IR코리아, 최대 2MHz까지 동작하는 DC-DC 컨버터용 DirectFET MOSFET 출시

[하늘동자]

IR코리아, 최대 2MHz까지 동작하는 DC-DC 컨버터용 DirectFET MOSFET 출시

전력용 반도체 전문회사인 IR코리아(대표 스티븐 상,Stephen Tsang)는 고주파 동기식 벅컨버터에 들어가는 동기 MOSFET 스위치 제품용으로 특별히 설계된 IRF6607 DirectFET MOSFET를 선보였다.
IRF6607 DirectFET MOSFET 한 쌍을 사용하는 벅컨버터는 2MHz에서 77%의 효율로 위상당 최대 30A의 전류를 전송할 수 있다. 이는 업계 최상의 SO-8 패키지 MOSFET 대비 출력전류가 2배나 높은 수치다. 고주파 벅컨버터는 노트북컴퓨터, 하이엔드 데스크탑 PC와 서버에 들어가는 기가헤르츠 성능의 인텔 및 AMD 마이크로프로세서에 전력을 공급하기 위해 사용된다.
차세대 마이크로프로세서는 1V에 근접하는 전압과 점증하는 주파수에서 동작한다. 전류 요건도 빠르게 증가하여 훨씬 빠른 과도응답을 요구하고 있다. 과도응답은 1999년 이후 1마이크로초당 20A에서 약 325A까지 증가한 상태며 내년에는 1마이크로초당 400A까지 늘어날 전망이다. 이러한 문제를 해결하고 대형 커패시터 뭉치를 줄이기 위해선 벅컨버터가 1~2MHz 사이의 주파수에서 동작해야 한다.
30V IRF6607은 업계 최초로 SO-8 풋프린터에 양면 냉각이 되는 SMT 패키지로 하우징되어, 전도성과 스위치 손실면에서 확실히 향상된 기능을 제공한다.
IRF6607은 DirectFET 패키지의 다이프리 패키지저항이 작은 점을 이용하므로 동작저항(RON)이 SO-8 풋프린터에서 나올 수 있는 가장 낮은 수치인 2.7mW로 매우 낮다. 게이트전하와 게이트 드레인간 전하가 낮은 점과 패키지 인덕턴스(유도성분)가 SO-8 패키지 MOSFET보다 70% 더 낮은 점이 결합되어 메가헤르츠 주파수 범위의 스위칭 손실이 낮다.
DirectFET 패키지는 열 전도성이 높아 쉽게 전력을 발산시킨다. 패키지 윗면을 통한 열 방출을 위해 방열판을 사용하면 각 MOSFET 주위의 PCB면적을 감소시켜 회로크기를 줄이고 PCB 트레이스 인덕턴스를 줄인다. 그리하여 바람직하지 않은 스위칭 손실을 제거할 수 있다. DirectFET 제품은 전력 손실이 적고 열전도성이 높아 단 2개의 DirectFET MOSFET으로 2MHz에서 위상당 30A를 얻을 수 있다.
IR코리아 스티븐 상 대표는 “DC-DC컨버터의 주파수 값이 새로운 단계에 도달하고 있다. 이에 따라, 새로운 접근방법이 요구된다”라며 “DirectFET MOSFET는 고주파에서 효율과 전력밀도에서 새로운 성능평가 기준을 제시하므로, 적은 수의 부품과 작은 풋프린터(기판면적)로 고속의 과도응답을 내는 독보적인 개별 솔루션을 설계자에게 제공한다”라고 덧붙였다.
한편 신형 IRF6607은 즉시 구입가능하며, 제품에 대한 보다 자세한 정보는 www.irf.com에서 얻을 수 있다.