D램 대역폭 올려 속도 높여
차세대 AI 시스템에 최적화
용량도 2배 커진 16GB 구현
SK하이닉스도 초고속 D램 양산에 돌입한다.
이에 따라 반도체 업계에 초미세화에 이은 후공정 경쟁더 본격화할 전망이다.
SK하이닉스는 'HBM2E'를 양산하기 시작했다고 2일 밝혔다.
지난해 8월 개발에 성공한 이후 10개월만이다.
HBM2E는 D램 대역폭을 올려 속도를 획기적으로 개선한 제품이다.
고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기와 고성능 컴퓨팅 등
차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화한 메모리 솔루션이다.
앞서 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시하며
초미세 공정에서의 열세를 후공정으로 극복해낸 바 있다.
그러다가 HBM2E 양산에서는 삼성전자에 선수를 뺐겼지만, 결국 앵산에 성공하며 기술 격차를 극복해냈다.
SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6Gbps(기가비트) 데이터 처리가 가능하며,
1024개 정보출입구(I/0)로 1초에 460GB(기가바이트) 데이터를 처리한다.
이는 폴HD급 영화 124편을 1초에 전달하는 속도로, 현존하는 D램 중 가장 빠른 수준이다.
용량도 8개 16Gb칩을 TSV기술을 활용, 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 큰 16Gb를 구현했다.
SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 'SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등
인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장 서왔다'며 '이번 HEM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고
프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것'이라고 말했다.
한편 번도체 업계는 최근 메모리 반도체 후공정 기술 개발에 박차를 가하고 있다.
미세 공정이 수나노대로 떨어지면서 개발 속도와 효율이 지연되는 상황, 딥러닝 등
빠른 반도체를 필요로 하는 수요는, 크게 늘면서 후공정이 대안으로 떠올랐기 때문이다.
이에 따라 SK하이닉스 등 업계는 일찌감치 후공정을 대거 내재화하고 기술 개발에 총력을 기울여왔다.
삼성전자는 최근 삼성전기의 차세대 패키지 사업을 인수하며 후공정 부문을 대폭 강화하기로 했다.
김재웅 기자