Product Mix 이동이 지속되고 있다.

따라서, “스마트폰 성장 → AP + 모바일 DRAM + NAND + AMOLED”라는 성장 시나리오는 더욱 탄력을 받고 있고, 시나리오의 대전제는 여전히 굳건하다.

애플을 따라잡고, 중장기적으로 인텔을 따라잡는다는 놀라운 성장 스토리는 이제 시작에 불과하다.

이것이 우리가 삼성전자에 더욱 집중해야만 하는 이유이며, Valuation은 여전히 낮다!

한편, 국내 IT 대형주 내에서도 삼성전자의 차별성은 과거와 크게 달라졌다.

① 삼성전자의 스마트폰 출하 호조는 LG전자와는 별개의 문제가 될 수 있다.

② 삼성전자의 AP 부문 급성장과 자체 모바일 메모리 수요 증가는 하이닉스와는 사실상 관계가 없다.

③ 삼성전자의 AMOLED 이익 증가는 LCD에 국한되어 있는 LG디스플레이와는 분명히 그림이 다르다.

이것이 다른 국내 IT 대형주들을 섣불리 대안(Proxy)으로 볼 수 없는 이유이다.

삼성전자의 4Q11 실적은 시장 기대치에 부합할 전망이다.

매출액 43조원(+5.0% QoQ, +3.5% YoY), (발표) 영업이익 5.2조원(+22.0% QoQ, 72.3% YoY)로 예상된다.

부문별 영업이익은 통신 2.8조원, 반도체 1.3조원, 디스플레이 1,230억원, DM&A 1,250억원으로 추정된다.

한편, HDD 부문 매각, MS 충당금 환입 등 비영업적인 이익 7,000억원을 고려하였다.

2012년 실적은 매출액 183조원(+13.6% YoY), 영업이익 21.2조원(+31.3% YoY)로 예상된다.

특히, 2Q12 이후 분기 영업이익은 비영업적인 이익을 제외하고도, 5조원을 상회할 것으로 예상된다.

따라서, 내년 상반기에 주가 상승 모멘텀은 더욱 탄력을 받을 것으로 판단된다.

투자의견 매수와 목표주가 1,300,000원(2012년 예상 P/B 2.0배, EV/EBITDA 4.9배)을 유지한다.

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하이닉스 (000660) - 당면한 현실적 과제는 실적 개선

● 중장기적으로 모바일 수혜업체로 변화 예상 : NAND Capa증설 + 모바일 DRAM 비중 확대

● 단기적으로는 부진한 PC DRAM 시장에 따라 실적 개선 지연(영업적자 지속)의 리스크 요인

● 2012년 연간 매출액 12.3조원(+20.1% YoY), (조정)영업이익 7,690억원 전망

하이닉스에 대한 투자의견 매수와 목표주가 26,000원(12F P/B 1.7배 적용)을 유지한다.

동사에 대한 투자 포인트는 한마디로 ‘포트폴리오의 변화’에 있다.

현재 PC DRAM 위주의 포트폴리오는, 향후 모바일 수요의 수혜를 볼 수 있도록 변화할 것이다.

따라서,

① NAND Capa 증설,

② 모바일 DRAM 비중 확대,

③ 애플로 공급 확대 등이

향후 펀더멘탈 개선에 핵심 변수로 판단된다.

중장기적으로 하이닉스는 SKT 피인수 이후 본격적으로 NAND Capa 증설에 나섬에 따라, 모바일 수혜업체로 변화가 예상된다.

현재 NAND Capa는 월 12만장 수준으로 DRAM Capa의 1/3 수준에 불과하나, 2012년 말에는 DRAM의 1/2 수준인 월 15만장, 2013년말에는 DRAM과 유사한 수준까지 지속적인 확대가 예상된다.

그러나, 하이닉스의 모바일 DRAM 수요에 있어서, 삼성전자의 스마트폰 출하 호조는 직접적인 영향이 없다는 점에 유의할 필요가 있다.

