공모주 2023년7월24~25(화)(코)시지트로닉스 429270 공모주청

[하얀 토끼]

시지트로닉스 공모주청약 소개

종목명	시지트로닉스
사업개요	특화 반도체 소자의 개발, 제조 및 판매를 주요 사업으로 영위
공모일정 (환불일)	2023.07.24 ~ 25 (2023.07.27)
공모주식수 (일반)	900,000 (675,000)
신주 (구주)	900,000 (0)
상장예정주식 (%)	4,506,250 (100.00)
시가 총액	1,126억5천만 원
우리사주 (%)	0 (0.00)
공모희망가	18,000 ~ 20,000
확정공모가	25,000
기관수요경쟁률	1,773건 (1,703.85)
의무보유확약기관(%)	101건 (5.62)
유통가능구주주식 (%)	1,938,205 (36.36)
유통가능주식 (%)	2,538,205 (56.33)
청약한도 우대 (일반A) 일반B	20,000 (10,000) 5,000
주간사	유안타증권
상장 예정일	2023.08.03
최종 경쟁율	0.00
청약 금액	0억0백만원

[최근 4개 분기 실적 기준 PER 산출]

(단위: 원, 주, 배)

구분	광전자	드림텍	RF머트리얼즈	파트론
적용 순이익	9,343,473,660	37,555,513,960	3,614,130,550	38,666,608,100
적용 주식수	57,943,763	67,454,183	8,333,231	58,918,214
주당순이익(EPS)	161	557	434	656
기준주가	2,582	8,946	11,936	8,387
PER	16.01	16.07	27.52	12.78
적용 PER	18.10

【 ㈜시지트로닉스 PER에 의한 평가가치 】

구 분	산출내역	비 고
2025년 추정 당기순이익 (A)	13,931 백만원	​
연 할인율	20%	​
2025년 추정 당기순이익 현가 (B)	8,438백만원	B = A / (1.2^2.75)
적용 주식수 (C)	4,537,250 주	​
2023년 1분기말 기준 주당순이익 (D)	1,860 원	D = B / C
적용 PER (E)	18.10 배	-
주당 평가가액 (F)	33,651 원	F= D X E

자료: 전자공시시스템(Dart)

종목명(EPS)	23년 1분기기준 최근4분기 실적 적용 기준주가(PER)	07.21 종가(PER)
광전자(161)	2,582(16.01)	2,625(16.30)
드림텍(557)	8,946(16.07)	12,370(22.21)
RF머트리얼즈(434)	11,936(27.52)	12,550(28.92)
파트론(656)	8,387(12.78)	8,720(13.29)
적용 평균 PER	(18.10)	(20.18)
주당 환산 EPS	1,860
주당평가액	33,651원	37,536원

(시지트로닉스)

시지트로닉스 확정공모가 25,000원은

할인율은 25.71%

per은 13.44

온라인 일반 청약수수료 : 3,000원

최소청약수량 : 10주 (125,000원)

시지트로닉스의 장점

1) Sensor소자의 판매처 확대가 동사의 수익성 향상에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 예상되며, 중장기적으로 GaN 사업의 본격화가 동사 수익성 향상에 크게 기여할 수 있다고 판단

2) 신소자 설계 기술, Epi성장 미세접합 기술, 제조공정 기술 등 다양한 요소기술을 보고하고 있으며, 높은 기술적 차별성과 혁신성을 갖추고 있어 시장에서 상당기간 경쟁력을 유지할 것으로 예상

시지트로닉스의 단점

1) 기술성장특례를 적용한 기술성장기업 (평가등급 : BBB / A)

2) GaN소재에 대한 시장은 아직 본격적인 개화가 되지 않은 상황입니다. 현재 소수의 업체들이 기술개발 및 사업화 차원에서 경쟁 중인 수준이며, 유무선 충전기, 모터, 서버, 라이다, TV 등 전방사업으로 기존 실리콘 전력반도체를 대체하는데 있어서 기술적(구동회로) 해법과 가격 격차 해소와 같은 어려운 문제를 푸는데 다소간의 시간이 필요합니다. 당사의 신규 사업은 GaN소재의 반도체가 얼마나 빠르게 전자부품에 적용되느냐에 따라 크게 영향을 받을 것으로 예측되며 해당 시점이 지연될 경우 이는 당사의 매출 성장성과 재무 수익성에 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다.

