앰프회로 실험은 거의 마무리가 되었습니다.
다이오드 6개를 직렬로 연결해서 FET열폭주를 잡았고요.
FET 1개에 다이오드 3개씩 붙여줍니다.
FET에 열이 발생하자마자 다이오드에 걸리는 전압이 낮아져서,
게이트 전압이 바로 낮아지고, 드레인 전류가 줄어들게 되죠.
FET 2개에 전류차이가 발생되는데, 이것을 줄여주기 위해서 1메가옴이 넘는 가변저항으로 조정해 줍니다.
저항이 너무 커서 증폭도에 거의 영향을 미치지 않을 정도지만,
전류는 크게 변하기 때문에 1메가가 넘는 값으로 설정이 됩니다.
다이오드를 3개씩 FET에 부착을 해도,
전압을 64볼트로 올리면 어떤 경우에 전류가 끝도 없이 폭주하는 경우가 있네요.
그래서 할 수 없이 전류제한 회로를 추가하였습니다.
효과가 좋고, 전압변동도 의외로 크지 않습니다.
아래 회로 모의실행에서는 0.52암페어가 제한전류인데,
실제로는 0.47암페어가 되네요.
R35가 커지면 제한전류가 낮아지고, 작아지면 올라갑니다.
제한전류 가까이에서 전압강하는 1볼트 정도입니다.
첫댓글 장기간 회로튜닝 실험에 수고 하셨네요 열폭주 문제 해결되신것
같으니 상용제품처럼 번인 테스트
작업 하시죠..
일단 통에 넣어야 하는데... 까마득하게 느껴집니다
무더운 더위에 진정한 취미를 즐기시는것 같습니다.
더워서 요즘은 진도를 많이 못 나간답니다...
(+) 바이어스의 맹점이겠네요.
0.01옴에 전류 증가 --> 바이어스 증가 --> 전류 증가..
드레인 저항 0.01 옴을 없애고 --> 대신에 앰프 접지와 전원 (-)선 사이에 넣으면
전류 증가에 의한 열폭주는 없을 것 같습니다.
물론 방열판에 TR 부착하여 열에 의한 보호회로는 필요해 보입니다.
강제 전류제한하면 .. 고출력에서의 디스토션이 증가할 것으로 생각이 듭니다.
소스저항 0.01옴이 더 큰 값으로 있으면 열폭주를 잡을 수 있죠
소스저항에 전류가 증가하면 소스전압이 올라가고 바이어스 저항이 고정되어 있으므로 게이트 전압은 거의 그대로고 그러면 게이트-소스 전압이 감소되죠
소스저항 땜에 저음이 심하게 감소되길래 제거한다는 표시로 0.01옴으로 해 놓은 겁니다
FET를 방열판에 부착해도 초기에 전류가 1암페어 넘게 많이 올라가는 경우가 있더군요
전원장치 과부하를 막고 코일이 타는 것을 막으려고 전류제한회로를 추가했습니다
0.47암페어에서 5와트+5와트 정도까지는 잘 나올 것으로 계산됩니다
더 큰 출력이 필요하면 전원장치를 보강하고 제한전류를 높이면 됩니다
32볼트, 64볼트 전환을 해야 해서 음극 쪽에다 전류제한회로를 추가했습니다
접지가 문제인데 그냥 전류제한 회로 드레인 위쪽과 부하 사이를 접지로 잡고 평활콘덴서 음극도 거기에다 연결해 보려고 합니다
많은 의견 주셔서 고맙습니다