피롤의 플라즈마 중합시 영향을 주는 인자로서 방전출력 및 단량체 공급 속도 등에 따른 생성 박막의 화학 구조, 물리적 성질 및 전기적 특성의 변화를 살펴보았으며 얻어진 반도체성 플라즈마 중합 피롤(PP-Py)박을 전계 효과 트랜지스터(Insulated-gate Field Effect Transistor, IG-FET)의 활성 반도체 층으로 사용하여 제작한 소자의 특성을 관련지어 해석하였다.
PP-Py의 과학 구조는 방전 출력 및 단량체 공급 속도의 조절에 따라 변화되었고. PP-Py의 막 성장 속도는 고정된 방전 출력 조건에서 단량체 공급 속도에 따라 증가되었다. PP-Py는 질소 분위기에서 300℃, 1시간 동안 열처리되면 C=C 및 C=N 결합등의 생성에 따라 불포화도가 증가되고 동시에 기질에 대한 접착 특성도 크게 개선되었다.
PP-Py 광학적 밴드갭은 2.0∼2.4eV 정도로서 전해 중합법으로 얻어진 폴리피롤의 경우(2.4 eV)와 유사한 값을 나타내었는데, PP-Py를 열처리하면 불포화도의 증가에 의해 밴드갭은 0.7-0.9eV 범위로 감소되었고, 전기 전도도는 10^-9∼10^10S/cm 범위에서 약 10⁴배 까지 증가되었다.