즉, 하이닉스의 모바일 DRAM의 주요 수요처는 애플과 노키아로 국한되기 때문이다.

따라서, 내년 상반기 38나노 모바일 DRAM에 대한 주요 고객사로의 본격적인 공급 확대는 DRAM 부문에 대한 가장 큰 모멘텀이 될 수 있을 것이다.

4Q11 실적은 매출액 2.4조원(+3.2% QoQ, -14.0% YoY), (조정)영업적자 2,610억원(적지 QoQ, 적전 YoY)으로 예상되며, 램버스 소송 승소에 따른 비영업적인 이익을 고려한 (발표)영업적자는 1,110억원으로 예상된다.

4분기에도 PC DRAM 고정가격은 평균 30% 이상 하락하여, 동사의 실적 개선에 부정적인 영향을 미치고 있다.

2012년 연간 실적은 매출액 12.3조원(+20.1% YoY), (발표) 영업이익 8,990억원으로 예상된다.

최근 PC DRAM 가격 수준에서는 적어도 1Q12까지는 영업적자가 지속될 가능성이 높기 때문에, 연간 영업이익이 1조원을 상회하기는 쉽지 않을 전망이다.

문제는, 내년도 2분기까지도 적자가 지속될 가능성이다.

그러나, DRAM 업체들의 감산 효과와 울트라북 등 PC 수요개선에 따라, 적어도 2Q12 이후에는 DRAM 가격이 상승세로 전환될 것으로 판단한다.

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유진테크 (084370) - Still Hungry! 글로벌 경쟁력으로 Re-rating 지속 예상

● 2012년 삼성전자와 하이닉스 반도체 투자 확대의 최대 수혜주

● 주요 장비: 반도체 공정 전환에 따라 수요가 지속적으로 증가하고 있는 Single LP-CVD

● 2012년 매출액 1,744억원(+39% YoY), 영업이익 387억원(+36.1% YoY)으로 성장 예상

유진테크에 대한 투자의견 매수를 유지하며, 목표주가를 기존의 24,000원에서 30,000원(12F P/E 12.5배 적용)으로 25% 상향한다.

동사는

① 삼성전자와 하이닉스에 모두 장비를 공급하고 있는 보기 드문 업체이며,

② 반도체 공정 전환에 따라 수요가 지속적으로 증가하고 있는 Single 타입 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 장비 분야에서 글로벌 최상위의 경쟁력을 갖추고 있다.

특히, 2012년에는 삼성전자의 반도체 Capex가 15조원(메모리 7조원, 비메모리 8조원 예상) 수준으로 대폭 증가할 전망이다.

동사의 Single 타입 LPCVD는 메모리는 물론 비메모리 공정 전환에 있어서도 수요가 증가하고 있다.

하이닉스 역시 내년에 공정 전환은 물론, 신규 M12 라인에 대한 투자를 시작할 전망이다.

따라서, 주요 메모리업체들의 투자 증가에 따른 수주 모멘텀 및 실적 개선이 지속될 전망이다.

한편, 2012년 이후 신규 장비인 Cyclic CVD에 수요 증가가 예상된다.

메모리 공정이 DRAM과 NAND 모두 20나노 이하로 발전함에 따라, 기존의 ALD(ATOMIC Layer Deposition) 장비로는 구현하기 어려운 균일하고 얇은 막질(Layer)에 대한 증착 수요가 증가하고 있기 때문이다.

따라서, Single LPCVD에 이어 신규 장비인 Cyclic CVD로의 포트폴리오 다변화에 따른 성장은 2013년 이후 더욱 확대될 것으로 판단된다.

4Q11 실적은 매출액 383억원(+22.5% QoQ, +108.3% YoY), 영업이익 84억원(+17.2% QoQ, +61.7% YoY, 영업이익률 22.0%)의 써프라이즈 수준으로 추정된다.

특히, 동사 실적과 같은 높은 YoY 성장률은 국내 장비업체들 중에서 보기 드물다.

