반도체 공정가스와 허용농도

[가이아]

표7. 반도체 공정가스와 허용농도¹⁾

공정	가스 명	분자식	허용농도(TLV치)a)	노출기준 (TWA)b),C)
ETCH	염소	Cl2	1	1 (노동부고시)
	염화수소	HCl	5	C5 (노동부고시)
	3염화붕소	BCl3	5
	불소	F2	0.1	0.1 (노동부고시)
	4염화규소	SiCl4	5
	브롬수소	HBr	3	C3 (노동부고시)
	6불화유황	SF6	1000	1000 (노동부고시)
	불화메탄	CHF3	3
	4염화탄소	CCl4	10
	3불화염소	ClF3	3
	3불화질소	NF3	10
	불화수소	HF	3	C3 (노동부고시)
	4불화규소	SiF4	3
	프레온12	CCL2F2	3
	4브롬규소	SiBr4	3
	브롬불화탄소	CF3Br	3
	8불화프로판	C3F8	3
PECVD LPCVD	시란	SiH4	0.5
	지시란	Si2H6	0.5
		S2H6	0.1
	포스핀	PH3	0.3	0.3 (노동부고시)
	-	TEOS	10
	지크로로시란	SiH2Cl2	5
	4불화탄소/산소	CF4/O2	3
	6불화에탄/산소	C2F6/O2	3
	불화텅스텐	WF6	0.75
IMPLANTER	아르신	AsH3	0.05	0.05 (노동부고시)
	포스핀	PH3	0.3	0.3 (노동부고시)
	3불화붕소	BF3	1	C1 (노동부고시)

         a),TLV(Tolerance Limit Value는 ACGIH-1978(American Conference of

             Governmental Industrial Hygienists 1978)에서 제정된 시간가중평균농도 이며    

            하루 8시간의 평균허용농도이다. 가스의 경우 ppm, 먼지형인 때 공기1m³ 중

            의 수치로 표현 한다.

 b) TWA( Time Weighted Average): 1일 8시간 작업을 기준으로 하여

   유해요인의 측정치에 발생시간을 곱하여 8시간으로 나눈 값을 말한다.

 c) 최고노출기준(C)은 근로자가 1일 작업시간 동안 잠시라도 노출

   되어서는 아는 기준을 말하며 노출기준 앞에 ‘C’를 붙여 표시한다.

         1) 한자은, 월간 반도체, 2000년, 2월호, p.7

                표8. 반도체공정별로 본 가스의 특징²⁾

공 정	공정별 가스	부산물/배기처리 처리문제	분자식	가스 특징
Etch Metal	Cl2/BCl3/SiCl4 CHF3/SF6	기체 응고에 의한 Exhaust Blockages 수증기에 의한 Powder 발생 Toxic halogenated organic에 의한 부식 및 by products Dry 가스처리 시스템 사용 요망	Cl2 SiCl4 BCl3 SF6	T,C T,C T,C T,A
Poly	HBr/ Cl2/ NF3 SF6	유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	HBr Cl2 NF3 SF6	T,C T,C T,O T,A
Nitride	HBr/NF3/SF6	유독성 부산물에 의한 강한 부식성 생성 수증기에 의한 부식성 증가 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	HBr NF3 SF6	T,C T,O T,A
Oxide	CHF3/ NF3 CF4C2F6	유독성 부산물 처리 기능 요망 Dry 가스처리 시스템 사용 요망 Global Warming Gases(C2F2) 처리 기능 요망	NF3 CHF3 C2F6	T,O A GW
Tungsten	Cl2/ SF6	유독성과 부식성의 부산물 생성 부착,퇴적에 의한 문제점 Dry 가스처리 시스템 사용 요망	Cl2 SF6	T,C T.A
PECVD BPSG	TOES/TMB/TMP N2O C2F6/NF3 (clean)	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3 화재 발생과 유독 가스 처리 요망	NF3 C2F6	T,O GW
Oxide/ Nitride	SiH4/NH3/N2O C2F6/NF3 (clean)	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3	SiH4 NF3 C2F6	P,T Y,O GW
Tungsten	WF6/SiH4/ NF3	화재 가능성 가스 상반되는 가스를 계속적으로 사용. 예)SiH4/NF3	WF6 SiH4 NF3	O,C P,T T,O
LPCVD Nitride	DCS/ NH3	기체 응고에 의한 Exhaust blockage 고체생성물질 및 DCS, Chlorides 처리기능 필요	Cl2 SiH2Cl2	T,C T,C
Poly	SiH4	혼합된 가스에 의한 화재 발생 가능	SiH4	P,T
Doped	TOES/TEAs TOES/TEAs+ClF3Clean	혼합된 가스에 의한 화재 발생 가능	PH3	P,T

T:유독성, C:부식성, A:질식성, F:가연성, P:자연발화성, O:산화제

 GW: Global Warming Gas 

2) 한자은, 월간 반도체, 2000년, 2월호, p.8