진공관앰프가 전자기타에 좋은 이유...(번역)

[반달]

이 글은 엘렉트릭 기타의 오버드라이브 동작 때 왜 진공관앰프가 더 듣기 좋은가에 대한 분석과 결론입니다.

물론 보통의 오디오 앰프는 정상적인 증폭작용 이내에서 사용하므로 이런 논리가 적용된다고 보기는 어렵습니다.

간혹 최대 입력 범위를 벗어나는 입력 피크신호가 존재한다면 이 글과도 관련은 있을 것이지만, 그런 음악 소스는

매우 드물 것입니다.

글이 너무 길어서 요약을 해 봅니다.

1. 가성비와 물리특성이 더 좋은 반도체앰프 보다 왜 진공관 기타앰프를 선호하는 이유는 3극관이 비선형성이 

   원인으로 그리드리미팅과 플레이트 컷 오프 때문에 생기는 소프트리미팅이 상호변조왜곡(IMD)을 듣기 좋게 한다.

   반도체 소자는 소프트리미팅 구현이 거의 불가능 하다.

2. 사인파 같은 단일톤으로 고조파에 대한 영향을 추적하고 측정하는 것은 가능하지만, 기타줄 6개의 음이 혼합된

   복잡한 신호에 대해서는 앰프가 완전히 선형적이지 않으면 측정이 불가능 하다. 단일 사인파에 대한 측정으로

   특성이 거의 동일한 반도체와 진공관 앰프에 싱글톤을 넣으면 구별하기 어렵지만, 기타현 6개의 음이 믹스된 

   파형을 넣으면 다른 소리로 들린다. 진공관앰프 쪽이 듣기 좋은 소리가 나는 이유는 소프트리미팅에 의한 

   상호변조왜곡이 듣기 좋은 쪽으로 발생하기 때문이다.

   이유은 에너지가 큰 파형의 꼭대기에 약한신호의 파형이 올라타 있는데, 하드 리미팅의 반도체앰프는 이 약한

   신호를 통과시키기 어렵지만 소프트 리미팅의 진공관앰프는 왜곡으로 줄지만 이 신호를 더 많이 통과시킬 수가 

   있기 때문이다. 

3. 진공관 기타앰프의 프리단에는 ( 1단의 12AX7 증폭 ) 또는 ( 1단의 12AX7 증폭 + 직결된 12AX7 캐소드팔로워 ) 를 

   거의 공통적으로 사용한다.

   2채널 스코프에 입력에 사용한 삼각파와 프리앰프단의 출력을 신호의 파형이 겹치도록 레벨을 조정한 후 

   (1) 오버드라이브 없게  (2) 적당한 오버드라이브 적용  (3) 입력레벨을 아주 높혀서 심한 오버드라이브 적용 하여

   소프트 리미팅과 하드 리미팅의 결과를 비교 분석하여 본다. 

   캐소드팔로워에 의해서 오버드라이브를 더 많게 일으킬 수도 있슴을 알 수 있다.

4. 입력신호가 커져서 그리드가 순방향으로 바이어스 될 때, 소프트 리미팅을 일으키는 그리드 전류의 특징을 

   실험한다. 이 부분은 실험측정치에 의해 그리드 전류 방정식을 유도한다.  

   이 글에서도 이전의 교과서의 내용을 인용하며, 복잡하니 건너 뛰는 것이 현명합니다.  

5. 결론 : 

   큰 신호에 올라탄 약한신호는 소프트 리미팅을 가진 앰프가 하드 리미팅을 가지는 앰프보다 더 많이 통과 시킨다.

   진공관의 그리드 전류는 멱함수(power function)를 따르고 반도체앰프는 지수함수(exponential function)를 따른다.

   멱함수의 진공관앰프보다 지수함수의 반도체앰프는더 빨리  하드 리미팅으로 전환된다.

원본 ==> http://www.diale.org/pdf/AESPaper.pdf

       (구글번역기로 번역 후 약간 편집합니다...) 

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일렉트릭 기타 사운드의 일부인 진공관 삼극관 비선형성

T. E. Rutt, Aardvark Audio, 레드 뱅크 뉴저지

제 76회 오디오공학회 학술발표회

1984년 10월 8-11일, 뉴욕(Preprint 2141 F-5)

오랫동안 제조회사는 일렉트릭 기타로 사용하기 위해 반도체앰프를 판매하려 시도해 왔고 다양하게 성공하였습니다. 대부분의 일렉트릭 기타리스트는 요즘도 진공관앰프를 계속 사용하고 있습니다. 오늘날의 기타리스트가 사용하는 가장 인기 있는 앰프 중 일부는 구형 디자인이거나 오래된 진공관앰프 디자인의 복제입니다.

가장 인기 있는 일렉트릭 기타앰프의 회로 다이어그램을 보면, 널리 알려진 프리앰프 스테이지에 캐소드 팔로어와 직접 연결된 클래스 A 3극 앰프가 존재합니다. 이 글에서는 이 조합의 왜곡특성을 시험해 봅니다. 기타 파형의 포지티브 및 네거티브 양면에 대하여 그리드 리미팅이 일렉트릭 기타 증폭에서 이러한 조합이 바람직한 역할을 합니다.

1.0 소개

이 글은 일렉트릭 기타의 출력신호 품질에 대한 진공관앰프의 효과에 중점을 둡니다. 이 활용에서 앰프는 종종 과부하 상태에서 동작하며, 과부하로 인한 왜곡은 기타리스트가 듣는 소리의 일부가 됩니다. 따라서 앰프의 왜곡은 일렉트릭 기타의 사운드 일부로 고려되어야 합니다.

Cabot[1]은 다양한 종류의 비선형 왜곡에 대한 최소 가청인식 레벨에 대해 논의합니다. Hussey and Haigler[2]는 서브 오버로드 신호 레벨에서 진공관 및 반도체 기타앰프의 구별되는 차이점에 대해 논의합니다. 다음 섹션에서는 이러한 참고문헌 [1, 2]보다 훨씬 많은 과부하 레벨에서 진공관 기타앰프 왜곡의 영향을 검토합니다. 진공관앰프는 일렉트릭 기타 응용분야에서 바람직한 상호변조왜곡(IMD, inter-modulation distortion) 효과가 있음이 입증되었습니다.

1.1 배경

일렉트릭 기타는 40년대 후반과 50년대 초반에 악기로 대중화 되었습니다.

이 시점에서 트랜지스터는 아직 개발되지 않았고 사용 가능한 증폭기인 진공관앰프를 사용했습니다. 초기 엘렉트릭 기타 개척자들은 앰프의 특성을 악기의 사운드의 일부로 사용하는 방법을 배웠습니다. 일렉트릭 기타의 넓은 다이나믹 레인지는 앰프 스테이지 중 하나 이상에서 과부하를 유발합니다. 일렉트릭 기타의 신호를 특성화 할 때 이러한 과부하 조건으로 인한 비선형성을 고려해야 합니다.