삼성전자의 반도체 부문 Capex 상향을 고려하여, 2012년 연간 실적 전망을 매출액 1,744억원(+39.0% YoY), 영업이익 387억원(+36.1% YoY, 영업이익률 22.2%)로 대폭 상향한다.

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네패스 (033640) - AP 수요 증가의 최대 수혜주

● 삼성전자와 애플향 AP(Application Processor)에 대한 WLP(Wafer Level Packaging) 매출 확대

● 국내 12” WLP Capa 월 9,000장으로 확대. 싱가폴 자회사 포함 WLP Capa 월 34,000장 수준

● 2012년 매출액 2,590억원(+17.4% YoY), 영업이익 322억원(+44.4% YoY) 성장 예상

네패스에 대한 투자의견 매수를 유지하며, 목표주가를 기존의 18,000원에서 22,000원(12F P/E 15.0배 적용)으로 상향한다.

네패스는 삼성전자와 애플향 AP(Application Processor)에 대한 WLP(Wafer Level Packaging)을 하고 있어, 내년도 삼성전자의 비메모리 투자 확대에 따른 최대 수혜주 중의 하나다.

동사는 하반기 이후 국내 WLP 라인에 대한 본격적인 증설에 나서고 있다.

본사의 12인치 WLP Capa는 현재 월 9,000장 수준으로 확대되었다.

싱가폴 자회사인 네패스 Pte의 WLP 라인(월 25,000장)을 포함하면, 동사의 WLP Capa는 총 34,000장으로 증가하였다.

2012년에 삼성전자의 AP 생산량이 지속적으로 증가할 것을 고려할 때, 동사 역시 국내 WLP Capa를 지속적으로 확장해 나갈 것으로 판단된다.

4분기 실적은 매출액 580억원(+7.2% QoQ, +10.3% YoY), 영업이익 62억원(+20.3% QoQ, +44.9% YoY, 영업이익률 10.8%)으로 예상된다.

특히, LCD 드라이버 IC용 범핑/패키징의 실적 부진으로, 동사의 실적은 3Q11까지 정체된 모습이었다.

그러나, 하반기 WLP 실적 증가에 따라, 4분기 이후에는 지속적인 실적 개선이 가능할 것으로 판단된다.

2012년 연간 실적은 매출액 2,590억원(+17.4% YoY), 영업이익 322억원(+44.4% YoY, 영업이익률 12.4%)으로 성장할 전망이다.

12” WLP 매출액은 1Q12 100억원 수준에서 4Q12에는 150억원 수준으로 증가할 것으로 예상된다. 수익성이 높은 WLP 매출의 확대는 곧 수익성 개선으로도 이어질 가능성이 높다고 판단된다.

네패스의 싱가폴 자회사(지분율 74%)인 네패스 Pte의 실적 역시 지속적으로 성장하고 있다.

2010년에는 매출액 340억원, 영업이익 50억원의 실적을 기록하였으나, 2011년에는 매출액 570억원(+66.2% YoY), 영업이익 113억원(+125.0% YoY)으로 성장할 전망이다.

특히, 네패스Pte의 경우 Capa 증설도 있었지만, AP용 WLP 물량 증가에 따른 Product Mix 변화가 실적 성장의 중요한 요인인 것으로 파악된다.

2012년 네패스 Pte의 매출이 900억 증가할 것을 고려할 때, 네패스의 IFRS (연결) 매출액은 3,700억원 수준에 이를 전망이다.

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심텍 (036710) - 꾸준한 성장 vs. Valuation 저평가

● 메모리 모듈 PCB / BOC 분야에서 확고한 글로벌 시장 지배력(35~40% M/S)

● MCP, RDIMM 등 고부가가치 제품 확대 추세. 2012년 FC-CSP 매출 본격 확대 예상

● 2012년 예상 P/E 6배 수준으로 펀더멘탈 대비 지나친 저평가 영역

심텍에 대한 투자의견 매수와 목표주가 18,000원(12F P/E 11.0배 적용)을 유지한다.

