스크랩 世界 추세 속의 일본 반도체 산업 - 졸업 논문

[김동석]

 

世界 추세 속의

           日本 半導體 産業

                      指導  玄 鎭 德  敎授

            이 論文을 日本學 卒業學位 論文으로 提出함.

                         2003年   6月

                                   江原大學校 經營大學

                                        經營․觀光學部

                                         20001030

                                         金 旼 宣

                                                    (日本語 複數專攻)

                         目          次

第 1 章   序論

      第 1 節  硏究의 目的

      第 2 節  硏究의 方法 및 範圍

第 2 章 日本의 半導體 産業

     第 1 節  日本의 半導體産業 現況

     第 2 節  日本 半導體 産業의 發展過程

第 3 章  韓國 半導體 産業

     第 1 節 韓國 半導體 産業 現況 

     第 2 節 韓國 半導體 産業의 發展過程                          

    第 3 節 過去 急 成長한 韓國 半導體 産業

     第 4 節 韓國 半導體 産業의 當面課題 및 育成方向

第 4 章 世界 半導體産業의 動向

     第 1 節 대만 半導體 産業의 動向

     第 2 節 中國 半導體 産業의 動向

     第 3 節 美國 半導體 産業의 動向

     第 4 節 유럽의 半導體 産業 動向

第 5 章 日本 半導體 産業의 診斷

    第 1 節 日本 半導體産業의 競爭力 低下理由

    第 2 節 日本 半導體 産業育成 方案

    第 3 節 日本의 半導體産業 振興政策

第 6 章  앞으로 半導體産業의 發展方案

  第 1 節 앞으로의 現況

  第 2 節 앞으로 半導體 産業의 發展方案

                 第 1 章   序       論

第 1 節  硏究의 目的

날로 치열해지는 국제경쟁의 높은 벽을 넘어서 수출증대를 도모하고 나아가 선진경제의 기반을 다지기 위해서는 끊임없는 기술개발과 생산성 향상을 통해서만 국제경쟁을 기를 수 있다.

 최근 일본 반도체 산업이 비메모리 부문에서는 미국과 유럽에, 메모리분야에서는 한국과 대만 등에 밀리며 고전을 면치 못하고 있다.  세계 반도체산업 또한 공급과잉에 의한 가격하락으로 장기간의 불황에 처해있어서 세계 반도체업계들 간의 구조개혁이 매우 활발히 진행되고 있다. 각 기업들은 반도체 산업의 새로운 성장 패러다임의 변화에 대응하여 사업구조의 개편, 경영진의 쇄신, 재무체질의 개선 등 자신의 약점을 극복하려고 노력하고, 핵심역량의 강화, 최종제품과의 직결된 연구개발, 주변산업의 재구축 등 자신의 강점을 재정비하고 있다.

 이는 반도체산업을 둘러 싼 성장여건이 급격히 변화되었기 때문이며, 과거 90년대를 메모리전성시대라면 21세기는 SoC(System-on-a-Chip)시대라 할 수 있다. 이러한 환경변화에 따라 경쟁국의 반도체업계들은 반도체 시장의 흐름을 신속하게 간파하고 획기적인 구조조정을 통해 과감하게 시장에 적극 대응하고 있다. 일본은 메모리를 과감하게 버리고 복합 기능 칩(Soc)육성에 관민이 박차를 가하고 있다. 대만은 메모리반도체 대신 파운드리(수탁 가공생산)로 성공을 거두고 있고, 중국은 세계의 공장답게 다국적기업들을 끌어들여 곳곳에 반도체공장을 세우고 있다. 유럽업계는 합작투자 등 전략적 제휴를 강화하여 생존전략을 구사하고 있다.

第 2 節  硏究의 方法 및 範圍

일본 반도체산업은 1980년대에 세계 시장에서 높은 점유율을 보였으나, 90년대 이후 경쟁력이 크게 약화되었다.

본 논문은 세계 반도체 산업의 동향을 알아보고 이 흐름에 맞추어 일본 반도체 산업의 진흥방법을 모색하게 위해 문헌연구와 실제 가능한 자료를 바탕으로 연구를 병행했으며 하루가 다르게 바뀌는 반도체분야의 변화와 성장을 파악하기 위해서 먼저 세계의 반도체 기술수준을 확실히 알아볼 필요가 있었다. 따라서 본 논문에서는 국내외 반도체 산업의 현황을 신문 및 전문서적과 보고서 등을 통해서 정리해보고, 알아본 세계의 흐름을 통해서 현재 불황에 시달리는 일본반도체의 돌파구를 찾으려고 노력하였다.

먼저 일본반도체산업의 발전과정과 현황, 그리고 세계의 현황을 살펴보고 일본반도체산업이 침체된 이유와 치열한 세계경쟁에서 앞으로 어떻게 해야하는지에 초점을 맞추었다.   

그리고 본 논문은 다음과 같은 순서로 진행되었다. 먼저 1장에서는 서론으로써 연구목적과 방법 및 범위가 언급되었고, 2-4장에서는 본론으로써 일본과 세계 반도체 산업의 발전과정과 현황 및 전망을 살펴보고, 5장에서는 일본반도체산업의 발전방향에 대해 초점이 맞추어져 있다. 마지막으로 6장에서는 세계 반도체 산업의 전략 및 앞으로의 흐름에 관해 언급하면서 본 논문의 결론을 내렸다. 

                 第 2 章 日本의 半導體 産業

第 1 節  日本의 半導體産業 現況

과거 일본은 1954년부터 ¹⁾반도체 산업에 진입하였다. 그로부터 32년만인 1986년에 미국을 제치고 세계1위로 급부상하게 된다. 그러나 1993년에는 일본기업의 점유율이 41.4%로 미국기업의 41.9%에 근소한 차이로 뒤져 재 역전 당하고 만다. 그렇다면 현재 일본의 반도체산업은 어떤 상황에 직면해 있는 지 조사해볼 필요가 있다.

일본 반도체기업의 강점은 생산기술의 우위에 있었다. 일본 반도체기업의 경쟁력의 원천은 이미 개발된 제품을 양산기술 등을 이용해 가격이 저렴한 제품을 생산하는데 있었던 것이다. 이러한 역량을 바탕으로 일본 반도체기업들은 미국 반도체기업들을 제치고 80년대 DRAM 산업을 주도할 수 있었다.

그러나 한국기업들과 미국 마이크론 테크놀러지社 등의 적극적인 기술개발 등으로 일본기업들의 강점이 점차 퇴색하고 있다. 게다가 최근에는 대만기업들마저 일본 반도체기업과의 기술격차를 좁히려 하고 있다.

미세가공 기술 등을 이용한 양산기술로 최근 일본기업을 앞지른 대표적인 예가 마이크론테크놀러지社이다. 마이크론테크놀러지社는 칩 크기를 줄이는 데 기술력을 집중하여 한 장의 웨이퍼에서 16M DRAM을 가장 많이 생산해왔다. 그 결과 DRAM가격이 폭락하는 상황에서도 비교적 높은 수익을 창출해 세계적인 DRAM기업으로 부상할 수 있었다.

또한 90년대 중반부터 일본 반도체기업들은 한국기업들에게 시장점유율에서 밀리고 있으며, 최근에는 SDRAM (Synchronous DRAM), 램버스DRAM 등 고속 DRAM의 개발 시기, 양산 시기, 수율 등에 있어서도 한국기업들에게 추월 당하고 있다.

일본 반도체기업들은 시스템 반도체 사업분야로의 집중, DRAM 비중 축소, 해외사업 재편 등을 통해 재도약의 전기를 마련하려 하고 있다.

96년 하반기부터 시작된 DRAM 가격 폭락의 영향 등으로 일본 반도체기업들은 부진에서 벗어나지 못하고 있다. 97년 경영성과를 살펴보면 반도체 사업에서 NEC만이 유일하게 500억엔의 흑자를 실현했을 뿐이고 후지츠가 500억엔, 미츠비시가 600억엔의 적자를 기록하는 등 대부분의 기업들이 적자를 면치 못한 것으로 알려졌다. 더욱이 98년 경영실적은 사업환경이 더욱 악화됨에 따라 97년보다 호전될 것으로 기대하기는 어려울 전망이다.

第 2 節 日本半導體 産業의 發展過程

(1) 1단계:1954년~1971년

주로 개별 반도체를 중심으로 발전되시기이다. 초기 시장은 히타치, 도시바, 마쓰시타전기, 일본전기(NEC), 미쓰비시전기, 고베코교(Kobe kogyo)에 의해 주도되었다. 이시기에 반도체 기술 발전의 백미는 신규 진입 기업의 하나인 소니에 의해 이루어졌으며, 소니는 1957년 소형 ²⁾트랜지스터(Transistor)를 이용한 라디오를 개발하여 큰 성과를 이루었다. 또한 일본정부는 기술이전은 직접투자에 의한 것보다는 기술계약(licensing)에 의해 더 효과적으로 이루어질 것이라는 믿음을 지니고 있었다.

(2) 2단계:1971년~1981년

기술적인 초점을 ³⁾MOS IC로 전환하여 미국을 추격한 기술적인 기반을 구축한 시기로써 이 당시 미국은 기술력의 선도를 군수, 산업용 수요와 연결하여 유지하였다. 이에 반해 일본은 미국에서 이전 받은 핵심 기술을 응용하여 민생용 수요와 성공적으로 연결시킴으로써 수요를 창출하여 미국을 앞지르는 계기를 마련하게 된다. 또한 공동 VLSI기술 개발 사업으로 인해 1000개 이상의 특허를 등록하고,64K DRAM을 개발, 성공하여 미국 기술을 추격하는 전환점을 만들었다.

(3) 3단계: 1981년~1986년

이 시기는 일본이 적극적인 설비투자로 세계 DRAM 시장을 석권했으며, 반도체 출하액, 세계 시장 점유율, 세계 10대 반도체 기업 등에 있어서 완전히 미국을 압도하는 시기라고 할 수 있다.

이 시기에 일본은 기술 발전의 속도가 빨라지면서 보다 적극적인 자세로 반도체 개발을 위한 연구, 개발에 치중하였다. 그 결과 산업 연구 개발 투자액은 1975년의 515억 엔에서 1985년 2600억 엔으로 10년간 12배정도 증가하였다.

(4) 4단계: 1990년대~

세계 시장 점유율에 있어 미국에게 선두를 내어 준 암흑의 기간이라고 할 수 있다. 이 때 후발국인 한국은 1980년대 초 일본이 미국을 역전시켰던 MOS메모리 분야에 적극적으로 투자하면서 일본 따라잡기를 시도하였고 일본 기업의 1990년대부터의 설비투자 감소는 한국 기업들에게 추격의 기회를 제공하기도 하였다. 

                   第 2 章  韓國 半導體 産業

第 1 節 韓國 半導體 産業 現況

반도체는 전자, 정보통신, 자동차, 기계, 항공우주 등 차세대 제품에 대한 기술적 파급 효과가 큰 첨단기술 산업이다.

