마이크로투나노 공모주청약 소개
종목명 | 마이크로투나노 |
사업개요 | 반도체용 프로브카드의 개발, 제조 및 판매를 주요 사업으로 영위 |
공모일정 (환불일) | 2023.04.17 ~ 18 (2023.04.20) |
공모주식수 (일반) | 1,000,000 (250,000) |
신주 (구주) | 1,000,000 (0) |
상장예정주식 (%) | 5,918,890 (100.00) |
시가 총액 | 917억4천만 원 |
우리사주 (%) | 0 (0.00) |
공모희망가 | 13,500 ~ 15,500 |
확정공모가 | 15,500 |
기관수요경쟁률 | 1,815건 (1,716.98) |
의무보유확약기관(%) | 194건 (10.83) |
유통가능구주주식 (%) | 2,291,120 (38.71) |
유통가능주식 (%) | 3,291,120 (55.60) |
청약한도 우대 (일반) | 16,000 (8,000) |
주간사 | 한국투자증권 |
상장 예정일 | 2023.04.26 |
최종 경쟁율 | 0.00 |
청약 금액 | 0억0백만원 |
【 2022년 온기 기준 비교기업 PER 산출】(단위: 천원, 주, 원, 배) |
구분 | 적용 당기순이익(A) | 적용주식수(B) | 주당순이익 (C=A/B) | 기준주가 (D) | PER (E=D/C) | 평균 |
티에스이 | 49,819,409 | 11,061,429 | 4,504 | 35,850 | 7.96 | 11.62 |
리노공업 | 114,363,791 | 15,242,370 | 7,503 | 141,500 | 18.86 | |
마이크로컨텍솔 | 7,049,092 | 8,312,766 | 848 | 5,780 | 6.82 | |
ISC | 44,838,162 | 17,399,471 | 2,577 | 33,150 | 12.86 |
출처) 금융감독원 전자공시시스템
종목명(EPS) | 22년 온기기준 최근4분기 실적 적용 기준주가(PER) | 04.13 종가(PER) |
티에스이(4,504) | 35,850(7.96) | 42,550(9.45) |
리노공업(7,503) | 141,500(18.86) | 138,200(18.42) |
마이크로컨텍솔(848) | 5,780(6.82) | 7,090(8.36) |
ISC(2,577) | 33,150(12.86) | 39,750(15.42) |
적용 평균 PER | (11.62) | (12.91) |
주당 환산 EPS | 1,682.76 | |
주당평가액 | 19,562원 | 21,731원 |
(마이크로투나노)
마이크로투나노 확정공모가 15,500원은
할인율은 20.76%
per은 9.21
최소청약수량 : 30주(232,500원)
공모주 수수료: 온라인 2,000원
마이크로투나노의 장점
1) 프로브 카드의 구조가 각 경쟁사들 간 차이는 있으나 핵심 부품 구성은 프로브, ML C, PCB, 기구물로 고착화 되어 있는 상황입니다. 동사는 이러한 경쟁 구도에서 제품의 품질과 신뢰성에 가장 중요한 부품인 프로브의 제조 방법, 재질, 구조에 대하여 타사 대비 확고한 경쟁력을 확보하고 있으며, 이를 통한 품질의 안정성, 장기 신뢰성 확보 및 원가 경쟁력을 확보하고 있습니다. 또한 우수한 align 품질을 확보할 수 있는 핵심 기술을 보유하고 있어 DRAM 프로브 카드에서 필수적인 협피치 대응 및 다 핀 MPH 개발 능력을 보유하고 있습니다.
2) 기관수요예측경쟁률 및 의무보유확약 양호
3) 비교기업 비교시 보다 상승세
마이크로투나노의 단점
1) 기술성장기업(기술특례상장) 평가등급: A,A
2) 프로브카드의 주요 수요처는 국내외의 메모리 및 비메모리 반도체 제조업체들이며, 그 중 SK하이닉스가 당사의 주요 고객입니다. 최근 3년 기준 당사 매출 구성을살펴보면, 2020년 94.2%, 2021년 94.8% 및 2022년 온기 매출의 95.6%가 주 거래처인 SK하이닉스에서 발생하고 있어, 특정 회사에 대한 매출집중도가 매우 높은 편입니다. 따라서 당사의 사업은 주 거래처의 사업 환경으로부터 높은 영향을 받게 되는 특성을 가지고 있습니다.