심텍은 메모리 모듈 PCB 및 BOC 분야에서 확고한 시장 지배력을 갖춘 업체로, 메모리 모듈 PCB에서 35%, BOC(Board On Chip)에서 40%로 글로벌 No.1의 입지를 구축하고 있다.

삼성전자를 포함한 주요 메모리업체들을 대부분 고객으로 확보하고 있다.

최근 대덕전자의 시가총액은 5,000억원을 상회하고 있는 반면, 심텍의 시가총액은 3,400억원 수준에 불과하다.

최근 대덕전자의 Valuation 상승의 배경은 무엇일까?

가장 큰 요인은

① 주요 고객으로 모바일 DRAM과 NAND용 CSP(Chip Scale Packaging) 매출 확대,

② 2012년 상반기 FC(Flip Chip)-CSP 매출 예상 등이다.

그런데, 심텍 역시 조만간 4층 이상의 CSP 시장에 진입할 계획이고, 내년부터 FC-CSP 생산을 시작할 계획이다.

또한, 대덕전자와 심텍의 최근 분기 실적과 내년도 이익 전망 차이는 10% 이하에 불과하다!

그렇다면, 최근과 같은 상대적 저평가는 다소 지나치다는 판단이다.

심텍에 대해서도 2012년 상반기에는 삼성전자향 CSP 물량 증가에 따른 모멘텀이 예상된다.

4Q11 실적은 매출액 152억원(+4.3% QoQ, -2.6% YoY), 영업이익 160억원(+23.1% QoQ, -25.1% YoY, 영업이익률 10.4%)로 예상된다.

3분기 대비 매출액 측면에서는 MCP(Multi Chip Packaging), RDIMM(서버용 모듈 PCB) 등이 소폭의 성장, 영업이익 측면에서는 금값 상승 등 일시적 수익성 하락 요인에서 벗어나며 비교적 큰 폭의 개선이 예상된다.

2012년 연간 실적은 매출액 660억원(+10.0% YoY), 영업이익 700억원(+12.1% YoY, 영업이익률 10.6%)으로 예상된다.

2012년 성장 요인은

① 서버용 모듈 PCB인 RDIMM 수요 성장,

② 모바일 수요 증가에 따른 MCP 매출 증가,

③ FC-CSP등 신규 매출의 증가 등이다.

또한, 중장기적으로는 DDR4와 SSD(Solid State Drive)가 2013년 이후 새로운 성장 요인이 될 것이다.

현 주가 수준은 12F P/E 6배 수준으로 펀더멘탈 대비 지나치게 저평가된 것으로 판단된다.

2012년도 예상 ROE는 24.8%인 반면, P/B는 1.5배 수준에 불과하다.

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용어 해설

건식 식각 Dry Etching

반응가스를 진공 챔버에 주입시킨 후 power를 인가해 plasma를 형성시켜서 이를 식각하고자 하는 막과 화학적 또는 물리적으로 반응시켜 막을 제거하는 공정이다.

낸드 플래시 Nand Flash

플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장·삭제할 수 있다.

저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 되어 있어 대용량이 가능하다.

디지털카메라, 휴대용 저장장치, 컴퓨터 등에 폭넓게 쓰인다. 향후 컴퓨터의 하드 디스크 드라이버(HDD)를 대체할 수 있는 제품으로 기대된다.

노광 Exposure 

PR 코팅된 웨이퍼에 stepper를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼위에 회로패턴을 사진 찍는 공정을 노광이라고 한다.

리드 프레임 Lead frame

보통 구리로 만들어진 구조물로서, 조립 공정시 칩이 이 위에 놓여지게 되며 가는 금선(金線)으로 칩과 연결되어 IC칩이 외부와 전기신호를 주고 받게된다.

마스크 Mask

웨이퍼 위에 만들어질 회로패턴의 모양을 각 층(layer) 별로 유리판 위에 그려 놓은 것으로 사진 공정시 stepper(반도체 제작용 카메라)의 사진 건판으로 사용된다.

