반도체 재료 용어

[가이아]

반도체 재료 용어

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트랜지스터 :반도체 결정 속의 도전작용을 이용한 증폭용 소자(素子).

DRAM: 일반적인 기억장치로 많이 사용되지만 전원이 끊어지면 저장된 자료가 소멸되는 반도체

광석검파기: 초기의 무선 수신기에서 사용된 고주파 정류기.

정류작용: 음극으로부터 방출된 전자가 양극이 음극보다 높은 전위일 때 양극으로 흘러 가는 것을 이용하여 양극에 교류를 가해, 양극이 양(陽)일 때만 전류가 흐르게 되어 교류가 직류로 변환되는 현상을 말한다(2극관의 경우).

찰상소자(CCD):CCD는 디지털 카메라에서 빛을 전기적인 신호로 바꿔주는 광센서 반도체로, 일반 카메라로 말하자면 필름을 감광시키는 기능에 해당되며 디지털 카메라의 핵심이다.

광전자:광전효과에 의해서 자유로이 움직일 수 있는 전자.

다이오드 : 다이오드는 진공관(또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있으며, 진공관의 경우는 2극관(二極管) 또는 2극진공관이라고도 한다. 셀렌(selenium) 정류기(整流器)와 같은 전자현상을 이용한 이른바 금속정류기 등도 다이오드의 일종이지만, 보통 정류기라고 한다.

열전 효과: 톰슨 효과, 펠티에 효과, 제베크 효과와 같이 열과 전기의 관계로 나타나는 각종 효과의 총칭

피에조 저항 효과 :반도체에 전기를 흘르면 각도에 따라 신호(주파수) 세력이 다르게 나타나는 현상을 말합니다.주로 마이크로파등 고주파 안정된 주파수등을 만들 때 운모등을 이용하여 X 또는 Y식으로 깍아서 주로 사용

메모리:1.기억 장치.

2기억용량.

비메모리: 데이터를 저장하는 데 활용되는 디 램(D-RAM)과 달리 연산, 논리 작업 등과 같은 정보 처리를 목적으로 제작되는 반도체.

리드프레임:반도체 칩을 올려 부착하는 금속 기판.

본딩와이어 :집적회로(IC)와 외부전극(lead)과 반도체 장치의 패드(pad)를 접속하는 본딩 와이어(bonding wire)에 있어서, 임피던스와 인덕턴스를 감소하게 함을 특징.

포토레지스트: 자외선을 쪼이면 그 특성이 변하는데 그 성질을

반도체 공정 등에 이용

산화물:산소와 다른 원소와의 2원화합물(二元化合物)의 총칭.

전도체:전기 또는 열을 전하는 물질.

절연체:열이나 전기를 전달하기 어려운 물체.

전기저항: 전류가 통과하기 어려운 정도를 표시하는 수치.

홀효과:자기장 속을 흐르는 전류에 관한 현상.

캐리어: 라디오나 텔레비전 신호를 전송하는 주파.

전자:음전하를 가지는 질량이 아주 작은 입자.

정공:반도체 가전자(價電子)의 빈자리. 양(陽)의 전하와 양의 유효 질량을 가진 전도 전자처럼 움직인다

센서:대상물의 상태를 파악하기 위한 것. 사람으로 말하자면 감각에 해당하 는 기능을 수행하는 소자로 대상물의 상태를 파악하고 전기신호로 전달 하는 것이

무정형:일정한 형체가 없음.

다결정:많은 미세한 결정이 여러 결정축의 방향으로 모여 있는 결정. [천연적인 결정질 물체의 대부분이 이에 딸림.] ↔단결정.

전위:단위전하(전하량이 1C인 전하)를 전기장 내에서 옮기는 데 필요한 일을 의미합니다.

p형반도체: 순수한 반도체 결정에 가전자 3개를 갖는 3가원소의 불순물을 넣어 정공(hole)의 수를 증가시킨 반도체

도가니:물질을 융해하거나 배소(焙燒)하는 등의 고온처리에 사용되는 내열성 용기.

용해:기체 ·액체 ·고체인 물질이 다른 기체 ·액체 ·고체와 혼합하여 균일한 상태로 되는 일.