기타사항
1. 당사 매출액, 영업이익 및 당기순이익 추이 (단위: 백만원)
구분 | 2022년 | 2021년 | 2020년 |
매출액 | 41,425 | 31,707 | 23,896 |
매출총이익 | 13,233 | 10,929 | 6,592 |
영업이익(손실) | 6,288 | 4,893 | 1,209 |
당기순이익(손실) | 5,792 | 4,208 | 1,664 |
매출총이익률(%) | 32.0% | 34.5% | 27.6% |
영업이익률(%) | 15.2% | 15.4% | 5.1% |
당기순이익률(%) | 14.0% | 13.3% | 7.0% |
자료: 당사 제시자료
2. 당사 주요 재무상태표 계정 및 재무 안정성 지표추이(단위: 백만원)
구분 | 2022년 | 2021년 | 2020년 |
자산총계 | 49,451 | 45,200 | 36,603 |
유동자산 | 30,046 | 24,478 | 15,071 |
- 현금및현금성자산 | 5,178 | 5,942 | 804 |
- 단기금융상품 | 18,500 | 7,002 | 3,915 |
- 매출채권 | 655 | 4,719 | 1,120 |
부채총계 | 23,370 | 25,270 | 21,511 |
- 유동부채 | 7,112 | 7,384 | 4,675 |
- 비유동부채 | 16,258 | 17,885 | 16,836 |
자본총계 | 26,082 | 19,930 | 15,092 |
총차입금 | 14,140 | 14,380 | 14,360 |
- 단기차입금 | 980 | 980 | 1,960 |
- 장기차입금 | 10,680 | 13,160 | 12,400 |
- 유동성장기부채 | 2,480 | 240 | - |
유동비율 | 422.5% | 331.5% | 322.4% |
부채비율 | 89.6% | 126.8% | 142.5% |
차입금의존도 | 28.6% | 31.8% | 39.2% |
자료 : 당사 자료 제공
3. 자금의 세부 사용계획 (단위 : 백만원)
우선순위 | 구 분 | 내역 | 금 액 | 2023년 | 2024년 | 시 기 |
1 | 시설자금 | 용인공장 생산설비 | 8,392 | 3,625 | 4,767 | 2023~2024년 |
2 | 차입금상환 | 산업은행, 우리은행 상환 | 2,720 | 1,860 | 860 | 2023년 |
3 | 연구개발비 | 제품 및 주요 기술 개발 | 4,122 | 1,441 | 2,682 | 2023~2024년 |
합계 | 15,234 | 6,926 | 8,309 | - |
출처: dart 투자설명서
4. 전문평가기관의 종합의견
구 분 | 평가 등급 | 종합의견 |
SCI | A | 1. 기술성 주식회사 마이크로투나노(이하 ‘동사’)는 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 기술을 기반으로, 정밀 기구, 계측기기를 제작하는 소재·부품·장비 전문 벤처 기업으로, 반도체 테스트에 사용되는 프로브 카드와 자동차 브레이크용 MEMS 압력센서, 의료용 Micro Needle, 광통신용 부품 등을 개발하고 상용화하였다. 동사의 주요 사업은 SK 하이닉스 향 낸드플래시 테스트용 프로브 카드 제조로, SK 하이닉스의 동제품 공급 3사 중 최대 점유율을 차지하고 있고, SK 하이닉스의 DRAM과 CIS를 비롯한 비메모리용 프로브 카드를 개발하고 있어 2024년 내로 납품을 시작할 예정이다. 또한 이를 바탕으로 삼성전자 및 해외 반도체 제조사로 고객사를 넓혀 향후 세계적인 메이저 프로브 카드 제조사가 되고자 한다. 동사의 평가대상 기술은 반도체 웨이퍼 레벨 검사 시 각각의 미세한 반도체 칩에 테스트 장비의 전기적 신호를 동시에 전달하여, 효율적 검사를 수행하는 프로브 카드를 제작하는 기술이다. 웨이퍼 레벨 검사공정은 웨이퍼 칩을 제작한 후 절단하기 전에, 웨이퍼 상에서 직접 신호를 인가하여 불량 반도체를 사전에 선별하는 것으로, 패키징의 기회비용을 줄일 수 있어 반도체 제조에 필수적이다. 