마이크로 제품 Micro Compontent

마이크로 컴퓨터를 구성하기 위한 핵심적인 부품으로 MPU(Micro Processor Unit), MCU(Micro Controller Unit), DSP(Digital Signal Processor), chip set, 그래픽 IC를 총칭한다.

메모리 모듈 Memory Module

개별 메모리칩을 유사한 특성을 갖고 있는 제품으로 구분하여,

하나의 PCB(Printed Circuit Board) 위에 여러 개의 칩을 고밀도 성장하여 메모리용량을 확장시킨 제품이다.

요즘 PC의 주기억장치(main memory)는 이러한 모듈(module)로 구성되어 있다. 

몰딩 Molding

칩과 연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정이다.

범핑 Bumping

잘라진 웨이퍼 조각에 돌기 형태의 bump를 형성하여 기판에 직접 연결하는 방식이다.

스퍼터링 Sputtering 

PVD 방식의 하나로 원하는 박막을 증착하는 방법 중 CVD와 함께 가장 널리 쓰이는 방식으로 물리적인 방법을 통해 입자를 발사시켜 박막을 도포하는 방식이다.

습식 식각 Wet Etching

화학용액을 이용해 식각하고자 하는 막과 화학반응을 일으켜 막을 제거하는 공정이다.

식각 Etching

PR이 제거된 원하지 않는 부분을 제거하는 과정이다.

액체를 사용하는 습식 식각 (wet etching)과 플라즈마를 사용하는 건식 식각(dry etching)이 있다.

와이어 본딩 Wire Bonding

잘라진 웨이퍼 조각과 기판을 금선(金線) 등을 이용하여 전기적으로 연결하는 방식이다.

웨이퍼 Wafer

반도체 물질로 만든 얇은 판,

일반적으로 단결정 실리콘으로 원기둥 모양의 잉곳(ingot)을 만든 후, 이를 얇게 잘라 원판 모양의 웨이퍼를 만들어 메모리 반도체 등의 회로를 집적한다.

이온주입 Ion Implantation

회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 gas 입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어주는 공정이다.

증착 Deposition

진공 상태에서 금속이나 화합물 따위를 가열∙증발시켜 그 증기를 물체 표면에 얇은 막으로 입히는 일을 증착(deposition)이라고 한다. 

전공정 Front-End Process

웨이퍼를 가공하여 반도체 회로를 형성하고 집적하는 과정을 전공정이라고 한다.

증착, 세정, PR코팅, 노광, 현상, 식각 등의 과정이 있으며, 반도체 소자에 따라 이러한 과정을 수회에서 수십회 반복한다.

칩 스태킹 Chip Stacking 

일부 높은 용량의 모듈에서는 칩이 모두 PCB에 일치되도록 하기 위해서 칩들을 다른 칩 위에 쌓는다.

패키징 Packaging

잘라진 웨이퍼 조각(chip)들을 기판(substrate)에 연결하고 칩을 보호하기 위해 수지 등으로 감싸는 과정이다.

Wire bonding과 bumping 방식이 있다.

현상 Development

노광된 웨이퍼를 약품 등의 처리를 하여 굳어지지 않은 PR 부분을 제거하여 형상이 나타나게 하는 과정이다. 

후공정 Back-End Process 

전공정 과정이 끝난 가공된 웨이퍼를 잘라 각각의 칩을 하나의 독립된 소자로 만드는 과정을 후공정이라고 한다. 

APCVD Atmospheric Pressure CVD

상압의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.

AP Application Processor

스마트폰이나 태블릿 PC 등과 같은 휴대형 기기에 PC의 CPU와 노스브릿지, 사우스브릿지를 하나의 칩(System-On-Chip)에 모두 포함하여 만든 것이다.

ASIC Application Specific IC

고객의 주문에 의해 설계된 특정회로를 반도체 IC로 응용 설계하여 주문자에게 독점 공급하는 user 전용 규격의 주문형 IC이다.