반도체앰프가 사용 가능해지면서 대부분의 응용분야에서 비용이 절감되고 선형동작 영역이 확장되는 등의 이유로 신속하게 전환되었습니다. 기타앰프 제조업체는 기타 연주자가 계속해서 진공관앰프를 선호한다는 사실을 발견했으며 많은 수의 반도체 기타앰프가 제품라인에서 사라졌습니다. 현재까지도 수많은 기타리스트가 진공관앰프를 사용합니다.

이 글은 진공관 기타앰프의 왜곡특성을 조사합니다. 특히 기타앰프 설계에서 왜곡 도입을 담당하는 두 개의 회로구성을 테스트합니다. 이 두 개의 3극 회로의 왜곡특성은 기타 출력신호에 미치는 영향과 관련이 있습니다.

Hamm[3]은 과부하 조건 하에서 몇몇 반도체 및 진공관 프리앰프의 고조파 왜곡특성을 조사했습니다. 그의 실험은 단일 사인파 테스트 신호를 사용했으며, 앰프 간의 상호변조왜곡 차이에 대해서는 언급하지 않았습니다. 그는 과부하 조건에서 진공관 앰프가 출력신호의 듀티 사이클을 이동(shift)시키는 것을 보여주었습니다. 입력 사인파가 그 주기의 정확히 절반 동안 양수이고 나머지 절반 동안 음수인 경우, 왜곡된 출력파형은 0의 한쪽 면은 주기의 절반보다 작고 다른 쪽이 절반보다 긴 주기를 가집니다. 사인파 입력의 경우, 이 듀티 사이클 변이는 왜곡된 출력파형에서 대칭 듀티 사이클을 갖는 반도체 앰프보다 고조파 왜곡성분을 더 많이 발생시킵니다.

이 글에서는 일렉트릭 기타앰프에서 진공관앰프가 인기에 영향을 미치는 중요한 요인으로 상호변조왜곡에 중점을 둡니다.

1.2 개요

섹션 2는 신호원으로써의 일렉트릭 기타의 특성에 중점을 둡니다. 그림 1의 신호분해 접근법은 일렉트릭 기타앰프의 출력신호에 상호변조왜곡 효과를 단순화 합니다. 소프트 리미팅 및 하드 리미팅의 개념이 소개되고, 하드 리미팅은 바람직하지 않은 유형의 상호변조왜곡을 야기하여 출력음질에 악영향을 미친다는 것을 보여줍니다. 섹션 3은 많은 일렉트릭 기타앰프 설계에 사용되는 2개의 진공관 3극 프리앰프 회로구성의 특성을 검토합니다. 과부하 조건에서 삼각파 응답을 사용하여, 기타 증폭단의 수용도가 회로의 과도전류 동작이 하드 리미팅 영역에 얼마나 많이 의존하는지를 실험적으로 증명하였습니다. 반도체 앰프는 하드 리미팅 영역에서 대부분의 오버로드 동작을 합니다. 무거운 과부하 조건 하에서도 진공관 3극관 증폭기는 소프트 리미팅 영역에서 과부하 동작을 많이 합니다. 이것이 기타리스트가 진공관 앰프를 선호하는 주된 이유입니다. 섹션 4에서는 3극관에서 그리드 전류흐름 특성을 조사합니다. 그리드 리미팅(limiting)은 그리드 회로가 순방향 바이어스가 되어 그리드 회로의 소스저항에 걸쳐 그리드 전류흐름에 의한 전압강하를 유발합니다. 이것은 대부분의 반도체앰프 설계에서는 가질 수 없는 병렬 소프트 리미팅 효과입니다. 그리드 리미팅 효과에 대한 근사분석을 제시하고 그림 11에 나와있는 멱함수(power function) 그리드 리미팅 곡선을 설명합니다. 섹션 5에서는 결론을 요약합니다.

2.0 신호원인 엘렉트릭 기타

이 글은 일렉트릭 기타리스트가 악기의 사운드를 만드는 데 필요한 부분인 앰프사용에 초점을 둡니다. 일렉트릭 기타는 픽업 위에 매달려있는 금속 줄의 움직임을 직접 전압으로 변환하는 전자기 픽업코일을 사용합니다. 이 픽업은 일반적으로 높은 소스임피던스 (> 5000 옴)를 가지며 톤 및 볼륨 제어회로에 100Kohm 가변저항기가 있기 때문에 첫 번째 프리앰프단(보통 1M ohm 사용)에서 높은 입력 임피던스가 필요합니다. 엘렉트릭 기타 연주의 초창기에 사용할 수 있었던 유일한 앰프는 진공관 증폭이었습니다.  50년대에 디자인된 일렉트릭 기타앰프의 대부분은 기타신호로 쉽게 오버드라이브 됩니다. 오버드라이브 효과는 특유의 왜곡을 만듭니다. 제조업체는 피드백을 추가하거나, 공급전압을 높이거나, 증폭단에서 상대적으로 신호레벨을 조심스럽게 균형을 맞추어 왜곡을 줄였습니다. 일부 기타리스트는 구형앰프의 사용을 계속 주장합니다. 최근의 진공관앰프 디자인 중 일부는 구형앰프 이후에 패턴화되어 있습니다. 많은 기타 연주자들은 악기에서 얻은 사운드의 일부로 앰프 오버드라이브 왜곡을 사용하는 방법을 배웠습니다. 이 섹션에서는 일렉트릭 기타의 특성을 신호원으로 설명합니다. 앰프의 비선형성에 대한 영향은 일렉트릭 기타 신호의 이 특성화에 포함됩니다. 왜곡된 신호는 일렉트릭 기타리스트가 연주하는 동안 듣는 것입니다. 레코딩 세션 중에 진공관앰프가 일렉트릭 기타 신호경로에 자주 포함되는 경우가 있습니다.

2.1 동적 범위 및 레벨특성

일렉트릭 기타의 현은 마그네틱 픽업과 가깝게 결합되어 있어, 현의 움직임 전체 범위에 반응합니다. 측정결과에 따르면 1개 스트링을 부드럽게 튕겨 생성되는 제어 가능한 최소 출력 레벨은 .0001 볼트보다 작습니다. 6개 스트링 모두를 강하게 튕겨 얻을 수 있는 최대 레벨은 1볼트보다 큽니다. 따라서 일렉트릭 기타의 다이나믹 레인지는 80dB 이상입니다. 보통의 피크 출력레벨은 약 100밀리 볼트입니다. 기타리스트가 (연주 중에) 듣기를 원하기 때문에 앰프의 출력레벨은 종종 솔로섹션에서 높게 조정됩니다. 최근의 진공관앰프는 왜곡발생 단계 이후 볼륨컨트롤을 가지고 있습니다. 따라서 일부 앰프에서는 적당한 수준의 청취 레벨에서도 많은 양의 오버드라이브 왜곡이 발생할 수 있습니다.