아르곤:주기율표 제0족에 속하는 비활성기체원소

인상법:융액으로부터 단결정(單結晶)을 육성하는 방법.

cz법: 집적회로나 보통의 다이오드·트랜지스터 등의 회로소자를 만드는 반도체결정으로는, 크고 질적으로 양호한 결정을 만드는 데에 적합한 ＜초크랄스키법(Czochralskimethod;약칭은 CZ법. 結晶引上法)＞으로 만들어지는 것이 이용된다

궤도:중력장 또는 전자기장 등에서 물체가 운동하는 일정한 길.

불활성 : 다른 원소와 결합하지 않는 기체 원소. 주기율표 0족에 속하는 아르곤·네온·헬륨·크립톤·크세논·라돈 등

공유결합:화학결합의 하나로 2개의 원자가 서로 전자를 방출하여 전자쌍을 형성하고, 이것을 공유함으로써 생기는 결합.

전도대:가전자에서 전자가 올라오기 전까지는 텅텅비어있는 궤도의 띠

충만대:전자가 있는 공간

금지대:전자의 궤도가 없는 즉 전자가 들어갈수없는 곳

대의 이론：결정 내 전자의 에너지준위가 연속적으로 분포하는 부분과 준위가 없는 부분으로 나뉜 구조이론

자유전자:균일한 전기장이나 자기장 이외에 외부로부터 힘을 받는 일 없이 자유로이 움직이는 전자.

볼츠만 통계 :열평형상태에 있는 같은 종류의 입자 집단에서 각 입자가 취할 수 있는 상태(이를테면 속도)를 통계적으로 나타낸 것이다.

전하:모든 전기현상의 근원이 되는 실체(實體).

수준기 :수평선 또는 수평면을 구하기 위한 기구.

천이:양자(量子) 역학에서, 어떤 계(系)가 한 정상(定常) 상태에서 다른 정상 상태로 어떤 확률을 가지고 옮기는 일.

불순물반도체: 특성이 반도체 결정(結晶) 본래의 성질이 아니라 첨가되는 불순물에 의해서 특징지어지는 반도체.

인듐:주기율표 제3B족에 속하는 금속원소

증류수:증류에 의해서 정제된 물.

이온화:분자(또는 원자)가 양전하 또는 음전하를 얻어 이온이 되는 현상.

도너:결정(結晶) 속의 불순물로서 전자(電子)가 남아 있는 것.

도너레벨: 반도체(半導體)를 구성하는 모체원소(母體元素)의 원자가(原子價)보다 큰 원자가를 가진 불순물 원소를 도너라고 한다. 전도대에 자유전자를 공급(donate)하는 그러한 불순물로 금지대(禁止帶) 속에 도너준위(準位)를 형성하고 전도대에 전자를 공급하므로 그 반도체인 n형전도를 나타낸다.

억셉터 : 반도체에서 원자가전자띠(충만띠라고도 한다)로부터 전자를 받아 정공을 만들어 전기전도성을 부여하는 작용을 하는 불순물

n형반도체 : 전기전도 현상을 지배하는 주된 운반체가 정공(hole)이니라 전자인 불순물 반도체

농도 : 주로 용체(용액·혼합기체·고용체 등)에서 성분의 조성을 나타내는 양.

ppm:백분율(%)과의 관계는 1ppm=1/106=1/104%가 된다. 미량분석의 정량범위, 검출한계 등을 수적으로 표현할 때 널리 쓰인다.

다수캐리어 : 반도체(半導體) 속에 있는 두 종류의 캐리어 중 여러 개가 존재하는 캐리어.

소수캐리어:반도체(半導體)에서 전류 운반 구실을 하는 캐리어 중 수가 적은 쪽.

표동 : 전기장이 가해진 상태에서 무질서하게 움직이는것 같은 입자들이 거시적으로 전기장 방향이나 그 반대 방향으로 극성에 따라 움직이는 것을 나타내고자 하는 용어

확산:어떤 물질 속에 이종(異種)의 물질이 점차 섞여 들어가는 현상

애자 : 송전선이나 전기기기의 나선(裸線) 부분을 절연하고 동시에 기계적으로 유지 또는 지지하기 위하여 사용되는 자기(磁器)로 만든 것.

페르미 레벨 : 결정 내에서 어떤 에너지를 가지는 전자 수의 분포는 페르미 디랙(Fermi-Dirac)의 통계에 따르는데, 이 경우 전자의 존재 확률이 2분의 1이 되는 에너지 레벨.

