Cu CMP Slurry 및 세정액 평가를 위한 슬러리 입자의 부착 및 제거력의 측정

[예스맨]

자료제공: 한양대학교 재료화학공학부
홍의관, 박진구

I. 서론

1983년 IBM에서 시작된 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정은 IBM이 1988년에 실제 반도체 공정의 산화막 CMP를 적용한 이후, 1992년에는 Cu 배선을 위한 CMP Damascene 공정의 개발을 발표하였다. 1997년에 IBM이 Cu CMP 공정의 적용을 발표한 이후 Intel, AMD, TI와 같은 미국 내의 Logic Device Maker들을 중심으로 한 Cu 배선 Damascene 공정의 개발 및 적용은 그 속도가 가속화되고 있는 실정이다.
Cu는 기존 배선재료로 널리 사용되던 Al의 전기저항(2.66μΩㆍcm)에 비해 낮은 전기적 저항 특성(1.7μΩㆍcm) 및 RC Time Delay를 줄여주는 Electro-Migration에 대한 특성과 빠른 신호처리 속도로 인해, 최근 배선재료로 널리 사용되며 많은 연구가 활발히 진행되고 있다[1]. CMP 공정은 연마입자와 화학적 첨가제가 함유된 슬러리 용액을 사용하여 그림 1과 같이 화학적, 기계적으로 Device가 형성된 Wafer 평탄화 공정이 진행된다.
CMP 공정이 끝난 후 연마 입자와 금속 오염물은 Device 표면에 잔류하여 많은 심각한 문제를 일으킨다[2]. 따라서 슬러리 연마 입자와 금속 오염물의 제거는 반드시 필요하며 이들 공정 후 오염물들을 제거하고 후속공정의 진행을 위해서 Post Cu CMP Cleaning 공정은 필수적인 공정으로 자리 잡았다[3].
Cu CMP 슬러리 및 세정액 평가를 위해, 슬러리 연마입자의 Wafer 오염과 부착 및 제거력을 Alumina(알루미나) 및 Silica(실리카) 연마입자에 대해 슬러리와 세정액의 pH 변화 및 첨가제의 종류, Wafer 막질 변화에 따른 연구를 시행하였다. 연마입자와 Wafer 사이의 약한 부착력은 Wafer 표면에서 연마입자 오염을 상대적으로 적게 발생시키게 되며 이와 같은 평가방법은 Cu CMP 슬러리의 연마입자로 사용되는 알루미나와 실리카 연마입자의 부착 및 제거력 평가에 적용됨으로써 많은 비용과 시간이 요구되는 기존의 실험방법을 대신할 수 있을 것으로 기대된다. 따라서 본 연구는 슬러리 연마입자들의 부착 및 제거력을 AFM(Atomic Force Microscopy)의 F-D Curve 분석을 이용한 실험적 방법과 DLVO(Derjaguin-Landau-Verway-Overbeek) 이론에 의한 이론적 Interaction 계산을 사용하여 Wafer와 연마입자간의 오염여부 평가법을 소개하고자 한다.


II. AFM을 이용한 연마입자와 Wafer간의 입자부착 및 제거력 평가법

1. 알루미나 연마입자와 Wafer간의 입자부착 및 제거력 평가

Wafer 표면에 대한 연마입자의 부착 및 제거력의 측정은 Atomic Force Microscopy(AFM, Park Scientific Instruments, CP Research)를 사용하여 직접적으로 평가되었다. 그림 2는 Si3N4 Tipless Cantilever에 부착된 지름 40μm의 구형 알루미나 파티클(α상, Micron Co. Japan)을 보여준다.
구형의 연마입자를 AFM Tip에 부착한 후 각 용액 내에서 Wafer와 연마입자 사이의 부착력을 실험적으로 측정하며, 그림 3은 AFM을 사용하여 F-D Curve 측정을 통한 입자의 Wafer에 대한 부착력 측정 방법을 설명한다.
연마입자와 Wafer간의 부착 및 탈착력은 Liquid Cell 내에서 측정되었으며, Wafer는 Electroplated Cu, Ta, TEOS(Tetraethylorthosilicate), 그리고 SiLK™, Aurora, FSG(Fluorine-Doped Silicate Glass) 등의 다양한 Low-k 물질들이 실험에 사용되었다.
Cu와 Ta은 희석된 HF(DHF, 0.01vol%)를 사용하여 사전에 30초간 표면 세정처리가 되었다. TEOS, SiLK™, Aurora, FSG는 SPM(Sulfuric-Peroxide Mixture) Solution에서 5분간 처리되었으며, 그 후 DI(Deionized) Water에 의한 순서로 사전 표면 세정 처리되었다.
슬러리에서의 각 Wafer에 대한 알루미나 연마입자의 부착, 탈착력 평가를 위해 Cu 슬러리 용액이 pH 3, 7, 11로 각각 제조되었다. pH에 따른 Wafer와 슬러리 연마입자의 표면 전하거동을 조사하기 위해서 제타포텐셜 분석장비인 LEZA 600(Laser Electrophoresis Zeta Potential Analyzer, Otsuka Electronics Co.)을 사용하여 평가하였다. Cu를 비롯한 Ta과 같은 부식성이 있는 금속의 제타포텐셜을 측정하기 위해서는 BTA를 첨가하여 제타포텐셜을 측정하였다.
실제 슬러리 내에서의 Wafer들의 표면 오염평가는 각 슬러리에 1분간 Wafer를 방치, N2를 통한 건조 후 FESEM을 통한 평가방법으로 확인하였다.