2.2 서스테인을 위해 사용되는 오버드라이브

일렉트릭 기타는 넓은 다이나믹 레인지를 가지고 있지만, 단일음표에서 긴 서스테인을 생성하는 기능을 가지고 있지 않습니다. 기타리스트들은 색소폰 독주자에 가깝게 소리를 낼 만큼 충분한 서스테인을 생성할 수 있기를 원했습니다. 기타리스트들은 앰프 오버드라이브를 사용하여 솔로음표의 지속시간을 늘리는 방법을 배웠습니다. 앰프가 오버드라이브 상태에 있는 동안 입력신호가 선형 작동레벨로 떨어질 때까지 출력레벨은 상대적으로 일정하게 유지됩니다. 이 오버드라이브로 인한 서스테인은 일렉트릭 기타 사운드의 정상적인 부분이 되었으며, 오버드라이브 사운드 품질의 특성은 앰프설계마다 크게 다릅니다.

2.3 왜곡을 통과한 다중 음정

기타의 각 스트링은 출력신호에 더해집니다. 각 스트링의 파형은 자체 고조파 구조를 가지고 있습니다. 기타에는 6개의 개별적으로 제어되는 현이 있기 때문에 최대 6개의 복잡한 음색의 파형이 픽업의 출력에서 ​​함께 믹스됩니다. 기타는 또한 하나 이상의 현을 밀어 올리는(stretching) 벤딩 음정을 허용합니다. 따라서 임의의 주어진 시간에 기타 신호는 직접적인 고조파 관계가 없는 여러 독립적으로 감쇠하는 파형으로 구성 될 수 있습니다. 선형 분석은 입력 파형의 중첩이 각 입력 파형만으로 발생하는 출력의 중첩을 초래할 때 사용될 수 있습니다. 앰프의 비선형성은 중첩기반 분석을 실패하게 만듭니다. 신호 스펙트럼의 개념은 선형분석에서 비롯됩니다.

출력스펙트럼은 종종 앰프를 통과한 순수한 사인파의 비선형 왜곡성분을 특성화하는데 사용됩니다. 이 출력스펙트럼은 잘 알려진 고조파 왜곡측정을 정의하는데 사용됩니다.

그러나 복잡한 스펙트럼을 가진 입력신호가 비선형 앰프를 통과할 때, 고조파 왜곡측정은 출력파형의 스펙트럼을 추론하는데 도움이 되지 않습니다.

여러 톤이 동시에 통과할 때 진공관앰프와 반도체앰프 왜곡 간에 주요하게 구별되는 차이가 나타납니다. 한 개의 현이 기타에 튕겨질 때 두 개의 다른 앰프가 비슷하게 들리지만 여러 개의 현이 연주되면 현저하게 다르게 들립니다.

서로 다른 증폭기는 유사한 고조파 왜곡특성을 가질 수 있지만 상호변조왜곡 효과가 크게 다를 수 있습니다. 이러한 상호변조왜곡 효과는 기타앰프의 만족성에 중요합니다.

2.4 일렉트릭 기타 신호의 일부인 비선형 왜곡

상호변조왜곡 효과에 대한 논의를 단순화하기 위해 신호분해 방법을 소개합니다. 일렉트릭 기타의 전형적인 출력은 주 파형 모양 위에 작은 추가파형이 중첩됩니다.  단순화시킨 예가 그림 1에 나와 있습니다.

주 파형 형태는 일반적으로 가장 에너지가 큰 저주파의 스트링 신호에 의해 발생되며, 추가된 파형은 저 에너지의 스트링 파형뿐만 아니라 고 에너지 스트링의 고조파로부터도 생성됩니다. 변조파형이라는 용어는 오버로드를 유발하는 전체신호의 부분을 말하며, 승차(riding)파형이라는 용어는 변조파형의 상단에 올라가는 흔들거리는 파형을 나타냅니다. 총 입력신호는 변조파형과 승차파형의 합으로 구성됩니다. 가장 즐거운 소리를 내는 앰프는 선형동작에서 오버드라이브로 매우 원활하게 연속적으로 전환하는 경향이 있습니다. 이 선호되는 앰프는 하드 컷 오프 한계에 도달하는 것을 피합니다. 하드 리미팅은 앰프의 증분이득이 0일 때 발생합니다. 진폭이 작은 승차파형의 경우 증분이득은 주로 변조파형 레벨의 함수이며 승차파형이 출력파형에 미칠 영향을 추정하는 데 사용할 수 있습니다. 선형 시스템의 경우 증분이득은 항상 절대이득과 같습니다. 모든 앰프는 충분히 높은 과부하 레벨에서 입력 변조파형의 일부분에서 0의 증분이득을 가집니다. 변조파형과 혼합된 승차파형은 변조파형이 하드 리미팅 조건을 유발할 때 통과할 수 없습니다. 유쾌한 사운드로 인기가 많은 소프트-리미팅 (soft-limiting) 진공관앰프는 각 스트링으로부터 작은 파형이 변조파형의 더 많은 부분을 통과하도록 합니다(즉, 하드리미팅이 적음). 이런 우수한 진공관앰프를 사용하면 쾌적한 수준의 오버드라이브 왜곡에서 하드 리미팅에 거의 도달하지 않습니다. 이것은 오실로스코프의 기타앰프 입력 및 출력신호를 검사하여 확인할 수 있습니다. 이것은 특정한 기타앰프 설계를 널리 수용하게 된 주된 이유입니다. 다음 섹션에서는 인기 있는 기타앰프 설계에서 발견되는 두 가지 공통 회로구성의 왜곡특성을 검토합니다.

그림 1 - 일렉트릭 기타 신호분해 방법. 변조파형은 파선으로 표시.

전체 신호는 변조파형과 작은 올라타는(승차 : riding) 파형의 합으로 그린다.

3.0 3극관 디스토션 메커니즘

3.1 일반적인 3극관 특성

진공관 3극관의 특성곡선은 모두 그림 2에 표시된 것과 유사합니다. 각 곡선은 그리드-to- 캐소드전압(Vgk)의 일정한 값에 해당하며, 플레이트 전류(Ip)가 플레이트-to-캐소드 전압(Vpk)과 함께 변함을 보여줍니다. 이 3극관의 특성은 중대한 불연속성이 없이 양(+)의 그리드 전압 영역에서도 작동함을 보여줍니다.

그림 2 - 진공관 3극관 특성 곡선 (Spangenberg 1948)

커브 사이의 간격은 균일하지 않으며 플레이트 전류가 감소함에 따라 서로 가깝게 됩니다. 따라서, 그림 3에서처럼 플레이트 전류에 따른 선형화된 진공관의 파라미터 변화가 있습니다. 진공관 3극관은 바이폴라 트랜지스터만큼 넓은 선형영역을 갖지 않습니다. 이 글에서 우리는 오버드라이브 조건에서의 앰프동작에 대해 다룹니다.