검사공정은 프로브 카드를 테스트 장비에 장착하고 웨이퍼에 물리적 접촉을 통해 전기적 연결을 형성한 후, 테스트 장비에서 전기적 신호를 보내어 되돌아오는 신호를 분석하여 불량 반도체 칩을 선별하는 과정을 거친다. 동사의 평가대상 기술 제품인 프로브 카드는 다수의 프로브를 반도체 웨이퍼의 I/O 패드 위에 위치시키고 테스트 전기신호를 전달하는 고부가가치의 소모성 부품이다. 동사의 주요 기술 제품은 메모리 반도체인 낸드플래시와 DRAM, 비메모리 반도체인 CIS 등의 웨이퍼 검사를 위한 프로브 카드이다. 특히, 비반도체의 경우 WFBI(WaferBurn In)와 EDS(Electric Die Sorting) 테스트가 필요하여, 테스트별 전용 프로브 카드가 필요하다. 동사의 평가대상 기술은 고집적, 고속 반도체 검사를 위한 MEMS 프로브 카드의 제조 기술이며, 이를 구현하기 위한 주요 기술로는 미세하고 기계적, 전기적 특성이 우수한 프로브 제조기술, 프로브를 정확히 위치시키는 MPH(MEMS Probe Head) 제조기술, 고속 검사를 위한 신호손실 저감기술을 들 수 있다. 동사는 프로브 카드의 물리적 핵심요소인 프로브를 2D MEMS 기술을 이용하여 제조하고 있다. 2D 방식의 프로브 제조법은 우선 6인치 또는 8인치 웨이퍼에 포토 공정을 통해 원하는 형상의 거푸집을 만들고, 여기에 도금을 통해 개별 프로브를 제조한다. 이후 프로브를 웨이퍼에서 분리하고, 이를 하나씩 기판에 본딩하는 순서를 거쳐 프로브 카드를 제조한다. 반면, 3D 방식의 프로브 제조법은 프로브를 적층 도금과 동시 접합 공정을 통해 프로브 헤드를 한 번에 제조한다. 일반적으로 3D 방식 제조법은 협피치 형성에 장점이 있으나 수율 관리가 어렵고 설비 투자에 큰 비용이 소요된다. 또한, 프로브 형상에 제한이 있어 설계 자유도가 저하된다. 동사가 선택한 2D 방식 제조법은 공정이 단순하여 제조비용이 저렴하고 수율 관리가 용이한 장점이 있다. 다만, 협피치 형성에 단점이 있으므로, 동사는 이를 극복하기 위해 프로브 소재, 형상 구조, 표면코팅 등을 통해 프로브의 기계적, 전기적 특성을 고도화 하였다. 또한, 동사는 고속검사를 위한 신호 손실 저감기술을 개발하였다. 웨이퍼 검사공정은 다수의 반도체 칩에 대하여 동시에 이루어져야 하나, 검사장비 내 검사 유닛이 한정적이므로, 테스터로부터 나오는 검사 신호를 병렬로 분기시켜 검사를 시행하며, 이로 인해 프로브 카드의 위치별 신호 반사 또는 지연에 따른 신호손실이 발생한다. 동사는 이러한 신호손실을 저감하기 위하여 임피던스 매칭에 따른 회로설계 기술을 개발하였다. 동사의 평가대상기술은 4가지 기술제품으로 구분되며, 기술제품별 진행단계가 상이하다. 구체적으로 낸드플래시용 및 DRAM WFBI용 프로브 카드는 양산단계, DRAM EDS용은 제품화 단계, CIS용은 시제품 단계에 해당한다. 동사가 납품하고 있는 낸드플래시용 프로브 카드는 고객사로부터 기술력을 인정받았으며, 이에 기반 하여 고객사로부터 DRAM 메모리 및 비메모리용 제품으로 확장 개발을 제안 받았다. 현재 DRAM EDS용 및 CIS용 프로브 카드는 자체평가 및 외부공인기관을 통해 고객사 Spec. 달성 가능성이 확인된 수준이고, 동사는 고객사와의 적극적인 협업을 통해 기술제품의 신뢰성을 확보하고자 노력하고 있다. 따라서 동사가 개발하는 DRAM EDS용 및 CIS용 프로브 카드는 성능 확보 가능성이 확인되었고, 양산 체계가 구축되어 있으며, Field failure mode라는 자체 관리 시스템을 통해 우수한 품질관리 능력까지 보유하고 있는 것으로 생각된다. 또한, 동사는 생산시설을 가동하기 위한 인력 및 원자재 수급과 품질 확보에 문제가 없다고 판단되는 바, 시장진입을 통한 매출 증대가 기대된다. 따라서 동사 기술제품 중 신규 개발품은 제품화 및 양산화 과정을 거쳐 설비 투자가 계획대로 진행되면 1-2년 이내에 사업화가 가능할 것으로 판단된다. 다만, 고객사의 평가결과 및 선도업체들과의 경쟁에 따라 사업화 시점이 변경될 가능성은 존재한다. 