반도체 공정 문제 개발(NCS)

[가이아]

1. 우리나라의 반도체 산업의 발전과정을 살펴볼 때 1970년대에 이루어졌던 산업 발전 단 계는?(P26)

① 외국 자본에 의한 조립 생산 단계 ② 개별 소자 생산 단계

③ 일관 공정 생산 단계 도입 ④ 국산 고유상품에 의한 수출 단계

⑤ 나노 기술 도입 단계

2. 다음 중 반도체 산업의 특징에 해당되지 않는 것은?(P30)

① 원료 재료에 물리ㆍ화학적적 처리 공정을 거쳐 회로를 구성하여 반도체 소자로서의 기능을 부여하는 산업

② 여러 분야의 학문이 모두 결합된 종합 산업

③ 수 많은 회로에 첨단 기술을 사용하여 집적하는 고도의 기술 집약적 산업

④ 원재료의 비용에 비하여 매우 높은 고부가가치를 창출할 수 있는 산업

⑤ 호황이나 불황이 적어 경기에 둔감한 산업

3. 반도체의 기능에 의하여 분류할 때 비메모리 반도체는 다음 중 어느 것인가?(P30)

① DRAM ② SRAM ③ MASK DRAM ④ Logic/ASIC ⑤ 플래시 메모리

4. 다음과 같은 의미를 가진 반도체 용어는?(P40)

웨이퍼 상에 소자가공이 끝난 상태의 개개의 IC를 말하며, 산업체에서 다이, 펠렛 등과 같은 단어와 혼용하여 사용되어지고 있다.

① 칩(Chip) ② 셀(Cell) ③ 게이트(Gate) ④ 디바이스(Device) ⑤ 채널(Channel)

5. 리드 프레임(Lead Frame)과 와이어(Wire)를 연결할 수 있도록 하기위한 소자내의 넓은 공간을 무엇이라 하는가?(P42)

① FET ② MOS ③ 패드(Pad) ④ 게이트(Gate) ⑤ 드레인(Drain)

6. 다음의 그림은 웨이퍼의 형태이다. (b), (c), (e)의 명칭은?(P44)

① (b): TEG, (c): 스크라이브 라인, (e): 플랫존

② (b): 칩, (c): 에지 다이, (e): 플랫존

③ (b): TEG, (c): 플랫존, (e): 스크라이브 라인

④ (b): 플랫존, (c): 에지 다이, (e): TEG

⑤ (b): 플랫존, (c): 에지 다이, (e): 스크라이브 라인

7. 식각(Etch) 공정에 대한 설명으로 올바른 것은?(P50)

① 서로 다른 회로를 만들기 위하여 개별 소자를 만들어 주는 공정

② 마스크의 이미지를 웨이퍼위에 옮기는 공정

③ 회로의 입출력 단자를 리드 프레임에 연결하는 공정

④ 마스크의 상이 웨이퍼에 옮겨지도록 자외선에 감광제를 노출시키는 공정

⑤ 웨이퍼상의 특정지역의 물질을 화학반응을 통해 제거해 내는 공정

8. 다음과 같은 내용이 의미하는 용어는?(P59)

소자의 가공이 끝난 칩을 웨이퍼 상태에서 하나씩 잘라내어 외부에 노출되지 않게 하고 셋(Set)에 적용하기 쉽도록 일정한 형태로 패키지를 씌우는 과정

① 솔더(Solder) ② 어셈블리(Assemble) ③ 트림(Trim)

④ 패들(Paddle) ⑤ 에피택시얼(Epitaxial)

9. 반도체 웨이퍼에 박막을 증착하는 과정에서 스퍼터링(Sputtering) 등의 물리적 증착법을 이용하는 기술을 총칭하는 단어는?(P55)

① CVD ② PSG ③ PVD ④ PKG ⑤ TEG

10. 반도체 제조 작업시 청정실의 청정도 단위는?(P46)

① 파스칼(Pascal) ② 주울(Joule) ③ 런(Run) ④ 클래스(Class) ⑤ 로트(Lot)

11. 원자의 에너지 밴드 중간 부분으로 전자가 에너지 값을 가질 수는 없으나, 밴드의 폭이 반도체의 성질을 결정하는데 중요한 역할을 하는 부분은?(P74)

① 가전자대 ② 전도대 ③ 금지대 ④ 충만대 ⑤ 에너지대

12. 다음의 원소 중에서 P형 반도체를 제조하기 위하여 첨가되는 불순물은?(P85)

① P ② B ③ As ④ Sb ⑤ Bi

13. 다음과 같이 단결정을 제조하는 방법은?(P102)

단결정 실리콘 종자를 용융 실리콘과 접촉시킨 후 천천히 위로 끌어 올려 냉각ㆍ고화시켜 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 제조한다.