3) 당사의 미래 신규사업인 GaN소재의 전력반도체는 향후 미래 반도체 업종의 핵심 기술이 될 가능성이 높기에 이와 관련한 국가간 기술 갈등에 휩쓸릴 위험이 있습니다. 또한, 현재의 메모리반도체 분야에서의 갈등이 확산되어 비메모리반도체 및 개별소자반도체까지 갈등의 영역이 커질 경우, 당사의 매출 및 수익성에도 부정적인 영향을 끼칠 가능성이 있습니다.

기타사항

1. 최근 3개년 및 2023년 1분기 주요 수익성 지표 (단위: 백만원)

구 분	2020년	2021년	2022년	2023년 1분기
매출액	11,980	15,495	14,521	3,595
매출원가	13,829	16,995	16,490	4,049
(매출원가율)	(115.4%)	(109.7%)	(113.6%)	(112.6%)
판관비	1,544	2,733	2,878	872
영업이익	-3,392	-4,234	-4,846	-1,327
(영업이익률)	(-28.3%)	(-27.3%)	(-33.4%)	(-36.9%)
당기순이익(손실)	-7,016	-5,645	-4,369	-1,358
(순이익률)	(-58.6%)	(-36.4%)	(-30.1%)	(-37.8%)

2. 최근 3개년 및 2023년 1분기 주요 재무 안정성 지표 현황 (단위: %)

구분	2023년 1분기	2022년	2021년		2020년
			시지트로닉스	업종평균
유동비율	118.9%	123.4%	197.3%	166.2%	40.8%
부채비율	133.6%	114.9%	94.9%	60.0%	​
차입금의존도	41.8%	39.1%	33.9%	17.8%	37.3%
당좌비율	57.3%	55.6%	129.8%	135.5%	24.6%

주) 업종평균은 한국은행 발간 '2021년 기업경영분석'의 'C261,2. 반도체, 전자부품'를 기준

3. 자금의 세부 사용계획​ (단위 : 백만원)

구분		2023년(E)	2024년(E)	합계	비고
시설자금	건축물	1,500	2,000	3,500	GaN FAB 구축을 위한 건물 확보
	M-FAB (Si)	1,000	2,500	3,500	Si 기반 신규 제품 및 거래처 확보로 일부 장비증설
	FAB (GaN)	3,300	6,200	9,500	GaN FAB 신설투자
연구개발	GaN Power & RF 양산 개발	500	950	1,450	고전압 GaN Power/RF 기술개발, 양산 및 신뢰성 확보
	웨어러블 Sensor 신제품 개발	500	950	1,450	블랙 실리콘 나노 센서, 단파장 필터 컷, 플립칩 BB-PD 센서 등 기술개발
	제품 응용 기술 개발	300	512	812	파워 고전압 패키지, 고주파 측정 및 평가, 광대역 파장 센서 응용 등 기술개발
운영자금	우수인력 충원	400	750	1,150	설계/공정분야 우수인력 충원
	기술개발센타 운영	300	600	900	수도권 기술개발 센타 운영
합계		7,800	14,462	22,262	-

