반도체 삼성전자와 하이닉스, 미국에서 차세대 메모리 공개… “한국, 2031년까지 1위”

[お持て成し]

삼성전자와 하이닉스, 미국에서 차세대 메모리 공개… “한국, 2031년까지 1위” / 8월 7일(금) / 한겨레 신문

삼성전자 DRAM 개발실의 김경륜 상무가 현지 시간으로 4일, 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 메모리 이벤트(FMS 2026)에서 발표했다=삼성전자 제공

삼성전자와 SK하이닉스 등 한국의 반도체 기업들이 글로벌 무대에서 동시에 차세대 메모리 제품과 기술을 선보이며 본격적인 시장 선점 경쟁에 돌입했다. 한국 기업들의 적극적인 투자 덕분에 한국이 향후 5년간 세계 메모리 시장에서 1위를 유지할 전망도 제시되었다.

삼성전자는 현지 시간으로 4일, 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 “메모리와 스토리지 디바이스의 미래(FMS) 2026” 행사에서 새로운 설계 방식과 구조를 적용한 차세대 메모리 시제품을 처음 공개했다. 이번 행사에는 한국 기업뿐만 아니라 미국의 마이크론, 샌디스크, AMD, IBM, 일본의 키오쿠시아 등 반도체·정보기술(IT) 분야의 글로벌 기업들이 폭넓게 참여했다.

삼성전자 DRAM 개발실의 김경륜 상무는 이날 기조 연설에서 차세대 3D 메모리 ‘zHBM’ 시제품을 공개했다. AI 연산에서 ‘뇌’ 역할을 하는 AI 가속기(xPU) 칩 옆에 고대역폭 메모리(HBM)를 평면적으로 배치하는 기존 방식 대신, 가속기 위에 메모리 칩을 아파트처럼 수직으로 여러 겹 쌓는 새로운 구조를 도입했다.

이처럼 AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화하고, 데이터 이동 속도와 전력 효율을 향상시킨 덕분에 차세대 메모리인 8세대 HBM(HBM5) 대비 최대 8배 높은 성능을 발휘할 수 있다고 삼성전자는 설명하고 있다. 그날 김 상무는 “삼성이 돌아왔다”며 자신감을 보였다. 

삼성전자는 현장에 20평 규모의 전시 공간을 마련했다. 여기에서는 스마트폰 등 디지털 기기에서 직접 실행되는 온디바이스 AI에 최적화된 고성능 NAND 플래시 메모리 ‘zNAND-O’ 모형과 400층 이상 초고층 ‘제10세대 V10 BV‑NAND’ 제품도 공개했다. 대규모 데이터 처리가 필수적인 AI 환경에 대응하고, 데이터의 읽기·쓰기 성능을 향상시킨 점이 공통적이다.

같은 날, SK하이닉스도 자체 전시 부스를 마련해 미국 샌디스크와 공동 개발한 차세대 AI 메모리인 고대역폭 플래시(HBF)의 표준 규격을 처음 공개했다. DRAM 칩을 수직으로 쌓는 고대역폭 메모리(HBM)처럼 NAND 플래시를 8층 또는 16층으로 겹쳐 용량을 확대한 것이 특징. AI 모델의 실행(추론)이 보편화되고, 처리해야 할 데이터가 급증한 상황을 반영한 새로운 기술이다. 

프랑스 시장 조사 회사 요얼 그룹의 애널리스트 조세핀 라우는 같은 날 행사에서 한국이 2031년까지 ‘메모리 강국’ 자리를 유지할 것으로 전망했다. 한국 정부가 5년 이내에 메모리 생산 능력을 2배로 확대할 계획을 세우고, 삼성전자와 SK하이닉스도 이에 맞춰 적극적으로 투자를 확대하고 있는 것이 그 이유다. 라우 씨는 AI 시장이 ‘학습’에서 ‘추론’ 중심으로 변하고, 메모리 신제품 개발 주기도 기존 18개월에서 12개월로 크게 단축됐다고 분석했다. 시장이 급변하는 상황에서 메모리 기업들의 대응 속도도 빨라질 수밖에 없다는 의미다. 

박종오 기자 (문의: japan@hani.co.kr )

サムスン電子とハイニックス、米国で次世代メモリ公開…「韓国、２０３１年まで首位」

サムスン電子とハイニックス、米国で次世代メモリ公開…「韓国、２０３１年まで首位」（ハ

サムスン電子とハイニックス、米国で次世代メモリ公開…「韓国、２０３１年まで首位」/ 8/7(金) / ハンギョレ新聞

サムスン電子DRAM開発室のキム・ギョンリュン常務が4日（現地時間）、米国カリフォルニア州サンタクララ・コンベンションセンターで開催されたメモリイベント（FMS 2026）で発表を行っている＝サムスン電子提供

　サムスン電子やSKハイニックスなど、韓国の半導体企業各社がグローバルな舞台で一斉に次世代メモリ製品と技術を披露し、本格的な市場先取り競争に入った。韓国企業の積極的な投資により、韓国が今後5年間、世界のメモリ市場で首位を維持するという見通しも示された。

　サムスン電子は4日（以下、現地時間）、米国カリフォルニア州サンタクララ・コンベンションセンターで開催された「メモリとストレージデバイスの未来（FMS）2026」イベントで、新しい設計方式と構造を適用した次世代メモリの試作品を初めて公開した。このイベントには、韓国企業だけでなく、米国のマイクロン、サンディスク、AMD、IBM、日本のキオクシアなど、半導体・情報技術（IT）分野のグローバル企業が幅広く参加した。

　サムスン電子DRAM開発室のキム・ギョンリュン常務は、この日の基調講演で、次世代3Dメモリの「zHBM」の試作品を披露した。AI演算において「脳」の役割を果たすAIアクセラレータ（xPU）チップの横に、高帯域幅メモリ（HBM）を平面的に配置する従来の方式に代わりに、アクセラレータの上にメモリチップをマンションのように垂直に何層にも積み上げる新しい構造を採用した。

　このように、AIアクセラレータとメモリ間のデータ移動距離を最小化し、データの移動速度と電力効率を向上させたおかげで、次世代メモリの第8世代HBM（HBM5）に比べ、最大8倍の高い性能を発揮できるとサムスン電子側は説明している。この日、キム常務は「サムスンが帰ってきた」と自信を見せた。

　サムスン電子は会場に20坪規模の展示スペースを設けた。ここでは、スマートフォンなどのデジタル機器上で直接実行されるオンデバイスAIに最適化された高性能NANDフラッシュメモリ「zNAND-O」の模型や、400層以上の超高積層「第10世代V10 BV-NAND」製品も公開した。大規模なデータ処理が不可欠なAI環境に対応し、データの読み書き性能を向上させた点が共通している。

　同日、SKハイニックスも独自の展示ブースを設け、米サンディスクと共同開発した次世代AIメモリである高帯域幅フラッシュ（HBF）の標準規格を初めて公開した。DRAMチップを垂直に積み上げる高帯域幅メモリ（HBM）のように、NANDフラッシュを8層や16層に積み重ねて容量を拡大したことが特徴。AIモデルの実行（推論）が普及し、処理すべきデータが急増したことを踏まえた新技術だ。

　フランスの市場調査会社ヨール・グループのアナリスト、ジョセフィン・ラウ氏は同日のイベントで、韓国が2031年まで「メモリ強国」の座を守ると見通した。韓国政府が5年以内にメモリ生産能力を2倍に拡大する計画を立て、サムスン電子とSKハイニックスもそれに合わせて積極的に投資を拡大していることがその理由だ。ラウ氏は、AI市場が「学習」から「推論」中心へと変化し、メモリ新製品の開発サイクルも従来の18カ月から12カ月へと大幅に短縮されたと分析した。市場環境が急変する中、メモリ企業の対応スピードも速くならざるを得ないという意味だ。

パク・チョンオ記者 (お問い合わせ japan@hani.co.kr )