재단법인 부산테크노파크 공고 제 2024-288호
파워반도체상용화센터 인프라 활용기업 모집공고
(재)부산테크노파크 파워반도체상용화센터(이하 “센터”라 한다)에서 SiC 전력반도체 관련 장비․시설등의 인프라 공동활용 및 연계를 통하여, 국내 SiC 전력반도체 산업 발전을 선도할 우수 기업을 모집하오니 많은 참여 바랍니다.
2024년 06월 20일
(재)부산테크노파크 원장
1. 모집 개요
□ 소 재 지
○ 부산 금정구 부산대학로 63번길2 101동, 파워반도체상용화센터(장전단지)
○ 부산 기장군 장안읍 의과학4로 2, 파워반도체상용화센터(장안단지)
□ 제공 시설·장비 및 사용용도
○ 공정장비 : 장전및장안단지에 구축된 공정장비 25대 [붙임참조]
- “파워반도체연구플랫폼구축사업”으로 도입된 25대 장비에 한함
- 시설 및 공정장비의 사용용도는 “연구개발” 용도에 한함
· 장비별 사용일수, 사용량 및 물질등의 세부내용은 선정 후 협의 필요
- 센터 사용 시간을 제외한 야간·심야시간 및 주말 (협의)이용가능
· 장전단지 활용은 주말포함 주 7일, 장안단지는 주중(월-금) 이용 가능
· 장비활용 시간 : 원칙 19시~08시(日別 14시간)
: 장전단지 -> 토요일은 주중과 동일, 일요일 24시간 사용 가능
○ 공용공간 : 공용사무공간 및 휴계공간등 센터와 공동이용
□ 계약기간 : 계약 체결일로부터 1년 (심사를 통해 최대 3년 연장가능)
※ 계약 체결 일자는 기관 사정상 지연 될 수 있음
□ 신청자격
○ 국내에 본사를 보유한 반도체 기업 ※해외기업의 지사는 제외
- 부산 지역에 본사 및 연구소 등을 보유하거나, 투자확약 기업 우대
○ SiC 전력반도체 연구 및 생산 실적 보유 기업 우대
- 팹리스 등 반도체 설계 전문 기업도 포함
□ 임대료, 관리비 및 장비유지비용
○ 임대료 : 월31,500,000원(VAT 별도)
○ 임대료 부과 조건 : 상기「제공 시설 및 장비」사용의 대가
○ 임대보증금 : 3개월분 임대료 (입주시 입금, 퇴거시 지급)
○ 관리비는 제공되는 시설과 장비의 사용에 필요한 재화 및 서비스(유틸리티등)에 관한 비용으로 별도 청구
- 제공되는 재화 및 서비스의 범위
· 유틸리티(전기, N2등), 시설유지(공조등) 및 공정재료비 등
: 계량 가능한 항목과 계량 불가능한 항목을 나누어 부과하며, 계량 불가능한 항목은 고지된 산출방식*에 의거하여 청구
· 단, 장비유지 및 수리비는 불포함.
○ 장비 유지(수리)비는 통상적인 공정장비의 유지보수와 장비고장 수리비용으로 별도 청구됨
- 유지보수(정기PM등)의 경우에는 고지된 산출방식*로 청구
- 공정장비의 고장등의 경우 사용자과실에 따라 비용부담(최대100%)이 달라지며, 과실이 명백하지 않은 경우 고지된 산출방식으로 청구
※ 산출방식의 세부내용은 선정 이후 별도 고지
2. 신청방법 및 절차
□ 제출서류
○ 활용신청서 및 사업계획서 [별지 제1호 및 제2호서식]
○ 납세증명원 및 최근년도 결산 재무제표
○ 기타 인증 및 자격에 관한 서류 등
구 분 |
제출구분 | 구 비 서 류 | 제출수량 |
입주신청 | 가 신청수요조사서* | 현장 실사를 위한 가 신청서 (선택사항) | PDF파일 1부 |
입주신청서 | 입주신청서 |
사업계획서 | 사업계획서 | 입주신청용 사업계획서 및 부속서류 |
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자격보유** 현황 | 우량기술기업, 벤처․이노비즈․경영혁신형인증서, 기업부설연구소인증서 등 각종 자격보유 사본 |
납세증명원 | 국세 및 지방세 납세증명원 |
재무제표 | 최근년도 결산 재무제표 1부 |
기타 필요서류 | 사업자등록증 | PDF파일 각 1부 |
법인의 경우**, 법인인감증명서 및 법인등기부등본 |
개인의 경우**, 인감증명서 |
우대사항**(부산소재, 투자협약 등)을 증빙할 서류 |
*가 신청수요조사서는 현장 실사가 필요한 기업에 한해서 제출하며, 필수사항은 아님
**선택사항 : 해당사만 제출, 비해당사는 제출 불필요
□ 평가절차
○ 평가방법 : 종합평가(기업 현황 및 사업계획 등을 종합적으로 평가)