2. 실리카 연마입자와 Wafer간의 입자부착 및 제거력 평가

앞서와 동일한 방법으로 Wafer 표면에 대한 연마입자의 부착 및 제거력의 측정은 구형의 지름 40μm 실리카 입자(Duke Scientific Co.)를 사용하여 AFM을 사용하여 직접적으로 평가되었다. Wafer 시편 준비 및 Wafer 표면에서의 오염평가는 앞서의 실험과 동일하게 진행되었다.

3. 세정액내에서의 실리카 연마입자의 입자부착 및 제거력 평가

Post Cu CMP 세정액은 Citric Acid를 기초로 제조되었다. 부식방지제로는 BTA(Benzotriazole)가 첨가되었으며, NH4OH와 TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide)를 사용하여 pH를 적정하였다.
Cu 슬러리 제조는 Wafer 표면에서의 연마입자 오염평가를 위해 Citric Acid 3wt%, H2O2 10 vol%, BTA 0.01wt%에 Fumed Silica(Degussa, MOX80, 30nm) 연마입자를 3wt% 첨가하여 제조하였다. pH 6으로의 슬러리 적정은 NH4OH를 사용하였다.
실리카 연마입자 및 Cu Wafer에 대한 첨가제 흡착여부를 평가하기 위해, FTIR(Fourier Transform Infrared) Spectroscopy와 ATR-FTIR(Attenuated Total Reflectance FTIR, Bio-Rad FTS-6000)을 사용하였다. 또한 Wafer 표면에 대한 연마입자의 부착 및 제거력의 측정은 구형의 지름 40μm 실리카 입자(Duke Scientific Co.)를 사용한 AFM을 사용하여 직접적으로 평가하였다. Wafer 시편 준비 및 Wafer 표면에서의 오염평가는 앞서의 실험과 동일하게 진행되었다.


III. 연마입자와 Wafer간의 입자 부착 및 제거력 측정

1. 알루미나 연마입자와 Wafer간의 입자 부착 및 제거력 측정

상용화 Cu CMP 슬러리의 경우, γ상 알루미나 연마입자로 구성되어있다. 따라서 실제의 경우와 마찬가지로 γ상 알루미나 연마입자를 사용하여 Wafer간의 입자부착 및 제거력 평가를 진행해야 한다. 하지만 γ상 알루미나 연마입자의 경우 불규칙한 연마입자 크기와 형상으로 인해 γ상 알루미나 연마입자를 대신해 구형의 α 알루미나 입자를 사용하여 부착력과 제거력을 평가하였다. γ와 α 알루미나 입자의 표면 전하의 차이를 조사하기 위해 pH 변화에 대해 10-3M KCl의 용액에서 연마입자의 제타포텐셜이 측정되었으며, 이의 결과가 그림 4(a)에 도시되었다. 이 두 연마입자의 IEP(Isoelectrical Point)는 약 pH 9.3 부근에서 관측되었으며, 각 pH에 대해 같은 값을 가짐을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 γ와 α의 표면전하 특성에는 차이가 없으며, 불규칙한 크기의 연마입자인 γ 알루미나를 대신하여 구형의 40μm 크기를 가진 α 알루미나를 입자와 Wafer간의 입자 부착 및 제거력 평가시 사용할 수 있음을 보여준다. 그림 4(b)는 pH 변화에 따른 Wafer 표면의 제타포텐셜 결과를 보여준다. FSG와 Ta을 제외한 대부분 Wafer 표면의 제타포텐셜은 pH 전 구역에 걸쳐 negative한 결과가 측정되었다. 그러나 FSG Wafer 경우 pH가 증가함에 따라 급격하게 감소하였다. 염기성 분위기에서의 가장 낮은 제타포텐셜을 가진 FSG 표면은 알루미나 입자와 가장 낮은 부착력과 가장 적은 입자 오염의 결과를 나타낼 것으로 예측할 수 있다.
그림 5는 AFM을 사용하여 실험적으로 측정한 알루미나 입자와 Wafer 간의 부착력 평가 결과이다. pH는 산성, 중성, 염기성 분위기로 각각 3, 7, 11로 적정되어 평가되었다. 실험결과, 염기성(pH 11)에서 가장 적은 입자 부착력이 FSG Wafer에서 측정되었다.
Wafer 종류에 상관없이 가장 큰 입자 부착력과 가장 적은 입자부착력은 각각 pH 7과 11에서 측정되었다. pH 7에서 입자부착력이 크게 평가된 것은 알루미나 입자의 제타포텐셜 결과가 positive인 반면, Wafer의 제타포텐셜 결과는 negative한 결과에 기인하였다.
그림 6은 각각의 pH 조건에 대해 구형 알루미나 입자와 Wafer 표면간의 DLVO 이론에 의한 이론적 계산결과이다[4]. 그래프에서 반발력을 가지는 경우는 양의 값을 가지고, 부착력이 클수록 음의 값을 취한다.
가장 강한 부착력의 예측결과는 pH 7에서 계산되었으나, 가장 적은 부착력은 pH 11에서 계산되었다. 이러한 계산 결과는 제타포텐셜 결과와 실험적으로 측정되었던 Wafer와 입자간의 부착 및 탈착력 측정평가의 결과와 일치하였다. 이는 슬러리의 pH와 제타포텐셜 결과가 Interaction Force에 중요한 역할을 한다는 것을 보여주는 것이다.
그림 7은 슬러리에 Wafer를 오염시킨 후의 Wafer 표면 상태 FESEM 결과이다. 염기성 슬러리에 비해 상대적으로 많은 연마입자의 오염이 산성, 중성 슬러리에서 관측되었다. 염기성 슬러리의 경우 연마입자의 오염이 적었으며, Cu CMP 공정 중 연마입자의 오염 및 세정측면에서 본다면 염기성 영역의 슬러리를 사용하는 것이 좋다는 결과를 보여주었다.

2. 실리카 연마입자와 Wafer간의 입자부착 및 제거력 측정

그림 8(a)는 콜로이달 실리카 입자와 Wafer의 제타포텐셜 결과이다. 콜로이달 실리카는 pH 전구간 잘 분산되어 있는 결과를 나타내었으며, 입자의 크기 변화는 관측되지 않았다. (b)에서는 이전과 마찬가지로 Wafer 표면의 제타포텐셜을 나타낸 결과이며, TaN의 경우 pH 변화에 대해 그리 크게 변화하지 않았다.
그림 9는 (a)산성, (b)중성, (c)염기성 영역에서의 실리카 입자와 Wafer 표면간의 DLVO 이론적 계산 결과이다. 실리카 입자와 각 Wafer에 대해 강한 부착력은 염기성 영역의 슬러리보다 산성 영역의 슬러리에서 계산되었다. 다른 Wafer 물질들에 비해 SiLK™ Wafer의 경우, SiLK™와 실리카 입자간의 부착력이 pH 전 구간 영역에서 작은 값으로 계산되었다.
앞서 DLVO 이론에 의해 계산된 결과에 대해, 실제 실험적인 평가방법으로 실리카 입자와 Wafer간의 부착 및 제거력 평가가 실험적으로 진행되었다. 이에 관한 결과를 그림 10에 나타내었다. 각 pH 영역에 대해 가장 큰 입자부착력은 Cu, TaN, SiLK™, TEOS 중 TaN에서 공통적으로 측정되었다. 역시 앞서 이론적인 계산의 결과와 마찬가지로 실리카 입자와 각 Wafer에 대한 강한 부착력은 염기성 영역의 슬러리보다 산성 영역의 슬러리에서 측정되었다. 반면 가장 낮은 실리카 입자의 부착력은 Low-k 물질로 사용된 SiLK™에서 측정되었으며 이론적인 계산도 일치하였다.
앞서의 이론적인 계산결과와 실험적인 입자부착력 실험의 결과를 공정중의 입자오염 평가방법을 통해 확인하기 위해 Cu, TaN, SiLK™, TEOS Wafer를 콜로이달 실리카를 사용한 Cu Slurry에 오염시킨 후 FESEM을 사용하여 각 Wafer 표면 위의 오염을 평가하였고 그림 11에 도시하였다. SiLK™ 의 경우 전 pH에 대해 연마입자의 오염이 거의 발견되지 않았으며, TEOS Wafer의 경우 SiLK™ 에 비해 다소 입자오염이 증가하였다. Cu Wafer 표면의 경우 산성영역의 슬러리에 비해 염기성 슬러리의 경우 입자오염이 적었다. TaN의 경우 산성영역의 슬러리에 오염되었을 때 염기성 슬러리에 비해 많은 입자오염을 나타내었다. Cu와 TaN은 Cu CMP 공정중 산성영역의 슬러리에 노출될 경우 입자오염이 많았으며, 이는 DLVO 이론에 의한 이론적인 계산뿐만 아니라, AFM을 통한 실험적인 평가의 결과와 잘 일치함을 확인할 수 있었다.

3. 세정액 내에서의 실리카 연마입자의 입자부착 및 제거력 측정

Post Cu CMP 세정액에 첨가된 Citric Acid의 실리카 연마입자에서의 흡착여부를 평가하기 위해 제타포텐셜을 사용하여 측정하였다. 10-3M KCl 용액에 1000ppm의 Citric Acid를 첨가한 후 실리카 연마입자의 제타포텐셜 결과를 그림 12(a)에 나타내었다. Citric Acid 첨가는 실리카 연마입자의 제타포텐셜에 다량의 흡착을 야기하지는 못했음을 보여준다. 그림 12(b)는 동일 조건에서 Cu Wafer 표면에 대한 Citric Acid 흡착을 평가하기 위한 제타포텐셜 측정 결과이다. Citric Acid를 첨가하지 않은 용액에 노출된 Cu에 비해 약간 제타포텐셜의 흡착으로 인해 다소 제타포텐셜이 negative한 값으로 변화하였다. 하지만 앞서 실리카 파티클과 유사하게 다량의 흡착은 일어나지 않았음을 확인할 수 있었다
그림 13(a)는 실리카 입자와 Cu Wafer간 AFM을 이용한 부착력 평가결과이다. Citric Acid의 세정액에 대한 첨가농도의 변화에 따른 부착력 결과이며, Citric Acid가 0.7wt%의 농도로 첨가량이 증가할 때까지 실리카 입자와 Cu Wafer간의 부착력은 2.0에서 0.2nN까지 감소하였으며, 그 이상의 Citric Acid의 첨가에서는 0.2nN 이하로 감소하지 않았다. 그림 13(b)는 Citric Acid 농도에 따른 실리카 입자의 제타포텐셜 결과이며, Citric Acid의 농도가 증가함에 따라 제타포텐셜의 결과가 다소 negative한 값을 가진다는 것을 확인하였다. 이 결과는 pH 2 이하에서 pH의 변화는 없으나 실리카 입자와 Cu 표면에 Citrate Ion이 첨가됨에 따라 다소 negative한 값을 가지게 되었고, 상호간의 전기적 반발력이 다소 증가하여 실리카 입자와 Cu Wafer간의 부착력이 감소했음을 보여주는 결과이다.
Post Cu CMP 세정액에는 앞서와 같은 전기적 반발력을 증가시켜주는 Citric Acid 첨가뿐만 아니라, Cu의 부식방지를 억제하는 Corrosion Inhibitor가 첨가를 요구하며 본 연구에서는 대표적인 부식방지제인 BTA를 사용하여 이를 Post Cu CMP 세정액에 첨가제로 활용하였다. 그림 14(a)는 BTA 첨가 농도에 따른 실리카 입자와 Cu Wafer간의 AFM을 이용한 부착력 평가 결과이다. DI Water에 BTA가 첨가됨에 따라 부착력의 결과값은 변하였으며, BTA 첨가 초기 농도인 0.01wt%에서 2nN에서 0.3nN으로 급격한 Adhesion Force 감소 결과를 나타내었다. 그러나 BTA 첨가농도가 0.1wt%로 증가함에 따라 2.5nN까지 급격하게 증가하였다. 그림14(b)는 BTA 첨가 농도에 따른 실리카 입자의 제타포텐셜과 입자크기 분석 결과이다. 앞서 부착력 평가와 유사하게 BTA가 첨가된 초기농도인 0.01wt%에서 제타포텐셜과 실리카 입자크기는 -13.17mV에서 -26.22mV로, 432nm에서 233nm로 각각 급격하게 감소하였다. 이러한 결과는 BTA가 실리카 입자 표면에 흡착한다는 것을 보여주는 결과로 해석된다.
하지만 0.01wt% 이상의 추가적인 BTA 첨가 농도에서는 입자의 크기는 증가하였고, 제타포텐셜의 절대값 크기는 감소하였다. 적절한 BTA 농도 이상의 첨가는 오히려 슬러리 상태로 분산된 실리카 연마 입자간의 전기적 반발력을 떨어뜨림으로써, 슬러리의 분산 및 안정성을 저해하였다. BTA 농도 0.1wt%에서는 가장 큰 부착력을 나타냄으로써, BTA 첨가량이 증가할수록 제타포텐셜의 절대값이 감소하고 전기적 반발력이 감소했다는 것을 보여주며 이 결과는 앞서의 실리카 입자와 Cu Wafer간의 부착력 결과와 잘 일치하였다.
BTA는 Cu 표면에 잔류하여 유기 오염물을 발생시키고, 과량의 BTA에 의해 노출된 Cu 표면과 실리카 간의 입자 부착력을 증가시켰다. BTA의 DI Water에 대한 용해도는 0.06wt%로 알려져 있고[5] 슬러리 상태에서 과량으로 첨가된 BTA는 Cu 표면에 잔류하여, 용해되지 않은 BTA 분자들은 실리카 입자와 Cu Wafer 표면의 부착력을 증가시켰다.
앞서 실리카 입자와 Cu 표면간의 부착력 결과를 통해, Post Cu CMP 세정액에 적합한 농도는 각각 Citric Acid 0.7wt% 그리고 BTA 0.01wt%의 농도를 선택하였다. 이들 농도는 실리카 입자와 Cu Wafer간의 부착력이 가장 낮았으며, 이들의 혼합액은 pH 2로 구성되었다.
본 연구에서는 이렇게 제조된 Post Cu CMP 세정액과 중성의 세정액으로 정정 첨가제에 대해 평가하고자 한다. pH 6 중성의 세정액으로 적정하기 위해 사용된 첨가제는 NH4OH와 TMAH가 각각 사용되었다.
그림 15(a)는 본 실험에 사용된 세정액들 내에 분산된 제타포텐셜과 실리카 입자의 크기의 결과이다. TMAH가 첨가된 세정액을 제외하고 실리카 입자의 제타포텐셜과 크기는 각각 -15mV와 300nm 이하로 측정되었다. TMAH가 첨가된 세정액의 경우 +10mV 와 2,300nm의 제타포텐셜과 입자크기가 측정되었다. 그림 15(b)는 앞서의 평가 세정액들 내에서의 Cu Particle 제타포텐셜이며, 이는 이들 세정액 내에서의 Cu Wafer의 제타포텐셜을 나타내는 결과이다. 앞서의 실리카 입자의 제타포텐셜 결과처럼 TMAH의 결과에서만 positive한 제타포텐셜이 측정되었으며, 이때의 Cu 제타포텐셜은 +5mV로 측정되었다.
앞서 실리카 입자와 Cu 표면이 TMAH가 첨가된 세정액 내에서 positive한 제타포텐셜을 가지게 된 것은 Cationic Tetramethylammonium Ion[(CH3)4N+]이 실리카와 Cu 표면에 쉽게 흡착하였기 때문이다.
그림 16(a)와 (b)는 다양한 세정액 조성 내에서의 실리카와 Cu 표면의 FTIR과 ATR-FTIR의 결과이다. BTA가 첨가된 실리카 입자의 FTIR 결과는 흡착특성이 크게 나타나지 않았지만, Citric Acid의 경우 C=O의 Stretching 스펙트럼 피크가 관측되었다. NH4OH가 첨가된 경우, 실리카 입자 표면에 NH4+의 피크는 관측되지 않았다. 하지만, TMAH가 pH 적정제로 첨가된 경우 Cationic Tetramethylammonium Ion[(CH3)4N+]이 실리카 입자 표면에 피크로써 관측되었고 이는 Cu 표면과 인력적인 부착력을 야기하였다. 그림 16(b)는 TMAH가 첨가된 세정액 경우에서 Cu Wafer 표면의 Cationic Tetramethylammonium Ion의 흡착을 나타낸 결과이다.
본 실험에 사용된 세정액들간의 입자 부착력 및 탈착력 평가를 위해, 세정액 첨가제 종류에 따른 분산된 실리카 입자 크기 및 Cu 의 제타포텐셜이 DLVO 이론적 계산에 적용되었으며 이에 대한 결과가 그림 17에 도시되었다. 가장 큰 입자 부착력은 Citric Acid, BTA 그리고 TMAH 혼합 용액에서 계산되었고, 반면 가장 약한 입자 부착력은 Citric Acid, BTA에 NH4OH가 첨가된 세정액에서 계산되었다.
DLVO 이론에 의한 부착력 계산결과, Post Cu CMP 세정액에 가장 적합한 용액은 Citric Acid, BTA에 NH4OH가 첨가된 세정액으로 평가되었다.
그림 18은 세정액 종류에 따른 구형 실리카 입자와 Cu Wafer간의 AFM을 사용한 부착력 평가실험의 결과이다. 3가지의 각각 다른 세정액을 DI Water를 기준으로 평가하였다. 평가 대상 세정액 중에서 가장 작은 입자 부착력은 0.0124nN의 Citric Acid에 BTA, NH4OH가 첨가된 pH 6 의 중성 세정액에서 측정되었다. 반면 가장 큰 입자 부착력은 8.87nN으로 TMAH가 첨가된 세정액에서 측정되었다. TMAH가 첨가된 세정액은 Cationic Tetramethylammonium Ion이 Cu Wafer와 실리카 입자에 쉽게 흡착됨으로써 제타포텐셜에 영향을 끼치며, 높은 입자 부착력을 야기하였다. 실험적인 결과와 이론적인 계산결과는 상호간 잘 부합하였으며, 이와 같은 결과를 통해 세정액의 pH 조절과 pH 적정 첨가제 선별이 중요하다는 것을 보여주었다.
앞서 이론적인 계산과 실험적인 결과를 비교하기 위해, 실리카 연마입자가 분산된 Cu CMP용 슬러리에 Cu Wafer를 입자 오염시킨 후 각각의 세정액에 처리하여 Cu Wafer 표면의 오염 정도를 FESEM을 통하여 상호 비교하였다. 그림 19는 이에 대한 결과이며, 실리카 연마입자의 오염이 가장 심한 Cu Wafer는 TMAH가 첨가된 세정액이며, 반면 가장 적은 입자 오염을 나타낸 Cu Wafer 표면은 NH4OH가 첨가된 pH 6 의 중성 세정액에서 관찰되었다.