신속하고 다양한 설계능력을 필요로 하는 제품으로서, 다품종 소량생산 체제에 맞는 유망 사업분야이다.

Assembly 조립

패키징된 칩을 메인보드에 실장하는 과정으로, leadframe 방식과 BGA 방식이 있다.

BGA Ball Grid Array 

패키징된 칩을 격자 방식으로 배열된 금속 ball을 이용하여 실장하는 방식이다.

공간 활용률이 높고 신호 손실이 적다는 장점이 있다. 

Bit & Byte

메모리 반도체 기억용량의 단위로 사용되며 256Mb은 2억 5,600만개의 bit 데이터를 저장할 수 있는 용량이다.

1Byte는 8bit의 용량과 같은데, 대략적인 저장용량을 살펴보면 10MB에는 책 1권, 1분 분량의 오디오 CD 정보를 저장할 수 있다.

1GB(1025MB)에는 백과사전, 2시간 분량의 오디오 CD, 15분 분량의 디지털 TV 컨텐츠 정보를 저장할 수 있다.

참고로 최근 주요 스마트폰의 메모리 용량은 16GB이다.

CISC Complex Instruction Set Computer

마이크로 프로그래밍을 통해 사용자가 작성하는 고급언어에 각각 하나씩 기계어를 대응시킨 회로로 구성된 CPU 설계방식의 한 종류이다.

명령어가 복잡하기 때문에 명령어를 해석하는데 시간이 오래 걸리지만, 호환성이 좋고, 세밀한 조작을 할 수 있다는 장점이 있다. 

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

P-채널과 N-채널을 하나의 회로에 동시에 구성하여 단위 트랜지스터의 기능을 발휘하게 한 IC 회로로써 생산 원가 및 소비 전력이 낮은 장점을 지니고 있다.

CPU 중앙처리장치, Central Processing Unit

소프트웨어 명령의 실행이 이루어지는 PC의 주 연산 장치이다.

CSP Chip Scale Package

칩 크기와 동일하거나 약간 큰 반도체를 총칭한다.

보드에 칩을 연결할 때 핀을 사용하지 않는다.

주로 핸드셋, 노트북 등에 사용되며, 급속하게 보급되고 있는 초박형∙경량∙초소형 반도체이다. 

CVD 화학기상증착, Chemical Vapor Deposition 

웨이퍼 위의 보호막을 만들 때 사용되는 공정이나 설비를 지칭한다.

반응실(chamber) 내에 반응가스를 주입하고 열 플라즈마(plasma) 등의 에너지를 부여하여 화학반응에 의해 고체 생성물을 웨이퍼 위에 형성시키는 방법이다. 

Dicing 

가공된 웨이퍼 상에 형성된 chip을 diamond blade 등을 사용해 자르는 과정이다.

Die

전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 아주 작은 얇고 네모난 반도체 조각이다.

수동소자, 능동소자 또는 집적회로가 만들어진 반도체 칩을 말한다.

DIMM Dual Inline Memory Module

PCB 양면의 핀이 전기적으로 분리되어 있으며 각각이 CPU와 데이터를 주고 받는다.

DIMM은 한 면이 84핀으로 양쪽 168핀이며, 64bit 데이터 폭을 가진다.

펜티엄 CPU와 SDRAM이 등장한 이후 일반적으로 사용되고 있는 메모리 Module이다.

DRAM Dynamic Random Access Memory

임의접근기억장치(Random Access Memory)의 한 종류로 정보를 읽고 쓰는 것이 가능하나 전원이 공급되고 있는 동안이라도 일정기간 내에 주기적으로 정보를 다시 써넣지 않으면(refresh) 기억된 내용이 사라지는 메모리이다.

그러나, memory cell(기억소자) 당 가격이 싸고 집적도를 높일 수 있기 때문에 대용량 메모리로서 널리 이용되고 있다. 

EEPROM Electrically Erasable Programmable ROM

전기적으로(electrically), 지울 수 있고(erasable), 프로그램 할 수 있는(programmable) 메모리이다.