① 대역 정제법 ② 브리지만법 ③ 경사 냉각법 ④ FZ법 ⑤ CZ법

14. 트랜지스터를 동작 특성에 따라 분류할 때 전류제어형 트랜지스터는?(P108)

① 바이폴라 트랜지스터 ② 전계효과 트랜지스터 ③ 바이어스 트랜지스터

④ VD/ID 트랜지스터 ⑤ MOSFET

15. 다음 중 후 공정재료에 해당하는 것을 고르시오.(P116)

① 웨이퍼 ② 포토 마스크 ③ 리드프레임 ④ 현상액 ⑤ 페리클

16. 다음 중 포토마스크에 대한 설명으로 올바른 것은?(P121)

① 패턴이 노광되기 전의 마스크 ② 크롬 패턴을 형성한 회로 원판

③ TFT-LCD ④ 종류로는 BIM, PSM 등이 있다.

⑤ 반사 방지막은 크롬의 금속 타킷에 아르곤 가스와 산소를 혼합하여 형성시킨다.

17. 다음 중 펠리클의 사용 목적과 가장 관계가 먼 것은?(P127)

① 반도체 제품의 수율 향상 ② 포토 마스크의 오염 방지

③ 포토 마스크의 사용 수명 연장 ④ 포토 마스크의 표면 제거

⑤ 포토 마스크의 세정 주기 연장

18. 다음 중 CMP 연마용 자재의 4요소에 해당되지 않는 것은?(P128)

① 연마 슬러리 ② 연마 패드 ③ 봉지재 ④ 웨이퍼 지지대 ⑤ 연마 패드의 조정

19. 다음 중 리드 프레임의 특성에 해당되지 않는 것은?(P132)

① 열전도율이 작을 것 ② 전기전도율이 클 것 ③ 충분한 기계적 강도를 가질 것

④ 인발 가공성이 좋을 것 ⑤ 내식성이 클 것

20. 다음 중 면심입방격자를 나타내는 기호는?(P159)

① SC ② BCC ③ BCT ④ FCC ⑤ HCP

21. 단결정 실리콘의 결정구조는?(P163)

① 섬아연광 구조 ② 다이야몬드 구조 ③ 체심입방 구조 ④ 조밀육방 구조 ⑤ 적층구조

22. 3극 진공관에서 전자의 흐름을 조절해 주는 전극은?(P172)

① 캐소드 ② 플레이트 ③ 그리드 ④ 양극 ⑤ 음극

23. 반도체 소자 중 전기 신호를 빛으로 바꿔주는 역할을 하는 소자는?(P175)

① 발광소자 ② 수광소자 ③ 전환소자 ④ CCD ⑤ CMOS

24. 단극성인 MOS형 트랜지스터를 만들 때 주로 사용하는 N형 웨이퍼의 결정방향은?(P181)

① <010> 방향 ② <100> 방향 ③ <011> 방향 ④ <101> 방향 ⑤ <111> 방향

25. 웨이퍼의 표시 방법 중 결정면에 평행한 면에 1차 플랫을 표시하고, 1차 플랫과 45° 방향인 면에 2차 플랫을 표시한 웨이퍼는?(P182)

① (100)면의 N형 ② (100)면의 P형 ③ (111)면의 P형

④ (111)면의 N형 ⑤ (101)면의 N형

26. 기존의 실리콘 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정 층을 성장시킨 웨이퍼는?(P184)

① 불순물 웨이퍼 ② 이중 웨이퍼 ③ 에피택시얼 웨이퍼

④ BJT 웨이퍼 ⑤ CMOS 웨이퍼

27. 다음 중 반도체의 3대 원재료는?(P185)

① 웨이퍼, 트랜지스터, 다이오드 ② 잉곳, 웨이퍼, 칩

③ 잉곳, 칩, 다이 ④ 웨이퍼, 마스크, 리드프레임

⑤ CCD, CMOS, CVD

28. 실리콘 기판에 산화막을 형성시키기 위한 가열 온도는?(P191)

① 200℃ ② 400℃ ③ 600℃ ④ 750℃ ⑤ 1000℃

29. 실리콘 기판에 절영막, 실리콘막, 금속막 등의 박막을 형성시킬 수 있는 공정은?(P191)

① CVD법 ② FET법 ③ IDP법 ④ ISO법 ⑤ PDP법

30. 다음 중 사진 석판(photo lithography) 공정에 해당되지 않는 것은?(P192)

① 산화막 형성 ② 현상 ③ 노광 ④ 식각 ⑤ PR 도포

31. 다음 중 웨이퍼 표면을 평탄화 할 때 사용되는 기술은?(P192)

① PVD 기술 ② CMP 기술 ③ HMDS 기술 ④ TFT 기술 ⑤ 마스크 기술

32. 다음 중 반도체 공정을 크게 분류할 때 올바른 순서는?(P193)