칼코겐화물 : 비산화물 비정질반도체로 보통 4족 또는 3족 - 5족 원소

유기반도체:일반적으로 금속과 같이 전류가 흐르지 않으며, 절연체만큼 전기저항이 크지 않은 중간적인 전기 전도성을 지닌 고분자화합물

안트라센:방향족 탄화수소의 하나

테트라센:석탄타르의 안트라센유 유분(溜分) 속에 소량 함유되어 있는 탄화수소.

도핑:반도체는 전류를 운반해주는 매체를 조절할 수 있는 것

섬아연광:정계(等軸晶系)에 딸린 광물. 흔히, 황색·황갈색·갈색·녹갈색을 띠나 흰색도 더러 있음. 순수한 것은 67%의 아연을 함유하는데, 투명 또는 반투명의 광물로 가장 주요한 아연 광석임.

울지트(wurtzite)광 : 일반식 AX(A는 양성원소, X는 음성원소)로 나타내지는 화합물에서 발견되는 결정구조의 한 형식. 명칭은 주성분이 황화아연 ZnS인 광물의 우르차이트광이 이 구조를 가진 것에서 유래한다.

일반식 AX(A는 양성원소, X는 음성원소)로 나타내지는 화합물에서 발견되는 결정구조의 한 형식. 명칭은 주성분이 황화아연 ZnS인 광물의 우르차이트광이 이 구조를 가진 것에서 유래한다. 우르차이트광은 섬유아연광(纖維亞鉛鑛)이라고도 하며 황화이온 S의 육방밀집구조의 사면체공극에 아연이온 Zn가 들어가는 구조이다. 육방정계이며 공간군 P63mc a가 0.3820㎚, c가 0.6260㎚인 단위격자 속에 아연이온·황화이온 2개씩이 들어간다. 황화카드뮴 CdS, 산화베릴륨 BeO, 산화아연 ZnO, 요오드화은 AgI 등이 같은 형이다. ZnS에는 별도로 섬아연광형이라고 하는 입방정계인 것도 있는데, 고온에서는 우르차이트광형이 안정하며, BeO와 같은 산화물이 우르차이트광형이 되는 것으로 보아 우르차이트광형구조가 이온결합성이 더 강한 것으로 생각된다

정전기력:같은 극성의 전기는 반발하고 다른 전기는 흡인한다.

두 전하 사이에 작용하는 힘에 대하여 쿨롬의 법칙이 적용된다.

광도계:광도(光度)를 측정하는 장치.

압전성:물질의 전기적 성질과 기계적 성질의 결합에 의해 나타나는 현상으로서, 물질에 압력을 가해서 변형을 일으키면 전기장이 형성되어 전극을 통해 전압이 발생한다

EL: EL은 전장을 가하면 빛이 나는 현상(자체발광)

암전류:입사광이 없는 특정한 바이어스 상태에서 광검출기에 흐르는 전류

열전자: 높은 온도로 가열한 금속이나 반도체 표면에서 방출되는 전자

MOCVD: 화학 반응을 이용하여 기판상에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성법. 진공으로 된 통 안에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속의 유기 화합 물 증기를 보내어 그 금속의 막을 기판에 성장시킨다.

MBE(molecular-beam epitaxy) : 분자선 에피택시; 분자선을 사용하여 초고(超高) 진공하에서 박막(薄膜) 결정(結晶)을 성장시키는 방법

OLED:유기발광다이오드(OLED)는 유기화합물을 사용해 자체 발광시키는 차세대 디스플레이로, 화질의 반응속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 차세대 평판디스플레이이다.

다광자:2개 이상의 광자가 흡수 또는 방출.

다환식방향족 화합물:

프탈로시아닌:포르피린과 비슷한 구조를 보이며, 중심부에 있는 2개의 H가 다른 금속이온에 의해서 치환된 프탈로시아닌착염(錯鹽)을 만들기 쉽고, 이것들을 포함해서 프탈로시아닌이라고 한다.

폴리에틸렌:에틸렌의 중합으로 생기는 사슬 모양의 고분자 물질.

실란:넓은 뜻으로서는 수소화규소의 총칭, 좁은 뜻으로는 모노실란.

다이캐스팅:주물 제작에 이용되는 주조법(鑄造法).

DC스퍼터링:마이너스 (-)DC 파워를 가해 스퍼터링을 해주다가 그 중간 중간에 잠시 플라스(+) DC파워를 펄스로 가해주는 것은 말합니다.

코발트층: 금속 원소의 한 가지. 철과 비슷한 광택이 나며, 자성이 강하고 잘 부식하지 않음. 도금에 쓰이며, 화합물은 유리나 도자기의 청색 안료 따위에 씀.