Fab Fabrication

웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 마스크를 사용하여 특정부분을 선택적으로 깎아내는 작업을 되풀이함으로써 전자회로를 구성해 나가는 전과정이다.

또한, 반도체를 만드는 공장을 Fab이라고도 한다.

Flip Chip

칩의 pad 위에 bump 등을 형성하고 이를 이용해 기판에 칩을 바로 접합한 칩이다.

GPU 그래픽 처리 장치, Graphic Processing Unit 

PC의 영상정보를 처리하거나 화면 출력을 담당하는 연산처리장치이다.

CPU의 그래픽 처리 작업을 돕기 위해 만들어졌으며, 그래픽카드 또는 마더보드에 들어있다.

HDD 하드디스크 드라이브, Hard Disk Drive

자성체를 입힌 원판형 알루미늄 기판을 회전시키면서 자료를 저장하고 읽어 내도록 한 보조기억 장치이다.

디스크가 레코드판처럼 겹쳐져 있는 것으로, 디스크 위에는 트랙이라고 하는 동심원이 그려져 있다.

이 동심원 안에 데이터를 전자적으로 기록하게 된다.

헤드는 트랙에 정보를 기록하거나 읽어 내는 역할을 한다.

IC Integrated Circuit

트랜지스터나 다이오드 등 개개의 반도체를 하나씩 따로 따로 사용하지 않고 수많은 전자 회로가 서로 연결되어 하나의 특정한 기능을 지니게 한 집적회로이다. 

LCD Driver IC Liquid Crystal Display Integrated Circuit

액정을 이용한 평면디스플레이장치(액정 panel)를 구동 또는 제어하기 위해 필수적인 IC로서, 소형 패널용 문자형 IC와 대형 패널용 문자형 그래픽 IC로 구분된다.

LPCVD Low Pressure CVD

저압(0.2~0.7mm Tott)의 용기내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.

Mask ROM Mask Read Only Memory

제조공정시 고객이 원하는 정보를 저장함으로써 모니터 등 OA(Office Automation, 사무 자동화) 기기의 문자정보 저장용과 전자게임기의 소프트웨어 저장용, 전자사전 등으로 이용되고 있다.

특히, 한글 및 한자를 많이 사용하는 동양문화권 OA에 폭넓게 사용되고 있다.

MCP Multi-Chip Package

박판의 기판위에 얇은 칩을 여러개 수직적층하여 기존의 CSP 실장 기술을 접목하여 메모리의 용량과 성능을 증가시키고, 면적 효율을 극대화 시킨 구조이다.

MHz Megahertz

흔히 DRAM의 종류 중 ‘DDR3 1Gb 1333MHz’의 이름을 가지고 있는 DRAM이 있는데 여기서 1Gb은 용량을, 1333MHz는 속도를 나타낸다.

숫자가 클수록 속도가 빠르다.

통상 DDR의 경우 같은 공정에서 생산하더라도 제품별로 속도의 차이가 발생하게 되며, DRAM 업체들은 생산된 DRAM의 속도를 측정하여 구분해서 판매한다.

MLC & SLC Multi Level Cell & Single Level Cell

Flash 메모리의 경우 웨이퍼당 칩 생산량을 증가시킬 수 있는 방법으로 미세회로 공정 외에 하나의 메모리 셀에 여러 개의 데이터를 저장하는 MBPC(Multi Bit Per Cell) 기술이 있다.

셀 당 데이터를 하나만 저장한 칩을 SLC(Single Level Cell), 두 개 이상 저장한 칩을 MLC(Multi Level Cell)이라고 한다.

현재는 메모리 셀 당 2개의 데이터를 저장하는 MLC 기술이 일반화 되어 있다.

OS 운영체계, Operating System

컴퓨터의 하드웨어(Hardware) 시스템을 관리할 뿐만 아니라, 응용 소프트웨어(Software)를 실행하기 위하여 하드웨어 추상화 플랫폼과 공통 시스템 서비스를 제공하는 시스템 소프트웨어이다.