4. 전문평가기관의 종합의견

구분	평가등급	종합의견
SCI평가정보	BBB	1. 기술성 주식회사 시지트로닉스(이하 '동사')는 반도체 소자의 제조기술 역량과 M-FAB(Multi-project FAB, 여러종류의 반도체 소자 제조를 위한 전/후공정 일괄 양산 체제)를 통해 주요 반도체 소재(Si, GaN, SiC, Ga2O3)를 이용하는 특화반도체 소자를 개발하는 종합반도체(IDM) 업체로, K사 등의 국내 대기업과 Everlight, Lite-on, BMTC, Semtech 등의 글로벌 고객사를 확보하고 있는 벤처기업이다. 동사는 ESD(electrostatic discharge) 방호용 반도체 소자 제조를 캐시카우 사업으로 영위하고 있으며, Sensor용 소자의 신규 시장 진출로 매출 증대를 이루고 있다. 동사는 고부가가치의 GaN 화합물 반도체 소자를 개발하였고, 향후 와이드밴드갭 특화반도체의 Foundry 사업까지 계획하고 있다. ​ 동사의 평가대상기술 제품은 크게 ① ESD 반도체 소자, ② Sensor용 반도체 소자, ③ GaN 기반 화합물 반도체 소자로 구분된다. 동사의 평가대상기술은 IT 전자기기의 발전에 따라 시장에서 요구되는 고성능의 반도체 소자를 제공하기 위해 개발되고 있다. 동사의 ESD 소자 및 Sensor 소자는 빠른 작동속도와 작은 크기 및 높은 감도의 요구 특성에 대응하고 있으며, GaN 기반의 반도체 소자는 기존 실리콘 반도체로는 해결할 수 없는 대용량, 저발열, 고속도를 실현할 고부가가치 제품으로 개발되고 있다. ​ 평가대상기술 제품을 구현하기 위한 핵심기술로는 1) 미세접합 소자 기술과 2) GaN 소자 공정 기술로 구분할 수 있다. 동사는 미세접합 소자 기술을 활용하여 ESD 소자 및 Sensor 소자를 개발하였고, GaN 소자 공정 기술을 활용하여 GaN 기반 Power 및 RF 소자를 개발하였다. 각각의 핵심기술에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다. ​ 1) 미세접합 소자 기술 반도체 소자는 빠르고 작으며 감도가 높은 특성이 요구되고 있으나, 기존의 제조 공정은 이온주입 및 열확산 기술을 통해 반도체 접합(Junction)을 형성하여 특성을 구현하므로 성능 개선에 한계가 발생한다. 이에 동사는 원자층 두께 수준의 접합 계면, 에피층 두께 제어(1nm 이하), 불순물 도핑농도 제어(~1012/cm3), 균일도 제어 등의 요소기술을 적용하여, 다층(Multilayer) 에피성장 기술과 100nm 이하의 USJ(Ultra Shallow Junction) 기술을 개발하였다. ​ 2) GaN 소자 공정 기술 반도체 트랜지스터는 소스, 게이트, 드레인이라는 세 개의 전극으로 구성되며, 게이트는 소스에서 드레인으로 흐르는 전류를 조절하는 역할을 한다. 전력 소자에서 드레인 전극에 고전압이 인가되어 게이트-드레인 사이에 전계(Electric Field)가 걸리는데 특히 게이트 측 가장자리에 매우 높은 전계가 인가된다. 이와 같은 높은 전계는 누설전류를 발생시키고 한계치를 넘으면 항복(Breakdown)이 발생하여 소자가 파괴되는 문제를 발생시킨다. 따라서 고전압에 사용되는 파워용 트랜지스터의 경우 전계를 완화시켜야 항복전압과 신뢰성을 확보할 수 있다. 이에 동사는 고유의 고전압 Edge termination, 저저항, 고항복전압 구조를 설계하고 반도체 제조 요소기술 역량을 활용하여 GaN 반도체 소자의 전계 완화 구조를 구현하였다. ​ 동사의 평가대상기술은 ① ESD 반도체 소자, ② Sensor용 반도체 소자, ③ GaN 기반 화합물 반도체 소자의 3가지로 구분되며, 다음과 같이 기술제품별 진행단계가 상이하다. ​ ① ESD 반도체 소자 (양산 초기 단계) - BD(Bi-Directional)-TVS(Transient Voltage Suppressor) : LED 디스플레이에 적용하기 위하여 고객사 인증평가 받아 사업화 진입하는 양산초기 단계 - FC(Flip Chip)-TVS : 헬스케어 위생 전자기기용 UV-C