최근 고집적 반도체 제조공정에서 불량 제품을 사전에 선별해내는 웨이퍼 레벨 검사는 필수적인데, 반도체 제작 업체들은 장비를 효율적으로 운용할 수 있는 프로브 카드검사방식을 일반적으로 사용하고 있다. 또한, 반도체 제조업체들은 프로브 카드 제조업체와 지속적인 커뮤니케이션을 통해 제품을 업그레이드하고 있으며, 업체 간 경쟁을 유도하고 있는 점 등을 미루어 보아, 향후 프로브 카드의 활용은 지속될 것으로 예측된다. 따라서 웨이퍼 레벨의 반도체 검사공정에서 프로브 카드를 대체하는 기술은 상당기간 등장하지 않을 것으로 생각된다. 평가대상기술이 목표로 하는 시장에서, MEMS 프로브 제조기술은 여전히 2D와 3D 제조방식이 경쟁하고 있으며, 고객사에 납품되는 기술제품 역시 2D 및 3D 방식이 공존하고 있다. 동사는 2D 방식을 선택하고 개선하고 있으나, 3D 방식을 선택한 일부 경쟁사 역시 기술적 개선을 통해 리스크를 헷지하고 있다. 또한, 프로브 카드를 구성하는데 필요한 MPH 및 회로 기술에서도, 경쟁사들은 고객사의 Spec.을 만족하는 제품을 이미 납품하고 있으며, 사용 시 발생하는 문제들에 기술적으로 대응하고 있다. 동사는 이미 형성된 시장의 후발업체에 해당하며, 기존 대비 동등하거나 다소 우위의 기술을 개발하였으므로, 현시점에서 동사의 기술은 제한적 차별적 특성을 가지며, 기술의 상업적 우위성은 보통 수준으로 판단된다. 동사의 기술제품은 프로브, MPH, 회로 등의 복합기술이 종합된 제품이며, 소재, 제조공법, 회로의 고난이도 기술 역량 및 축적된 노하우가 필요하다. 동사의 낸드플래시 메모리용 프로브 카드는 2021년 기준 SK 하이닉스 물량의 34%에 해당하는 높은 비율로 납품되고 있다. 이러한 역량을 기반으로 동사는 고객사로부터 다른 기술제품의 개발을 제안 받았으며, 4년 이상의 기간과 20억 원 규모의 비용을 투자하여 평가대상기술을 신규개발 및 고도화 하였다. 기술제품은 반도체 분야의 검사공정에 사용되는 부품에 해당하므로, 고객사와의 협업 없이는 제품개발이 불가능하다. 동사는 SK 하이닉스에 낸드플래시용과 DRAM WFBI용 프로브 카드를 납품하여 지속적인 매출을 실현하고 있고, 제품 개발과 관련된 주기적 미팅을 진행하고 있는 바, 고객사와 적극적인 협업체계를 구축하고 있다고 생각된다. 동사는 평가대상기술에 대해 국내 등록 특허 34건, 출원 4건과 해외 등록 특허 4건의 지식재산권을 통해 기술을 권리화하였고, 프로브 제조에 필요한 도금의 조성 및 전주공정을 핵심 노하우로 분류하여 별도로 관리하고 있다. 동사는 FTO 분석을 통해 동사의 특허가 타사의 특허권을 침해하지 않는다는 것을 확인하여 권리 안정성을 확인하였다. 또한, 평가대상기술은 반도체 검사를 위한 소모성 부품에 관한 것으로, 해당 제품의 분석을 통해 프로브의 구조 및 회로설계 등을 알 수 있고, 이를 통해 평가대상기술의 사용 여부 및 기술의 모방 여부를 쉽게 판별할 수 있다. 따라서 평가대상기술은 기반기술, 노하우, 시간, 비용, 전문인력 등 다수의 자원 투입을 필요로 한다. 또한, 동사는 핵심기술에 대한 지식재산권을 확보하였고, 고객사와의 긴밀한 협업 관계를 형성하여 후발업체들에 대한 진입장벽을 구축하였다. 이러한 점들을 종합적으로 고려할 때 평가대상기술의 기술 모방 난이도는 높은 편에 속한다고 판단된다. 동사는 메모리 반도체의 웨이퍼 검사를 위한 프로브 카드 기술제품 확대를 우선 목표로 하고, 비메모리 분야에서 최근 시장이 성장하고 있는 CIS 및 SSD controller용 프로브 카드의 개발을 통해 기술제품의 응용 확장을 계획하고 있다. 또한, 동사는 평가 기술을 디스플레이 분야에 적용하여, OLED 8.5G 패널 검사용 프로브 카드의 제작에 관하여 삼성디스플레이와 개발 협의를 진행 중이다. 따라서 평가대상기술은 복수의 시장에서 다양한 신제품에 적용 가능한 수준의 기술 확장성을 보유하고 있다고 판단된다. 2. 시장성 동사의 기술제품은 반도체 테스트용 MEMS 프로브 카드로, 동 제품의 시장은 반도체 시장과 연동된다. 