파워반도체상용화센터 인프라 활용기업 모집 공고_부산테크노파크

[▩정실미▩]

재단법인 부산테크노파크 공고 제 2024-288호

파워반도체상용화센터 인프라 활용기업 모집공고

(재)부산테크노파크 파워반도체상용화센터(이하 “센터”라 한다)에서 SiC 전력반도체 관련 장비․시설등의 인프라 공동활용 및 연계를 통하여, 국내 SiC 전력반도체 산업 발전을 선도할 우수 기업을 모집하오니 많은 참여 바랍니다.

2024년 06월 20일

(재)부산테크노파크 원장

1. 모집 개요

□ 소 재 지

○ 부산 금정구 부산대학로 63번길2 101동, 파워반도체상용화센터(장전단지)

○ 부산 기장군 장안읍 의과학4로 2, 파워반도체상용화센터(장안단지)

□ 제공 시설·장비 및 사용용도

○ 공정장비 : 장전및장안단지에 구축된 공정장비 25대 [붙임참조]

- “파워반도체연구플랫폼구축사업”으로 도입된 25대 장비에 한함

- 시설 및 공정장비의 사용용도는 “연구개발” 용도에 한함

· 장비별 사용일수, 사용량 및 물질등의 세부내용은 선정 후 협의 필요

- 센터 사용 시간을 제외한 야간·심야시간 및 주말 (협의)이용가능

· 장전단지 활용은 주말포함 주 7일, 장안단지는 주중(월-금) 이용 가능

· 장비활용 시간 : 원칙 19시～08시(日別 14시간)

: 장전단지 -> 토요일은 주중과 동일, 일요일 24시간 사용 가능

○ 공용공간 : 공용사무공간 및 휴계공간등 센터와 공동이용

□ 계약기간 : 계약 체결일로부터 1년 (심사를 통해 최대 3년 연장가능)

※ 계약 체결 일자는 기관 사정상 지연 될 수 있음

□ 신청자격

○ 국내에 본사를 보유한 반도체 기업 ※해외기업의 지사는 제외

- 부산 지역에 본사 및 연구소 등을 보유하거나, 투자확약 기업 우대

○ SiC 전력반도체 연구 및 생산 실적 보유 기업 우대

- 팹리스 등 반도체 설계 전문 기업도 포함

□ 임대료, 관리비 및 장비유지비용

○ 임대료 : 월31,500,000원(VAT 별도)

○ 임대료 부과 조건 : 상기「제공 시설 및 장비」사용의 대가

○ 임대보증금 : 3개월분 임대료 (입주시 입금, 퇴거시 지급)

○ 관리비는 제공되는 시설과 장비의 사용에 필요한 재화 및 서비스(유틸리티등)에 관한 비용으로 별도 청구

- 제공되는 재화 및 서비스의 범위

· 유틸리티(전기, N2등), 시설유지(공조등) 및 공정재료비 등

: 계량 가능한 항목과 계량 불가능한 항목을 나누어 부과하며, 계량 불가능한 항목은 고지된 산출방식*에 의거하여 청구

· 단, 장비유지 및 수리비는 불포함.

○ 장비 유지(수리)비는 통상적인 공정장비의 유지보수와 장비고장 수리비용으로 별도 청구됨

- 유지보수(정기PM등)의 경우에는 고지된 산출방식*로 청구

- 공정장비의 고장등의 경우 사용자과실에 따라 비용부담(최대100%)이 달라지며, 과실이 명백하지 않은 경우 고지된 산출방식으로 청구

※ 산출방식의 세부내용은 선정 이후 별도 고지

2. 신청방법 및 절차

□ 제출서류

○ 활용신청서 및 사업계획서 [별지 제1호 및 제2호서식]