국내 반도체 산업은 1965년 외국 업체들의 조립생산으로 시작하여, 1983년 메모리 일관사업 진출 이후 급속한 발전을 이룩하여, 현재는 미․일에 이어 세계 3위의 반도체 공급 국으로 성장하게 되었다. 국내 반도체업계는 소자, 장비, 재료, 설계 용역 업 분야 등 약 250여개 업체로 구성되어있다.

第 2 節 韓國 ⁴⁾半導體 産業의 發展過程

(1) 단순 조립기(1965~1973)

1965년 미국계 회사들의 국내 진출과 함께 태동한 일본계 기업들도 합작 법인의 형태로 진출하게 되었다. 그 후 1970년에 LG, 아남산업이 반도체 사업에 진출하여 많은 성장을 하게 되었다. 이 시기의 특징으로는 첫째, 선진국 기업의 반도체 조립 기술을 수용하고 기술자를 양성하였다. 둘째, 저임금과 노동력을 위주로 단순 조립생산 단계를 이룩하였다. 셋째, 생산된 제품을 전량 수출하게되는 성과를 이루었다. 마지막으로 유능한 조립기술 인력을 배출하고 반도체산업 발전의 토대를 이루었다.

(2) 저위기술 획득 및 개발기(1974~1982)

1974년에 이르러 웨이퍼 가공을 주목적으로 하는 한국 반도체가 설립되었고, 1976년 대한 전선의 대한 반도체가 설립된 후에 금성에게 인수되어 미국AT&T사와 합작하여 금성반도체를 설립하게된다. 그리고 1978년 9월경에는 웨이퍼 가공에서 조립까지 일괄생산체제를 구축한다.

이 당시 페어차일드사는 한국 공장을 인수하고 미국의 알파메탈사로부터 생산 설비 도입 등 과감한 투자를 시도하지만 삼성, LG이외의 국내 반도체 기업들은 시설확장, 기술개발, 선진기술 도입에 매우 소극적인 태도를 보여 아쉬움을 남겼다.

(3) 성장기(1983~1987)

이 시기는 재벌그룹들이 본격적인 진출을 시작하고 투자를 증가시키는 때였다. 특히 82년에는 삼성,  83년에는 현대와 금성이 두드러졌고 이 대기업들은 1983~1984년 사이에 ⁵⁾미국의 실리콘밸리에 현지 법인을 세우면서 첨단기술 획득을 위해서 다방면으로 노력하였다.  그리고 1986년에는 대우그룹이 미국의 자이모스사를 인수하여 대우자이모스 테크놀로지를 설립하여 경쟁국면을 통해 발전의 계기가 되었다.

(4) 자력성장기(1988~1994)

이 시기의 가장 큰 특징으로는 일관 공정생산에 의한 반도체 수출을 꼽을 수 있다. 1980년대 말부터 1992년 초까지 반도체 재료와 관련해서 외국업체들의 진출 이 후 반도체 장비 및 부품 관련 업체들의 국내 장비생산을 위한 합작 투자가 활성화되어 기술수준이 향상되게 된다.

1989년 이후 미국, 일본계 반도체 조립기업들은 탈 한국화 현상이란 경쟁가속화, 고 임금, 노사분규 등의 문제점에 노출되게 된다. 90년 이후에는 반도체 조립분야와 ASIC분야에의 현지시장 개척을 목적으로 진출하게 되고, 현지 기업에의 지분에 또한 참여하게 된다.

특히 이 시기에는 기술의 소화, 개량단계에서 명실공히 자체개발 단계로 도약을 하게되는 중요한 시기이고 ⁶⁾메모리 분야에서 또한 선진국과 거의 대등하다.

그러나 설계기술, 장비 생산 기술, 재료생산 기술 등에선 여전히 선진국과 많은 격차를 보이고 있다.

<표1-1> 메모리  (Semipark. co. kr )

구분	64K	256K	1M	4M	16M	64M	256M
선진국	79년	82년	85년	87년 말	90년 초	92년 말	95년 말
삼성	83년	84년	86년	88년 초	90년중반	92년 말	94년 8월
격차	4년	2년	1년	6개월	3개월	동시	선행

(5) 생산체제 고도화 시기(1995~2000)

90년대 중반 이후 고속 ⁷⁾DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 시대로 넘어가게 된다. 1998년에는 고속 DRAM에 역량을 집중하여 최초로 PC100용 64메가 싱크로너스 DRAM과 128메가 DRAM을 양산하기 시작하였다. 이 시기에는 뛰어난 압축 기술이 큰 특징이고 또한 일본을 제치고 세계 제1의 DRAM분야 생산국으로 부각하는 중요한 시기라고 할 수 있다.

(6) 국내 반도체 시장의 향후 전망

2000년부터는 세계시장이 본격적으로 호황기에 접어들 것으로 예상됨에 따라 수출도 이에 편승하여 순조로울 것으로 전망되고 있다. 그러나 주요 시장조사기관과 전문가들이 2003년 이후 공급과잉 상황의 재연을 우려하여 이를 막기 위해 장기적인 사전 대책 또한 필요하다고 경고하고 있다.

<표1-2> 한국 반도체 산업의 발전 과정 (Semipark. co. kr)

구분	단순 조립기 (1965~73)	저위기술 획득 및 개발기(1974~82)	고위기술 획득 및 개발기(1988~현재)
♣대상기술	♣조립기술	♣웨이퍼 가공기술	♣고집적반도체 공정 기술 및 설계기술
♣이전형태	♣외국인 투자	♣성숙기술 도입	♣초기단계의 기술,연구 개발 단계의 기술도입
♣이전구조	♣수직적 분업	♣수직적 분업	♣수평적 분업
주요 기술활동	조립기술의 흡수	웨이퍼 가공기술의 흡수	고집적반도체 공정 기술 및 설계기술의 흡수및 자체개발
기술발전의 주체	정부	정부출연연구기관, 기업	기업
주요기술인재	기능공및 숙련공	기술자	기술자,과학자
연구개발 특성	단순의존형	모방적 의존형	창조적 모방 창조
혁신체제의 특징	정부,외자 주도형	정부출연연구기관주도, 기업추종형	기업주도, 정부출연 대학보완형

第 3 節 過去急成長한 韓國 半導體 産業

(1) 한국 반도체산업의 위치

한국의 반도체산업은 후발주자로서 경이적인 발전을 이룩하였고 특히 메모리에서는 주도국의 하나로 급부상하였다.

반도체 수출은 지난 84년에 10억 달러를 넘어선 이후 94년에는 130억 달러를 수출하였고(국내 수출 품목 중 처음으로 100억 달러 돌파), 지난해에는 221억 달러를 수출하여 전년에 비하여 70.3%나 성장하였다. 지난 84년만 해도 세계 반도체시장 점유율이 1% 미만이었으나 95년에는 미국(39.8%), 일본(39.5%)에 이어 3위(10.3%)를 차지했고 메모리에서는 일본(43.5%)에 이어 2위(25.8)를 차지하게 되는 성장을 이룩한다.

업체별 매출순위에서도 지난 92년에 삼성전자가 도시바를 제치고 DRAM 분야에서 首位를 차지한 후 현재까지 톱의 자리에 있고 95년에는 메모리 분야에서 한국의 반도체 3社가 세계 1, 5, 7위를 차지하였다.

<표1-3> 반도체업계 매출순위(95년)( http://www.ksia.or.kr)

순위	반도체 전체	메모리
1	인텔(8.7)	삼성전자(13.6)
2	NEC(7.5)	NEC(9.7)
3	도시바(6.7)	히타치(9.3)
4	히타치(6.0)	도시바(7.7)
5	모토롤라(5.8)	현대전자(7.4)
6	삼성전자(5.5)	TI(6.8)
7	TI(5.2)	LG반도체(4.8)
8	후지쯔(3.7)	마이크론테크놀로지(4.7)
9	미쓰비시(3.5)	후지쯔(4.7)
10	현대전자(2.7)	미쓰비시(4.6)

(2) 한국 반도체산업의 성공요인

첫째, 반도체 품목 가운데 시장규모가 크고 성장성이 높으며 대량생산의 장점이 있는 메모리 제품을 전략적으로 선택하였다.

둘째, 경영진의 결단과 강력한 리더십으로 초기단계에서부터 공격적인 투자를 감행하였다. 그 예로 투자회수에 대한 불확실한 전망에도 불구하고 그룹 총수가 반도체 사업을 선두 지휘하여 빠른 결단이 가능했고, 好․不況에 관계없이 1개 라인 건설에 1조원 이상 되는 투자를 지속하였다. 특히 지난 90년의 반도체 불황기 때 선진국이 투자에 소극적이었던 사이에 과감한 투자를 합으로써 출월의 발판을 마련하였다.

셋째, 재미 기술자 등 우수한 인력을 확보했고 현장인력의 숙련도가 뛰어나 생산收率과 공정기술면에서 경쟁우위를 확보하였다. 특히 수백 개의 공정을 거치고 收率에 의해 사업성패가 좌우되는 메모리 사업에서는 양질의 노동력 확보가 핵심이었다.

넷째, 정부가 반도체산업의 발전을 위해 입지, 자금, 기술 등을 대폭 지원했고 업계는 차세대 제품개발을 위한 공동연구에 협조하는 한편 설비투자와 기술개발 면에서는 치열한 경쟁을 벌임으로써 선진국과의 격차를 극복하게 되었다.  

第 4 節 韓國 半導體 産業의 當面課題 및 育成方向

(1) 주요 문제점

첫째, 해외 의존형의 산업구조를 취하고 있다. 반도체 생산의 90%정도를 수출하지만 국내 총 수요의 77%를 수입에 의존하고 있는 실정이다.

둘째, Memory 위주의 생산체제로써 생산 제품의 82%가 Memory제품이다. 그로 인해 경기변동에 매우 취약한 구조를 띄고 있으며, 세계시장과는 괴리된 불안정한 구조를 취하는 있다.

셋째, 국내 기반 기술의 취약을 비롯해서 전문연구체제 또한 미비한 실정이다. 그 예로 기반 기술의 해외의존이 심하고, 현존 기술의 활용체제와 기초기술 의 연구체제가 미비하다. 그리고 국가 연구소의 기반 기술 지원 체제 역시 미비한 실정이다.

(2) 당면 현황

LG반도체, 삼성전자, 현대전자산업 등이 비메모리 반도체의 기술개발을 꾸준히 추진하고 있는 가운데 최근 정부는 2003년까지 반도체 기술개발에 2650억원을 투입하기로 결정했다. 정부는 ‘시스템집적반도체 기반기술 개발사업계획’을 통해 고성능 중앙처리장치, 네트워크용 소자, 멀티미디어용 집적회로, 자동차용 반도체 등 핵심 기술을 집중개발하기로 했다. 이러한 정부의 정책은 반도체산업의 발전을 위해서 시기 적절한 것으로 보이며, 우리나라의 기업들은 DRAM에서 축적한 기술을 바탕으로 비메모리 반도체의 개발에 더욱 박차를 가하는 것이 바람직할 것으로 보인다. 

(3) 산업 육성 방향

앞으로 반도체 산업에서 다른 나라보다 우위의 지점에 있기 위해서는 몇 가지 노력들을 해야만 한다. 첫째, 차세대 DRAM 세계시장 선점 경쟁에서 주도권을 유지해야 한다. 둘째, 비메모리 개발과 생산을 위한 R&D 투자재원 조달 및 인력을 확보해야한다. 셋째, ⁸⁾주변산업들이 균형적으로 발전해야한다. 넷째, 비메모리 생산을 위한 반도체 소자 산업생산 구조가 고도화되어야 한다. 다섯째, 기초기술연구를 위한 대학 연구소들의 적극적인 정부지원과 전문화가 이루어져야 한다. 여섯째, 실패를 두려워하지 않는 과감한 연구개발 투자가 이루어져야한다.

             第 4 章 世界 半導體産業의 動向

第 1 節  대만 半導體産業의 動向

① 대만 半導體 産業의 槪要

세계 반도체경기는 2002년까지 장기 호황국면에 접어들 것으로 보인다. 초기 설비투자후 양산개시 시점까지는 약 3년정도의 시차를 두고있는데 D램 설비투자 성장률이 마이너스를 기록했던 ’98년부터 3년후인 2001년까지 최대공급부족이 예상되기 때문이다. 1999년 10월에 발표된 WSTS(세계반도체무역통계) 전망자료에 의하면 1999년 세계시장 규모는 약 1,266억불이며 ’99년부터 2002년까지 년

평균 16%대의 안정된 성장세를 유지할 것으로 전망하고 있다.

세계 반도체산업은 ’95년 호황을 구가한바 있으나 ’96년부터 ’98년까지 다시 불황을 맞이하여 많은 회사가 도산하거나 합병되는 등의 어려움을 겪었으나 대만의 반도체 산업은 독자적인 산업구조로 인하여 비교적 그 피해가 적었다.

대만의 반도체산업은 전세계적으로 독특한 산업구조에서 사업을 영위하고 있는데 크게는 일관공정(Fab), 디자인, 마스크, 패키지, 테스트, 웨이퍼재료, 케미칼, 리드프레임등을 포함한 분업화된 산업구조로 되어있으며 ’98년 전세계 반도체산업의 침체에도 불구하고 신규업체들이 반도체사업

에 진출하고 있다.

② 대만 半導體 産業의 發展過程

대만의 반도체산업은 1964년 미국자본에 의한 General Instruments社의 조립공장이 설립되어 트렌지스터를 생산한 것이 반도체산업의 시발점이 되었고 그후 Siliconix, Motorola, Philips가 진출하였는데 주로 미국 자본이 주가 되었다.

 그후 공업기술원(ITRI) 산하로 1974년 설립된 ERSO가 미국 RCA사로부터 IC제조기술을 1976년 도입한 것을 계기로 대만반도체산업의 기반기술 개발을 주도하였다.

  1980년 UMC가 설립됨으로 하여 대만내에 최초의 IC시대의 막을 열었다. 이 시기는 가전제품의 급증과 PC 수출 증가로 Custom IC의 수요가 커짐에 따라 설계전문회사들이 우후죽순처럼 설립되었고, 컴퓨터 및 일부 Logic 분야 설계에서는 경험 및 설계에서 한국을 능가하고 있었다.

1994년에는 Vanguard사가 D램 생산기술을 개발함에 따라 정부의 강력한 지원으로 투자와 생산능력이 급격히 증가하여 메모리 개발 중심의 공동 개발 체제를 구축하였다. 또한 지난 2월에는 Macronix, Mosel-Vitelic, Nan- Ya, ProMOS, Winbond등 6개사가 참가하는 대만 최초의 차세대 반도체개발을 위한 공동개발기구(ASTRO)를 설립하였다.

  ASTRO는 올해 약 4억 5천만 대만 달러(약 158억원)를 투입해 반도체 회로제조에 필요한 노광기술 및 구리등 새로운 배선재료의 응용기술 개발에 착수할 것으로 알려지고 있다. 최근 대만에서는 정부주도방식에서 탈피, UMC가 미국의 IBM등과 차세대 반도체 제조기술의 공동개발에 합의하는 등 각사들이 수탁생산 업체의 한계를 벗어나려는 움직임을 활발히 전개하고 있다.

③ 대만 半導體産業의 現況

대만의 반도체산업은 신속히 대응하는 대만 중소업체들과 우수한 생산능력으로 현재와 같은 규모의 산업 발전을 이룩할 수 있었다. 급속히 변화하고 있는 반도체산업에서 대만의 반도체업계는 더욱 독자적인 사업운영 방식으로 사업을 영위함으로서 대만은 연간 성장율을 감안할 때 전세계 반

도체산업보다 훨씬 높은 성장률을 보여왔다.

현재까지 대만의 반도체산업은 생산능력에 크게 의존하고 있다. 대만 반도체산업의 4개 부문별 매출 현황을 보면 일관공정은 4개 부문중 최대 부문으로 ’98년에는 대부분의 기업이 불경기로 어려움을 겪었지만 ’99년에는 전년도대비 56.5% 증가한 약 80억불로 매출액이 크게 증가하였고 2000년에도 D램 가격의 안정과 차세대 공정기술 개발 및 128M D램의 생산량 증가에 힘입어 ’99년대비

33.3% 증가한 약 106억불의 매출을 기록할 것으로 전망된다.

④ 대만 半導體産業의 展望

대만의 반도체산업은 독자적인 산업 인프라 구조로 인하여 수년간 고도성장을 누리고 있다. 국내 Foundry 사업의 국제화는 전세계 시장에서 대만 반도체 산업을 선도할 뿐만 아니라 패키지와 테스트와 같은 하향성 비즈니스 발전을 가져다 주었다. 이러한 점이 현재 대만이 일관공정 부문에서 강력한 위치를 차지하고 있는 것을 잘 보여주는 것이라 할 수 있다.

  제조시설에 대한 지속적이며 엄청난 투자가 반도체 산업의 주요 성공의 열쇠로 남아있다.  대만 반도체산업은 Fab시설분야에 지속적인 Capa확장에 기인하여 계속 성장할 것으로 예상된다. 그러나 고부가가치와 지적산업에로의 변화로 향후 대만 반도체 산업은 새로운 도전에 직면하게 될 것이다.

第 2  節  中國 半導體 産業의 動向

2001년 전세계 반도체 시장이 심각한 장애에 직면하였음에도 불구하고, 중국 반도체 산업은 중국 정부의 지원과 중국 반도체 산업 종사자들의 노력덕분에 계속해서 성장하고 있다.

중국 반도체 산업은 최근 빠르게 성장하고 있다. CCID-MRD 통계와 중국내 거대 IC 제조업체에 대한 서베이에 따르면, 2001년 전반적인 IC 생산량은 63억6천만대로, 이는 2000년에 비하여 8.2% 증가하였다.

총 매출액은 1.1% 증가와 함께 188억 3천만 위안에 이르렀다. 그리고 2001년 중국 IC 생산량은 작년과 거의 동일한 중국시장 수요의 26%을 충족하였고, IC 매출액은 4.2%만큼 줄어들어 중국 시장수요의 14.9%였다. 이러한 사실에서 중국 IC 산업발전은 여전히 시장 수요를 만족시키지 못하고 있다고 결론지을 수 있다. 중국 IC 매출액은 전세계 IC 시장의 1.9%와 2000년에 비해 다소 감소하여(0.208%) 중국 GDP의 0.196%을 차지하고 있다.

반도체 개별장비 분야에서는 시장에서의 수요증가와 제품 구조 최적화 때문에, 생산과 시장규모는 계속해서 증가하고 있다.

According to CCID-MRD의 통계와 거대 중국 반도체 장비기업 28개사에 대한 서베이에 따르면, 2001년 중국 개별장치 생산량은 2000년보다 5% 증가하여 228억 8천5백만대⁹⁾에 이르렀고, 매출액은 5% 증가하여 48억1천6백만 위안이었다.

第 3 節  美國 半導體 産業의 動向

미국 반도체 산업은 근본적으로 국가 전략적인 성격이 강하다. 이는 미국의 방위 산업 등 안전보장 전략이 상당 부분 반도체 기술 및 제품에 의존하고 있기 때문이다.

미국의 반도체 산업은 군수용을 중심으로 발전해 왔다. 컴퓨터의 개발도 전쟁의 효과적 수해이라는 목적에서 출발했고, 오늘날 주요 멀티미디어 수단으로 각광받고 있는 무선 정보통신도 제2차 세계대전의 와중에서 기술발전이 이루어졌다. 나아가 트랜지스터 역시 이들과 무관하지는 않았다.

이렇게 발전한 반도체 산업은 이제 가전이나 개인용 컴퓨터 등 민수용으로 더욱 맹위를 떨치고 있다. 이 때문에 가전 부문에서 세계 시장을 주름잡는 일본의 추격을 받아 87년 이후 시장 규모와 공급에서 일본에 1위 자리를 넘겨주기는 했으나 90년대에 들어서는 미국의 경쟁력을 되살리기 위한 노력이 이어지면서 반도체 산업도 계속 성장하여 93년 이후부터는 다시 일본을 추월, 선두자리를 되찾았다.

일본의 반도체 산업은 응용 제품이 많고 메모리에서 특히 강세를 나타내고 있는 반면, 미국의 경우는 설계 기술, 기초 기술면에서 타의 추종을 불허할 만큼 높은 기술력을 모유하고 있다. 그랬기 때문에 미국이 반도체 산업에서의 경쟁력 회복을 선언하고 정부의 적극적인 지원과 업계의 자구 노력이 시작된 이후 불과 2년여만에 다시 제 위치를 찾을 수 있었던 것이다.

미국은 메모리 분야에서는 일본과 우리나라에 뒤지지만 마이크로프로세서를 중심으로 한 비메모리 분야에서는 사실상 독보적인 자리에 있다. 마이크로콘트롤러는 일본과 세계 시장을 양분하는 모습이지만, 특히 마이크로프로세서는 사실상 전 세계 시장을 독점하고 있다 해도 과언이 다니다. 이 때문에 미국은 자체 소비 규모 면에서도 가장 크지만 수출 규모 면에서도 세계 최대의 반도체 수출국이기도 하다. 일본의 반도체 시장 및 생산 성장률이 세계 평균 성장률에 못 미치고 있는 반면, 미국은 시장 규모에서나 생산량 면에서도 우리나라 다음으로 높은 성장률을 기록하고 있어 앞으로 수년간은 미국이 세계 반도체 산업을 주도하는 양상을 보일 것으로 전망된다.

第 4 節 유럽의 半導體 産業 動向

2001은 유럽 반도체업계에게는 수확이 풍성한 해였다. 유럽 3 대 칩메이커인 ST 마이크로일렉트로닉스, 인피니온 테크놀러지, 필립스가 세계 10 대 반도체회사 대열에 오른 것이다. 이들 회사가 반도체 시장에서 차지하는 시장점유율은 10.1%이다.

유럽 반도체업계가 전체 반도체시장에서 차지하는 시장점유율은 13.0%이다. 1990년 사상 최저치인 7.0%에서 무려 2 배 가량 뛰어 오른 수치다. (그림1-1참조) 필립스와 ST 마이크로일렉트로닉스는 지난해 시장점유율이 증가한 반면, 인피니온은 타격이 심했던 DRAM과 통신시장의 의존도가 크기 때문에 상대적으로 2000년도 순위를 유지했다.

                (그림-1-1)지역별 세계 반도체 시장 점유율 현황  (Semipark. co. kr)

그야말로 쾌거다. 15년 전이었다면 유럽반도체업체들은 통념에 따라 반도체생산을 중단하고 미국과 일본 반도체회사를 사들였을 것이다. (한국과 대만은 당시에는 메이저 업체 대열에 찌지 못했다.) 이 당시 유럽 반도체 업체들의 활동무대는 보호받는 국내시장이었다. 제품과 프로세서가 잡다했고 과잉인력과 보조금으로 손실이 막대했다. 사실상 유럽 이외의 시장에는 거들떠보지도 않았기 때문에 서서히 사라질 운명처럼 보였다.

그러나 한편으로 문화적 요인과 또 다른 한편으로 구조적 요인에 의해 유럽 반도체업계는 180도 방향전환을 하게 되었다. 유럽의 기술 선도업체들은 선진 반도체 제조기술을 잃지 않겠다는 결심을 하게 되었고 이에 따라 기술, 제품 및 회사차원에서 대대적인 구조조정과 통폐합을 단행했다. 동시에 한정된 자원을 효과적으로 활용하기 위해 공동 연구개발 프로그램을 적극 추진했다. 1985년의 메가프로젝트(MegaProject)와 JESSI 프로젝트를 필두로 초창기 유럽 반도체업체들은 세계 경쟁업체와 어깨를 나란히 겨룰 수 있는 경쟁력 있는 기술개발에 역점을 두었다. 

유럽의 반도체 파트너업체들은 자원을 몇 개 어플리케이션에 집중시켜 여러 회사와 협력 프로그램을 성공적으로 이끌어 냄으로써 그 어느 때보다도 긴밀하고 심도 있는 협력체제를 구축할 수 있었다. 이러한 협력을 바탕으로 유럽은 기술적인 측면에서 일치 단결하여 유럽 내 대학과 연구소, 반도체업체, 장비/재료업체, 시스템 설계업체 및 완성품업체가 모두 전문기술을 공유하였다.

              第 5 章 日本 半導體 産業의 診斷

第 1 節 日本 半導體産業의 競爭力 低下理由

일본 반도체산업은 91년 이후 이익 면에서 미국, 한국에 뒤졌으며, 93년 이후 시장점유율도 미국에 뒤졌다. 일본반도체 각 사의 국제경쟁력 저하는

- 첫째, 일본자국시장에 안주한 시장전략과 PC붐을 예측하지 못한 투자전략 등 국          제시장 동향에 적절하게 대응하지 못했으며,

-둘째, 1MDRAM의 성장 때문에 90년대 초반에 발전한  다층배선기술, 디자인기술          등 첨단기술 동향에 둔감하였고,

-셋째, 미국의 해외생산비율은 30%정도이나 일본은 10%정도에 불과해 국제화를 통          한 리스트럭쳐링에 실패하였고,

-넷째, 미국은 경쟁력이 약한 생산시스템 분야에서 産․官․學․협력에 의한 산업         정책으로 경쟁력을 강화시켰으나, 일본은 産․學협력 및 R&D 국제화 미흡,

등의 요인 때문이다.

第 2 節 日本 半導體 産業育成 方案

(1) DRAM 사업 비중 낮춰

 경쟁력 저하와 DRAM의 공급과잉으로 일본 반도체기업들은 DRAM 사업에서 수익성 회복을 기대하기 어렵다고 판단하고 있다. 또한 DRAM 사업을 유지하는 데 필요한 막대한 설비투자와 연구개발비를 큰 부담으로 느끼고 있다. 이에 따라 일본 반도체기업들은 DRAM 사업의 비중을 낮추고 있다.

일본 반도체기업들의 DRAM 사업 축소 동향을 살펴보면, 세계 제2위의 DRAM 생산기업인 NEC는 99년 중반까지 64M DRAM의 생산규모를 월 1,500만개로 끌어올릴 계획이었으나, 98년 말까지 월 1,000만개로 생산을 확대한 뒤 증산을 단념할 계획이다. 또한 수익성 악화의 주범인 16M DRAM은 현재 월 600만개에서 98년 말까지 월 200만개로 줄일 방침이다.

도시바는 2000년까지 자사 메모리사업에서 DRAM이 차지하는 비율을 50% 이하로 낮추고 ¹⁰⁾플래쉬메모리 사업을 강화한다는 사업조정안을 발표했다. 히다치는 최근 반도체사업 수익구조조정의 일환으로 DRAM 생산을 줄이고 타사 반도체 생산을 대행해주는 파운드리(Foundry) 사업을 추진키로 했다. 파운드리 생산액의 비율은 전체 반도체 생산액의 최대 20%까지 책정할 계획이다. 후지츠는 99년 초까지 2개의 DRAM 공장에서 비메모리를 병행 생산하기로 하는 등 DRAM 생산을 대폭 줄이기로 결정하였다.

(2) 해외 생산기지 재편

해외 생산기지의 재편을 통해 수익성을 개선하려는 움직임도 활발해지고 있다. 대부분의 일본 반도체기업들은 1M 및 4M DRAM을 생산하는 해외공장을 폐쇄하고 있으며, 16M DRAM의 생산도 축소시키려는 움직임이 나타나고 있다. 미츠비시는 98년 1월 미국 생산공장의 폐쇄를 결정했다. 주력 품목인 4M DRAM의 수익성이 완전히 상실되었다고 판단했기 때문이다. 히다치는 󰡐Twinstar Semiconductor󰡑에 대한 히다치의 지분을 98년 2월 TI에게 넘겼다. Twinstar Semiconductor는 95년 설립되어 96년부터 16M DRAM을 생산해왔다. 그러나 히다치는 DRAM가격의 하락으로 설비투자를 지속하는 것은 무리라고 판단하게 된 것이다.

한편 차세대 DRAM을 일본에서 생산할 경우에도 수익성을 확보하기 어렵다는 판단 아래 해외공장 건설을 활발히 전개하는 기업들도 있다. NEC는 중국의 Shanghai Hua Hong Microelectronics 社와 합작으로 99년 9월 양산을 목표로 DRAM 공장을 건설하고 있다. 후지츠는 차세대 DRAM 생산을 위한 투자를 미국 거점에 집중하여 256M DRAM부터는 미국공장을 자사의 유일한 양산 거점으로 활용할 계획이다. 히다치는 싱가포르에서 2001년부터 256M DRAM을 양산할 계획이다.

대만기업에 대한 OEM 확대를 계획하고 있는 업체가 늘고 있다. 도시바는 64M DRAM 생산규모를 7백만개로 제한하고 나머지는 Winbond社의 위탁생산할 방침이다. Winbond社는 도시바로부터 0.2㎛ 미세가공기술의 도입을 추진하고 있는데 내년 초 양산하는 64M DRAM의 생산량 가운데 50%를 도시바에 공급할 예정이다. 후지츠는 대만의 TSMC에게 현재 16M DRAM을 위탁생산하고 있으며, 64M DRAM의 위탁생산도 검토하고 있다.

(3) 시스템 반도체 분야에 집중

일본 반도체기업들이 DRAM 사업 비중을 낮추고 향후 중점적으로 육성하려는 사업분야는 시스템 반도체 분야이다. 시스템 반도체는 CPU, 메모리, 주변회로, ¹¹⁾로직반도체 등을 하나의 칩에 집적시킨 제품으로 이동통신 단말, HDD, 디지털 TV, DVD 등 다양한 용도에 사용되고 있다. 앞으로 정보통신 및 정보가전 분야의 수요가 지속적으로 확대될 것으로 예상됨에 따라 일본 반도체기업들은 시스템 반도체의 시장 전망을 밝게 보고 있다. 로직 분야에 강점을 지닌 미국 반도체기업이나 DRAM 분야에 강점을 가진 한국 반도체기업에 비해 일본 반도체기업은 로직과 DRAM 양 분야 모두 강점을 지니고 있어 시스템 반도체 분야의 사업을 전개하는 데 유리한 입장이다.

                     <그림1-2> 시스템 반도체의 구성요소

(4) 플래쉬메모리를 탑재한 시스템 반도체 등이 관심 분야

일본 반도체기업들은 이동전화 등에 사용되는 플래쉬메모리와 프로세서가 함께 탑재된 반도체 분야에 높은 관심을 갖고 있다. 이 제품을 사용하면 사양 변경, 기기 제조시 특성을 변경시키는 파라미터의 조절, 출하 후 버전 업(Ver-sion Up) 등이 용이하다는 장점이 있다.

이 분야에 앞서 나가고 있는 기업은 히다치와 마츠시다 등이다. 히다치는 32bit ¹²⁾RISC 프로세서인 SuperH RISC engine(SH)과 DSP, 2M bit 플래쉬메모리를 탑재한 반도체 샘플을 98년 8월부터 출하를 개시했다. 마츠시다는 32bit RISC 프로세서인 AM30'에 2M bit 플래쉬메모리를 탑재시킨 시스템 반도체 샘플을 98년 10월부터 출하했다. 그밖에 NEC, 도시바, 후지츠, 샤프, 오키전기 등이 개발에 참여해 치열한 경쟁을 벌이고 있다.

일본 반도체기업이 높은 성장을 기대하는 제품은 DRAM과 ¹³⁾DSP 또는 마이크로프로세서 등이 탑재된 시스템 반도체이다. 이 제품은 화상처리, 고쳐쓰기 횟수 및 속도 등에 장점이 있어 지금까지는 PC 게임용 3차원 화상처리, HDD(Hard Disk Drive) 컨트롤라 등에 사용되어 왔으며, 앞으로는 DVD, 디지털 카메라 등 정보가전에 널리 사용될 것으로 보인다. 미츠비시는 32bit RISC 프로세서 󰡐M32R󰡑에 16M DRAM을 탑재시킨 반도체를 생산하고 있다. 이 반도체는 후지츠, 코니카, 빅터 등의 디지털 카메라에 사용되고 있다. 마츠시다는 4M DRAM을 탑재시킨 반도체를 DVD-ROM에 사용하고 있다. 그밖에 소니, 산요 등이 정보가전용 반도체 개발에 힘을 기울이고 있다.

일본 반도체기업이 급성장을 기대하는 시장으로는 ¹⁴⁾IC카드 시장이 있다. IC카드에는 고속으로 고쳐쓰기가 가능한 불휘발성 메모리로 강유전체 메모리(Ferro-electric RAM)과 마이크로프로세서를 탑재시킨 반도체가 사용되고 있으며, 롬, 마츠시다, NEC, 도시바, 히다치, 후지츠 등이 개발에 박차를 가하고 있다.

(5) 기술제휴 잇따라

일본 반도체기업들은 시스템 반도체 사업을 전개하는 과정에서 타 기업과의 기술제휴 관계를 활발히 맺고 있다. 지금까지 대부분 일본 반도체기업들은 반도체 설계, 제조, 기기 제조에 이르는 일련의 과정을 한 개의 기업이 모두 수행해 왔다.

그러나 여러 개의 기기에 필요한 다양한 기술을 하나의 기업이 독자적으로 개발하는 것은 점점 어려워지고 있다. 이에 따라 각 기업은 칩 설계, 칩 제조, 하드웨어 설계, 소프트웨어 개발, 시스템 제조기업, 서비스 전문기업 등으로 전문화하고 있으며, 보유하고 있지 않은 기술을 확보하기 위해 타 기업과의 제휴를 강화하고 있다.

NEC의 경우 루슨트 테크놀러지와 제휴관계를 맺고 있다. NEC는 DRAM 관련 기술을 제공하고, 루슨트는 D-RAM과 로직이 함께 탑재된 반도체를 설계하면, 이를 토대로 NEC가 생산하는 방식이다

산요와 IBM은 시스템 반도체와 관련하여 광범위한 협업관계를 맺고 있다. 산요는 IBM으로부터 0.18㎛ 미세가공기술과 IC 관련 설계기술을 제공받아 시스템 반도체의 개발을 가속시키고, IBM은 산요로부터 정보가전 관련 반도체 기술과 시스템 설계 기술을 제공받아 정보가전 시장으로의 진입을 꾀하고 있다. 또한 미츠비시는 루슨트와 함께 디지털 TV용 칩 세트를 개발하고 있다.

              <그림1-3> 시스템 반도체 관련 기업들의 제휴도

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   

第 3 節 日本의 半導體産業 振興政策

반도체 산업의 본격적인 진흥을 위한 일본의 ‘VLSI(Very Large Scale Integrated Chip) 계획’은 대규모 자금지원, 공동연구개발과 같은 제도적 혁신 등의 측면에서 과거와는 다른 특징들을 가지고 있었다. 이 계획은 1970년대에 들어 일본 내외에 전개되고 있던 정치경제적 변화를 배경으로 하고 있다. 우선 대외적으로 일본은 1960년대 말부터 미국과 무역갈등을 겪고 있었다. 미.일 무역갈등의 소위 ‘제1 파도’(1968-1972)에서는 섬유와 철강 등이 주요한 쟁점 부문이었으나 점차 전자제품, 전자기기, 전자부품, 컬러 TV 등 새로운 품목들이 쟁점으로 등장하고 있었다.¹⁵⁾

일본은 1970년대에 들어 무역 자유화와 자본 자유화를 본격적으로 실시했다. 그러나 22개 부문은 합작투자나 외국인 자회사에 관한 종래의 법을 적용하고 있었고 행정지도를 통해 무역과 자본거래를 여전히 제한하고 있었다. 이 중 5개 부문은 농업, 소매업 등이었으며 나머지 17개 분야는 통산성이 육성하고자 했던 새로운 전략산업이었다. 그 중에서 대표적인 부문은 컴퓨터 산업이었다. 컴퓨터 산업의 완전  자유화는 3년 연기되었지만 보호주의를 정책수단으로 계속 사용할 수 없었기 때문에 일본 통산성은 새로운 진흥방법을 모색하지 않으면 안되었다.¹⁶⁾

일본의 통산성은 이러한 변화에 대비해 석유위기 3개월전인 1973년 통산성의 조직 개편을 준비하고 있었다. 그것은 1952년 이래 처음으로 취해진 전반적인 개편으로 통산성내에서는 ‘세기의 개혁‘이라고 불려졌다.¹⁷⁾ 기업국이 산업정책국으로  변경되었고 경공업국과 중공업국이 기초공업국으로 통합되었으며 자원에너지청이  신설되었다. 그러나 무엇보다 중요한 것은 기계정보국의 신설이었다. 전자공업, 컴퓨터, 자동차, 일반기계 부문이 기계공업국의 관할하에 들어갔다. 통산성은  조직개편을 통해 보다 체계적으로 고도 기술산업의 진흥을 도모코자 했던 것이다.¹⁸⁾

통산성의 이러한 기구개편은 일본의 산업구조를 ’지식집약적 산업구조‘로 전환하기 위한 제도적 조치의 일환이었다. 산업정책국 내에 신설된 산업구조과에서는 이를 위해 1974년 이제까지와는 다른 획기적인 산업구조 조정계획을 입안하였다. 이 계획은 1974년 말경 ‘산업구조의 장기비젼’으로 발표되었다. 석유위기, 미국과의 무역마찰, 새로운 경제성장 전략 그리고 당시의 경제불황 등에 관한 장기적 구상을 담은 내용이었다.¹⁹⁾ 이러한 지식집약적 산업구조에서는 컴퓨터 산업, 메카트로닉스 산업(이 용어는 일본에서 고안된 것이라고 하는데 통산성의 조직(기계정보국)에 상응한 개념이라고 볼 수 있다)이 강조되었다. 일본은 이미 1971년 이후 7년 시한의 ‘특정전자공업 및 특정기계공업진흥 임시조치법’을 운용해 왔고 또 이 법의 후속으로 1978년 ‘특정 전자 기계공업진흥 임시조치법’을 실시했다. 일본의 반도체 산업을 성공적으로 발전시킨 VLSI 계획은 이러한 일본 국내외 정치적, 제도적 맥락에서 잘 이해될 수 있다. 후술하겠지만 이러한 배경에서 일본의 반도체 산업 진흥이 컴퓨터 산업의 발전과 밀접한 관련을 가지게 되었다.

일본 반도체산업의 발전과정은 정부에 의한 산업진흥과 보호의 전형적인 사례라는 주장은 결코 무리가 아니다.²⁰⁾ 정부의 반도체산업 진흥 노력은 구체적으로 고도 기술산업진흥의 제도적 혁신이라고 할 수 있는 정부-기업간 공동연구개발 계획인 VLSI 계획으로 구체적으로 나타났다.

일본이 VLSI 계획을 추진하게 된 가장 직접적인 동기는 1970년대 초 IBM이 내놓은 새로운 제4세대 컴퓨터인 370시리즈에 대응하기 위한 노력에서 찾을 수 있다.²¹⁾ 370시리즈가 일본에 등장하자 40% 정도를 보였던 IBM의 일본 시장 점유율이 1974년 52%까지 증가했다.²²⁾ 그 이전 모델인 IBM 360시리즈의 기술 수준에 겨우 근접했던 일본은 통산성의 ‘뉴 시리즈’ 계획을 통해 ‘370 시리즈’에 대항하려 했다. 이것은 360 시리즈에 대항하기 위해 일본이 처음 시작했던 1966년 ‘고성능 컴퓨터 프로젝트’에 이은 두 번째의 대규모 정부-기업 협력계획이었다.²³⁾

일본의 이러한 노력에도 불구하고 IBM은 일본을 훨씬 앞서 가고 있었다. 1975년경 IBM은 1M 급의 VLSI 집적회로에 바탕을 둔 새로운 혁신적인 모델 (암호명 ‘Future System’)을 개발하고 있었던 것이다. 당시 IBM을 방문했던 일본의 한 전문가를 통해 일본에 이 사실이 알려지자 컴퓨터 산업을 포함한 전자산업진흥을 담당하고 있던 통산성의 기계정보국은 일본 전자공업진흥회가 포함된  특별위원회를 구성하였다. 여기에서 새로운 방식의 연구개발계획이 필요하다는 점에 의견을 모아져 1976년부터 VLSI 계획이 시작되었다.²⁴⁾

이 계획은 통산성의 컴퓨터 산업 진흥정책의 연장이기는 하지만 두가지 점에서 새로운 요소를 가지고 있었다. 첫째, 정부-기업간 공동연구개발에 초점을 맞춘 진흥계획이라는 점이다. 그 이전의 통산성의 산업진흥 노력은 제품개발과 생산에서의 기업간 협력과 역할분담에 중점을 두었다. 그러나 일본의 컴퓨터 기업들은 1970년대에 들어 IBM에 대한 경쟁력이 향상되면서 점점 더 독립적인 성향을 보이기 시작했다. 일본 기업간의 경쟁은 더욱 치열해졌고 따라서 제품개발과 생산에서 기업간 협력은 더욱 더 어려워졌다. 기업간 협력을 용이하게 하기 위해서는 기초 연구개발에 초점을 맞추는 것이 필요했다.²⁵⁾

둘째, 반도체 분야가 이전보다 상대적으로 더 강조되었다는 점이다. 일본은 IBM의 새로운 모델의 연속적인 성공의 핵심이 새로운 집적회로의 도입에 있다는 점을 알았으며 따라서 일본에서도 컴퓨터 산업과 반도체산업의 통합적 관계가 강조되었다. 이런 배경에서 새로운 진흥계획이 실시되었는데 일본은 당시 가장 앞선 칩보다 한 단계 새로운 세대인 64K DRAM을 개발하는 것을 목표로 삼았다.²⁶⁾ 

4년 계획의 공동연구개발에는 정부 출연 720억엔( 3억 6,000만 달러)과 기업출연 420억엔의 예산이 투입되었다. 통산성의 지도하에 후지츠, 히다치, 미츠비시가 한 그룹으로, 일본전기와 도시바가 다른 한 그룹으로 하여 두개의 그룹별 공동연구가 이루어지도록 하고 또한 다섯 기업들과 통산성 산하‘정보기계연구소’가 각각 주관하는 6개의 공동연구시설이 병행하여 운영되었다. 각각의 공동연구팀은 각 기업의 기술인력들로 충원되도록 계획하였다.²⁷⁾

이 계획의 핵심은 공동시설에서의 공동연구였다. 그러나 처음에 일본의 기업들은 이런 방식에 반대했다. 기업들은 서로 잠재적 경쟁자로 인식하여 공동연구시 생길 수 있는 핵심기술의 경쟁기업 유출을 경계했고 또한 이런 방식의 공동연구 개발에 대한 경험이 없어서 그 결과에 대해 우려했다. 따라서 기업간 협력이 모색되기 위해서는 통산성의 압력과 설득이 필요했다. 통산성은 정부의 자금 보조가 제공되는 필요조건이 공동연구시설의 설립이라는 점을 기업들에게 분명히 했다.²⁸⁾

VLSI 계획에서는 컴퓨터 구조와 반도체 등 여러 분야에 걸쳐 연구개발의 목적을 두고 있었지만 특히 고집적 반도체의 생산에 필요한 기술인 전자빔 (electron beam)과  X-ray 빔 및 검사장비의 개발에 중점이 두어졌다. 무엇보다도 이 계획에서는 반도체 제조장비의 개발이 강조되었다. 전자 빔과 X-ray 빔은 반도체 제조에 필수적인 리소그래피(lithography) 장비의 핵심 첨단 기술이었던 것이다.   