글로벌 반도체 시장은 PC·모바일·서버 등 IT 기기 발달과 함께 그 규모가 지속 확대되어 왔으며, 최근 4차 산업혁명의 본격화로 AI, IoT, 자율주행차 등의 기술 발달에 따라 더욱 확대될 전망이다. 글로벌 시장조사기관 OMDIA에 따르면 반도체 시장은 2022년 5,674억 달러에서 2025년 6,172억 달러로 향후 연평균 5.4% 성장을 예상하였고, 세계반도체무역통계기구(WSTS)는 2022년 세계 반도체 매출 규모를 6015억 달러(715조4842억 원)로 전망 전년 대비 8.8% 증가할 것으로 예상하고 있다. 또한 반도체 전문 시장조사기관인 VLSI Research의 시장보고서(2021)에 따르면, 2022년 4,808억 달러에서 2025년 5,558억 달러 규모를 형성하면서, 연평균 7.54%의 성장을 예상하고 있다. 동사가 속한 글로벌 반도체 검사용 프로브 카드 시장은, VLSI Research의 시장보고서(2021)에 의하면, 2022년 26억 달러에서 2025년 29억 달러로 연평균 5.68%의 성장을 할 것으로 예측되고 있다. 또한 QYResearch사의 보고서(2022)는 동 시장의 2022-2028년간 CAGR을 6.54%로 추정하여, 2022년 26억 5,757만 달러에서 38억 8,652만 달러에 달할 것으로 예측하고 있다. 국내 프로브 카드의 시장규모는 거의 삼성전자와 SK 하이닉스의 수요에 의해 결정된다. 메모리용 제품의 경우에는 두 업체가 100%를 차지하며, 비메모리의 경우에는 기타 팹리스나 테스트 업체에서 일부 수요가 있으나 미미하다. 현재 동사 기술제품의 주판매처는 실질적으로 SK 하이닉스 1개사이며, 향후 삼성전자가 추가되어도 2개사에 불과하여 판매처의 다양성은 낮으나, 삼성전자와 SK 하이닉스의 반도체 시장 지배력이 절대적인 특수한 상황이며, 반도체의 생산증가에 따라 프로브 카드의 시장규모도 지속적으로 증대되고 있다. 동사의 기술제품이 속한 프로브 카드 시장은 기술적 진입장벽으로 인해 신규업체들의 진입이 쉽지 않고, 소수의 업체들이 시장을 과점하고 있어 매출액 기준으로 상위 10개 사가 글로벌 프로브 카드 시장의 82%를 점유하고 있다. 상위 10개사들(FormFactor, Technoprobe, Micronics Japan, JEM, MPI Corporation, 코리아인스트루먼트, Nidec SV TCL, 티에스이, Will Technology, 마이크로프랜드)은 회사별로 특화된 기술적 특장점을 기반으로 시장 지위를 확보하고 있는 것으로 판단된다. 2021년 기준, 삼성전자 및 SK 하이닉스 분야별 프로브 카드 구매현황을 살펴보면 삼성전자는 전체 4,360억 원 중 메모리 DRAM에 1,560억 원, 낸드플래시에 1,000억원, 비메모리 분야에 1,800억 원을 지출하였고, SK 하이닉스는 전체 1,715억 원 중 메모리 DRAM에 850억 원, 낸드플래시에 820억 원, 비메모리 분야에 45억 원을 지출하였다. 구체적으로 2021년 기준 삼성전자에 DRAM용 프로브 카드를 공급하는 기업 및 점유율은 MEK 64%, FFI 19%, MF 13%, KI 3%, JEM 1%이고, 낸드플래시용 프로브 카드를 공급하는 기업은 KI 50%, MF 40%, TSE 10%이며, 비메모리 프로브 카드의 경우는 Will Technology 33%, FFI 25%, TP 25%, KI 14%, JEM 2%, MF 1%이다. SK 하이닉스에 DRAM용 프로브 카드를 공급하는 기업의 점유율은 FFI 65%, SDL 25%, MEK 8%, 동사 2%, AMST 1%이고, 낸드플래시용 프로브 카드의 경우는 동사 34%, TSE 34%, AMST 32%이며, 비메모리 프로브 카드의 경우는 Will Technology가 100% 공급하고 있다. CIS용 프로브 카드의 시장은, 국내 CIS 반도체 시장을 이끌고 있는 삼성전자가 글로벌 CIS 시장 점유율을 늘리며 프로브 카드의 수요가 증가되고 있는 상황이고, SK 하이닉스 역시 CIS를 차세대 사업 분야로 선정하고 수년 전부터 집중 투자를 하고 있어, 향후 CIS용 프로브 카드의 수요도 크게 증가 할 것으로 예측되고 있다. 3. 