LED에 적용하기 위해 고객사 인증평가 받아 사업화 진입하는 양산 초기 단계 - ULC-TVS(Ultra Low Capacitance) : 고속통신용 소자로 기술 성능 확보하고 판매를 시작하는 양산 초기단계 ​ ② Sensor용 반도체 소자 (제품화 단계) - APD(Avalanche Photodiode) : 장거리 LiDAR(Light Detection and Ranging)용 소자로 기술 성능 확보하여 협력사와 제품 개발하는 제품화 단계 - BB-PD(Broad-Band Photodiode) : 웨어러블 Sensor용 소자로 기술 성능 확보하여 고객사와 적용 제품 개발하는 제품화 단계 ​ ③ GaN 기반 반도체 소자 (시제품 단계) - GaN Power FET(Field Effect Transistor) : 핵심기술 확보하고 라인업을 확대하는 시제품 단계 - GaN RF-HEMT(Radio Frequency-High Electron Mobility Transistor) : ETRI와 KANC에서 기술이전 받아 핵심기술 확보한 시제품 단계 ​ 동사는 평가대상기술의 개발에 정부연구과제를 활용하였고, GaN 기반 반도체 소자의 경우는 ETRI와 KANC로부터 기술이전을 받아 핵심기술을 확보하였다. ​ 동사의 평가대상기술 중 ESD 소자, Sensor 소자는 실리콘 기반의 반도체 소자로 이미 기본원리가 정립되었으며 다양한 전자기기에 사용되고 있다. 따라서 고성능 특성 확보를 위한 기술개발이 진행되고 있으며, 이들 기술제품에 대한 유사 경쟁기술 및 대체 기술은 포착되지 않는다. GaN 반도체 소자는 기존 단원자 실리콘과 달리 화합물 반도체로 제작된다. 화합물 반도체는 다양한 종류가 존재하나 그 중 GaN과 SiC의 급격한 성장이 기대된다. SiC는 고전압과 고내열성을 보유하고 있으며 실리콘 대비 밴드갭이 3배 높아 전기차 및 전력 변환 장치에 적합하여 많은 투자가 진행되어 빠르게 사업화가 진행되었다. 현재 GaN 반도체 소자는 SiC 대비 동작 주파수가 빠르므로 초고속통신 등 고유한 응용 분야가 존재한다. 그러나 향후 기술발전에 따라 SiC 및 GaN 반도체의 응용 분야가 중복될 리스크는 잠재한다. ​ 동사는 특허로 권리화한 기술과 축적된 생산 노하우를 적용하여 기술적 차별성을 확보하고자 하였다. 동사의 평가대상기술 제품은 기술 특성 측면에서 경쟁사 대비 일부 항목이 다소 우위에 있거나 동등 수준을 확보하였다. 동사의 기술제품은 단순한 특성 개선 및 Cost 경쟁력을 통해 시장에 후발적으로 진입하고자 노력하고 있어, 현시점에서 평가대상기술 차별성은 보통 수준으로 판단된다. ​ 동사는 M-FAB을 통해 거의 대부분 공정을 자체 진행하여 제품을 생산하고 있으며, 이미 수년간 실리콘 기반의 ESD 소자, Sensor 소자, Power 소자를 다수의 글로벌 고객사에 납품하였다. 평가대상기술에는 약 200억 원, 7년 이상의 시간이 투자되었고, 동사의 기업부설연구소의 인력은 현재 9명으로 반도체 소재, 소자 및 시뮬레이션과 관련 된 전공자가 장기간 실질적으로 투입되었다. ​ 동사는 국내 특허 29건의 출원 및 등록, 해외 특허 PCT 1건 등록을 통해 평가대상기술을 권리화하였으며, 평가대상기술 제품별로 3~5건의 특허를 보유하고 있다. 또한, 반도체 소자 기술은 후발업체가 동사의 기술을 모방하였을 경우 구조 및 성분 분석을 통해 모방 여부를 판별할 수 있는 기술에 속한다. 따라서 평가대상기술은 동사가 기존 실리콘 기반 반도체 소자를 판매하면서 축적한 생산 및 제품 노하우를 바탕으로 개발한 차세대 고성능, 고부가 기술제품에 해당하며, 평가대상기술의 확보를 위해서는 노하우, 시간, 비용, 전문인력 등이 상당 수준 필요하다. 또한, 동사는 핵심기술 및 각각의 기술제품에 대해 특허권을 확보하였고, 평가대상기술 제품은 모방 여부를 판별할 수 있어, 후발업체들에 대한 진입장벽으로 작용할 것으로 생각된다. 이에 평가대상기술은 모방 난이도는 높은 편에 속한다고 판단된다. 다만, 동사는 국내 특허를 집중적으로 확보하였고 FTO(Free to Operate) 분석이 미진하여 특허의 권리 안정성을 보완하기 위한 노력이 필요하다고 생각된다. ​ 동사 평가대상기술의 핵심기술은 크게 미세접합 소자 기술과 GaN 소자 공정 기술이고, 동사는 반도체 소자를 제작하는 기반 역량을 보유하고 있어, 다양한 기능을 수행하는 반도체를 제작할 수 있는 플랫폼 기술을 보유하고 있다. 동사의 기술제품 측면에서 살펴보면, ESD 소자는 초박형 표면실장 패키지 제품에 널리 이용될 수 있어, 조명, 디스플레이, 스마트폰 및 전장용 등으로 확대 적용할 수 있다. Sensor 소자 중 APD는 LiDAR 시스템 뿐 만 아니라 드론, 로봇, 물류시스템 등에 응용할 수 있고, BB-PD는 헬스케어용 웨어러블 기기 및 초분광 이미지 Sensor가 요구되는 의료 및 Food 분야에 확대할 수 있다. GaN 기반 소자는 고전력 고속 반도체를 요구하는 충전기, 전력인프라, 로봇, 전기자동차, 4G&5G Infra, 산업용 RF 발생기, 무선충전 시스템 등 무수히 많은 제품에 적용할 수 있다. 따라서 평가대상기술은 정보통신, 인공지능, 모빌리티, 에너지 분야 등 복수의 시장에서 다양한 신제품에 적용 가능한 수준의 기술적 확장성이 있다고 판단된다. ​ 2. 시장성 ​ 평가대상기술 제품은 ESD 소자, Sensor 소자, GaN 소자 등으로, 제품은 다양하지만 기술은 이종접합으로서 다층구조를 가능하게 하는 에피택셜 성장기술이 공통적으로 적용되는 것으로 판단된다. 평가대상기술 제품은 기존에 존재하는 ESD 소자, Sensor 소자, GaN 소자의 성능 및 공정을 개선하는 방향으로 개발된 것으로서, 정보통신, 인공지능, 모빌리티, 에너지효율 분야 및 4차산업에 핵심적으로 사용될 수 있다. ​ 평가대상기술 제품들은 반도체 소자에 속하므로 적용시장은 반도체 소자 시장이고, 목표시장은 ESD 소자, Sensor 소자, 파워 소자 시장이다. ​ ESD 소자인 TVS 소자의 글로벌 시장은 2020년에 18억 6,387만 달러에서 2027년까지 25억 8,137만 달러에 달할 것으로 전망되었고, 국내 시장은 2027년에 4.5백만 달러까지 성장할 것으로 전망된다. 포토다이오드 센서의 글로벌 시장은 2020년부터 9.7%의 성장률로 2028년에는 1,198백만 달러의 규모로 전망되며, 국내 시장은 2028년에 22.8백만 달러까지 성장할 것으로 전망된다. GaN 전력소자의 글로벌 시장은 2021년도 126백만 달러로부터 연평균 59%의 성장률로 2027년에 약 2십억 달러의 규모까지 성장할 것으로 전망되고, 국내 시장은 2027년에 38.8백만 달러까지 성장할 것으로 전망된다. ​ 평가대상기술 제품의 시장은 반도체 소자 중에서도 성장이 기대되는 제품들이며, 특히 전력 소자의 경우 59%의 높은 성장률을 기록할 것으로 추정되는 만큼, TVS 소자와 포토다이오드가 다소 성장률이 낮으나, 전반적인 시장 성장성은 양호한 것으로 평가된다. ​ ESD 소자인 FC-TVS 소자분야에서 동사의 주 경쟁사는 대만의 Optotech사로 30%이상의 시장점유를 하였고, Sensor 소자인 APD의 경우, 주 경쟁사는 독일의 First sensor, 일본의 Hamamatsu로 LiDAR 시스템 거리측정용 소자의 50% 이상의 시장점유를 하였으며, BB-PD 분야의 경우, 주 경쟁사는 대만의 Optotech사 이다. GaN 소자 시장에서, GaN Power 소자의 경우 Infineon, EPC, GaNSystem, STMicron사가 50% 이상 시장 점유를 하여 소형 충전기와 Adapter 시장을 거의 장악하고 있고, GaN RF 소자의 경우, Sumitomo가 45.2%를 점유하여 거의 독점적 지위를 차지하며, Wolfspeed와 Qorvo가 각각 17.5%와 10.8%로 그 뒤를 잇고 있다. 동사 기술제품은 시장 집중도가 글로벌 경쟁업체의 수가 제한적이나 반도체 소자는 전방산업의 경기에 의존적이고 시장경쟁이 치열한 분야이므로 시장경쟁상황은 보통 수준으로 판단된다. ​ 3. 사업성 ​ 동사는 2008년 1월 설립 이후 M-FAB을 구축하여 4차 산업의 성장동력으로 ESD와 Sensor, Power 소자부문 시장에 진출하여 상업화 하였고, 신규로 GaN 소자를 개발하여 사업분야확대를 추진하고 있다. 평가대상기술 소자제품은 시물레이션을 통하여 자체 설계하며, 핵심공정을 포함한 82% 이상의 공정을 자체 진행하고 있으나, 향후 동사의 주력사업이 될 GaN 소자제품은 아직 시장의 평가가 미비하며, 생산준비를 갖추지 못하였다. ​ 동사는 기업부설연구소를 운용하여, 대표이사를 포함하여 박사급 인력 3명 및 R&D 전담인원 9명을 보유하여 연구개발 수행능력이 우수하며, 다수의 특허와 과제수행이력을 보유하고 있어 개발이력이 다양하고 풍부하다. 또한 마케팅 전담팀과 각 지역별 에이전시를 확보하고 있어, 제품사업화 시 수요기업의 니즈에 즉각적으로 대처할 수 있을 것으로 판단된다. ​ 평가대상기술 제품은 에피택셜 공정을 수행하여 이종 다층구조를 구현하고, 층간 결함을 최소화할 수 있도록 공정 조건을 확립함으로써, 경쟁사 대비 낮은 사양의 장비 및 저렴한 원부자재를 사용하고도 우월한 성능을 구현할 수 있고, 따라서 공정비용을 낮추어 가격경쟁력을 확보함으로써 사업화에 유리한 조건을 획득하였다. 이는 동사 소자의 K사의 품질 테스트 및 고객사의 평가를 통해서 확인되었으며, 향후 국내대기업인 K사 및 해외의 Lite-On 등에 대한 매출확보가 기대된다. 특히, 반도체 소자의 넓은 응용가능성을 고려하면, 자동차, 비행기, 헬스케어 등 여러 산업분야에서의 응용이 가능할 것으로 전망된다. ​ 동사는 M-FAB을 보유하여 에피성장, 전공정, 후공정, 테스트, 출하를 자체 진행하고, 패키지 공정은 효율성을 위해 외주공정을 이용하며, 100명/월의 생산인원으로 15,000ea./월 웨이퍼 수준의 생산 능력을 갖추고 있다. 또한 생산 및 품질 관련 시스템과 업무 프로세스를 구축하여 양산 시스템을 관리하여 고객사로부터 우수한 평가를 받고 있다. ​ 동사는 실리콘 기반의 기술제품의 양산시스템을 구축하였고, 생산시설, 인력 수급, 원자재 수급에도 문제가 없는 바, 평가대상기술 제품 중 ESD 소자와 Sensor 소자는 기술적 문제점이 거의 없어 사업화 및 양산이 진행 중이고, 신규 제품인 APD 및 BB-PD 소자도 고객사 또는 협력사와의 협업을 통해 1년 이내에 사업화가 가능한 수준이다. 다만, GaN 기반 반도체 소자는 시제품 개발 수준으로, 양산 시스템도 확보되지 않아 투자 및 증설이 필요하고, 협력업체 확보도 필요하다.
이크레더블	A	동사는 반도체 소자 제조 등을 목적으로 2008년 1월 설립되었으며, 동사의 주요 기술은 에피성장 미세접합 형성기술 기반 특화반도체 설계 및 제조로, ESD, 광센서, GaN 파워소자, GaN RF 소자 등 특화반도체에 적용되고 있다. 동사의 주요기술은 미세접합 기술, GaN Power 소자 기술 등 다양한 요소기술을 포함하고 있으며, 높은 기술적 차별성과 혁신성을 갖추고 있어 향후 기계, 전기, 전자, 자동차, 바이오 등 다양한 산업분야에 적용 가능할 것으로 판단된다. ​ 동사의 미세접합 기술은 다층(Multilayer)의 에피성장을 통한 화합물 반도체 박막 생성 기술과 USJ(Ultra Shallow Junction)기술로 구성되며, 이를 통해 넓은 반도체 기판 상에서 원자층 수준의 정밀한 박막 두께제어, 극 저농도와 고농도의 불순물 도핑제어, 높은 수준의 균일도 제어를 할 수 있다. ​ 또한, 동사는 WBG 반도체인 AlGaN/GaN의 헤테로 에피구조에 저저항 오믹접합 등 자체 개발한 기술을 적용하여 전계완화 효과로 소자성능이 향상된 GaN 소자공정 기술을 보유하고 있으며, 이를 활용하여 기존 제품대비 30% 이상의 작은 크기와 낮은 저항을 담보하고 고전압 동작에 유리한 GaN 소자의 개발을 완료하였다. ​ BB-PD 소자의 경우 USJ 미세접합 기술을 적용하여 양자효율을 기존 기술보다 월등히 높게 녹색 파장에서 95%, 적색 파장에서 96%, 적외선 파장에서 70%로 달성했으며, 기존의 제품에 비하여 절반 수준인 10pF 대의 정전용량으로 동작속도를 2배 이상 향상시켜 Wearable IT 응용에 대한 경쟁력을 확보하였다. ​ 또한, GaN Power 소자의 경우 동급의 타사 소자제품 대비 안정적인 전계완화층 구현을 통해 누설전류를 최소화하고 높은 항복전압 특성을 유지하면서 전류의 변동폭을 최소화할 수 있는 효과가 있어 고효율을 요구하는 시장에서 경쟁우위를 갖춘 것으로 판단된다. 이러한 동사의 기술은 자체 개발된 기술로 혁신성이 높고, 시장에서 상당기간 경쟁력을 유지할 것으로 예상된다. ​ 한편, 대부분의 경쟁사들이 FAB이 없이 설계 후 파운드리에 제품제작을 맡기는데 반해 동사는 특화반도체를 생산할 수 있는 전·후공정, 테스트 및 출하까지 일원화된 M-FAB을 보유하여 제품신뢰성 및 품질안정성 뿐만 아니라 신속한 제품개발 등 커스터마이징 전략으로 고객 니즈를 만족할 수 있는 제품 공급이 가능하여 공급자로서의 교섭력을 높이고 있다. ​ 동사는 외부의 지식재산과제를 수행하면서 경쟁사 특허분석, 회피설계 등을 수행하는 등 전문적인 지식재산보고서를 활용하고 있으며, 전담기관을 통해서 꾸준히 지식재산보고서를 작성하여 활용하고 있다. 동사는 핵심기술 관련 다수의 특허권을 보유하고 있으며, 보유한 특허권의 권리범위가 양호하고, 질적으로도 양호한 편이다. ​ 동사의 M-FAB은 전공정 라인, 후공정 라인, 테스트 설비 등으로 갖추어져 있으며, Multi-project가 가능하고, 수요자의 요구 수량에 대응할 수 있는 충분한 생산CAPA를 보유하고 있다. 또한, 품질관리를 통한 사업의 지속적인 우위를 확보하기 위해 MES와 ERP를 연동하여 전산 표준 시스템을 운영하고, SPC 활용을 통한 통계적 공정관리, 실시간 기준 정보 확보 및 Product Traceability 관리등 품질관리를 체계적으로 운영하고 있다. 주요 고객사의 QCD(Quality, Cost, Delivery)항목에서 1위 평가를 받는 등 경쟁사 대비 높은 제품 수명, 내구성, 내환경성 등으로 현재까지 우수한 제품 성능과 품질 이미지를 구축하고 있는 것으로 파악된다. ​ 동사는 ESD소자, Sensor소자, Power소자, RF소자 등 특화반도체를 제조하는 기업으로, 반도체 산업 중 시스템 반도체 산업에 속한다. 시스템반도체는 8천여종의 다양한 제품으로 구성된 다품종 맞춤형 구조로 되어있는 것이 특징이다. ​ 시스템 반도체 시장규모는 글로벌 시장의 경우 2020년 2,696억 달러에서 연평균 4.7% 성장하여 2025년 3,834억 달러에 달할 것으로 전망되며, 동사의 주력기술제품인 TVS, APD, BB-PD, GaN Power, GaN RF에 대한 전체 시장규모는 2021년 33.42억 달러에서 연평균 17.08% 성장하여 2027년 86.1억 달러에 달할 것으로 전망된다.(출처 : TDB 시장보고서, 시스템 반도체, 2022 및 동사 제공자료) ​ 2021년 기준 동사의 주력제품인 TVS, APD, BB-PD, GaN Power, GaN RF와 관련된 글로벌 시장의 경우 약 33억 달러의 시장 규모를 나타내고 있다. 2021년 기준 동사의 매출 실적은 155억 원 정도로 글로벌 시장에서의 동사 주력제품의 시장점유율은 낮은 것으로 파악된다. ​ 한편, 향후 동사는 ESD & Sensor 사업부문의 생산규모를 확대하여 2022년 연매출 225억 원을 달성하고, GaN Power & RF 사업을 통해 2024년도 연매출 규모 460억 원, 2027년 WBG 특화반도체 Foundry를 확대 발전시켜 1,500억 원의 매출 달성을 계획하고 있다. 우수한 기술 및 품질경쟁력을 갖춘 동사의 경우 목표시장에서 일정 수준 이상의 점유율을 차지할 수 있을 것으로 기대된다. 다만, 동사가 향후 시장 진입하고자 하는 GaN Power, GaN RF의 경우 2023년 상용화 예정이며, Infineon Technologies, ST Microelectronics, GaN Systems 등 해외 선진기업이 주도하고 있어 시장점유 가능성은 제한적일 것으로 판단된다.