이 계획은 설정했던 기술적 목표를 대부분 달성했다. 이 계획의 결과  1,000여개의 특허가 나왔는데 특허는 모든 참가 기업들에게 공개되었다.²⁹⁾ 이 계획으로 일본은 64K DRAM으로부터 1M 칩에 이르는 반도체 제품의 개발과 생산에 큰 도움을 받았으며 1980년대 말까지도 여기에서 개발된 기술이 일본의 반도체산업에서 중요한 역할을 했다.³⁰⁾

이러한 기술적 성과보다 중요한 것은 이러한 공동연구개발이 가능한 정치적, 제도적 맥락일 것이다. 이 점에 관한 일반적인 견해는 통산성의 역할에 모아지고 있다. 통산성은 산업정책 기능을 통해 이른바 ‘통제된 경쟁’ 메커니즘의 작동에 성공했으며 공동연구시설의 설립을 반대했던 기업들의 행위를 정부가 목표한 방향으로 유도할 수 있었다. 일본의 VLSI의 성공이 통산성의 산업정책 자체의 요소(연구개발에 수반되는 위험부담과 높은 비용을 감소시키기 위한 정부자금의 제공, 조세특혜, 특혜융자 등)에 있었다기 보다는 산업정책 도구가 ‘통합적 기제’로서 잘 기능했다는 점을 강조하는 Okimoto의 주장도 같은 맥락이라고 할 수 있다. 다시 말하면 통산성은 이런 산업정책 도구를 통해 기업간 ‘협력과 경쟁’을 적절하게 유지할 수 있었다는 것이다.³¹⁾ 일본은 이후에도 반도체분야에서의 연구개발 계획을 지속적으로 시행하고 있다.³²⁾

<표1-4>       일본 통상성 지원 ME산업 공동연구개발 계획

                                                    (단위: 100만 달러)

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󰠐계획      기간       기술중점    재정지원           참여기업         󰠐

󰠉󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠋

󰠐VLSI      75-79   VLSI제조기술     112     NEC,히다치,도시바,미쓰비시󰠐

󰠐광전자    79-86   광반도체          80     NEC,히다치,도시바,미쓰비시󰠐

󰠐                                           오끼,스미모토             󰠐

󰠐슈퍼      81-89   고속계산소자     135     NEC,히다치,후지쯔,도시바, 󰠐

󰠐컴퓨터                                     미쓰비시,쌰프             󰠐

󰠐New       81-90   VLSI소자,공정    140     NEC,히다치,후지쯔,도시바, 󰠐

󰠐Function                                   미쓰비시,오끼,산요,스미모 󰠐

󰠐elements                                   토,마츠시다               󰠐

󰠐SORTEC    86-96   싱크로톤석판인쇄  62     NEC,히다치,후지쯔,도시바, 󰠐

󰠐                                           미쓰비시,오끼,샤프,스미모 󰠐

󰠐                                           토,일본판유리,마츠시다,   󰠐

󰠐                                           일본고가쿠                󰠐

󰠐광전자    86-96   광반도체          42     NEC,히다치,후지쯔,도시바, 󰠐

󰠐소자                                       오끼,샤프,스미모토,후지쿠 󰠐

󰠐                                           라,산요                   󰠐

󰠐5세대     81-91   VLSI논리소자      n.a.   NEC,히다치,후지쯔,도시바, 󰠐

󰠐컴퓨터                                     미쓰비시,오끼,샤프        󰠐

󰠌󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠏󰠎

(자료) Howell, et al.(1988), p.47.

  * SORTEC 기금지원은 일본 중앙기술센터에서 함.

이러한 정책적 요인과 함께 상황적 요인-진입시점과 기술의 선택 등-도 살펴볼 필요가 있다. 우선 진입시점의 선택에는 여러 가지 복합적인 요인이 개재되어 있다. 이 중에서 중요한 것은 앞서 본 것처럼 1960년대 중반이후의 일본경제의 자유화 추세, 컴퓨터 부문에서의 IBM에 대한 단계적 대응노력 등을 대표적으로 들 수 있을 것이다. 하여튼 선택된 진입시점은 좋은 일본에게 경제적 기회를 제공해 주었다. 1975년 반도체경기가 침체에 빠졌을 때 미국기업들은 생산시설에 대한 신규투자를 크게 축소한 반면 일본기업들은 경기침체를 하나의 기회로 활용했다. 미국기업들과는 달리 일본의 전자 대기업들은 불황 시에도 생산능력 확장을 도모했던 것이다. 1976-77년 반도체 경기가 호전되었을 때 미국기업들의 반도체 생산능력이  줄어 들어 증가하는 반도체 수요를 감당하기가 어려워지게 되었다. 그 때 마침 일본 기업들이 대량생산능력과 기술능력을 갖추고 세계시장에 등장하였던 것이다.³³⁾

한편 일본기업이 여러 반도체 제품 중에서 DRAM을 주종품으로 선택한 것도 성공의 한 중요한 요인이 되었다. DRAM은 몇 가지 점에서 후발국의 반도체산업 진입에 매우 유리한 제품 및 기술상의 특성을 가지고 있다. 첫째, DRAM은 반도체제품 중에서 대량생산이 가능한 전형적인 표준 제품이다. 따라서 해외 영업조직이나 판매망에 대한 투자를 최소화할 수 있으며³⁴⁾ 표준화된 제품이어서 다른 제조기업이 거의 완전한 대체생산능력을 가질 수 있다. 이러한 점때문에 특허권의 보호 등의 지적재산권 제도가 큰 장벽으로 작용하지 않았다.³⁵⁾ 더구나 1970년대에는 반도체산업에서 지적재산권 보호조치가 강하게 작용하지 않았다.³⁶⁾

둘째, 이러한 점에서 볼 때 중요한 진입장벽은 DRAM산업에서 요구되는 규모의 경제와 학습경제적 특성에서 나온다. 이러한 진입장벽은 일본의 대기업 중심의 산업구조와 제조기술의 강점에 의해서 효율적으로 극복될 수 있는 성격의 것이었다. 또한 일본의 반도체산업은 대기업에 의해 주도되고 있어서 규모의 경제를 달성하는데 큰 도움이 되었다.³⁷⁾ DRAM은 상품화 제품으로서 제조비용이 경쟁력을 좌우하는데 제조기술의 강점을 가진 일본기업들은 대량생산을 통한 학습효과의 축적을 통해 제품의 수율을 높일 수 있었던 것이다.³⁸⁾

세째, DRAM 제조기술에서 일어난 혁신이 또한 일본에게 유리하게 작용했다.  1960년대부터 컴퓨터 메모리칩 생산에 NMOS기술을 사용해 온 미국과는 달리 일본은 1970년대 초반부터 전자시계용 칩 등을 생산하는데 저급 기술로 알려졌던 CMOS기술을 주로 이용해 왔다.³⁹⁾ 그런데 1983-84년경 리소그래피 장비에서 일어난 혁신으로 CMOS기술의 비용이 NMOS기술보다 낮아졌다.

“미국기업은 CMOS기술이 컴퓨터용 메모리칩의 요건을 충족시키는데 불충분하다고 간주했다. 그런데 갑자기 오래동안 CMOS기술을 익혀온 일본에게 중요한 경쟁우위가 생겼다. CMOS기술이 주도적인 공정기술이 되므로써 수율의 향상과 새로은 세대의 칩개발에서 일본은 미국보다 더 유리한 입장에 놓이게 되었다.”⁴⁰⁾

이리하여 1978년까지 IC에서 무역적자를 기록했던 일본은 1979년 무역흑자 4,400만 달러를 보이기 시작하여 1984년에는 그것이 무려 23억 달러에 달했다. 이 기간동안 반도체제품에서 일본의 대미 수입은 2배 증가한 반면 대미 수출은 10배 증가했다.⁴¹⁾ 미국에 대한 일본의 반도체 수출이 크게 늘어나면서 미국의 세계시장 점유율은 1978년 55%에서 1986년에는 40%로 하락하고 일본의 점유율은 46%로 급증했다. 1985년 “유명한 추월”이 일어난 것이다.⁴²⁾

미국은 반도체의 모든 제품에서 일본에게 시장을 크게 내주었지만 DRAM분야에서는 이것은 매우 극적인 형태로 나타났다. 1970년대 중반이후 10년만에 일본은 세계 DRAM시장을 석권한 것이다. 1986-87년에 이르러서는 일본은 세계 DRAM 시장의 70-80%를 차지했다. 물론 미국의 세계시장 점유율이 하락한 것은 일본 제품의 미국시장 침투에만 기인하는 것은 아니다. 세계 점유비 하락의 절반 정도는 일본기업이 거의 지배한 일본 국내 반도체 시장의 성장(이것은 1980년대 중반의 엔화의 절상과 밀접한 관계가 있다)에 기인하고 나머지 절반이 일본의 미국시장 침투에 기인했다. 미국은 크게 성장한 일본의 반도체 시장을 거의 공략하지 못한 반면 일본은 대미 수출을 급격히 늘여 온 것이다.⁴³⁾

            第 6 章  앞으로 半導體産業의 發展方向

지금까지 한국과 일본, 중국, 대만, 미국, 유럽의 반도체산업에 관하여 조사해보았다. 과거에는 반도체산업이 호황이었고 그다지 별 어려움이 없이도 많은 이익을 창출해 낼 수 있었음을 알 수 있었다. 그러나 앞으로의 반도체 산업은 그 어떤 산업보다 경쟁이 치열해 지고 많은 이익을 얻는 회사가 있는 반면에 많은 손해를 입는 회사 또한 많아질 것이다. 아니, 이익을 얻는 회사보다 손해를 입고 망하는 회사가 더 많아 질 것이다. 그렇다면 이렇게 경쟁이 치열하고 한 치 앞도 모르는 세계 속에서 반도체 업체들은 앞으로 어떤 식으로 대처를 해야하는 것일까?

第 1 節  앞으로의 現況

앞으로 경기회복은 진행형이며, 2003년과 2004년에 걸쳐 두자리 수 성장률을 기록할 것으로 예측되며, 전반적으로 industry CAGR은 8~10%대에서 점진적으로 증가할 것이고 고객의 Needs에 역량을 집중시켜온 기업에게는 많은 새로운 도전의 기회가 올 것이다.  그리고 아시아-태평양지역이 주요시장으로 부상하게 될 것이다.