그림 3 - 플레이트 전류에 의한 6F6 진공관 파라미터 변화. (Spangenberg 1948)

앰프의 왜곡특성은 사용되는 전자장치의 유형뿐만 아니라 전체 회로설계에 따라 달라집니다. 전자회로를 분석하기 위해 취해지는 일반적인 접근법은 전자장치의 특성곡선에 로드라인을 겹쳐놓는 것인데, 이는 회로가 장치에 가하는 작용의 제약을 보여줍니다. 로드라인 접근방식은 모든 비선형성이 전자장치에 국한되어 있는 회로에 적용됩니다

3.2 클래스 A 3극관 증폭기 왜곡

오늘날 기타앰프에 많이 사용되는 3극관은 12AX7입니다. 그 특성곡선은 100K옴 로드라인은 440V 공급전압과 함께 그림 4에 나와 있습니다. 이 로드라인은 클래스 A AC 커플된 3극 프리앰프인 그림 5의 회로에 해당합니다. 이 회로도와 그림 4를 사용하여 클래스 A 진공관 3극관 앰프에서 발생하는 일반적인 왜곡 메커니즘을 논의 할 수 있습니다.

변조파형의 각 측면에서 발생하는 과부하는 로드라인선의 양쪽 끝에서 발생합니다.

그림 4 - 12AX7 3극관 전류특성. 그림 5의 회로용 로드라인 (RCA Tube Manual)

그림 4에 표시된 로드라인의 하단(Ip = 0, Vpk = 400V)은 플레이트 컷 오프(plate cutoff)로 알려진 조건에 해당합니다. 그리드 전압의 변화로 인해 컷 오프 시 플레이트 전류가 변경되지 않으므로 이는 극히 제한적입니다. 플레이트 컷 오프로의 변이가 점진적으로 이루어짐에 따라 그림 3과 같이 3극관 트랜스컨덕턴스 gm이 감소합니다. 3극관 플레이트 컷 오프는 트랜지스터 컷 오프와 유사하지만, 트랜지스터는 하드 리미팅으로 점진적인 변이를 하기는 어렵습니다. 트랜지스터의 전류증폭률은 컷 오프 근처에서 더 일정합니다(**아래 참고그림). 승차(riding)파형은 변조파형이 하드 리미팅 조건을 유발할 때 앰프를 통과 할 수 없습니다. 

로드라인의 상단에서는 그리드 리미팅으로 알려진 조건에 도달합니다. 그리드 리미팅은 그리드 회로가 순방향으로 바이어스 되고 전류를 전도하기 시작할 때 발생합니다. 회로의 입력전압이 커지면 그리드 전류가 증가하여 소스저항에 걸리는 전압강하가 증가합니다. 이것은 그리드전압을 입력보다 훨씬 적게 증가하게 만듭니다. 그리드 리미팅은 부드럽고 제한적인 효과입니다. 그리드가 얼마나 과도하게 구동되는지에 상관없이, 항상 입력전압 변화에 따라 그리드전압이 계속 변하기 때문입니다. 동시에 그림 2에서 볼 수 있듯이 앰프 출력전류는 그리드-to-캐소드 전압에 의해 계속 제어됩니다.

그림 5 - 클래스 A 12AX7 3 극 앰프.

그리드 리미팅 메커니즘은 트랜지스터 증폭기에서는 병렬이 되지 않습니다. 콜렉터 포화는 트랜지스터 증폭기의 컷 오프에 대한 반대의 리미팅 효과입니다. 바이폴라 트랜지스터의 포화상태는 두 정션이 순방향으로 바이어스 된 상태로, 출력전류는 공급전압과 전체 로드라인 저항에 의해서만 결정됩니다. 콜렉터 포화는 하드 리미팅입니다. 따라서 op 앰프를 포함한 바이폴라 트랜지스터 앰프는 변조파형의 양 측면에 하드 리미팅을 가집니다(**아래 참고그림).

클래스 A 3극관 스테이지는 변조파형의 한쪽에만 하드 리미팅이 나타납니다. 다른 쪽에 대한 소프트 리미팅 효과는 기타리스트가 진공관 앰프를 좋아하는 가장 주요한 요소입니다.

 ** (참고 그림) : 트랜지스터 로드라인 – 콜렉터 포화영역은 y축 수직 빗금부분,

컷 오프영역은 x축 수평 빗금부분. 하드 리미팅임을 보여 줌.

3.3 DC 커플링 캐소드 팔로워 스테이지

다수의 인기 있는 기타앰프에서 볼 수 있는 공통회로가 그림 6에 나와 있습니다. 그림 5의 클래스 A 3극관 스테이지는 캐소드 팔로워 스테이지에 DC 결합되어 있습니다. 첫 단계의 플레이트 회로의 출력 임피던스는 캐소드 팔로워 스테이지의 입력 임피던스가 됩니다

그림 6 - DC 커플링 된 캐소드 팔로워 스테이지가 있는 A급 3극 스테이지.

캐소드 팔로워 스테이지의 그리드 전류특성의 정확한 성향은 분석하기가 어렵습니다. 캐소드 팔로워는 많은 양의 음의 피드백을 가지고 있습니다. 그리드 전압(grid-to-anode)의 증가는 플레이트 전류의 증가를 초래하여 캐소드 전압을 증가시키고, 그리드-to-캐소드 전압을 감소시킵니다. 캐소드 전압은 항상 그리드 전압보다 약간 높으며 그리드-to-캐소드 전압은 0에 가깝고 값이 음수입니다. 이 동작모드에서 그리드 전류는 양극이며 주로 플레이트-to-캐소드 전압에 의해 제어됩니다. 그림 2의 점선으로 표시된 곡선은 일정한 Vgk 값에 대한 그리드 전류특성을 보여줍니다.

캐소드 전압이 증가하면, 플레이트-to-캐소드 전압 Vpk는 감소합니다. 감소하는 플레이트 전압은 그리드를 지나가는 더 많은 전자가 그리드에 끌려가게 되는데, 그 이유는 전자가 플레이트 전위에 의해 덜 가속되기 때문입니다. 그 결과 그리드 전류흐름은 앞단 클래스 A 단의 출력 임피던스를 통한 전압 강하를 유발합니다. 클래스 A 스테이지의 플레이트가 하드 컷 오프 한계에 도달 할 때까지 소프트 리미팅 효과가 발생합니다.

이 입력 전압파형의 추가 소프트 리미팅은 왜곡의 대칭을 증가시킵니다. 플레이트 컷 오프를 피할 수 있을 만큼 작은 입력레벨에서 이 시스템은 입력 파형의 양쪽 면에 소프트 리미팅 특성을 제공합니다. 이것이 이 회로의 유리한 왜곡효과를 초래하는 주요 요인입니다.

3.4 왜곡의 삼각파 응답 특성

저주파 삼각파형 응답을 보고 앰프 왜곡특성을 추측하는 것이 편리합니다. 그림 7~9의 삼각형파형 응답은 삼각파형을 듀얼 트레이스(dual trace) 오실로스코프의 한 입력에 연결하고 출력파형을 다른 입력에 연결하여 얻은 결과입니다.