터널링 현상: 에너지 장벽을 뛰어넘지 않고 통과하는 현상

자화:물체가 자성(磁性)을 지니는 일

상변환층:

GST:상변화를 일으키는 물질.

부성저항:전압을 올리면 전류가 증가하는 것이 아니라 되레 전류가 감소하는 현상

플래너기법:

FCC:정육면체의 8개의 모서리에 각각 한 개의 격자점이 배치하고, 추가적으로 6개의 면의 중심에 각각 한 개의 격자점이 존재하는 공간격자를 가리킵니다.

강유전체:자연 상태에서 전기편극(電氣偏極)을 가지고 있는 물질.

어널링:

부유대역법:쵸크날스키 인상법과 비슷하지만 도가니를 사용하지않아서 결정 중에 산소 등의 불순물이 혼입되지 않아 매우 고순도 단경정을 만들수있는것이 특징

아-로크:

스크러버:

겔마나이트:광석 속의 혼합광석으로 포함된 무기게르마늄과 유기게르마늄을 분리하여 유기게르마늄만을 음용수로 용해하여 음용할 수 있게 하는 유기게르마늄수의 채취방법을 제공하기 위한 것이다.

아르기도다이트:

레닐라이트:

내아연광:

황동광: 구리와 철의 황화 광물. 정방 정계에 속하며 금속광택이 남.

시료: 시험이나 검사·분석 따위를 하기 위한 재료

에피택셜:

고용체: 완전하게 균일한 상(相)을 이룬 고체의 혼합물.

게터링: 확산 계수가 커서 900∼1 000℃의 열처리를 하면 상당한 거리를 이동한다 이 금속 원자를 흡수 제거하는 전형적인 방법

에치피트:

부정합: 새로운 지층이 낡은 지층 위에 침식면을 경계로 하여 겹치는 현상

pre-deposition : 웨이퍼에 불순물을 첨가시키기 위하여 표면부근에 침투시키는 공정

드라이브인(drive-in) : 주입된 이온(Ion)을 필요한 만큼 확산 시키는 공정

상보오차함수(complementary error function) :오차함수(error function, erf)는 어떤 독립변수의 오차함수 값을 주기 위해 표나 도표로 부터 읽을 수 있는 수학적 함수이다.

Erf( x ) = 2 / Sqrt( Pi ) * Int( Exp( - t2 ), t = 0 ... x )

Erfc( x ) = 1-Erf( x ) = 1 - 2 / Pi( 1 / 2 ) * Int( Exp( - t2 ), t = 0 ... x )

가우스 분포: 도수분포곡선이 평균값을 중앙으로 하여 좌우대칭인 종 모양을 이루는 것

쇼트키: 열전자 방출에서 양극전위(陽極電位)를 높이면 전류가 완전히 포화되지 않고 조금씩 증가하는 현상.

옴의 법칙: 도체 내의 2점간을 흐르는 전류의 세기는 2점간의 전위차(電位差)에 비례하고, 그 사이의 전기저항에 반비례한다는 법칙.

합금: 한 가지 금속에 한 가지 이상의 원소를 첨가하여 새로운 성질의 금속을 만듦

포토레지스트(PR): DRAM과 같은 고체 전자 소자를 만들때 특정한 패턴을 만들기 위해서 리소그래피(Lithography)라는 공정시 필요한 물질입니다

이온주입법: 반도체의 기판(基板)에 특정 불순물의 이온을 주입해서 반도체 소자(素子)를 만드는 기술

식각: 화학약품을 그대로 웨이퍼의 표면에 작용시켜서 표면을 깎는 과정

광전도 재료: 빛을 비추면 빛에너지를 흡수해서 전하(電荷)를 운반하는 하전체(荷電體)의 양이 증가하고, 전기전도율이 증가하는 성질(광전도성:내부광전효과의 하나)을 가지는 소자(素子).

버랙터: p-n 접합의 장벽 용량(공핍층의 존재로 생긴 정전 용량)에 가해진 역방향 전압의 크기에 의해 공핍층(空乏層)의 두께를 변화시켜 정전 용량의 값을 가감하는 것

광전면: 외부 광전 효과를 이용하여 광전 변환을 일으키는 면

바리캡: 장벽용량을 가지는 다이오드에 역바이어스를 걸면 그 전압의 크기에 따라 공핍층의 두께가 변해 정전용량이 변한다.(=가변용량다이오드)

UJU:

SSS:

SBB:

SUS:

탐침: 구조물의 형상을 측정하거나 전도성, 전자기적 성질, 마찰력 등 나노 구조물의 특성을 파악하는데 사용

고휘도: 액정 모니터의 밝기가 밝은 액정모니터라는 뜻

기전력: 회로에 전류를 흘려보내는 원인이 되는 작용.