사업성 동사는 프로브 카드 생산공정 30개 중 3개 공정만 외주처리하고 있고, 53명의 생산 인력으로 프로브 카드 38set/월의 생산능력을 확보하고 있으며, MES를 근간으로 생산 관리하고 있고, ISO 9001 규정에 따라 내부 품질을 통제하고 있다. 동사는 2021년 기준 SK 하이닉스에서 약 300억 원(92%), Mingzhen Mems Tech Shanghai Co Ltd에서 7.8억 원, 대양전기공업(주)에서 2.5억 원, 기타업체에서 6.3억원의 매출을 실현하였다. 동사의 제품 매출이 SK 하이닉스에 편중되어 있으나, 메모리 반도체용 검사기기 제품의 특성상 불가피한 점이 있다. 프로브 카드는 신규 제품 개발 시, 개발사가 고객사와 밀접한 협력 하에 개발되는 것이 필수적이다. 동사는 낸드플래시용 프로브 카드를 SK 하이닉스에 안정적으로 공급하여 신뢰를 쌓았으며, 이를 기반으로 SK 하이닉스의 DRAM 및 CIS용 프로브 카드도 개발하고 있고, 양산공급할 가능성이 높다. 당분간 동사와 주 판매처인 SK 하이닉스와의 신뢰를 기반으로 안정적인 관계를 유지할 것으로 판단된다. 또한 동사는 MEMS 기술을 기반으로 하고 있어, 프로브 카드 외에 이스라엘의 나노패스사와 2006년부터 MEMS Micro Needle을 공동 개발 하여, 약물의 종류 및 주사 위치에 따라 Needle 높이 600um, 800um, 270um, 1mm 제품들을 개발 하였고, MEMS 센서 관련하여 고려대학교 기계공학부와 같이 MEMS 마이크로폰, 촉각 센서에 대한 공동 개발 등을 진행하고 있다. 한국전자기술연구원과 공동으로 MEMS 압력센서를 개발하여 이를 상업화하였고, 각종 공정 개선과 성능 향상을 위해 대양전기와 협력관계를 유지하고 있다. 동사는 하기와 같이 매출 추정치를 제시한 바 있다. 동사의 주 거래처인 SK 하이닉스가 Intel의 낸드플래시 부문을 2023년에 인수하여 낸드플래시 점유율이 증가할 것이라는 전망은 긍정적인 부분으로 판단되며, SK 하이닉스 2021 사업보고서 및 각종 매체 보도에 의하면 해당 시장 점유율은 SK 하이닉스가 12.5%(3Q2021), 14.1%(4Q2021), Intel이 5.9%(3Q2021), 5.4%(4Q2021)로 보고되고 있어 단순 합산할 경우 19.4% 내지 19.5%로 예상된다. 동사의 매출추정액은, 낸드플래시용 프로브 카드의 경우, SK 하이닉스 낸드플래시용 프로브 카드의 공급사가 현 3사 체제로 유지되고, 동사가 지속적인 품질 평가 지수 1등을 유지 하여 점유율을 34% 정도로 유지하는 상태를 전제로 예측하였다. 또 낸드플래시용 프로브 카드 등의 해외 매출은, 중국 메모리 제조사인 YMTC, Giga Device, HH Grace의 MEMS 프로브 카드 공급 협력사들이 각각 20-30% 정도의 점유율을 유지할 것으로 예측하여 매출을 추정하였고, 해외 고객사들과 현재 준비 중인 VPA(Volume Purchase Agreement)가 성공적으로 진행 될 경우, 매출이 클 것으로 예상하였다. DRAM WFBI 프로브 카드의 매출은, SK 하이닉스 향 카드 공급사가 2022년까지 동사 포함 2개사이며, 점유율이 각 50% 정도인 경우를 가정하여 예상되어 있고, DRAM EDS용 프로브 카드의 매출은, 동사가 SK 하이닉스 향 제품을 2022년 개발 및 시장 진입에 성공하여 2023년 하반기부터 매출이 시작되고, 2024년 주력 제품 개발 성공으로 본격적으로 매출이 발생하여, 이 시점부터 해외 선진사(FFI, MJC)가 약 60%, 국내 동사 포함 2개사 (동사 20%)가 약 40% 정도의 점유율을 형성함을 전제로 추정되어 있다. CIS용 프로브 카드의 매출은, SK 하이닉스가 CIS 생산에 본격적인 투자를 예고하여 생산이 증가될 것이 확실시 되고 있고, 동사가 해당 프로브 카드를 개발하였으며, 아직 신뢰성 테스트가 완료되지 않았으나 금년 중으로 매출로 이어질 것으로 예상된다. 따라서 양산중인 낸드플래시와 DRAM WFBI용 프로브 카드에 비해 DRAM EDS, CIS용 프로브 카드의 매출추정은 근거가 낮은 편이나, 동사 전체매출은 비약적으로 증대될 것으로 보인다. |