오실로스코프 입력 증폭기 중 하나의 이득은 두 신호가 낮은 신호레벨에서 디스플레이에서 일치하도록 조정되었습니다. 입력파형의 레벨을 연속적으로 높이고 입력 웨이브 트레이스의 수직 위치를 웨이브의 중심 근처의 출력과 일치하도록 조정하면 그림 7, 8 및 9에 표시된 삼각형 응답이 나타납니다.

그림 7 삼각형 파 응답. 약간의 과부하. : 그림 5 및 6의 회로에 대한 플레이트전압은 스케일링 되고 시프트 된 입력 삼각형 파와 함께 그려진다. 첫 번째 절반주기에서 두 파형은 동일하다. 후반 사이클에서 캐소드 팔로워에서 그리드 

전류가 흐르기 때문에 그림 6 회로의 플레이트전압 Vpl은 그림 5 회로의 플레이트전압 Vp보다 작다..

 

그림 8 - 삼각파 응답 : 보통 과부하 그림 5 및 6의 회로에 대한 플레이트전압은 스케일링 되고 시프트 된 입력 

삼각형파와 함께 그려진다.   두 번째 하프 사이클에서 캐소드 팔로워 그리드 전류 흐름으로 인해 

그림 6의 플레이트 전압은 그림 5의 플레이트전압보다 작다.

선택한 삼각파 주파수는 100Hz였습니다. 더 높은 주파수의 입력파는 큰 그리드 소스저항 값 Rg와 결합된 그리드에서 밀러효과 커패시턴스의 영향을 받습니다. 결과 RC 시간상수는 100Hz보다 큰 삼각파 주파수에 대한 선형 위상왜곡을 유발합니다. 이 시정수의 차단 주파수는 1000Hz에 가깝고 기타 앰프는 고주파 응답을 확장하기 위해 Rg와 병렬로 보상 커패시터를 사용하는 경우가 많습니다. 테스트 회로에는 보상 커패시터를 넣지 않았습니다.

  ** 보통 Rg가 470k이면 470pF 보상커패시터 사용함.

극단적인 과부하에서 클래스 A 스테이지의 삼각형 응답은 그림 9의 곡선 중 하나(상단파형)로 표시됩니다. 이 응답은 그림 6의 회로에 대한 것입니다. 그리드 리미트 영역의 스무스한 전이 및 부드러움과 비교하여, 응답의 컷 오프의 예리한 전환 및 평탄성에 주목 하십시오.

클래스 A 3극관 삼각형 응답에서 그리드 리미트 영역과 플레이트 컷 오프 영역에서 플레이트 파형특성에 차이가 있습니다. 파형의 기울기가 그리드 리미트 영역에서 완전히 수평이 되지는 않지만 플레이트 컷 오프 영역의 큰 부분에서 완전히 평평하다는 것에 주목 하십시오. 또한 전압레벨이 증가함에 따라 입력에 대한 출력파형의 듀티 사이클 이동이 있습니다. 이러한 듀티 사이클 변이는 그리드 파형 비대칭으로 인한 그리드 입력회로의 DC 오프셋 시프트로 인해 발생합니다.

그림 9 삼각파 응답 : 과도한 과부하 그림 5 및 6의 회로에 대한 플레이트전압은 스케일링 되고 시프트 된 입력 

삼각형파와 함께 그려진다. 두 번째 하프 사이클에서 캐소드 팔로워 그리드 전류 흐름으로 인해 

그림 6의 플레이트전압은 그림 5의 플레이트 전압보다 작다. 입력파형의 정류로 인한 듀티 사이클 변화와 

후반 주기의 하드 리미트 플레이트전압에 주목하시오.

그림 9의 왜곡된 삼각형 파의 듀티 사이클은 그리드 리미팅 면보다 플레이트 컷 오프 면에서 더 큽니다. 3극관(Triode) 앰프는 신호가 과부하로 구동될 때 듀티 사이클(duty-cycle) 시프트를 가집니다. 사인파에 의해 구동될 때 짝수 고조파왜곡 성분이 우위를 차지하는 원인이 이 듀티 사이클 변이입니다. 듀티 사이클이 정확히 50%인 직사각형 파형은 고조파 성분이 없습니다[7].

트랜지스터앰프는 일반적으로 출력레벨을 최대화하기 위해 대칭왜곡에 대해 바이어스 되며 결과적으로 사인파에 의해 구동될 때 주로 홀수 고조파왜곡 구성요소를 생성합니다. 트랜지스터앰프도 바이어스 포인트를 이동하여 짝수 고조파왜곡을 발생시키도록 설계할 수 있지만 여전히 진공관앰프처럼 들리지는 않습니다. 오버드라이브의 트랜지스터앰프는 항상 변조파형의 양쪽에 하드 리미팅을 가지고 있습니다.

다음 부절은 그림 5와 6의 회로 입력에서 대칭 삼각파의 레벨이 증가함에 따라 일어나는 일에 대해 논의합니다. 그림 7~9의 삼각형 응답을 참조하십시오.

3.4.1 DC 바이어스 동작

입력신호가 없으면, 그리드 소스저항 Rg의 입력 측에서의 DC 전압은 접지전위에 가깝습니다. 역 바이어스 그리드 전류는 그림 5에서 입력저항 Ri에 작은 양(+)의 전압을 발생 시키지만 표시된 전압에 대해서는 무시해도 좋습니다. 캐소드 전압은 1.4볼트 DC이고, 플레이트 전압은 265볼트 DC입니다.

캐소드 팔로워 스테이지는 클래스 A 스테이지의 바이어스 조건을 변경하지 않습니다. 캐소드 팔로워의 그리드 전압은 이전 스테이지의 플레이트 전압과 동일합니다. 두 번째 스테이지의 캐소드 전압은 그리드 전압보다 약간 높습니다. 캐소드 전압은 캐소드 팔로워 동작의 모든 영역에서 항상 그리드 전압보다 약간 높습니다 (1 ~ 2 볼트 범위 내).

3.4.2 작은 입력 레벨

작은 입력신호의 경우 삼각파의 양(+)의 피크는 클래스 A 스테이지의 캐소드에서의 바이어스 전압보다 훨씬 낮아서 그리드 회로를 역 바이어스로 유지합니다. 이 앰프는 동작영역에서 선형이며 전압이득이 75입니다.

작은 입력레벨의 경우 캐소드 팔로워 스테이지는 클래스 A 스테이지의 증폭된 입력전압 왜곡효과 없이 밀착하여 따라갑니다.

3.4.3 과부하의 시작

입력 삼각파의 양(+)의 피크가 캐소드-바이어스 전압에 가까워지면서 그리드 회로는 순방향 바이어스 되기 시작합니다. 그리드-to-캐소드 전압 Vgk가 증가하면, 그리드 전류가 증가하여, Rg 양단의 전압강하가 증가합니다. 이 동작영역에서 그리드 전압은 더 이상 입력전압을 따라가지 않으며 그리드 리미팅이 적용됩니다. 진공관이 주로 증폭의 선형영역에 있기 때문에, AC 플레이트 전압은 극히 적은 양의 플레이트 왜곡과 함께 AC 그리드 전압의 역 위상의 증폭된 복사본이 됩니다. 이것은 그림 7의 상단곡선에 나와 있습니다.