○ 1차 서류평가 : 기재사항 미비 여부 및 정량성과 검증 등
- 서류평가는 기재사항 확인 절차로 별도의 점수부여는 없음
○ 2차 대면평가 : 지원 동기, 장비 활용방안, R&D 수행계획, 향후 사업화 및 지역 내 투자 계획등 발표·질의응답
- 외부전문가 5인 이내로 구성, 최고․최저 제외 산술평균 점수 산출
- 대면평가를 원칙으로 하되, 필요시 별도의 방식으로 대체 진행
□ 추진일정(안)
○ 제출서류 교부 : 부산테크노파크 홈페이지에서 양식 다운로드
- 부산테크노파크 홈페이지 ⇒ 공고․공지 ⇒ 사업공고
○ 서류 접수기간 : 2024. 6. 20.(목) ~ 6. 26.(수) 17:00 [7일간]
- 접수방법 : nextan@btp.or.kr ※ 해당 이메일 접수만 가능
- 문의 : 파워반도체상용화센터 하정민 센터장 (☎051-583-3915)
- 이메일 제목을 “인프라 활용관련 서류제출 – ㅇㅇㅇ기업” 로 제출
- 이메일 접수 후 반드시 문의처로 접수완료 여부 확인 필요
- 신청수요조사 접수 기간 : 2024. 6. 20.(목) ~ 6. 24.(월)
○ 현장 실사 : 2024. 6. 24.(월) ~ 6. 25.(화)
- 가 신청 수요조사(별지 제3호)에 응한 기업에 한하여 현장실사 가능
○ 1차 서류평가 : 2024. 06. 28.(금) 예정
○ 2차 대면평가 : 서류심사 후 7일 이내 예정, 일정 개별 통보
- 평가결과 80점 이상 득점한 기업 중 고득점자를 최종 선정함
(1순위 업체가 포기 시 차 순위 업체를 선정 할 수 있음)
○ 선정기업 통보 방법 : 신청기업별로 선정․탈락 여부 개별 통보
□ 세부절차
절 차 |
| 주 요 내 용 |
| 비 고 |
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(선택사항) 가 신청 수요 확인 |
| ∙ 가 신청접수 후 현장 실사 가능 ∙ 필요기업에 한해 진행되는 선택사항임 |
| 기업 → 센터 |
⇓ |
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활용 신청서 제출 |
| ∙ 활용신청서 제출 및 사업계획서 제출 |
| 기업 → 센터 |
⇓ |
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서류평가 |
| ∙ 활용신청서 서류 기재사항 검토 * 서류검토 후 발표심사 대상자 개별 통보 |
| 센터 |
⇓ |
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대면평가 |
| ∙ 활용신청서 및 사업계획서 등 평가 * 발표(15분) / 질의응답(15분), 변경가능 |
| 외부전문가 |
⇓ |
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결과통보 |
| ∙ 활용심의 결과 개별통보 |
| 센터 |
⇓ |
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계약체결 |
| ∙ 활용 계약 체결 |
| 센터 |
⇓ |
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인프라 활용 |
| ∙ 센터 SiC 소자 개발 인프라 활용 * 계약체결 후 제출 자료의 허위사실 기재 등 퇴거사유에 해당하는 경우 퇴거될 수 있음 |
| 센터 ↕ 기업 |
3. 활용기업 선정 시 주의사항
○ 활용기업으로 선정 시 추가 제출서류를 입주 이전 제출
- 개인정보 수집․활용 동의서, 안전이행각서, 특수조건 동의서 등
- 관련 양식은 선정 기업 대상 별도로 제공
○ 활용기업은 계약기간 내에 지속적으로 매출, 고용 등 경영현황을 센터에 제공해야 함 (입주 후 5년간)
○ 신청자격 등 제출서류에서 허위사실 발견 시 자격이 취소됨
○ 계약 특수조건을 위반할 경우 인프라 활용에 제한이 따름
4. 계약 특수조건
○ 활용기업의 활용 가능 장비는 붙임1의 25대 장비에 한하며, 사전에 장비 및 시설의 사양을 반드시 확인하여야 하며, 기 구축 운영되고 있는 장비 및 시설의 한계를 초과하는 요구 및 연구개발 용도 이외 용도로 사용할 수 없음.