시감도 : 가시광선(可視光線)이 주는 밝기의 감각이 파장에 따라서 달라지는 정도를 나타내는 것.

실리콘 광전자:

순방향바이어스: P쪽에 (+)극을 N쪽에 (-)극을 인가하면 P쪽의 정공와 N쪽의 전자는 같은 극성을 만나게 되어 밀리면서 전류를 형성

역방향바이어스: P쪽에 (-)극을 N쪽에 (+)극을 인가하면 P쪽의 정공과 N쪽의 전자는 다른 극성을 만나게 되어 각 Carrier들은 각 극성에 달라붙게 되어서 캐리어가 없는 공핍대가 커지게 된다. 공핍층엔 Carrier가 없어 전류가 흐르지 못하므로 스위치의 OFF와 같은 기능으로 사용

에피택셜(Epitaxial)형 : 기판역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 가스 상태의 반도체 결정을 석출시키면 기판의 결정축을 따라서 결정이 성장되는 현상

축적모드:

공핍층: 공간전하층 반도체중의 PN 접합등에서는 움직이려는 캐리어(carrier)의 전하밀도가 희박하여 도너(Donor)급 엑셉타(Acce-ptor)의 전하밀도를 중화하는데 불충분한 상태로 되어있는 영역을 공핍층

항복현상: p형 반도체와 n형 반도체를 접합한 것에 역전압(逆電壓)을 걸면 미약한 포화전류가 흐르는데, 역전압을 크게 해가면 갑자기 전류가 늘기 시작하는 현상

펄스: 맥박처럼 짧은 시간에 생기는 진동현상.

드레인: 전기장 효과트랜지스터(FET)의 3개의 전극 중 하나

유효질량: 결정내 전자의 겉보기질량.

공진회로: 서로 다른 에너지 사이의 가역적 변환에 의해서 일어나는 자유진동의 주파수와 외력의 주파수가 매우 가까울 때 발생하는 공진현상을 전기적으로 일으키는 회로

전자사태: 강한 전기장에서 기하급수적으로 진행되는 이온화현상[電離現象] 또는 그 결과로 생긴 전하분포(電荷分布).

건다이오드 : 건발진(Gunn oscillation)에 의하여 마이크로파를 발진하는 다이오드

패키지: 집적회로 칩을 고정시키는 반도체

집적도 : 전자회로를 소형화하기위해 다이오드, 트랜지스터 등의 소자를 쌓은 밀도

실리콘웨이퍼 : 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 실리콘 판

포토마스크: 반도체 및 LCD 제조시 매우 중요한 원재료로 사용되는 포토마스크(Photomask)는 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화한 것

EMC(Epoxy Molding Compound): 반도체 Chip을 외부 환경으로부터 보호하기 위해 봉지되는 열경화성 유무기 복합재료로써, 성형 가공성이 뛰어나고 기계적인 물성과 전기특성이 양호한 에폭시 수지

스퍼터링 타깃: 스퍼터링 타깃의 스퍼터면을 다듬질가공할 때에, 상기 스퍼터링 타깃의 구성성분중 적어도 1개의 성분을 주성분으로 하여 이루어지는 분말을 사용하여 가공을 행하는 것을 특징

폴리실리콘: 일반 실리콘 결정과 아몰포스(비정질) 실리콘의 중간 정도에 해당하는 물질입니다

ASIC: 특정 용도로 설계된 비메모리 반도체 칩

CMOS:마이크로칩 내의 트랜지스터들에 사용된 반도체 기술

ROM:한번 기록한 후에는 빠른 속도로 읽어내는 것만을 허용하고 다시 기록하는 행위는 금하거나 극히 제한하는 기억장치.

EPROM: 메모리 속에 저장된 내용을 지우고 재 사용할 수 있는 PROM.

DOPANT: 유리의 굴절률을 변화시키기 위해 소량 첨가된 원소.

랩핑: 멀티미디어 SDK 의 time... 관련 함수들을 가지고 멀티미디어 타이머를 클래스 라이브러리로 계층화하는것.

