반도체 산업-3D NAND단수 증가로 PECVD/ALD 및 H2O2 클리닝 공정(NH투자증권, 이세철)
▶3D NAND Stack 수 증가로 CVD(PECVD/ALD) 공정 확대
−3D NAND가 48단에서 64단으로 고단화되면서 CVD(Chemical Vapor Deposition)수요가 증가할 것으로 예상됨. 특히
CVD 공정 중 PE CVD공정이 증가하고 있는데 이는 ONO 증착이 50% 증가하기 때문으로 PE CVD 생산성이 중요한 상황
−PE CVD 중 ONO 증착은 Oxide-Nitride-Oxide 증착용 공정이며 ACL PECVD는 Amorphous Carbon Layer 구현을 위
한 CVD 공정임. ARC PECVD는 Anti Reflective Coating을 위한 CVD라 할 수 있음.
−또한 3D NAND는 깊은 Hole 구현 이후 CTF(Charge Trap Flash) 구현을 위한 ALD(Atomic Layer Deposition)공정도
증가할 것으로 예상되고 있음
−ALD(Atomic Layer Deposition)는 소재로 주로 전구체를 사용하는데, 전구체는 Si나 메탈 원소에 각종 리간드를 부착하여
ALD공정에서 증착 Gas로 활용하는 물질임
−즉 전구체에 있는 각종 리간드는 최종적으로는 떨어져 나가고 Si나 메탈만 남게 되어 원하는 물질로 막질을 증착하는 방식임
▶3D NAND 공정 스텝수 증가로 H2O2 사용량 확대
−3D NAND가 64단화됨에 따라 3D NAND 제조 스텝 증가가 예상되고 있어 과산화수소수(H2O2) Cleaning 공정이 확대될
전망
−과산화수소수(H2O2)는 산화력이 강한 물질로 초순수인 DI (Deionized) Water와 함께 Wafer제조 공정 기본 Cleaning 제
품임
▶3D NAND수요 및 경쟁확대로 투자 본격화 예상. 원익IPS, 테스 수혜전망
−3D NAND 수요 증가 및 Stack 수 증가로 ONO 증착과 ARC 증착 장비 업체인 원익IPS, ACL PECVD 업체인 테스 수혜가
예상됨
−특히 최근 SSD 수요 확대 및 경쟁 확대로 2016년 하반기 3D NAND 투자확대가 본격화 될 것으로 판단됨