○ 부산테크노파크 파워반도체상용화센터는 다수의 국내 SiC 관련 기업이 활용하는 시설이므로, 활용기업은 센터의 비밀유지 및 보안 정책을 반드시 준수하여야 함
○ 반도체장비 및 시설 특성상 사전예고 없이 특정 장비의 고장발생으로 공정진행에 지연이 발생할 수 있으며, 이 경우 센터 및 기업 쌍방 간 손해배상청구 및 소송을 진행할 수 없음
- 과실 여부에 따라 임대료 차감 지급 가능(세부내용협의)
○ 활용기업은 센터가 사전에 공지한 장비별 권장 사용조건을 반드시 준수하여야 하며, 이를 위반하여 발생하는 손실은 활용기업이 보상하여야 함
- 만약, 부득이하게 권장 사용조건을 초과한 조건으로 변경이 필요할 경우에는, 센터와 사전에 협의하여 진행할 수 있음
붙임1 |
| 파워반도체상용화센터 SiC 소자개발 장비 목록 |
대 | 장비명 | 장비용도 | 종 | 위치 |
1 | 트랙 | 감광액을 도포 및 현상하는 장비 | 1 | 장전 단지 |
2 | 스텝퍼 | Wafer 표면의 미세회로 형성을 위해 노광하는 장비 | 1 |
3 | 시디셈 | 미세 표면 구조를 측정 | 1 |
4 | 애셔 | 사진공정 후 잔여 감광막을 건식으로 제거 | 1 |
5 | 고온이온주입기 | 고온(500℃)에서 Al, P등 불순물 주입 | 1 |
6 | 고온어닐링기 | 이온주입 후 불순물 활성화 | 1 |
7 | 퍼니스(RTP) | 온도를 상승시킨 후 열처리하는 장비 | 1 |
8 | 스퍼터 | 고순도(99.999%) 금속을 Wafer 표면에 증착 | 1 |
9 | 테스터 | 소자의 전기적 특성을 측정 | 1 |
10 | 프로브 | 소자의 전기적 특성을 분석 | 1 |
11 | 면저항측정기 | Wafer 표면의 면저항을 측정하는 장비 | 1 |
12 | 퍼니스(D-poly) | 반응성 가스를 사용하여 박막 증착 | 3 |
13 | 건식식각기(SiC) | 반응성 가스를 사용하여 산화막 등을 식각 | 1 |
14 | 건식식각기(금속용) | 반응성 가스를 사용하여 금속 등을 식각 | 2 |
15 | 입자계수기 | 미세먼지, 결함 등을 검출 | 1 |
16 | FE-SEM | 50만배 이상의 고배율로 회로 형상을 측정 | 1 |
17 | 마이크로스코프 | 표면의 구조를 관찰하는 장비 | 1 |
18 | 퍼니스(SiO2) | 고온의 산소 분위기에서 산화막 형성 | 1 |
19 | 플라즈마박막증착기 | 저온(300℃)에서 SiO2 등 산화막을 증착하는 장비 | 2 |
20 | 박막두께 측정기 | 산화막 등 박막두께를 측정하는 장비 | 1 |
21 | 웻스테이션(금속) | Wafer 후면의 미세 실리콘 입자 등을 제거하는 장비 | 1 | 장안 단지 |
22 | 후면그라인더 | Wafer를 원하는 두께로 가공 | 1 |
23 | 두께측정기(Warp) | Wafer 두께 및 휨 정도를 측정 | 1 |
24 | 레이저어닐 | Wafer 후면의 미세 구조를 선택적 열처리 | 1 |
25 | 후면스퍼터 | 고순도(99.999%) 금속을 Wafer 후면에 증착 | 1 |
총 25대 29종 |
* 세부 장비별 사양은 개별 확인 필요
공모사업 바로가기
https://goo.gl/forms/6U4SgcwlXWb836Qr2
https://cafe.daum.net/policyfund/HhFz/745
https://cafe.daum.net/policyfund/HhFz/344