DC 커플링된 캐소드-팔로워 증폭기의 경우, 클래스 A 스테이지의 플레이트 전압이 증가함에 따라 두 가지 유형의 왜곡이 발생합니다. 첫 번째 증폭단에서 플레이트 컷 오프 왜곡이 발생하기 훨씬 전에, 3.3 절에서 논의 된 것처럼 캐소드 팔로워 스테이지에서 그리드 전류가 흐르기 시작합니다. 이는 제1 스테이지에 의해 그리드 리미트 된 변조파형의 마주 보는 면에 그리드 리미팅 왜곡효과를 야기합니다. 이것이 가장 바람직한 리미팅 효과를 생성하는 동작 영역입니다. 이는 그림 7의 하단 곡선에서 볼 수 있습니다.

3.4.4 듀티 사이클 시프트 시작

그리드 전압파형이 입력회로의 그리드 리미트 왜곡으로 인해 비대칭으로 변하면 DC 시프트가 그리드에 시작됩니다. 이러한 그리드 리미팅에 의한 입력파의 하향이동으로 인해 플레이트 전압파형의 피크 값이 위로 이동합니다. 클래스 A 스테이지는 이 입력회로 DC 시프트에 의해 플레이트 컷 오프 쪽으로 구동됩니다. 이것은 그림 8에 나와 있습니다. 하드 리미팅에 아직 도달하지 않았습니다.

AC 결합 클래스 A 스테이지의 입력 회로에서 상당한 DC 시프트가 발생하는 레벨에 도달 할 때까지, 캐소드 팔로워의 그리드 리미트 왜곡은 이미 중요해지고 있습니다.

3.4.5 플레이트 컷 오프에 도달.

플레이트 전압파형의 피크 값이 공급전압에 가까워지면 플레이트 컷 오프가 적용되기 시작합니다. 결국 플레이트 전압에 의해 하드 리미트에 도달합니다. 이는 그림 9의 두 곡선 모두에서 볼 수 있습니다. 플레이트 컷 오프 때 입력신호 레벨이 증가함에 따라 입력회로의 DC 레벨이 계속 감소하고, 플레이트 전압파형이 더 많이 컷 오프에 부닥치게 합니다. 이 입력 DC 레벨의 변화는 그것이 플레이트 컷 오프 상태에 있는 동안 출력 파형의 듀티 사이클 이동을 초래합니다.

첫 번째 스테이지의 플레이트가 하드 컷 오프 리미트에 도달하면 캐소드 플로워 출력 또한 하드 리미트됩니다. 캐소드 팔로워의 그리드 리미트 왜곡은 그림 9에서 볼 수 있듯이 오버로드 된 신호를 짓누릅니다.

3.5 소프트 리미팅 앰프를 채택하는 이유

그림 5 및 6의 3극 증폭회로는 정확히 분석하기 어려운 왜곡특성을 갖는다는 것을 알 수 있습니다. 진공관 왜곡을 분석하기 위해 수행한 이전 연구의 대부분은 단일 톤 사인파 고조파 왜곡측정[3]에 의존해 왔습니다. 이 연구들은 듀티 사이클 변화가 반도체와 진공관 앰프 사이의 주요 차이점이라는 개념의 확산을 가져 왔습니다.

이 듀티 사이클 변화는 짝수 차 고조파가 음악적으로 더욱 조화를 이루기 때문에, 진공관앰프 사운드의 즐거움에 중요한 요소가 됩니다. 진공관 및 트랜지스터 앰프간의 상호변조 왜곡 차이는 일렉트릭 기타가 진공관앰프를 선호하는 이유를 설명하는 데 중요합니다.

진공관앰프를 선택하는 주요 요인은 과부하 변조신호의 더 많은 부분에서 승차(riding)파형을 통과시키는 앰프의 능력 때문입니다. 이러한 종류의 일시적인 상호변조왜곡은 측정으로 특정화하기가 어렵기 때문에, 이 글의 다음 섹션에서는 진공관앰프의 출력 대 입력 전압관계를 분석합니다. 이것은 그리드 리미팅의 비선형성 본질에 대한 통찰력을 제공하는 역할을 합니다.

4.0 그리드 리미팅 특성

이 절에서 우리는 AC 결합 클래스 A 3극 입력회로에서 그리드 리미팅 비선형성의 특성을 실험합니다. 그림 9의 삼각파 응답의 전반부에서 볼 수 있듯이 듀얼-트레이스 오실로스코프를 사용하여 순방향 바이어스 된 그리드전류의 존재를 감지하는 것은 상당히 쉽습니다.

그리드 전압 Vg는 그리드 전압이 그리드를 순방향 바이어스 하기에 충분히 높은 레벨로 증가 할 때까지 입력전압 Vi를 가깝게 따라갑니다. 순방향 바이어스가 되면 그리드 소스저항 Rg에 전압강하를 초래하는 전류가 흐릅니다. 이 그리드 리미팅 효과는 진공관앰프의 소프트 리미팅 특성에 영향을 줍니다.

다음 하위 절에서는 3극 회로의 그리드 리미팅 비선형성을 특성화하기 위해 수행 된 실험 및 분석작업의 결과를 보고합니다.  5극관 회로도 그리드 리미팅을 일으키지만, 이 글에서는 3극관으로 제한합니다.

4.1 그리드 전류 특성

진공관의 포괄적인 취급은 Spangenberg의 1948년 저서[4]에 나와 있습니다. 다른 유용한 책은 Seymour[5]의 물리전자공학(Physical Electronics)과 RCA Tube Manual[6]입니다. Spangenberg 및 Seymour 서적은 교과서이며 분석에 역점을 둡니다. RCA 매뉴얼은 광범위한 3극과 5극에 대한 실용적인 사용정보와 특성을 제공합니다.

RCA 매뉴얼에는 순방향 바이어스 3극관에서 그리드 전류에 관한 절이 있습니다. 그리드 전류는 그리드전압-to-캐소드전압 Vgk가 오프셋 전압 -Voff 이상으로 증가 할 때 양의 방향으로 흐르기 시작합니다. 이 그리드-to-캐소드 오프 셋 전압은 그리드 및 캐소드 물질의 일함수(work function)* 및 온도뿐만 아니라 플레이트-to-캐소드 전압 Vpk와 관련된 복잡한 프로세스에 기인합니다. 작은 Vgk 값에서의 그리드 전류의 물리적인 성질은 분석하기가 매우 어렵습니다. 그리드 전류를 특성화하기 위한 증명적 접근은 신중해야 합니다.