웰: 정상 동작 신호.

광검지기: 프리즘면에 반사된 빔을 검지하는 에러검출용

MPU: 초소형 연산 처리 장치

MEMS: 육안으로 식별이 어려운 극히 소형의 기계.

CVD :IC 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법.

COP:

GOI:

래치업: 상기 바이어스 전압이 일정 한계전압 이상으로 전압이 상승

석영:육방정계(六方晶系)에 속하는 광물.

이원계: 2가지 원소물질의 합금

입사광: 물체를 향하여 비추는 빛. 물체의 빛깔은 입사하는 빛의 반사 파장과 흡수 파장의 조합 함수로 결정된다.

노광광:다른 투사 각도를 갖는 다수의 노광광을 발생하는 다수의 광원 및 노광광들에 의해 기판 상에 다수의 노광패턴을 형성하는되 쓰느것을 노광광.

I-LINE: 수은등 레이저에서 나온빛.

G-선:

DNQ:

노블락 레진:

감광성:농작물의 출수(出穗)나 개화가 일조시간(日照時間)에 의해 영향을 받는 성질.

노광부: 노광기내 UV 램프로부터 나오는 UV 빛이 노광용 필름을 통해 코어에 밀착된 드라이 필름에 조사되어 필요한 부분

광가공:콘택트 홀의 형성에서의 넓은 프로세스 윈도우를 제공하고, 플로우 베이크에서 피트의 형성을 제한하는 포지티브 레지스트 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법.

TFT:박막 트랜지스터 액정 표시 장치

STN: 초 비틀린 네마틱이라 하고, TN과 같은 구조를 가지고 있으며 비틀림 각이

TN 보다 큰 액정 모드이다.

폴리머:분자가 중합하여 생기는 화합물.

박리제:물체를 박리시키기 위한 재료의 총칭

역삼투식:

반투막: 용액 ·콜로이드 용액 ·혼합기체 등과 같은 혼합물의 일부 성분은 통과시키지만, 다른 성분은 통과시키지 않는 막

음압: 매질 속을 지나는 음파에 의해 생기는 압력.

공동현상: 유체(流體) 속에서 압력이 낮은 곳이 생기면 물 속에 포함되어 있는 기체가 분리하여 물이 없는 빈 곳이 생기는 현상.

프로젝션 얼라이너:

스텝퍼:

ILD용: 디램의 최하층에 로직트랜지스터 및 저장트랜지스터를 형성하고

층간절연막을 형성합니다.

소다 : 탄산나트륨

악력: 손으로 물건을 쥐는 힘을 측정하는 기구

지립: 연마입자

TEOS: Tetrahydroxy Silane이 되면서 4개의 에탄올이 나옵니다.

그리고 약간의 열을 가하면서 탈수 반응을 시키면

산업적으로 사용되고 있는 실리콘오일이 됩니다.

BPSG: 산화공정을 포함하여 이루어지는 기판 표면 평탄화 방법

열산화막: 불산 수용액으로 반도체기판 상부에 형성된 자연산화막을 제거하고, 강한 산화력이 있는 화학약품올 사용하여 자연산화막과 비슷한 두께의 화학산화막을 형성한 후, 상기 화학산화막을 열처리하여 열산화막을 형성.

콜로이달 실리카: 물이나 에탄올 등의 분산상에 실리카 입자들이 분산되어 있는 상태입니다.

현탁액: 액체 속에 고체의 미립자가 분산되어 있는 것.

퓸드 실리카: 환상 디메틸실록산에 의해 소수화 처리된 퓸드 실리카로서, 친유도를 나타내는 M값이 48 내지 65의 범위에 있고, 탭핑 부피 밀도가 80 g/L을 초과하여 130 g/L 이하이며, 톨루엔 중에서 측정한 분산성을 나타내는 n값이 3.0 내지 3.5인 것을 특징으로 하는 소수성 퓸드 실리카.

STOUBER:

산화세륨: CeO

접점홀: 기판에 형성된 반도체 소자 사이를 전기적으로 연결하기 위해 도전 재질로 제1배선을 형성하고 상기 제1배선 위에 절연 재질로 IMD층을 형성.

비아홀 :금속배선이 형성된 반도체기판 상에 다층의 절연층을 형성하는 공정과, 절연층 상에 금속배선과 대응된 부위를 노출시키도록 패터닝하여 마스크패턴을 형성.