또한 유럽을 제외하고는 세계 반도체 시장에서 구조조정이 이루어지고 있는 지역이 거의 없다. 설령 구조조정이 이루어지고 있는 지역이 있다 해도 상황이 다양하게 변하고 있다. 1980년대 중반에는 세계 20 대 반도체 회사들이 시장의 80% 정도를 차지했었다. 그러나 지금은69%로 떨어진 상태이다. 여기서 인텔을 제외한다면 상황은 더욱 심각하다.

지금까지의 업계 추세를 정반대로 뒤집는 격이다. 즉 예전에는 초일류 메이저 회사 중심으로 시장이 돌아가고 중간급 회사들은 시장을 빠져나가거나 인수합병에 의해 퇴출 될 것이라는 예상이 지배적이었다.

2001년 시장침체로 세계 반도체업계가 그간 절실히 요청돼 온 구조조정의 급 물살을 타고 있다. 노후공장 폐쇄, 감원, 생산감축 등 대부분이 지난해 이루어졌지만 표면적인 측면도 없지 않았다. 2001 년 말에는 보다 허리띠를 졸라매는 조치들이 업계에서 나타났고 이러한 흐름은 2003년에도 빠르게 빠른 속도로 진행될 것으로 판단된다.

第 2 節 앞으로 半導體 産業의 發展方案

미래 반도체 산업 발전 방향은 크게 두 가지로 나눌 수가 있다.

첫째 방향은 시스템 산업과의 연계방향이다. 미래 시스템은 “portability” 와 “connectivity"로 대변되는 특징을 가지고 있다. 네트워크에 연결되어야 하며, 수송이 편해야 한다는 요구조건을 가진다. 네트워크 연결을 위해서 signal pro-cessing, RF 기능의 강화, 그리고 멀티미디어 기능이 강화되어야 하며, “portability”를 위해 저 전력 시스템의 one 칩 화가 요구되고 있다. 이와 관련하여 각 반도체 설계활동(시스템 분리 기법, CAD등) 이 반도체 설계 기술자에 의해서 진행된다기보다, 시스템 설계 기술자, 혹은 제3자(시스템 수요자)에 의해서 진행되는 비율이 증가하게 된다. 이를 다르게 표현하면 반도체 설계 기술 중 상당 부분이 수요자의 필요에 의해서 영향을 받을 수 있음을 말한다. 예를 들어 PC에 들어가는 여러 가지 멀티미디어 환경 칩의 개발에 있어, 칩 자체 개발뿐만이 아니고 디바이스 드라이버 등 PC와의 인터페이스를 위한 개발 환경 소프트웨어가 성공여부를 결정하는 좋은 예이다.

(그림1-4) 시스템 설계단계

그림 8. 시스템설계단계

  

 그림1-4는 시스템 설계 단계에서 각 활동 섹터 (A:소자업체, B:시스템 설계업체, C:제3자)가 어떻게 관여하는지를 과거, 현재, 미래 각 시대별로 표시한 표이다. 이 표에서 보듯이 과거에 반도체 혹은 설계자가 관여하던 시대로부터, 제3자(주로 수요자, 마케팅)가 관여하는 비율이 증가함을 알 수가 있다. 따라서 반도체 산업의 성공을 위한 국가 인프라구조 구축을 위해서, 이러한 부분의 인력개발, 기술개발이 중요한 과제가 되어야 할 것이다.

둘째 방향은 반도체 제작을 위한 공정과 설계 기술 발전에 관한 것이다. 메모리는 공정기술, 비메모리는 설계기술이라는 도식을 떠나 두 분야 모두 극한의 반도체 기술을 추구하게 된다는 것이다. 시스템 경쟁력이 경량화, 고속화, 다량의 메모리, 저 전력화, 다기능 화에 있으므로, 이를 성취하기 위한 기술은 극한기술을 사용하게 된다.

위 조사자료에서 보면 2005년까지 반도체 제조장비 시장에 있어서 가장 큰 시장은 북미지역이 될 것으로 보여주고 있다. 하지만 대만 및 기타지역이 가장 크게 성장할 것으로 보여 2005년에 이르러서는 이들 두 지역이 전 북미지역반도체 시장의 규모만큼 성장할 것으로 예상되고 있다.

반도체 시장은 향후 벌어질 결과들을  볼 때, 많은 불확실성을 내포하고 있으며 아직도 변동이 심하다고 할 수 있다. 이번 조사에서 느끼게 된 점은 반도체 산업체가 당면한 가장 중요한 요소로는 세계경제의 안정에 있다. 2001년과 2002년의 극심한 반도체 경기하락을 겪은 이후, 향수 다가올 시대에는 안정적인 성장을 기대하고 있다고 할 수 있다.

                         <參 考 文 獻>

(참고 문헌 및 자료)

1. 조민호. 「반도체 산업」 서울: 웅진출판사, 1994

2. 박동제  「반도체 산업의 기술개발에 관한 연구」1988

3. 박영준, 성만영, 박세근, 김재석 「미래 반도체기술과 시스템IC 2010사업」 2002

4. 황숙자 「반도체 산업동향」 2002

5. Malcolm Penn, chairman and CEO of Future Horizons, UK 「유럽 반도체업계 동향」    2002

6. Craig Klootwyk 「Semiconductor Equipment Market Trends by 2005」 2002

7. 삼성 경제 연구소 「업종별 동향」 2002

8. 주대영 「반도체업계의 구조개혁 동향분석」 2002

9. 삼성 경제 연구소 「반도체 불황의 영향과 대책」1996

10. 삼성경제 연구소 「반도체 산업 장래전망 밝다」1995

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12. 정보 산업 발전 중국센터(CCID) 「중국의 반도체산업 발전현황에 대한 보고서」2002

13. ERSO/ITRI, ITIS Project 「대만 반도체 산업의 최신 발전동향」1999

14. 산업자원부 「반도체 세계시장 실적 및 전망」 1999

15. Komiya and Itoh  「Japan's International Trade and Trade Policy」 1988

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16. Johnson  「MITI and the Japanese Miracle」1982

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17. Tyson 「Who‘s Bashing Whom」1992

18. Fransman 「The Market and Beyond」 1984  p.133

19. Anchordoguy 1988  pp.509-543

20. 本田幸雄  「일본의 산업기술정책」 1992  pp.441-469.

21. Fransman 1990 p.57.

22. Prestowitz  「Trading Places: How We Allowed Japan To Take the Lead」 p.59.

23. Okimoto  「Political Context」 1984

24. Anchordoguy 1988  p.528

25. Prestowitz 1988 p.64.

26. Fong 「State Strength, Industry structure, and Industrial Policy」 pp.283-287.

27. Fransman 1990 p.60.

28. Frame and Narin 「The United State, Japan, and the Changing Technological            Balance 」 1990 pp.447-455.

29. Anchordoguy 1988  p.529.

30. Okimoto 1989 pp.229-238.

31. 本田幸雄 1992  p.448.

32. Prestowitz 1988 p.62.

33. 박희천 외  1987 pp.302-307.

34. U.S. Department of Commerce 「The Competitive Status of the U.S. Electronics          Sector 」 pp.39-40

35. 박희천 외 1987 pp111-119

36. Ernst and O'Conner 「Competing in the Electronics Industry-The Experience of          Newly Industrializing Economoies」 1992  p.37.

37. Tyson  1992 p.104, p.105.

38.  Okimoto 1984 p.133.

39. Howell, et al. 1988 p.47

40. NIKKEI MICRODEVIOES. 98.10

41. NIKKEI MICRODEVIOES. 98.4

42. Semipark. co. kr  03.02

43. 삼성경제연구소  「CEO Information(제 56호) 」 03.02

44. http://www.ksia.or.kr  03.03

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1) 전기적인 신호를 연결․조정․증폭시키는 반응적 전자소자를 의미한다.

2) 반도체 소자로 만든 증폭소자를 일반적으로 Transistor라고 하는데, 이는 Transfer Signal Through a Varistor의 약어. 에미터와 컬렉터로 불리는 두 단자 사이의 전류 흐름을 베이스 단자의 전압에 따라 조정하여 증폭, 발진, 스위치 작용등을 함.

3) MOS(Metal Oxide Semiconductor): 반도체 표면에 산화막을 형성사고 그 위에 금속을 붙인 구조

4) 진공관→트랜지스터→집적회로

5) ⓛ현대: 1983년 3월 모던 일레트로시스템사 설립

   ②삼성: 1983년 7월 미국현지 법인 SSI설립

   ③금성: 1983년 7월 소규모이지만 미국 서니베일에 사무소 개설

6) Memory 제품: 정보를 기억(저장)할 수 있도록 만든 반도체 IC

  읽고(Read) 쓸 수(Write)있는 램(RAM)제품과 읽기만 할 수 있는 롬(ROM)제품, 그리고 캠코더용 CCD, 기타 스페셜메모리로 구분된다.

7) 정보의 주기억장치로서, 기억내용의 유지를 위하여 항상 재생을 위한 펄스가 공급되어져야 하며, 전원이 공급되고 있는 동안이라도 일정시간 내에 주기적으로 다시 정보가 기억되지 않으면 기억내용이 사라짐. 컴퓨터의 Main Memory등에 주로 사용되었고, 반도체 분야의 설계 및 가공기술을 선도

8) 장비/재료 제조업을 의미함.

9) 2001년 중국반도체 개별장치 시장크기는 1000억대이다.

10) 전기를 공급해주지 않아도 저장된 데이터를 보관할 수 있는 비휘발성메모리이면서 기존의 ROM(Read Only Memory)보다 더욱 쉽게 데이터를 기록하거나 소거할 수 있다. 특히 구조가 간단하고 대용량화하기 쉽다는 장점이 있다.

11) 프로세서나 컨트롤러 등과 같이 논리연산을 수행하는 칩.

12) RISC(Reduced Instruction Set Computer) : 처리시간이 매우 짧고 간단한 명령만 골라 그것들을 조합한 명령세트에 의해 종래의 CISC(Complex Instruction Set Computer)보다 처리를 고속으로 하는 마이크로프로세서서

13) DSP(Digital Signal Processor) : 외부로부터 입력된 음성 등의 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 실시간(real time)으로 고속처리하는 전용 프로세서. 사운드, 이미지, 비디오 등의 멀티미디어 정보는 원래 아날로그 신호로 구성되어 있다. 이들 아날로그 정보를 처리하려면 모두 디지털로 변환시켜야 하며, 변환된 디지털 신호로부터 원하는 결과를 얻기 위해서는 방대한 수치연산작업이 이루어져야 한다. 이와 같은 과정을 보다 효율적으로 처리할 수 있도록 고안된 반도체가 DSP이다.