IV. 결론

이상의 결과들로부터 앞서 AFM을 통한 연마입자 부착력 실험에 의한 방법과 이론적인 계산결과에 의한 실험은 잘 일치하였으며, 또한 실제 공정 진행후의 연마입자 오염 특성 결과에서 그 결과는 명확하였다.
이와 같이 AFM을 이용한 연마입자의 부착력 및 오염평가방법은 Cu CMP 공정에 필수적인 슬러리와 Post Cu CMP 세정액 개발에 적용되어 많은 개발비용과 시간을 절약할 수 있는 연구 방법으로 활용될 것으로 기대된다.

[참고문헌]
[1] J. R. Lloyd, Microelctron. Reliab. Vol 39., pp. 1595-1602(1999)
[2] M. Eissa, S. Joshi, G. Shinn, S. Rafie and B. Fraser, PV. 99-37, pp.499-505, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ(1999)
[3] S. Y. Lee, S. H. Lee, and J.G. Park, J. Elecrochem. Soc., 150 (5), G327-G332(2003)
[4] A.W. Adamson and A.P. Gast, Physical Chemical of Surfaces, pp.250-276, John Wiley & Son, Inc., New York(1997)
[5] G. Lewis, Br. Corros. J., London, 16 169(1981)



문의: 한양대학교 재료화학공학부
홍의관, 박진구
Tel: 031-400-5226
E-mail: jgpark@hanyang.ac.kr