다마신공정:상기 미세 금속배선 패턴 간의 금속층간 절연막을 실리콘 산화막 및 불화 비정질 탄소층의 적층 구조로 형성하여 반도체 소자의 다마신 공정에서 금속층간 절연막 형성 방법.

대소조밀: 크고 작고 느슨하고 촘촘한 것

규산염: 각종 규산의 수소가 금속원자와 치환된 중성염의 총칭.

경질: 가벼운 성질

발포재료: 구멍이 많이 뚫린 재료

폴리우레탄:제2차 세계대전 중에 합성섬유 페를론 U로서 처음 독일에서 만들어졌다. 알코올기(基) OH와 이소시안산기 NCO의 결합으로 우레탄결합이 만들어진다. 합성섬유(合成纖維)로 만들어지는 것은 탄성섬유(彈性纖維) 스판덱스이다. 그것은 페를론 U와 우레탄고무의 중간이라고도 할 수 있다.

고경도: 매우 단단한 것

폴리머: 탄소와 소소로 구성된 고분자 물질

왁스접착법:

진공흡착법 : 금속 또는 비금속의 작은 조각을 진공 속에서 가열하여 그 증기를 물체면에 부착시키는 일.

탄성지지법: 단순히 웨이퍼를 배면으로부터 지지할 뿐만 아니라, CMP의 균일성을 좌우..

캐리어플레이트:

투루링:

전류유동:

힐락: 베이스 기판위에 공통배선층을 먼저 형성한 후 배선층을 나중에 형성하여 힐락 시드의 형성을 방지하고 또한 보호막을 저온에서 형성하여 힐락의 성장을 방지하여 보호막의 표면을 평탄화시킬 수 있다.

휘스커 : 빗살 모양의 결정을 총칭.

응력유동 : 물체에 외력이 작용하였을 때, 그 외력에 저항하여 물체의 형태를 그대로 유지하려고 물체내에 생기는 내력.

LSI: 낮은 전력소비를 특징으로 하는 MOS 구조로된 집적회로.

PSG: Silicon Dioxide의 표면에 Phosphorus를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 Phosphorus를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 Phosphorus확산후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다.

양극산화법: 마그네슘합금에 불꽃을 튀겨 표면처리를 하는 방법

수질절연법:

MCP:

플립칩본딩: 칩의 전극패턴 혹은 이너리드에 솔더볼 등의 돌출부를 만들어주고

기판에 칩을 올릴때 전기적으로 연결되도록 만든것입니다

WL-CSP: 본딩패드들이 형성된 활성면과 반대편의 하면을 갖는 반도체 칩

SIP: 인터넷상에서 통신하고자 하는 지능형 단말들이 서로를 식별하여 그 위치를 찾고, 그들 상호 간에 멀티미디어 통신 세션을 생성하거나 삭제 변경하기 위한 절차를 명시한 응용 계층의 시그널링 프로토콜.

라디에이션:

인덕턱스:

알루미나 : 알루미늄과 산소의 화합물.

폴스테라이트:

그레이스기판:

481/2:

커플링: 회로 사이에서 신호를 전달하고자 할경우 그 회로사이를 어떤 방법으로 양쪽을 서로 잘 결합 해주어야 신호.

생판현상:

육방정:

CTE:

수지본지:

열가성수지: 열을 가하여 성형한 뒤에도 다시 열을 가하면 형태를 변형시킬 수 있는 수지.

디메틸클로로실란:

메틸트리클로로실란:

경화제:열경화성수지(熱硬化性樹脂)에 첨가하여 다리결합을 일으켜 경화시키는 약제.

고리열림:

히드록시기 : 무리의 유기화합물에서 그 특성의 원인이 되는 공통된 원자단 결합양식.

노볼락: 페놀수지의 제조공정 중 산성 촉매로 생성되는 1차 수지.

헥사메틸렌테트라민 : 수은의 검출 및 구리 ·비스무트 등의 정량시약(定量試藥)에 사용되며, 이뇨 ·소독약으로도 사용

TCP : 서로 데이터를 주고받는 방식.

금속간화합물:

신성가공:

재결정 : 결정성 물질을 정제(精製)하는 방법의 하나로 용질을 다시 결정으로 석출시키는 조작

연속주조:소성가공(塑性加工)의 소재인 잉곳(ingot)을 비교적 길게 만드는 방법.

카본블랙: 흑색의 미세한 탄소분말.