출처: dart 투자설명서

공모가는 희망공모가 상단초과로,

기관수요예측 결과가 양호 합니다.

고로 개인경쟁률은 높을 것으로

예상되는군요.

저는 공모주청약시 경쟁률 및 분위기 확인하면서

청약여부를 판단할 예정이나,

현재로는 일반B풀 비례 참여할 것 같습니다.

고로 이웃님들은 마지막까지 잘 판단하시어

공모주청약하시길 바랍니다.

디앤...

[IPO공모에 대한 단순 검토내용이며, 권유하는 것은 아닙니다]

[출처] 시지트로닉스 공모주청약|작성자 전광석화

[하얀 토끼]

네이버 블로거 전광석화님의 포스팅입니다. 감사합니다

[순수]

주말 잘 보내세요. 감사합니다.

[김애숙1]

감사합니다

[세리]

정말고맙습니다~~

[사계절사랑]

감사합니다

[은총]

수수료가 3000원이네요. 올려주셔서 감사합니다

[권순예]

감사합니다

[이용위대작 원길무구]

GaN 전력반도체 관련 아주 섹시한 종목인데,
기술특례상장에 FI 물량들이 많아서 수급이 얼마나 버텨줄지가 관건이네요.

[jackpot]

감사합니다~~

[문뽀]

감사합니다.유안타 수수료 넘 하네요.

[얼씨구]

공모주 흐름이 와이랩 이후로 꺾이는 분위기에
공모가는 상단에서 25%초과
첫날 유통가능물량은 시총에 절반이 넘고
패스할건 아니지만 기대하면 안되겠습니다.

[예쁜생각]

좋은 정보올려주셔서
매번 감사합니다 하얀토끼님
~^#

[사라22]

감사합니다. 토끼님

[scapegoat]

감사합니다

[소중]

감사합니다.

[파인들]

많은 도움 됩니다. 감사합니다^^

[내슈빌]

감사합니다.~~

[꽃의향기]

고맙습니다.

[Queen]

항상 감사합니다

[솔띠까]

감사합니다

[헬렌901]

감사합니다

[SEJONG]

공모주시장은묻지마청약..
주식시장은 2차주?에 편식장..무더위만큼 열기가득합니다~~~
살아남는 강한자가되길빕니다

[happycho]

감사합니다~~

[보릿가을]

감사합니다^^

[한봉우리]

뷰티스캔 보면 흐름이 한풀 꺽인거같은데, 수수료 및 이체 등 번거로움 생각할때 해야 하나 고민됩니다.

[beebop]

감사합니다.

[힐라리오]

공모주 조심해야할 때인것 같습니다 상장하지만 바로 고꾸라지니 위험 하다는 생각이 듭니다
조심조심~

[하늘바다소리]

경쟁률:322.7:1입니다

비례경쟁률은 2를 곱해야 합니다

[하늘바다소리]

경쟁률:462.57:1

[한봉우리]

현재 564 : 1입니다. 실질 경쟁률은 두배로 하면 되나요?

[하늘바다소리]

비례경쟁률:1,150:1

[가을햇살]

비례 1649.36 :1

[강변]

최종
비례경쟁률 1,837.21218:1
청약건수 133,600건 (균등 0.84주)

[중개사]

감사합니다.

[기상나팔]

감사합니다

[유채꽃]

감사합니다

[오사마딘라덴]

일반b 최대 청약수량 5000주,,, 청약수수료 3천원.. 청약반환금 이체수수료.. 2일동안 못 받는 cma이자 손실...
5000주 청약해도 1~2주 나오겠네요..
상장해도 이익이 미비 할듯 하여.. 저는 참여 안했네요
대만 짱깨 증권사 넘 날로 먹으려고 하네요

[녹음]

맞는 말씀 입니다.