14) IC카드 : IC카드는 신용카드 크기의 플라스틱 카드에 집적회로 기술을 사용하여 마이크로프로세서, 기억기능 등을 모은 제4세대 휴대용 카드를 말하는 것으로 넓은 의미로 집적회로가 봉입되어 있는 카드 모두를 가리킨다. IC카드는 암호 알고리즘을 내장하고 있어 카드 소유자의 신분확인이나 상호인증, 입출력 데이터의 암호화와 정보 저장 등이 가능하여 금융결제용, 프로그램 수납용, 공중전화용, 신분증명용 등 응용범위가 넓은 것이 특징이다.

15) Komiya and Itoh(1988), “Japan's International Trade and Trade Policy,” pp.197-198. 저자들은 ‘제2의 파도’는 1976-78년간, ‘제3의 파도’는 1981-84년간으로 시대구분하고 있다. 1981년 이후에는 ‘국내문제’라고 여겨져 온 조달정책, 산업조직의 폐쇄성, 일본 경제의 낮은 수입비율, 국내판매망 등의 쟁점이 중요한 무역문제가 되기 시작했다. pp.202-203.

16) Johnson(1982), MITI and the Japanese Miracle, pp.301-302.

17) Johnson(1982), p.296 참조.

18) Johnson(1984), pp.296-297.

19) Johnson(1984), pp.301-302.

20) 이러한 인식은 미국내 전략산업론자들(그리고 전략무역론자들)의 전형적인 생각이다. 일본 반도체 산업의 진흥에 대한 정부의 역할에 대해서는 다양한 견해가 있다. 정부의 산업정책을 강조하는 견해는 Tyson(1992), Who's Bashing Whom: Trade Conflict in High-Technology Industries; Howell, et al.(1992), Creating Advantage; Anchordoguy(1988), “Mastering the Market” 등이 대표적이며 시장의 기능을 보다 강조하는 입장은 Okimoto(1984), “Political Context”; _______(1989), Between MITI and the Market: Japanese Industrial Policy for High Technology 등이 있다. 이외 ‘일본기술체제’의 독특성으로 설명하는 이론으로는 Fransman(1990), The Market and Beyond 가 있다. Okimoto(1984)는 일본의 반도체 산업의 성공을 국가정책에 주로 돌리는 것은 잘못된 것이라고 주장한다(p.133). 이러한 서로 다른 견해는 보다 일반적으로는 일본의 경제발전에 대한 여러 접근법을 반영하고 있다고 볼 수 있다.

21) Prestowitz에 따르면 1970년대 초 두가지 사건으로 컴퓨터전쟁이 반도체전쟁으로 전환되었다. IBM의 370 모델의 발표와 함께 또 하나 중요한 사건은 1972년 오키나와 반환 협상에서 오키나와를 반환받는 대신 일본은 전자시장을 점진적으로 개방하겠다는 약속을 한 일이다. Prestowitz(1988), Trading Places: How We Allowed Japan to Take the Lead, p.59.

22) 미국에서도 IBM 370 시리즈의 등장으로 컴퓨터 회사인 RCA, General Electrics 등이 시장에서 밀려나게 되었다.

23) Anchordoguy(1988), pp.509-543. 일본이 무역 및 자본 자유화에 대응하기 위해 고안한 새로운 제도는 고도 기술산업에서의 정부주도의 대규모 기술개발 프로젝트와 기술연구조합이었다. 전자의 첫번째 계획이 ‘고성능 컴퓨터 개발 계획’이었다. 이 계획에는 당시로서는 파격적인 규모인 101억엔을 투입하였다고 한다. 本田幸雄(1992), “<보론 2> 일본의 산업기술정책,” 441-469 참조. 말하자면 VLSI 계획은 양자의 형태를 결합한 것이라고 할 수 있다.

24) Fransman(1990), p.57. 

25) Anchordoguy(1988), p.528.

26) 미국에서는 1975년 16K DRAM이 모스텍에 의해 개발되었다. 일본은 1980년에 64K DRAM의 시제품을 발표했는데 미국에서는 IBM이 이미 이 세대의 칩을 컴퓨터 제조에 사용하고 있었다. 그러나 1980년 일본의  256K DRAM의 개발 발표는 명실상부하게 세계 최초의 일이었다. Prestowitz(1988), p.64.

27) Fong(1990), “State Strength, Industry Structure, and Industrial Policy: American and Japanese Experiences in Microelectronics," pp.283-287. 일본의 오키는 미국의 스페리 랜드와 합작관계에 있었기때문에 공동연구에서 배제되었다.

28) Fransman(1990), p.60.

29) 이러한 공동연구개발 제도는 미.일간 기술균형의 변화에도 상당한 영향을 미쳤을 것이다. 미국의 특허청에 등록된 미국과 일본의 특허건수의 비율이 1976-80년 기간과 1981-85년 기간 어떻게 변화되었는가에 관한 한 연구에 의하면 이 연구에서 분류된 21개 기술그룹 중에서 1981-85년 기간 비율이 가장 낮아진 것은 사진기술(1.26에서 0.75), 자동차(2.12에서 1.38), 정보기술 및 데이타처리(3.22에서 1.50)의 순이다. 정보기술 부문이 두 기간동안 비율이 상대적으로 더 낮아졌다는 점에 주목할 필요가 있다. 일본이 상대적으로 더 열세인 기술그룹을 보면 원자력분야(13.71에서 5.39), 레이저기술(11.01에서 3.96), 화학기술(5.51에서 4.42) 등이다. Frame and Narin(1990), “The United State, Japan, and the Changing Technological Balance,” pp.447-455. 특히 p.450 표 참조. 일반적으로 신제품기술이 보다 요구되는 화학산업에서는 일본이 미국에 비해 크게 뒤져 있는 것으로 평가되고 있는 점과 이 연구의 결과는 대체로 일치하고 있는 것으로 보인다.

30) Anchordoguy(1988), p.529.

31) Okimoto(1989), pp.229-238.

32) 일본의 이러한 연구개발계획의 한 특징은 이어지는 개발계획이 연속성을 유지하고 있다는 점이다. “하나의 프로젝트가 끝나도 거기에서 그치지 않고 그 분야에서 다시 새로운 테마가 형성되고 같은 체제 (같은 민간기업에 의한 연구조합 형태)로 계속된다”는 것이다. 本田幸雄(1992), p.448. 

33) 미국기업들은 특히 1970년대 중반의 반도체 경기침체후에 설비투자를 매우 꺼렸다. 일본의 경우 1975-80년 사이 9개 대기업의 설비투자가 1975년 165억엔에서 1976년 528억엔으로 크게 늘었고 1979년에는 1,010억엔으로 급증했다. 矢野經濟硏究所 編(1984), 󰡔반도체시장의 중기예측󰡕, p.63 참조. 1978-80년대 중반 사이 매출액 대비 설비투자와 연구개발투자의 경우 절대규모에서는 미국이 조금 앞섰으나 그 비율은 일본이 훨씬 앞섰다. 제3장 <표 3-1> 및 제5장 <표 5-17>를 참조할 것. 이와 함께 미국 기업들이 선호했던 ‘제2차 공급계약’(second source)관행도 일본기업들의 시장 점유율 향상에 도움이 되었다. 미국 기업들은 자신들간의 경쟁때문에 미국의 다른 기업보다는 일본의 기업들을 제2차 공급원으로 활용하는 경우가 많았다. Prestowitz(1988), p.62.

34) 판매조직이 중요하지 않다는 의미가 아니라 생산자-수요자간 관계가 밀접해야 하는 주문형 반도체와 같은 시장부분보다는 메모리 분야가 상대적으로 판매상의 제약이 더 적다는 것이다. 미국시장을 겨냥하고 나선 일본제품도 미국내에서는 미국 기업의 제품을 취급해온 일류 유통상을 확보하는 데 어려움을 겪었다. 이러한 점에 대해서는 박희천 외(1987), pp.302-307 참조.

35) 또한 DRAM의 생산은 여러가지 제조방법으로 가능하고 제품종류도 매우 많다.

36) 미국은 반도체칩 설계의 보호를 위해 1984년에 반도체칩 보호법을 제정하였으며 일본은 미국의 압력으로 관련법을 1985년에 제정했다. U.S. Department of Commerce(1990), The Competitive Status of the U.S. Electronics Sector, pp.39-40 참조. 미 상무성에 의하면 “전자산업분야, 주로 반도체, 컴퓨터 하드웨어, 소프트웨어 부문에서 지적재산권 침해가 1980년대에 상당히 증가했다. 몇몇 극동국가들이 만든 복사 칩이 시장에 범람하게 되었다. 이러한 지적재산권 침해는 이 부문에서 미국의 가장 강한 경쟁요소인 혁신활동을 침체시키는 효과를 낳을 수 있다.” p.40 참조. 이 법의 제정으로 1986년초에 일본의 8개 기업과 한국의 기업(삼성)이 Texas Instrument에 의해 64K DRAM과 256K DRAM의 특허권 침해 제소를 받아 로열티의 인상을 조건으로 분쟁을 타결하였다. 박희천 외(1987), pp.111-119 참조. 이 특허분쟁으로 삼성은 1990년까지 5년간 8,500만 달러의 로열티를 지불하였는데 이 액수는 반도체 매출액의 4-8%에 해당하는 규모라고 추정된다. 󰡔한겨레신문󰡕, 1991년 1월 8일. 우리나라는 1986년 미국으로부터 관련법 제정을 요구받았는데 1993년 1월에 반도체칩 보호법을 제정하였다.

37) 1970년 최소효율규모의 한 제조설비를 갖추는데 300만달러가 들었으나 10년후인 1980년에는 7,500만달러로 급증했다. 또 이것은 1985년 1억 5,000만달러로 1991년에는 5억달러로 증가했다.

38) 일본의 VLSI계획은 무엇보다도 제조기술에 중점을 둔 기술개발전략을 취했다. 제조기술의 향상, 대량생산, 수율의 증대간에는 밀접한 관계가 있다. 수율의 증대는 제조공정에서의 개선과 개량에 달려 있는데 이것은 다시 대량생산을 통한 학습효과의 축적에 의해서 가능한 것이다.

39) 이것은 주로 계산기나 손목시계 등에 사용되는 저렴한 논리소자를 생산하는데 이용된 기술이었다.

40) Ernst and O'Conner(1992), Competing in the Electronics Industry-The Experience of Newly Industrializing Economoies, p.37.

41) 이 기간동안 일본의 반도체제품의 전체수출중 대미수출의 비중이 24%에서 45%로 증가함. Tyson(1992), p.104 참조.

42)  Tyson는 이러한 미국의 대일 무역적자를 두고 “The famous crossover”라고 표현한다. Tyson(1992), p.105. 미국기업의 내부용생산은 포함되지 않았다. 이것을 포함할 경우 미국과 일본의 점유비가 비슷하다고 추정된다.

43) 1978-85년간 일본의 대미 수출은 미국 국내소비의 5%에서 17%로 증가한 반면 미국은 같은 기간 일본시장을 평균 9-10% 정도 차지하는데 그쳤다. 물론 미국의 일본시장 점유율에 대해서는 미국의 평가가 일본의 평가보다 보통 3-4% 낮다.