이크레더블 | A | 동사는 반도체 소자 제조 등을 목적으로 2000년 8월 설립되었으며, 반도체 소자를 구성하는 전기·전자회로의 동작을 검사하기 위해 사용하는 프로브 카드(Probe Card) 개발 및 제조를 주요 사업으로 하고 있다. 동사의 핵심기술은 반도체 검사용 MEMS 프로브 카드 개발 및 제조 기술에 해당되며, 주요 기술제품에는 메모리용 낸드플래시 프로브 카드, 메모리용 DRAM WFBI 프로브 카드 등이 있다. 동사의 핵심기술은 현재 낸드플래시 반도체 소자의 웨이퍼 테스트를 위한 프로브 카드에 적용되고 있으며, 동사는 향후 DRAM과 같은 메모리 반도체의 테스트용 프로브 카드와 CIS(CMOS Image Sensor) 등의 비메모리 반도체 테스트를 위한 프로브 카드의 상용화를 목적으로 연구개발을 진행 중에 있다. 동사는 제조공정을 단순화하여 제조 기간 및 비용 절감이 가능한 2D 프로브제조 기술, 고강도 물성을 가지는 고강도 Ni 3원계 합금 개발 및 도금 기술 High CCC(Current Carrying Capacity) 대응이 가능한 다층 프로브 제조 기술, 정밀 레이저 본딩 기술, 전기회로의 신호 품질 안정성을 위해 다 para 검사에 대응하는 SI(Signal Integrity)/PI(Power Integrity) 신호 무결성 기술, 각 부품을 안정적으로 조립하고 MPH(MEMS Probe Head)의 평탄도 및 Align 정밀도를 높일 수 있는 프로브 카드 구조 기술 등 다양한 요소 기술을 보유하고 있다. 동사는 반도체 소자의 고집적화에 따라 동사가 보유한 2D 프로브 제조 기술 노하우와 2단 엣지 팁 설계구조를 통해 DRAM의 경우 55㎛ 이하의 협피치 대응이 가능하도록 하였으며, 3원계 금속소재의 프로브 제작공정을 독자적인 기술로 개발하여 확보함으로써 1.1mm 길이 프로브에서 항복강도 1.0 GPa 이상, CCC 1.0A 성능을 보유한 해외 경쟁업체 대비 1.0 mm 길이 프로브에서 1.2 GPa의 항복강도와 1.2A 이상의 CCC의 성능을 구현하고 있다. 또한, 동사는 고밀도, 초고속 프로브 카드 구현을 위해 금속 배선과 PI 필름을 최대 5층까지 적층하고, 공정 중에 발생하는 응력 제어 및 층간 접합력을 확보하는 다층 박막기술을 확보하였다. 이를 통해 추후 DUT당 70~80핀을 탑재하고 20~30개의 capacitor 및 resistor를 프로브 근처에 실장해야 하는 DRAM EDS 프로브 카드에 적용이 가능하며, 한정된 면적에서 고밀도 집적회로를 구성하는 기반 기술로 활용 가능할 것으로 기대된다. 이러한 동사의 기술은 자체 개발된 기술로 혁신성이 높고, 시장에서 상당기간 경쟁력을 유지할 것으로 예상된다. 동사는 주력 사업 지역인 국내를 중심으로 하여 프로브 카드에 대해서 다수의 특허권, 상표권 등을 확보하고 있으며, 모방이 용이한 기술들은 기술노하우로 보호하고 있다. 또한, 확보한 권리들은 전반적으로 권리범위가 적절한 수준으로 질적으로 우수한 것으로 파악된다. 동사는 Tip제조, Laser Micro Bonding, MLC(Multi Laser Ceramic)/PCB 공정, 조립/검사 등 대부분의 공정(90%)을 자체 생산하고 있으며, 수요자의 요구 수량에 대응할 수 있는 충분한 생산CAPA를 보유하고 있다. 또한, 동사는 MES(Manufacturing Execution Systems)시스템을 구축하여 생산시스템을 운영하고 있으며, 제품 설계부터 제조, 출하, A/S 등 전 공정에 대해 ISO9001 인증 및 자체 품질관리프로세스에 따라 품질관리를 수행하고 있다. 