■ 전기 모스펫 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

[석수]

모스펫은 전원 off시 전류를 반대로 흐르게 한다

MOSFET(한국어: 모스펫)

금속 산화막 반도체 장효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 장효과 트랜지스터 (FET)이다.



모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다.


또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함

MOS : metal-oxide-semiconductor

금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 


저항층 게이트 장효과 트랜지스터(insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 장효과 트랜지스터를 가리킨다.

폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가리킬 때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 모스펫이라고 부른다.


일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다.





MOSFET은 금속 산화막을 이용해 제작된 필드-효과 트랜지스터(FET)의 일종으로, 게이트, 드레인, 소스, 바디 등 4개의 단자를 가진 반도체 소자입니다. 

MOSFET의 기본 동작은, 게이트에 인가되는 전압의 양에 따라 소스와 드레인 사이에 흐르는 전류의 양을 조절하는 것입니다. 

MOSFET의 특징은 다음과 같습니다.

게이트는 절연되어 있습니다. 

MOSFET을 ON 시키려면 게이트와 소스 사이에 임계치 이상의 전압을 인가해야 합니다. 

MOSFET은 실리콘을 산화시켜 제작하는 경우가 가장 많습니다.