① 조립 및 검사 → 웨이퍼 제조 및 회로 설계 → 웨이퍼 가공

② 웨이퍼 가공 → 웨이퍼 제조 및 회로 설계 → 조립 및 검사

③ 웨이퍼 제조 및 회로 설계 → 웨이퍼 가공 → 조립 및 검사

④ 조립 및 검사 → 웨이퍼 제조 및 회로 설계 → 웨이퍼 가공

⑤ 웨이퍼 제조 → 조립 및 검사 → 웨이퍼 가공 및 회로 설계

33. 스탭퍼(stepper)을 사용하여 마스크나 레티클(reticle)에 그려진 회로 패턴에 빛을 통과 시켜 PR를 제거하는 공정은?(P195)

① 현상 ② 감광 ③ 산화 ④ 식각 ⑤ 노광

34. 칩과 금속선 연결 부분을 보호하기 위해 화학 수지로 밀봉해 주는 공정은?(P197)

① 금속선 연결 ② 칩 부착 ③ 마킹 ④ 성형 ⑤ EDS

35. 단결정의 실리콘 봉을 얇게 절단한 것을 무엇이라 하는가?(P43)

① 웨이퍼 ② 칩 ③ 다이 ④ 다이오드 ⑤ 트랜지스터

36. 웨이퍼 가공시 웨이퍼로부터 박막을 선택적으로 제거하는 것을 무엇이라 하는가?(P202)

① 절단 ② 연마 ③ 도핑 ④ 박막 형성 ⑤ 패턴 형성

37. 반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체 기판 위에 필요한 부분에만 가속 된 이온을 물리적으로 주입시키는 이온 주입법의 주입 가열온도는?(P204)

① 100~200℃ ② 200~400℃ ③ 600~800 ℃ ④ 1000~1200℃ ⑤ 1500~2000℃

38. 다음 중 웨이퍼의 조립 공정 순서로 올바른 것은?(P205)

① 선별→다이 분리→도선 접착→뒷면처리→다이 부착→밀봉

② 선별→다이 분리→뒷면처리→다이 부착→도선 접착→밀봉

③ 다이 부착→도선 접착→뒷면처리→선별→다이 분리→밀봉

④ 선별→뒷면처리→다이 부착→다이 분리→도선 접착→밀봉

⑤ 뒷면처리→선별→다이 분리→다이 부착→도선 접착→밀봉

39. 생산이 실시되는 웨이퍼의 25장 한 묶음을 일컫는 웨이퍼 기준 용어는?(P45)

① 런 ② 캐리어 ③ 마킹 ④ 로트 ⑤ 소스

40. 웨이퍼에 감광제를 도포한 후 열에 굽는 것을 무엇이라 하는가?(P48)

① 게이트 ② 드레인 ③ 임플런트 ④ 스텝퍼 ⑤ 베이크

※ 다음의 묻는 말에 답하시오.

41. 도너(donor)와 억셉터(Accept)와 같이 특정한 목적으로 기판에 주입하는 물질을 무엇이 라 하는가?(P39)

불순물(Impurity)

42. 웨이퍼를 가공하기 위하여 연속적으로 투입되고, 동일 공정에서 흐르고 있는 웨이퍼의 묶음을 의미하는 공정 용어는?(P45)

런(run)

43. 전공정 중 마스크(mask)와 레티클(reticle) 표면을 대기 중 분자나 다른 형태의 오염으 로부터 보호해주는 막을 무엇이라 하는가?(P49)

펠리클(pellicle)

44. 전자가 같은 에너지 준위의 원자 궤도에 들어가야 할 때는 가능한 한 많은 전자가 쌍을 이루지 않은 상태를 취한다. 또는 같은 에너지 준위의 궤도에 전자가 채워질 때에는 가능한 홑 전자수가 많은 전자 배치를 한다는 법칙은 무슨 법칙인가?(P148)

훈트(Hund, F)의 법칙

45. 진성 반도체에 잉여 전자를 제공하는 물질을 무엇이라 하는가?(P153)

도너(donor)

46. 웨이퍼 표면에 산소 이온을 주입하고, 열처리를 하여 표면의 이온 주입에 의한 손상의 회복과 함께 표면에 매립된 형태의 SiO2를 형성시켜 만든 웨이퍼의 명칭은?(P184)

SOI 웨이퍼

47. 현상, 정열 및 노광 후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요 없는 부분을 구분하여 상을 형성하기 위해 일정 부위의 PR을 제거하는 공정은 무슨 공정인가?(P195)

현상

48. 회로 패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 반도체 소자의 특성을 만들어주는 공정은 무슨 공정인가?(P195)

이온주입 공정

49. 웨이퍼에서 아무런 소자가 없는 지역으로, 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누기 위해 톱질하는 영역을 무엇이라 하는가?(P43)

스크라이브 라인 (scribe line)

50. 하나의 디바이스 층으로 패턴이 크롬으로 형성된 석영기판 마스크를 무엇이라 하는가?(P49)

레티클(Reticle)