** Work function : 응집물질물리학에서 어떤 고체의 표면에서 한 개의 전자를 고체 밖으로 빼내는 데 필요한 에너지다. 전도띠가 있는 고체특징 중 하나다. – wiki.

그림 10의 포인트는 그림 5와 같이 클래스 A 3극관 스테이지에서 DC를 측정하여 얻은 값입니다. 수직축에 그리드 전류 Ig가 표시되고 수평축에 그리드-to-캐소드전압 Vgk가 표시됩니다. 플레이트 전압 Vp는 표시되지 않았지만, 측정치는 Vgk의 상이한 값에 따라 변한다는 것을 나타냅니다. 이 플레이트 전압변화는 그리드 리미팅이 발생할 때 더 적어집니다. 플레이트 전압변화의 영향은 그림 10에 표시된 점에 본질적으로 포함됩니다.

그림 10 - 그리드 전류 vs. 그리드-to-캐소드 전압, 12AX7 3극. 원은 측정된 점을 나타내고 곡선은 방정식을 나타냅니다.

Ig = 3.le-4 * (Vgk + .53) ** 3 암페어.

그림 10을 보면 그리드 전류특성에서 두 개의 별개의 영역이 드러납니다. 음의 오프셋 전압 - Voff보다 약간 높은 전압에서 지수 특성을 가집니다.

데이터 포인트에 지수함수를 맞추는 시도는 오프셋 전압 근처의 포인트에는 유리했지만 Vgk가 0에 가까운 포인트에서는 효과가 없었습니다. 포인트를 멱함수(power function)*에 맞추려는 시도는 오프셋 전압 근처를 제외한 모든 포인트에서 효과적이었습니다. 맞춰진 멱함수는 그림 10의 실선으로 표시합니다.

** 멱함수(power function)는 y=xa의 형태로서, 입력 변수 x는 고정 값 a만큼 제곱되어진다.

오프셋 영역으로부터 떨어진 커브의 부분은 맞춰진 멱함수에 근접합니다.

Ig = a · (Vgk + Vo) ** b                              (1)

a = 3.le-4 암페어,  Vo = .53 볼트,  b = 3.0 일 때.

오프셋 전압 -Voff보다 훨씬 큰 Vgk 값의 경우, Spangenberg[4]의 분석적 처리는 통찰력을 제공합니다. 이 영역에서는 온도 및 물질의 일함수(work function) 영향을 무시함으로써 분석이 단순해집니다. 다음 3개의 방정식은 Spangenberg[4]로부터 얻어집니다. 그는 오프셋 전압을 언급하지 않았으며, 그의 책에 있는 모든 유도식에서 0으로 가정했습니다.

보다 양의 플레이트 쪽으로 가속하는 전자와 교차하는 양의 격자의 교차단면은 격자표면을 통과하는 일부 전자의 흐름을 전환시킵니다. 이 영역에서 그리드전류와 플레이트전류는 Spangenberg[4] 교과서에 나오는 전류분할 관계를 따릅니다.

Ip = Is / {1 + 1 / [d * (Vpk / Vgk) ** .5]}            (2)

  Ig = Is / [1 + d * (Vpk / Vgk) ** .5]                  (3)

  Is = Gm * (Vgk + Vpk / Mu) ** 1.5 일 때             (4)

Ip 와 Ig 는 total space current 입니다(2차 에미션은 무시).

3극관 매개변수이득 Mu 및 상호콘덕턴스 Gm은 동작영역에 따라 다르기 때문에 정확히 상수가 아닙니다.

Eqs. (2~4)가 모두 멱함수(power function) (두 전압 중 하나를 일정하다고 가정 할 때)이므로 오프셋 영역에서 떨어진 지점이 대략적인 멱함수 관계를 따르는 것은 놀라운 일이 아닙니다. 중요한 점은 입력회로의 동작 그리드 리미팅 범위의 넓은 부분에서 그리드 전류는 그리드-to-캐소드 전압의 멱함수로 근사화 될 수 있다는 것입니다.

4.2 그리드 회로에 대한 멱함수 근사화

입력의 관점에서 그리드 전압을 찾는 것이 아니라, 주어진 그리드 전압으로부터 입력전압을 구하는 것이 더 쉽습니다. 다음 관계를 작성할 수 있습니다 (그림 5 참조).

Vik = Vgk + Rg * Ig (Vgk)                        (5)

여기서 Ig 뒤의 괄호는 함수의존성을 나타냅니다.

Eq. (1)을 Eq. (5)에 대입하고, Eq. (7)과 Eq. (8)이라고 하면, 결과는 Eq. (6)과 같습니다.

Vio = Vgo * [1 + a * Rg * (Vgo) ** (b-1)]          (6)

Vio = Vik + Vo                                          (7)

Vgo = Vgk + Vo                                        (8)

Eq. (6)은 a = 3.1e-4 암페어 및 b = 3.0을 사용하여 Rg의 여러 값에 대해 그림 11에 그려집니다.

이 멱함수 관계(power relationship)가 함축하는 제한적인 영향의 부드러움(smoothness)에 주목하십시오. Rg = 470Kohm에 대해 측정된 실제점도 그림 11에 나와 있습니다. 오프셋 영역 근처의 점을 제외한 모든 점에 대해 멱함수의 근사치(power approximation)가 상당히 잘 유지된다는 점에 유의하십시오.

Eq. (6)의 멱함수 관계는 흥미로운 스케일링 특성을 가집니다. Eq. (9)를 이용하여 Eq. (6)의 변수를 변경하면 Eq. (10)이 됩니다.

Vgs = Vgo / s    Vis = Vio / s                     (9)

  Vis = Vgs * [ 1 + a * s ** (b-1) * Vgs ** (b-1)]    (10)

전압을 스케일링하면 동일한 함수형이 되지만 그리드 리미트 요소는 달라집니다. 그림 11을 보면 알 수 있듯이, 큰 리미트 계수를 가지는 낮은 범위의 곡선을 확대한 결과는 더 작은 리미팅 계수를 갖는 다른 곡선입니다.

Vgo에 대해 Eq. (6)을 미분함으로써 입력단계의 증분손실에 대한 다음 근사값에 도달합니다.

dVio / dVgo = 1 + b * Rg * Vgo ** (b-1)                 (11) 

우리는 증분손실의 개념을 사용합니다. 왜냐하면 증분손실은 그 역의 것보다 간단한 기능적 형태, 증분이득을 가지기 때문입니다. 증분손실은 참조용 선형동작을 나타내는 라인과 함께 그림 12의 압축레벨 대 dB로 그려집니다. 증분손실은 많은 양의 압축에도 심각하지 않습니다. 이 논문의 다른 부분에서 언급했듯이, 과부하에서의 0이 아닌 증분이득은 일렉트릭 기타 애플리케이션에서 진공관앰프의 성공에 기여하는 주요 요인입니다.

그림 11 - Rg = 470 K-ohm의 실제 측정 지점과 함께 다양한 그리드저항 값에 대한 멱함수 그리드 리미팅 곡선. 

역함수 Vio = Vgo * [l + 3.14e-4 * Rg * (Vgo) ** 2]를 사용하여 그린 곡선.

