하이닉스, 대형호재 역시 믿음이 갑니다.

[한의사]

 하이닉스, 대형호재 역시 믿음이 갑니다.

 

Peter Clarke

9/16/2011 11:24 AM EDT

LONDON – While many experts have expressed doubts about the ability of flash memory to scale and indicated the need for an alternative non-volatile memory technology, Hynix has just gone ahead and produced a 15-nm NAND flash memory cell which it plans to unveil at this year's International Electron Devices Meeting (IEDM).

However, at the same conference Hynix is due to report on an 84-nm pitch memory process for the production of 1-Gbit phase-change memories and beyond. As memory process are usually denoted by the half-pitch that is effectively a 42-nm process.

IEDM is due to take place December 5 to 7 in Washington DC and Hynix looks set to be a star of the conference, at least in terms of memory. Although the final program has not yet been posted, the organizers have tipped as highlights both the NAND flash and PCRAM papers that Hynix researchers are due to present. In the case of PCM whether this star status simply results from the likes of Samsung and Micron scaling back research waits on the release of the full program and the fullness of time.

Last year's IEDM saw the unveiling by Intel and Micron Technologies of the world's first NAND memory built using 25-nm design rules, which introduced the unusual technology of an air-gap to reduce word-line to word-line capacitance.

간단히 번역하면...

많은 전문가들이 낸드플레쉬의 미세화에 한계가있음을 지적하며, 이를 대체할 또 다른 비활성메모리텍크를 개발해야한다고 하지만,

 

하이닉스는 더 진보하여 15나노 낸드플레쉬 메모리셀을 개발완료해 올해 11월 5일에서 7일사이에 열릴 국제가전회의에 공개할예정이다

 

또한 같은모임에서 하닉은 1기가비트 이상급의 위상변환메모리 생산에 필요한 메모리프로세스를 함께 공개할예정이다(84나노 메모리프로세스라 하나...실제론 42나노공정으로 봐야할 것이다)

 

워싱턴에서 열리는 11월 회의에서 하닉은 메모리분야에서만큼은 스타가 될것을 기대하고있다

 

조직위는 비록 회의의 최종프로그램은 아직 확정되지않았으나,회의의 하이라이트로서 하닉연구원이 발표할 15나노 낸드플레쉬와 위상변환반도체에관한 보고서가 될것으로 힌트를 주었다

 

작년 모임에선 아이엠플레쉬(인텔 마이크론합작사)의 세계최초의 25나노공정의 낸드플레쉬 발표를 목격한바있다..

 

...뭐 그런내용임...

하니 대단해여~

 

  

[청계산]

반도체에 대해 잘 모르니까 대단한건지 잘 모르겠네요