Oxidation 산화막 형성

고온에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면과 화학반응 시켜, 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 과정이다.

PCB 인쇄 회로 기판, Printed Circuit Board

집적 회로, 저항기 또는 스위치 등의 전기적 부품들이 납땜되는 얇은 판이다.

대부분의 컴퓨터에 사용되는 회로는 이 인쇄 회로 기판에 설치된다.

PoP Package on Package

패키지가 끝난 칩 위에 다른 패키지를 적층하여 패키지하는 기술을 말한다.

PR 감광액, Photoresist

웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치(etch)하도록 PR 패턴을 현상 공정에서 남긴다.

PVD 물리기상증착, Physical Vapor Deposition

웨이퍼 위에 생성하고자 하는 막을 물리적인 방법으로 증착시키는 방법이다.

RAM Random Access Memory

기억된 정보를 읽어내기도 하고(read) 다른 정보를 쓸 수도 있는(write) 메모리로서, 전력 공급이 차단되면 데이터가 소실되는 휘발성(volatile) 메모리다.

컴퓨터의 주기억장치, 응용프로그램의 일시적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다.

RAM에는 일반적으로 동적(dynamic) RAM인 DRAM과 정적(static) RAM인 SRAM이 있다.

Probe Test

패키징에 앞서 Fab 공정이 완료된 wafer 내의 각 chip의 전기적인 동작 상태를 점검하여 chip의 양(good)과 불량(failure)을 선별하기 위한 검사이다.

RDIMM Registered Dual Inline Memory Module

서버와 워크스테이션용으로 주로 사용되는 메모리 Module이다.

ROM Read Only Memory

기억된 정보를 단지 읽어낼 수만 있는 메모리로서, 전력 공급과 무관하게 데이터가 보존되는 비휘발성(non-volatile) 메모리이다.

컴퓨터의 OS(운영체제), 각종 전자기기의 고정된 프로그램 등을 저장하는데 사용된다.

RISC Reduced Instruction Set Computer

마이크로프로세서를 설계하는 방법 가운데 하나로, 다양한 종류의 명령어들을 줄여 고속의 몇 가지 명령어들만을 사용하여 CPU 구조를 단순하게 만드는 방식이다.

호환성은 CISC 방식보다 떨어지나, 빠르게 해석할 수 있고, 비교적 전력 소모가 적다.

SSD Solid State Drive 

하드 디스크 드라이브(HDD)와 비슷하게 동작하면서도 기계적 장치인 HDD와는 달리 반도체를 이용하여 정보를 저장한다.

임의접근을 하여 탐색시간 없이 고속으로 데이터를 입∙출력할 수 있으면서도 기계적 지연이나 실패율이 적다.

외부의 충격으로 데이터가 손상되지 않으며, 발열 및 전력소모가 적고, 소형·경량화할 수 있는 장
점이 있다.

SIMM Single Inline Memory Module

8bit 대역폭을 가진 30핀과 32bit 대역폭을 지원하는 70핀 모듈이 있다.

각 핀은 기판 양쪽으로 접속할 수 있도록 되어 있으나 앞면과 뒷면 핀은 전기적으로 같은 신호를 보낸다.

486 CPU까지 주로 사용된 메모리 Module이다.

SODIMM Small Outline Dual Inline Memory Module

주로 노트북에 사용되는 소형 메모리 Module이다.

TSV 실리콘 관통전극, Through Silicon Via Interconnection

실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터 두께로 얇게 만든 칩에 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법을 말한다.

UI User Interface

일반 사용자들이 컴퓨터 시스템 또는 프로그램에서 데이터 입력이나 동작을 제어하기 위하여 사용하는 명령어 또는 기법을 말한다.

일반 사용자들이 컴퓨터 시스템 또는 프로그램에서 데이터 입력이나 동작을 제어하기 위하여 사용하는 명령어 또는 기법을 말한다. 

자료출처 : 대우증권/맥파워의 황금DNA탐색기

[궁댕토닥토닥]

감사합니다