DDR6 RAM

[korea]

DDR6는 최대 12,800MT/s+를 달성해야 한다
삼성은 Tech Day 2021에서 DDR6와
그 진화 단계인 DDR6+에 대해 설명했으며
이 새로운 메모리 표준에 대한
많은 흥미로운 세부 정보를 공개했다

DDR6에는 4개의 메모리 채널이 있다
모듈당 메모리 채널 수는
DDR6에서 ​​4개로 늘어나
DDR5에 비해 두 배로 늘어난다
메모리 뱅크 수도 2배 늘어나 64개가 되는데
이는 DDR4에 비해 4배가 늘어난다는 의미다

메모리 대역폭의 세대 간 비교에서
DDR6는 다시 한 번 크게 증가할 것이다

DDR 최대 3.2GB/s
DDR2 최대 8.5GB/s
DDR3 최대 17.0GB/s
DDR4 최대 28.8GB/s
DDR5 최대 67.2GB/s
DDR6 최대 134.4GB/s+

현재 상황을 볼 때
가장 빠른 DDR6 메모리 모듈은
최소 134.4GB/s의 메모리 대역폭을 제공할 수 있고
OC 모듈은 초당 훨씬 더 많은 메모리 처리량을
제공할 수 있다고 가정할 수 있다

기능은 더 많고 전압은 낮음
DDR4에서 DDR5로 전환할 때와 마찬가지로
새로운 메모리 세대의 기능 세트는
다시 한 번 상당히 확장될 것이다
삼성, 마이크론, 난야, SK 하이닉스와 같은
모든 관련 DRAM 칩 제조업체는 이미 이를 공개했다

DDR6는 2024/25년에 출시될 예정

삼성은 이미 현재 DRAM 및 SoC 제조업체 서클의
다른 JEDEC 회원과 함께 DDR6 메모리 표준을
마무리하기 위해 노력하고 있다고 발표
제조업체에 따르면 이는 2024년경에 예상되지만
늦어도 2025년은 될 것이다

새로운 DDR6 메모리는
전문 기업용 부문에서 처음 선보이며
2025년형 서버 CPU에 처음으로 사용될 것으로 예상

반면, 한국 반도체 제조사 SK하이닉스의
수석 엔지니어는 다소 더 긴 개발 단계가
필요할 것으로 예상하고 있으며
2025년 말 이전에는 광범위한
시장 출시가 예상되지 않는다

아직 개발이 진행 중이므로 가까운 시일 내에
볼 수 있을 것이라고는 기대하지 않는게 좋다