○ 납세증명원 및 최근년도 결산 재무제표

○ 기타 인증 및 자격에 관한 서류 등

구 분
제출구분	구 비 서 류		제출수량
입주신청	가 신청수요조사서*	현장 실사를 위한 가 신청서 (선택사항)	PDF파일 1부
	입주신청서	입주신청서
사업계획서	사업계획서	입주신청용 사업계획서 및 부속서류
	자격보유** 현황	우량기술기업, 벤처․이노비즈․경영혁신형인증서, 기업부설연구소인증서 등 각종 자격보유 사본
	납세증명원	국세 및 지방세 납세증명원
	재무제표	최근년도 결산 재무제표 1부
기타 필요서류	사업자등록증		PDF파일 각 1부
	법인의 경우**, 법인인감증명서 및 법인등기부등본
	개인의 경우**, 인감증명서
	우대사항**(부산소재, 투자협약 등)을 증빙할 서류

*가 신청수요조사서는 현장 실사가 필요한 기업에 한해서 제출하며, 필수사항은 아님

**선택사항 : 해당사만 제출, 비해당사는 제출 불필요

□ 평가절차

○ 평가방법 : 종합평가(기업 현황 및 사업계획 등을 종합적으로 평가)

○ 1차 서류평가 : 기재사항 미비 여부 및 정량성과 검증 등

- 서류평가는 기재사항 확인 절차로 별도의 점수부여는 없음

○ 2차 대면평가 : 지원 동기, 장비 활용방안, R&D 수행계획, 향후 사업화 및 지역 내 투자 계획등 발표·질의응답

- 외부전문가 5인 이내로 구성, 최고․최저 제외 산술평균 점수 산출

- 대면평가를 원칙으로 하되, 필요시 별도의 방식으로 대체 진행

□ 추진일정(안)

○ 제출서류 교부 : 부산테크노파크 홈페이지에서 양식 다운로드

- 부산테크노파크 홈페이지 ⇒ 공고․공지 ⇒ 사업공고

○ 서류 접수기간 : 2024. 6. 20.(목) ~ 6. 26.(수) 17:00 [7일간]

- 접수방법 : nextan@btp.or.kr ※ 해당 이메일 접수만 가능

- 문의 : 파워반도체상용화센터 하정민 센터장 (☎051-583-3915)

- 이메일 제목을 “인프라 활용관련 서류제출 – ㅇㅇㅇ기업” 로 제출

- 이메일 접수 후 반드시 문의처로 접수완료 여부 확인 필요

- 신청수요조사 접수 기간 : 2024. 6. 20.(목) ~ 6. 24.(월)

○ 현장 실사 : 2024. 6. 24.(월) ~ 6. 25.(화)

- 가 신청 수요조사(별지 제3호)에 응한 기업에 한하여 현장실사 가능

○ 1차 서류평가 : 2024. 06. 28.(금) 예정

○ 2차 대면평가 : 서류심사 후 7일 이내 예정, 일정 개별 통보

- 평가결과 80점 이상 득점한 기업 중 고득점자를 최종 선정함

(1순위 업체가 포기 시 차 순위 업체를 선정 할 수 있음)

○ 선정기업 통보 방법 : 신청기업별로 선정․탈락 여부 개별 통보

□ 세부절차

절 차		주 요 내 용		비 고
(선택사항) 가 신청 수요 확인		∙ 가 신청접수 후 현장 실사 가능 ∙ 필요기업에 한해 진행되는 선택사항임		기업 → 센터
⇓
활용 신청서 제출		∙ 활용신청서 제출 및 사업계획서 제출		기업 → 센터
⇓
서류평가		∙ 활용신청서 서류 기재사항 검토 * 서류검토 후 발표심사 대상자 개별 통보		센터
⇓
대면평가		∙ 활용신청서 및 사업계획서 등 평가 * 발표(15분) / 질의응답(15분), 변경가능		외부전문가
⇓
결과통보		∙ 활용심의 결과 개별통보		센터
⇓
계약체결		∙ 활용 계약 체결		센터
⇓
인프라 활용		∙ 센터 SiC 소자 개발 인프라 활용 * 계약체결 후 제출 자료의 허위사실 기재 등 퇴거사유에 해당하는 경우 퇴거될 수 있음		센터 ↕ 기업

3. 활용기업 선정 시 주의사항

○ 활용기업으로 선정 시 추가 제출서류를 입주 이전 제출

- 개인정보 수집․활용 동의서, 안전이행각서, 특수조건 동의서 등

- 관련 양식은 선정 기업 대상 별도로 제공

○ 활용기업은 계약기간 내에 지속적으로 매출, 고용 등 경영현황을 센터에 제공해야 함 (입주 후 5년간)

