고전도성 transition metal dichalcogenide 투명전극의 제조

[2025 카모페어]

Transition metal dichalcogenide 중 Nickel ditellurides박막은magnetron sputtering(비저항 82μΩ․cm 투과도 53%)과 화학적 박리했을 때(비저항 289μΩ․cm 61%(285nm에서 70%))로 기존의 투명전극(200 μΩ․cm, 80%이상)과 비교하여 투명전극으로 활용 가능한 후보 중 하나가 될 수 있다. 디스플레이, 태양 전지, 모바일 등에서 널리 사용되는 전도성 투명전극의 특성을 향상하기 위해서 고려되는 필수적인 요소는 광투과도(Transmittance)와 비저항(resistivity)이다. 현재 가장 많이 사용되는 투명전극으로는 Indium tin oxide로 높은 광투과도와 전기적 특성을 가지고있어 다양한 분야로 활용되고 있다. 하지만 Indium tin oxide는 고온공정, 낮은 면저항, 높은 비용과 같은 단점을 가지고 있다. ITO의 이러한 단점을 보완하기 위해 많은 연구들이 진행되고 있는데, 그 중 가장 대표적인것이 2004년 Novoselov와 Geim이 연구한 graphene과 같은 2D 물질이다. 그들 중 transition metal dichalcogenide는 높은 순수 금속과 같은 전기전도성을 가지고 있다. 또한 그들은 기계적, 화학적 박리법과 같은 방법으로쉽게 투명한 박막의 형태로 제조될 수 있다.

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