그림 12 - 그림 11의 멱함수 그리드 리미팅 곡선에 대한 dB 단위의 증분손실 vs. dB의 압축손실 

넓은 영역의 증분손실은 압축계수보다 10dB 더 크다.

5.0 결론

이 글에는 다음과 같은 요점이 제시되었습니다.

소프트 리미팅은 일렉트릭 기타앰프에 있어 바람직한 효과입니다. 기타는 여러 파형이 신호에 혼합되어 있기 때문에 소프트 리미팅 앰프는 높은 신호레벨에서 주신호에 올라탄 약한 신호를 더 많이 통과시킵니다.

대부분의 반도체앰프는 출력파형의 양측에 대칭적인 "brick wall" 하드 리미팅을 가지고 있습니다. 대칭은 홀수 고조파 왜곡성분의 우세를 야기하지만 하드 리미팅은 바람직하지 않은 상호변조왜곡 효과를 생성합니다. 그리드 전류흐름에 의한 그리드 회로 소스저항을 통한 전압강하는 그리드 리미팅으로 알려져 있으며 진공관앰프의 소프트 리미팅 효과를 담당합니다. 반도체 다이오드 회로를 사용한 그리드 리미팅 효과의 에뮬레이션은 진공관과 동일한 결과를 생성하지 않습니다. 진공관 그리드 전류는 전압과의 멱함수(power function) 관계를 따르고 반도체장치는 지수관계를 따릅니다. 지수관계로 인해 진공관회로에서 발견되는 멱함수 관계보다 하드 리미팅 동작영역으로 더 빨리 전환됩니다.

REFERENCES

1)  Cabot, Richard C.; "Perception of Nonlinear Distortion" ; presented at 2nd AES International Conference, May 11 - 14, 

    1984; Conference paper C1004.

2)  Bussey, W. Stephen and Haigler, Robert M ; "Tubes Versus Transistors in Electric Guitar Amplifiers" ; IEEE Conference 

    Paper CH1610-5/81/0000-0800, 1981.

3)  Hamm, Russel O. ; "Tubes vs Transistors - Is there an Audible Difference?" ; Journal AES, May 1973, Vol 21 no. 4 .

4)  Spangenberg, K.; "Vacuum Tubes" ; McGraw Hill 1948.

5)  Seymour J. ; "Physical Electronics"; Halstead Press 1972

6)  "RCA Receiving Tube Manual"; RC-30; RCA Corporation 1975.

7)  Hsu H. P. ; "Fourier Analysis" ; Simon and Schuster 1970

<< 긴글 읽어 주시느라 고생 하셨습니다... 관심에 감사 드립니다... >>

[운영지기]

학교시절 노교수 한말씀
요즘 TV 에는 딱 1개의 진공관 남아 있는데
그것이 무었이냐 ?
..
하지만 대답하는 학생들 1명 없었다~
..
그래서 정답발표
..
브라운관은 진공관 아니나며~ 불딱지..^^
..
세월 흘러 지금은 브라운관도 전설따라 삼천리~
..
공업용으로 장수하던 비닐접합기도 2005년 까지는
진공관 설비가 태반이었는데 이제는 철수되고..
..
오디오앰프 제외하고
..
물러서지 않는것이 바로 엘렉기타앰프
트랜지스터 기타엠프가 주를 이루지만
아직도 장통파 연주가들은
진공관식 파워를 선호하니
쉽게 자리를 내주지 않을것 같으네요.
..
왜고집하고 있을까? 궁급사항이었는데 ..
주도소프트리미팅이란 명쾌한 답변 찻아주신

[임봉거사]

그럼에도 불구하고 요즘은 저가형은 티알, 중저가는 디지털기타 앰프에
밀리고 있는것도 사실 입니다. 이젠 진공관 기타 앰프라고 하면 중고가 이상의
앰프 아니면 점점 보기 힘들어졌네요.
특히 디지털 앰프는 200와트인데 무개는 3-4kg에 부피도 조그마하고 가격도
저렴해서 무거운 진공관 앰프를 급격하게 잠식하고 있습니다.
물론 저는 아직도 진공관 앰프를 선호합니다.
즐거운 하루되세요

[운영지기]

수고하신
우리 반달님께는
특별히
..
지기나라에서
선발한
특사를 보내옵니다...^^

[반달]

앗...감사~~
제게 과분한 특사를 보내주시다니..
어찌 몸둘 바를 모르겠사옵니다.

[임봉거사]

좋은 글 감사합니다...ㅋ..ㅋ
얼마전 또 다른 기타 앰프 완성 시켰는데
시간 나는데로 글 올리겠습니다.

[변문진]

거사님은 기타 연주가 이신가 봅니다.
연주 들어보고 싶어요~~~~~

[반달]

전자기타에 대해서 완전 문외한이라서 본문 중에서 "서스테인", 밀어올려(스트레칭) 벤딩음정.. 악보표기
등에 대해서는 무슨말인가 전혀 이해가 안가서, 베이스 기타치는 사촌동생에게 물어 보았습니다.

[임봉거사]

예 기타 연주자입니다. ㅋ.ㅋ
틈 나는데로 연주 샘플 올려드릴게요.
즐거운 하루되세요

[임봉거사]

예전 용어들은 일본책 번역때문에 벤딩을 초킹으로 한적이 있었어요. 80년대 책으로 배울땐 그랬는데
요즘은 유튜브에서도 교습 영상이 많은데 예전엔 악보 하나 책 하나가 소중했던 때라.. 갑자기 용어 말씀
하시니 그 생각이 나네요. ㅋ
좋은 정보 다시한번 감사합니다.

[변문진]

네 즐겁게 감상 하겠습니다^^

[라디오맨]

훌륭한 분석글입니다 ^^

[반달]

감사합니다..

[윤선생]

좋은글 잘 읽었습니다.

제생각에 일렉기타가 가장 배우기 어러운 악기중에 하나인것 같습니다.
반달님 설명 하셨듯이 연주기법도 많고 ...
피아노처럼 체계화된 것도 아닌것 같고 연주자마다 다르기도 하고..
진공관 앰프에는 기타음악이 잘 맞는것 같습니다.

[반달]

모르던 전자기타의 연주기법에 대해서..쬐금 알게 되었습니다.
기타앰프를 이해하니 연주기법이 무궁무진할 거라는 생각이 듭니다.

[임봉거사]

사실 일렉 기타는 지미 헨드릭스연주만 잘 카피 하면 현대 거의 90% 연주 기법은 다 공부하는
셈이지요. 단 너무 연주하기 힘들다는게 단점이지만요 ...
저도 중학교때 지미 헨드릭스 몬테레이 라이브 비디오 보고 일렉기타를 잡았습니다 ㅋ.

[변문진]

어제는 음악감상하다 눈이 빠지고,
오늘은 진공관 기타 앰프 땜시 눈이 빠지고,
눈이 성할 날이 없네요.ㅎㅎ
넘 어려운 내용이지만 먼가 올듯 말듯 합니다.

[반달]

자꾸 눈 빠지게 해 드려서 지송합니다요...ㅎㅎ