헥사 메칠렌 디아민:

유기난연제:

난연성:불이 붙기 어려운 성질의 물질

무연납땜:

무할로겐화:

솔더볼:BGA의 다리로 쓰이는 조그만 납구슬.

CSP: 칩 크기와 동일하거나 약간 큰 반도체를 총칭하는 것으로 주로 휴대전화와 개인정보단말기.노트북에 사용되며 3년전에 비해 생산량이 10배이상 증가할 정도로 급속하게 보급되고 있는 초박형.경량.초소형 반도체이다.

미립화: 미세한 입자

표면장력:액체의 자유표면(自由表面)에서 표면을 작게 하려고 작용하는 장력.

박형화: 얇은 알미늄호일을 알미늄 박이라고도 하는데 두께가 얇다는 뜻.

매트릭스 방식:브라운관(CRT)과 같이 임의의 화상이 표현될 수 있도록 X와 Y의 행렬 배열에 의해 화면을 구성하는 표시 방식.

능동방식:

호모지니스:

호메오트로픽:액정층을 형성할 수 있는 측쇄형 액정 중합체 및 광중합성 액정 화합물을 함유하여 이루어진 것이 특징.

하이브리드 배열:두 기판 사이에 액정 물질을 주입하면 액정 분자의 배열이 다른 두 영역이 반복되어 형성되고, 각 영역은 수평 배향막으로부터 수직 배향막으로 갈수록 기판기판에 대한 액정 분자의 경사각이 커지는 하이브리드(hybrid)배열.

복굴절성: 보통 물질은 용융온도에서 고체로부터 투명한 액체로

변화하지만, 액정물질은 용융온도에서 우선 불투명하고 혼탁한 액체로 일단 변화하고 그후 더욱 온도를 올리면 보통의 투명한 액체로 변화한다.

비페닐화합물:전열매체(傳熱媒體)로서 널리 쓰이며, 이 밖에도 염료 ·의약품 등의 합성원료로 쓰인다.

선택광산란:

원편광 2색성:

포토에칭:

뉴런 링:

4염화주석:

3염화 안티몬:

반응성 스퍼터링:

이온 플레이팅:

왜점:

열왜:

랩톱:

식각액:

면광자:

탄성:

플렉시볼:

이방성도전막:

QVGA:

PPV:

COUMARINE유도체:

FED:

ATHRACENCE:

PERYLENCE:

CTCLOPENTADIENCE:

PPP:

안드라센:

DVPBI:

ALQ3:

DCM색소:

프탈로시아닌 구리:

PEDOT:

여기자:

라디칼:

당김체:

공명:

π-공액구조:

진공열증착:

기상증착:

치환제:

ITO:

BARRIO3:

컬러디스플레이:

AC구동형:

DC구동형:

방전:

형광체:

가시광:

평판형:

계조구현:

휘도:

피크:

시야각:

광발광:

명암비:

유전막:

소다석회유리:

격벽:

픽셀:

변위전류:

유전체:

CVD:

SPUTTER법:

감광성 PASTE:

S/Q(스퀴즈):

SEAL봉착:

클램핑:

예비 아닐링:

양극모션:

모체:

이토륨:

가도륨:

브론산염:

유로피움:

파장대:

도전성:

E-빔증착:

소성함:

스크린인쇄법:

라프트 오프법:

보상도체:

알카리토류:

일함수:

경질재료:

공명:

전자빔증착:

근적외선:

PMMA:

폴리에스테르수지:

실링:

희토류:

열간압연:

풀림:

연신율:

메짐:

바인드선:

변태점:

다공성:

투명박막:

절삭성:

시효:

리벳제:

면심입방:

아말감:

정제:

코크스:

패킹재:

경랍:

퓨터:

브리타니아메탈:

고용체:

산화지르코늄:

몰리브덴:

질화탄탈:

칸탈:

메가블:

인바아:

듀멧:

세라믹계:

례진계:

취부:

산란:

베이클라이트:

소성:

파라핀:

폴리에틸렌:

폴리4플루오르화에틸렌:

전계

하전:

커패시턴스:

커패시터:

미소전류:

해리:

대지절연:

공공:

TG:

TM:

부싱:

포설:

팽윤:

임계:

조셉슨:

몰리브덴:

테크네튬:

탈륨:

토륨:

세륨:

루테륨:

초전도체:

뮬러:

응집력:

고작화:

와전류:

플레밍의 왼손법칙:

멀리미터화:

SMES:

SFCL:

MRI:

코어:

클래드:

플루오르화합물: