삼성전자, SiC 전력반도체 투자 '8인치' 직행 삼성전자가 차세대 전력반도체 시장 진출에 박차를 가한다. 올해 초 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 소자 개발과 관련한 전력반도체 TF를 구성한 데 이어, 최근 R&D 및 시제품 생산 등에 필요한 설비투자를 적극 진행하고 있는 것으로 파악됐다. https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=20389
교보10호스팩, 세계 유일 반도체 고방열 소재-제품 생산 코스텍시스와 합병 또 차세대 전기차용 전력반도체인 SiC, GaN 전력반도체용 방열 스페이스 개발에 성공해 글로벌 수요처에 공급하기위한 대량 생산 시설 투자가 검토되고 있다. https://www.etoday.co.kr/news/view/2222214