프로브 카드 시장은 기술적 진입장벽과 초기시설 투자비가 높아 과점적 경쟁 구도를 형성하고 있으며, 반도체 공정의 급속한 기술적 진보에 의해 제품 세대 교체가 자주 발생하기 때문에, 고객사에 보다 발빠른 기술적 대응이 가능하도록 경쟁력을 갖추어야 시장점유율을 확보할 수 있는 특징이 있다. MEMS 프로브 카드 관련 시장은 글로벌 시장의 경우 연평균 6.6% 성장하여 2025년 2,165백만 달러에 달할 것으로 전망된다.(출처 : VLSI Research 2021). 국내 시장의 경우 메모리 반도체용 프로브 카드는 14.07% 성장하여 2025년 7,900억 원에 달할 것으로 예상되며, 비메모리 반도체용 프로브 카드는 연평균 16.31% 성장하여 2025년 2,870억 원에 달할 것으로 추정된다. 동사는 매출액의 약 95% 정도가 주 거래처인 SK하이닉스에서 발생되고 있어 주 거래처에 대한 매출집중도가 매우 높은 편이며, 동사의 사업이 주 거래처의 사업 환경으로부터 많은 영향을 받고 있는 것으로 파악된다. 향후 다양한 판로 구축을 위한 대응이 필요할 것으로 판단된다. 동사는 낸드플래시 프로브 카드의 경우 경쟁사 대비 가동률, Repair 건수 및 Repair TAT, Align grade 등의 품질평가항목에서 경쟁우위를 점하고 있으며, 고객사의 주기적인 종합 품질평가에서 수년간 가장 높은 평가점수를 기록하고 있다. 다만, 동사가 향후 진입하고자 하는 메모리용 DRAM EDS 프로브 카드 및 비메모리용 프로브 카드 시장의 경우 해외 선진기업이 주도하고 있어 초기 시장진입의 한계를 극복하여야할 것으로 판단된다. 한편, 메모리용 DRAM 및 비메모리 프로브 카드의 경우 고객사가 해외 기업의 독점 공급에서 벗어나 안정적인 공급 및 A/S 서비스에 장점이 있는 국산화 개발을 지속적으로 추진하고 있어 국내 경쟁업체대비 우수한 기술 및 품질경쟁력을 갖춘 동사의 경우 시장에서 일정 수준 이상의 점유율을 차지할 수 있을 것으로 기대된다. |
공모가는 희망공모가 상단으로,
기관수요예측 결과가 양호합니다.
고로 개인경쟁률은 높을 것으로
예상합니다.
저는 공모주청약시 경쟁률 및 분위기 확인하면서
청약여부를 판단할 예정이나,
현재로는 풀비례 참여할 것 같습니다.
고로 이웃님들은 마지막까지 잘 판단하시어
공모주청약하시길 바랍니다.
디앤...
[IPO공모주청약에 대한 단순 검토내용이며, 권유하는 것은 아닙니다]
[출처] 마이크로투나노 공모주청약|작성자 전광석화
첫댓글 네이버 블로거 전광석화님의 포스팅입니다. 감사합니다
감사합니다
하얀토끼님 늘 수고해주심에
감사드립니다.
감사합니다
오랜만에 공모주네요~
감사합니다^^
감사합니다.
전광석화님
하얀토끼님 두분 고맙습니다.
감사합니다. ^^
감사합니다^^
감사 합니다
청약주수가 일반 4,000, 우대 8,000 이 아닌가요?
여기는 2배로 나와있네요.
온라인 50% 4,000주, 준우대 100% 8,000주,
우대 200% 16,000주, 최고우대 300% 24,000주입니다. 전 일반적으로 100%와 200%를 표기하고 있습니다. 참고바랍니다.
@전광석화 감사합니다.
감사합니다
늘 수고해주시는 하얀토끼님 감사합니다 ^^
감사합니다.~~
좋은 정보 늘 감사드립니다.
고맙습니다~~
감사합니다
감사합니다~
감사합니다.
감사합니다.
감사합니다
감사합니다~~
감사합니다
첫날
비례경쟁률 149.19:1
청약건수 79,925건
2500 정도 예상합니다. 그래도 해야겠죠^^
늘 감사드립니다 .
좋은일만 가득하세요
감사합니다^^
감사합니다.
2154
3000 넘을 듯 합니다
현재 2180.44:1
3200나올것같은데 3000청약하면 비례1주가능한가요?
경쟁률이 4,000대 1 간다해도, 3,000 * 4,000 = 0,75 대( 5사 6입 ) 1로. 1주 배정될것 같아서 4,000주 청약하지 않고, 1주 받기위하여
3,000주만 청약합니다
너무 높네요... 후
cma보다 좀 나은 정도의 수익일듯 합니다
3272
최종
비례경쟁률 3,272.25:1
청약건수 275,439건 (균등 0.45주)
하얀토끼님~!
진심 감사드립니다.