○ 신청자격 등 제출서류에서 허위사실 발견 시 자격이 취소됨

○ 계약 특수조건을 위반할 경우 인프라 활용에 제한이 따름

4. 계약 특수조건

○ 활용기업의 활용 가능 장비는 붙임1의 25대 장비에 한하며, 사전에 장비 및 시설의 사양을 반드시 확인하여야 하며, 기 구축 운영되고 있는 장비 및 시설의 한계를 초과하는 요구 및 연구개발 용도 이외 용도로 사용할 수 없음.

○ 부산테크노파크 파워반도체상용화센터는 다수의 국내 SiC 관련 기업이 활용하는 시설이므로, 활용기업은 센터의 비밀유지 및 보안 정책을 반드시 준수하여야 함

○ 반도체장비 및 시설 특성상 사전예고 없이 특정 장비의 고장발생으로 공정진행에 지연이 발생할 수 있으며, 이 경우 센터 및 기업 쌍방 간 손해배상청구 및 소송을 진행할 수 없음

- 과실 여부에 따라 임대료 차감 지급 가능(세부내용협의)

○ 활용기업은 센터가 사전에 공지한 장비별 권장 사용조건을 반드시 준수하여야 하며, 이를 위반하여 발생하는 손실은 활용기업이 보상하여야 함

- 만약, 부득이하게 권장 사용조건을 초과한 조건으로 변경이 필요할 경우에는, 센터와 사전에 협의하여 진행할 수 있음

붙임1

파워반도체상용화센터 SiC 소자개발 장비 목록

대	장비명	장비용도	종	위치
1	트랙	감광액을 도포 및 현상하는 장비	1	장전 단지
2	스텝퍼	Wafer 표면의 미세회로 형성을 위해 노광하는 장비	1
3	시디셈	미세 표면 구조를 측정	1
4	애셔	사진공정 후 잔여 감광막을 건식으로 제거	1
5	고온이온주입기	고온(500℃)에서 Al, P등 불순물 주입	1
6	고온어닐링기	이온주입 후 불순물 활성화	1
7	퍼니스(RTP)	온도를 상승시킨 후 열처리하는 장비	1
8	스퍼터	고순도(99.999%) 금속을 Wafer 표면에 증착	1
9	테스터	소자의 전기적 특성을 측정	1
10	프로브	소자의 전기적 특성을 분석	1
11	면저항측정기	Wafer 표면의 면저항을 측정하는 장비	1
12	퍼니스(D-poly)	반응성 가스를 사용하여 박막 증착	3
13	건식식각기(SiC)	반응성 가스를 사용하여 산화막 등을 식각	1
14	건식식각기(금속용)	반응성 가스를 사용하여 금속 등을 식각	2
15	입자계수기	미세먼지, 결함 등을 검출	1
16	FE-SEM	50만배 이상의 고배율로 회로 형상을 측정	1
17	마이크로스코프	표면의 구조를 관찰하는 장비	1
18	퍼니스(SiO2)	고온의 산소 분위기에서 산화막 형성	1
19	플라즈마박막증착기	저온(300℃)에서 SiO2 등 산화막을 증착하는 장비	2
20	박막두께 측정기	산화막 등 박막두께를 측정하는 장비	1
21	웻스테이션(금속)	Wafer 후면의 미세 실리콘 입자 등을 제거하는 장비	1	장안 단지
22	후면그라인더	Wafer를 원하는 두께로 가공	1
23	두께측정기(Warp)	Wafer 두께 및 휨 정도를 측정	1
24	레이저어닐	Wafer 후면의 미세 구조를 선택적 열처리	1
25	후면스퍼터	고순도(99.999%) 금속을 Wafer 후면에 증착	1
총 25대 29종

* 세부 장비별 사양은 개별 확인 필요

[붙임].zip

200.91KB

공고문.+파워반도체상용화센터+인프라+활용기업+모집공고.hwp

102.00KB

공모사업 바로가기

https://goo.gl/forms/6U4SgcwlXWb836Qr2

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